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INFINEON

INFINEONのページです。INFINEONは、制御機器/はんだ・静電気対策用品などの商品を提供しています。現在563件の商品をご用意しており、人気商品や新着商品を豊富な品揃えの中からお選びいただけます。また、ご購入いただいたお客様の商品レビューもご確認いただけます。

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IRL540NPBF INFINEONIRL540NPBFINFINEON
289税込318
1個
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インフィニオン, ホール効果センサ IC INFINEONインフィニオン, ホール効果センサ ICINFINEON
599税込659
1袋(5個)ほか
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Infineon Nチャンネル IGBT INFINEONInfineon Nチャンネル IGBTINFINEON
619税込681
1袋(2個)ほか
7日以内出荷
IRF4905PBF INFINEONIRF4905PBFINFINEON
269税込296
1個
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Infineon Nチャンネル MOSFET40 V 343 A スルーホール パッケージTO-220AB 3 ピン INFINEONInfineon Nチャンネル MOSFET40 V 343 A スルーホール パッケージTO-220AB 3 ピンINFINEON
1,498税込1,648
1袋(2個)
翌々日出荷
モータ制御 / AC-DC同期整流MOSFET、Infineon. モータ制御MOSFET. Infineonでは、モータ制御用途向けに耐久性の高いNチャンネル / PチャンネルMOSFETデバイスの充実したポートフォリオを揃えています。. 同期整流MOSFET. AC-DC電源向けの同期整流MOSFETのポートフォリオは、電力密度が高く、サイズが小さく、携帯性が優れた、フレキシブルなシステムに関する顧客の要求に適合します。
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 343 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 40 Vシリーズ = HEXFET実装タイプ = スルーホールピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 2 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 2.5V最低ゲートしきい値電圧 = 1V最大パワー消費 = 375000 mWトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V, +20 V標準ゲートチャージ @ Vgs = 108 nC @ 4.5 Vmm動作温度 Min = -55 ℃RoHS指令(10物質対応)対応
Infineon Nチャンネル パワーMOSFET INFINEONInfineon Nチャンネル パワーMOSFETINFINEON
439税込483
1袋(5個)ほか
翌々日出荷から7日以内出荷
Infineon Nチャンネル MOSFET60 V 200 A スルーホール パッケージTO-247AC 3 ピン INFINEONInfineon Nチャンネル MOSFET60 V 200 A スルーホール パッケージTO-247AC 3 ピンINFINEON
999税込1,099
1袋(2個)
7日以内出荷
モータ制御 / AC-DC同期整流MOSFET、Infineon. モータ制御MOSFET. Infineonでは、モータ制御用途向けに耐久性の高いNチャンネル / PチャンネルMOSFETデバイスの充実したポートフォリオを揃えています。. 同期整流MOSFET. AC-DC電源向けの同期整流MOSFETのポートフォリオは、電力密度が高く、サイズが小さく、携帯性が優れた、フレキシブルなシステムに関する顧客の要求に適合します。
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 200 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 Vシリーズ = HEXFET実装タイプ = スルーホールピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 3 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 4V最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大パワー消費 = 280000 mWトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V, +20 Vトランジスタ素材 = Simm高さ = 20.7mmRoHS指令(10物質対応)対応
IRFZ44VPBF INFINEONIRFZ44VPBFINFINEON
259税込285
1個
当日出荷
IRF9Z34NPBF INFINEONIRF9Z34NPBFINFINEON
189税込208
1個
7日以内出荷
