チャンネルタイプ = P
最大連続ドレイン電流 = 200 mA
最大ドレイン-ソース間電圧 = 240 V
パッケージタイプ = E-Line
実装タイプ = スルーホール
ピン数 = 3
最大ドレイン-ソース間抵抗 = 9 Ω
チャンネルモード = エンハンスメント型
最大ゲートしきい値電圧 = 2V
最大パワー消費 = 750 mW
トランジスタ構成 = シングル
最大ゲート-ソース間電圧 = -40 V， +40 V
幅 = 2.41mm
動作温度 Min = -55 ℃mm
PチャンネルMOSFET、100 → 450 V、Diodes Inc
