仕様チャンネルタイプ:P●最大連続ドレイン電流:2.3 A●最大ドレイン-ソース間電圧:30 V●最大ドレイン-ソース間抵抗:400 mΩ●最低ゲートしきい値電圧:1V●最大ゲート-ソース間電圧:-20 V, +20 V●パッケージタイプ:SOIC●実装タイプ:表面実装●ピン数:8●チャンネルモード:エンハンスメント型●カテゴリー:パワーMOSFET●最大パワー消費:2 W●1チップ当たりのエレメント数:2●デュアルPチャンネルパワーMOSFET、Infineon. InfineonのデュアルパワーMOSFETでは、2つのHEXFETRデバイスが統合されているので、基板スペースが最優先される高コンポーネント密度の設計において、省スペースでコスト効果の高いスイッチングソリューションが実現されます。 さまざまなパッケージングオプションをご用意しており、設計者はデュアルPチャンネル構成を選択できます。