仕様チャンネルタイプ:P 、 最大連続ドレイン電流:9.2 A 、 最大ドレイン-ソース間電圧:12 V 、 最大ドレイン-ソース間抵抗:30 mΩ 、 最大ゲートしきい値電圧:0.9V 、 最低ゲートしきい値電圧:0.4V 、 最大ゲート-ソース間電圧:-8 V, +8 V 、 パッケージタイプ:SOIC 、 実装タイプ:表面実装 、 ピン数:8 、 チャンネルモード:エンハンスメント型 、 カテゴリー:パワーMOSFET 、 最大パワー消費:2 W 、 動作温度 Min:-55 ℃ 、 PチャンネルパワーMOSFET 12 → 20 V、Infineon. InfineonのディスクリートHEXFETRパワーMOSFET製品には、リード付き表面実装パッケージに収容されたPチャンネルデバイス、及びほぼすべてのボードレイアウトや熱設計課題に対応できるフォームファクタが含まれています。 レンジ全体にわたる抵抗のベンチマークにより、導電損失が低下するので、最適なシステム効率を発揮できます。