内容量1個
仕様チャンネルタイプ:N●最大連続ドレイン電流:60 A●最大ドレイン-ソース間電圧:500 V●最大ドレイン-ソース間抵抗:100 mΩ●最大ゲートしきい値電圧:5V●最大ゲート-ソース間電圧:-30 V, +30 V●パッケージタイプ:TO-3P●実装タイプ:スルーホール●ピン数:3●チャンネルモード:エンハンスメント型●カテゴリー:パワーMOSFET●最大パワー消費:1.04 kW●1チップ当たりのエレメント数:1●NチャンネルパワーMOSFET、IXYS HiPerFET(TM) Polar3(TM)シリーズ. IXYS Polar3(TM)シリーズのNチャンネルパワーMOSFET (高速固有ダイオード搭載) (HiPerFET(TM))
注文コード49303179
品番IXFQ60N50P3