チャンネルタイプ N
最大連続ドレイン電流 80 A
最大ドレイン-ソース間電圧 55 V
シリーズ STripFET F3
実装タイプ 表面実装
ピン数 3
最大ドレイン-ソース間抵抗 8.5 mΩ
チャンネルモード エンハンスメント型
最大ゲートしきい値電圧 4V
最低ゲートしきい値電圧 2V
最大パワー消費 110 W
トランジスタ構成 シングル
最大ゲート-ソース間電圧 -20 V， +20 V
長さ 6.6mm
高さ 2.4mm
NチャンネルSTripFET F3、STMicroelectronics. 広い絶縁破壊電圧範囲のSTripFET MOSFETは、超低ゲート電荷量及び低オン抵抗を提供します。
