チャンネルタイプ = P
最大連続ドレイン電流 = 12 A
最大ドレイン-ソース間電圧 = 12 V
シリーズ = TrenchFET
実装タイプ = 表面実装
ピン数 = 6
最大ドレイン-ソース間抵抗 = 71 mΩ
チャンネルモード = エンハンスメント型
最低ゲートしきい値電圧 = 0.4V
最大パワー消費 = 19 W
トランジスタ構成 = シングル
最大ゲート-ソース間電圧 = -8 V， +8 V
幅 = 1.7mm
動作温度 Min = -55 ℃mm
PチャンネルMOSFET、TrenchFET Gen III、Vishay Semiconductors
