仕様PowerTrench(R)デュアルNチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. Semis PowerTrench (R) MOSFET は、システム効率と電力密度を高めた、最適化された電源スイッチです。ゲート電荷量が小さく、逆回復が小さい、ソフトな逆回復ボディダイオードを組み合わせているため、 AC / DC 電源の同期整流の高速スイッチングに役立ちます。 PowerTrench(R) MOSFETのソフトボディダイオードの性能により、スナバー回路が不要になります。又は電シリーズPowerTrenchピン数(ピン)6RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプ表面実装チャンネルタイプNチャンネルモードエンハンスメント型最大連続ドレイン電流(A)2.7最大ドレイン-ソース間電圧(V)20最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)128最小ゲートしきい値電圧(V)0.4最大ゲート-ソース間電圧(V)-8、 +8トランジスタ構成絶縁型標準ゲートチャージ3.5 nC @ 4.5 V最大パワー消費960 mW