Infineon Nチャンネル MOSFET55 V 110 A スルーホール パッケージTO-247AC 3 ピン INFINEONInfineon Nチャンネル MOSFET55 V 110 A スルーホール パッケージTO-247AC 3 ピンINFINEON
199税込219
1個
7日以内出荷
インフィニオン NチャンネルパワーMOSFET 55 V. インフィニオンのディスクリートHEXFETRパワーMOSFET製品は、Nチャンネルデバイスが表面実装とリード付きパッケージに収容さています。ほぼすべてのボードレイアウトや熱設計課題に対応できる形状になっています。抵抗範囲全体のベンチマークにおいて導電損失を低下させ、最大限のシステム効率を実現します。
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 110 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 55 Vシリーズ = HEXFET実装タイプ = スルーホールピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 8 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 4V最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大パワー消費 = 200000 mWトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V, +20 V標準ゲートチャージ @ Vgs = 170 nC @ 10 Vmm動作温度 Min = -55 ℃mmRoHS指令(10物質対応)対応
Infineon Nチャンネル MOSFET200 V 65 A スルーホール パッケージTO-247AC 3 ピン INFINEONInfineon Nチャンネル MOSFET200 V 65 A スルーホール パッケージTO-247AC 3 ピンINFINEON
13,980税込15,378
1セット(25個)
7日以内出荷
モータ制御 / AC-DC同期整流MOSFET、Infineon. モータ制御MOSFET. Infineonでは、モータ制御用途向けに耐久性の高いNチャンネル / PチャンネルMOSFETデバイスの充実したポートフォリオを揃えています。. 同期整流MOSFET. AC-DC電源向けの同期整流MOSFETのポートフォリオは、電力密度が高く、サイズが小さく、携帯性が優れた、フレキシブルなシステムに関する顧客の要求に適合します。
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 65 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 200 Vシリーズ = HEXFET実装タイプ = スルーホールピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 25 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 5V最低ゲートしきい値電圧 = 3V最大パワー消費 = 330 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V, +30 V1チップ当たりのエレメント数 = 1mm動作温度 Min = -40 ℃RoHS指令(10物質対応)対応
Infineon電流モード PWMコントローラ INFINEONInfineon電流モード PWMコントローラINFINEON
799税込879
1袋(2個)ほか
翌々日出荷から7日以内出荷
AC-DC内蔵電源ステージ-CoolSET、Infineon.InfineonオフラインSMPS電流モードコントローラには、内蔵650VCoolMOS及びスタートアップセル(周波数ジッタモード)が搭載されています。 PMICBiCMOSテクノロジーは26VのVcc範囲を備えているので、2次側にCV/CC調整を適用すると、補助電源の変動に対応します。 この製品はアクティブなバーストモードも備えており、低スタンバイ電力だけでなく、自動リスタートモード機能を使用して、Vcc化電圧/低電圧、出力オープンループと過熱から保護します。 ICE3B1565Jは、固定周波数/電流モード/フライバックPWMコントローラで、スマートメータ、DVDプレーヤー、セットトップボックス、ゲーム機とLEDTVなどの多様な用途で使用できます。 低スタンバイ電力<100mW)変調型ゲートドライブ低EMIノイズ。
出力数PWM:1コントロール電流ピン数(ピン)8
Infineon Pチャンネル 小信号 MOSFET INFINEONInfineon Pチャンネル 小信号 MOSFETINFINEON
1,998税込2,198
1袋(50個)ほか
7日以内出荷
IRFZ34NPBF INFINEONIRFZ34NPBFINFINEON
71税込78
1個
翌々日出荷
IRFP4468PBF INFINEONIRFP4468PBFINFINEON
599税込659
1個
7日以内出荷
IRF520NPBF INFINEONIRF520NPBFINFINEON
90税込99
1個
当日出荷
Infineon Pioneer 開発 ボード CY8CKIT-042 INFINEONInfineon Pioneer 開発 ボード CY8CKIT-042INFINEON
7,898税込8,688
1個
5日以内出荷
