チャンネルタイプ = P
最大連続ドレイン電流 = 3.5 A
最大ドレイン-ソース間電圧 = 20 V
パッケージタイプ = SOT-23
実装タイプ = 表面実装
ピン数 = 3
最大ドレイン-ソース間抵抗 = 165 mΩ
チャンネルモード = エンハンスメント型
最低ゲートしきい値電圧 = 0.4V
最大パワー消費 = 1.8 W
トランジスタ構成 = シングル
最大ゲート-ソース間電圧 = -8 V， +8 V
幅 = 1.4mm
動作温度 Min = -55 ℃mm
PチャンネルMOSFET、8 → 20 V、Vishay Semiconductor
