その他【技術】MOSFET(金属酸化物)、【Id、Vgs印加時のRds On(最大)】299ミリオーム @ 9A、10V、【Id印加時のVgs(th)】最大5V @ 100μA、【Vgs印加時のゲート電荷(Qg)(最大)】43nC @ 10V、【Vgs(最大)】±30V、【Vds印加時の入力静電容量(Ciss)(最大)】1645pF @ 100Vタイプ【FET】Nチャンネル電流(A)(25℃での連続ドレイン(Id))：18.5(Tc)最大消費電力(W)250(Tc)RoHS指令(10物質対応)対応動作温度範囲(℃)-55～150(TJ)ドレイン・ソース電圧(V)900起動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン)10V
