チャンネルタイプ = P
最大連続ドレイン電流 = 400 mA
最大ドレイン-ソース間電圧 = 20 V
パッケージタイプ = SOT-23
実装タイプ = 表面実装
ピン数 = 3
最大ドレイン-ソース間抵抗 = 550 mΩ
チャンネルモード = エンハンスメント型
最大ゲートしきい値電圧 = 2.3V
最大パワー消費 = 225 mW
トランジスタ構成 = シングル
最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V
幅 = 1.4mm
高さ = 1.01mm
NチャンネルパワーMOSFET、20 V、ON Semiconductor
