チャンネルタイプ = P
最大連続ドレイン電流 = 35 mA
最大ドレイン-ソース間電圧 = 200 V
パッケージタイプ = SOT-23
実装タイプ = 表面実装
ピン数 = 3
最大ドレイン-ソース間抵抗 = 80 Ω
チャンネルモード = エンハンスメント型
最大ゲートしきい値電圧 = 3.5V
最大パワー消費 = 330 mW
トランジスタ構成 = シングル
最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V
幅 = 1.4mm
動作温度 Min = -55 ℃mm
PチャンネルMOSFET、100 → 450 V、Diodes Inc
