- その他
- 【技術】MOSFET(金属酸化物)、【Id、Vgs印加時のRds On(最大)】299ミリオーム @ 9A、10V、【Id印加時のVgs(th)】最大5V @ 100μA、【Vgs印加時のゲート電荷(Qg)(最大)】43nC @ 10V、【Vgs(最大)】±30V、【Vds印加時の入力静電容量(Ciss)(最大)】1645pF @ 100V
- タイプ
- 【FET】Nチャンネル
- 電流(A)
- (25℃での連続ドレイン(Id)):18.5(Tc)
- 最大消費電力(W)
- 250(Tc)
- RoHS指令(10物質対応)
- 対応
- 動作温度範囲(℃)
- -55~150(TJ)
- ドレイン・ソース電圧(V)
- 900
- 起動電圧
- (最大Rdsオン、最小Rdsオン)10V
- 内容量
- 1個