- 仕様
- PowerTrench(R)デュアルNチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. Semis PowerTrench (R) MOSFET は、システム効率と電力密度を高めた、最適化された電源スイッチです。ゲート電荷量が小さく、逆回復が小さい、ソフトな逆回復ボディダイオードを組み合わせているため、 AC / DC 電源の同期整流の高速スイッチングに役立ちます。 PowerTrench(R) MOSFETのソフトボディダイオードの性能により、スナバー回路が不要になります。又は電
- シリーズ
- PowerTrench
- ピン数(ピン)
- 6
- RoHS指令(10物質対応)
- 対応
- 実装タイプ
- 表面実装
- チャンネルタイプ
- N
- チャンネルモード
- エンハンスメント型
- 最大連続ドレイン電流(A)
- 2.7
- 最大ドレイン-ソース間電圧(V)
- 20
- 最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)
- 128
- 最小ゲートしきい値電圧(V)
- 0.4
- 最大ゲート-ソース間電圧(V)
- -8、 +8
- トランジスタ構成
- 絶縁型
- 標準ゲートチャージ
- 3.5 nC @ 4.5 V
- 最大パワー消費
- 960 mW
- 内容量
- 1箱(10個)