仕様チャンネルタイプ:N 、 最大連続ドレイン電流:8.5 A 、 最大ドレイン-ソース間電圧:60 V 、 最大ドレイン-ソース間抵抗:100 mΩ 、 最大ゲートしきい値電圧:3V 、 最大ゲート-ソース間電圧:-20 V, +20 V 、 パッケージタイプ:DPAK (TO-252) 、 実装タイプ:表面実装 、 ピン数:3 、 チャンネルモード:エンハンスメント型 、 カテゴリー:パワーMOSFET 、 最大パワー消費:8.49 W 、 動作温度 Min:-55 ℃
RoHS指令(10物質対応)対応