onsemi トランジスタ， NPN， 表面実装， 100 mA， MUN5211T1G

トランジスタタイプ = NPN
最大DCコレクタ電流 = 100 mA
最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 50 V
パッケージタイプ = SOT-323 (SC-70)
実装タイプ = 表面実装
最大パワー消費 = 310 mW
トランジスタ構成 = シングル
最大コレクタ-ベース間電圧 = 50 V
ピン数 = 3
1チップ当たりのエレメント数 = 1
動作温度 Max = +150 ℃mm
このシリーズのデジタルトランジスタは、単一デバイスと外部抵抗バイアスネットワークを置き換えるように設計されています。バイアス抵抗トランジスタ( BRT )には、 2 つの抵抗器、シリーズベース抵抗器、ベースエミッタ抵抗器で構成されるモノリシックバイアスネットワークを備えたシングルトランジスタが含まれています。BRT は、これらの個々のコンポーネントを 1 つのデバイスに統合することで、それらを排除します。BRT を使用することで、システムコストと基板スペースの両方を削減できます。回路設計の簡素化 基板スペースの削減 コンポーネント数を削減します 鉛フリー、ハロゲンフリー / BFRフリー