仕様チャンネルタイプ:P 、 最大連続ドレイン電流:11 A 、 最大ドレイン-ソース間電圧:40 V 、 最大ドレイン-ソース間抵抗:15 mΩ 、 最大ゲートしきい値電圧:2.5V 、 最大ゲート-ソース間電圧:-25 V, +25 V 、 パッケージタイプ:POWERDI5060 、 実装タイプ:表面実装 、 ピン数:8 、 チャンネルモード:エンハンスメント型 、 カテゴリー:パワーMOSFET 、 最大パワー消費:2.1 W 、 動作温度 Max:+150 ℃
RoHS指令(10物質対応)対応