クイックスタートガイド、USB-A Mini-Bケーブル、ジャンパワイヤ 6. CY8CKIT-042-BLE キットは、PSoC 4と追加のBLE (Bluetooth 4.1)ワイヤレス機能を備えています。CY8CKIT-042 PSoC 4200 Pioneerキット、Cypress. CY8CKIT-042 PSoC Pioneer開発キットは、使いやすくコスト効果の高いプラットフォームです。作成や設計が簡単になります。この開発キットは、Arduinoシールドのハードウェア互換性と、使いやすいFCC認定のPSoC BLE及びPRoC BLEモジュールを活用し、設計の柔軟性を最大限に高められるよう設計されています。この開発プラットフォームを使用すると、ミックスドシグナル機能とBluetooth LE無線の両方を必要とする組込みソリューションを簡単に開発できます。PSoC CreatorソフトウェアはPC上で動作し、システムの設計、アプリケーションファームウェアの記述、PSoCへのコードのダウンロード、内蔵デバッガを使用したステップスルー実行が可能です。オンボードの内容 48 MHz CY8C4245AXI-483 Cortex-M0コアPSoC 4200 (32 KBフラッシュメモリ、4 KB SRAMを搭載) オンボードCY8C5868LTI-LP039 PSoC 5LPベースのプログラマ デバッガ オンボードNCP1117DT +3.3 V電圧レギュレータ SmartSense自動調整機能付きCapSenseRタッチスライダ PSoC 4用のリセットプッシュボタン ユーザープッシュボタン ユーザーRGB LED PSoC 5LP用のステータスLED PSoC 4のプログラミング デバッグ用USB Mini-Bコネクタ 6ピンDigilent Pmod拡張コネクタ Arduino Uno v3 Shieldヘッダ PSoC 5LP用10ピンプログラミングヘッダ PSoC 5LP GPIO用12ピン拡張ヘッダ 電源: USBコネクタ(Vbus +5 dc)又はArduino Shieldヘッダ(Vin +5 +12 dc)から 用途 組み込み設計と開発 センシング及び計装 電源管理 通信及びネットワーキング 信号処理
仕様分類 = 開発 ボードキット名 = Pioneerテクノロジー = PSoCデバイスコア = ARM Cortex M0プロセッサファミリ名 = PSoCプロセッサ品番 =CY8C4245AXI-483プロセッサ種類 = MCURoHS指令(10物質対応)対応
Infineon Pチャンネル MOSFET55 V 3.4 A 表面実装 パッケージSOIC 8 ピン INFINEONInfineon Pチャンネル MOSFET55 V 3.4 A 表面実装 パッケージSOIC 8 ピンINFINEON
1,798税込1,978
1袋(10個)
7日以内出荷
Infineon PチャンネルパワーMOSFET 40 → 55 V. InfinionのディスクリートHEXFETRパワーMOSFET製品は表面実装およびリード線付きパッケージのP-channelデバイス、そしてほとんどの基板レイアウトと熱設計に対応できるフォームファクタを含みます。抵抗値範囲全体のベンチマークで導電損失を低減させます。これにより最大限のシステム効率を実現します。
仕様チャンネルタイプ = P最大連続ドレイン電流 = 3.4 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 55 Vシリーズ = HEXFET実装タイプ = 表面実装ピン数 = 8最大ドレイン-ソース間抵抗 = 170 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 1V最低ゲートしきい値電圧 = 1V最大パワー消費 = 2 Wトランジスタ構成 = 絶縁型最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V, +20 V1チップ当たりのエレメント数 = 2mm動作温度 Min = -55 ℃mmRoHS指令(10物質対応)対応
Infineon Nチャンネル MOSFET30 V 150 A スルーホール パッケージTO-220AB 3 ピン INFINEONInfineon Nチャンネル MOSFET30 V 150 A スルーホール パッケージTO-220AB 3 ピンINFINEON
5,998税込6,598
1セット(50個)
7日以内出荷
NチャンネルパワーMOSFET 30 V、Infineon. InfineonのディスクリートHEXFETRパワーMOSFET製品には、リード付き表面実装パッケージに収容されたNチャンネルデバイスが含まれています。 さらに、ほぼすべてのボードレイアウトや熱設計の課題に対応できるフォームファクタが含まれています。 レンジ全体にわたる抵抗のベンチマークにより、導電損失が低下するので、最適なシステム効率を発揮できます。
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 150 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 Vパッケージタイプ = TO-220AB実装タイプ = スルーホールピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 3 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 2.35V最低ゲートしきい値電圧 = 1.35V最大パワー消費 = 140 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V, +20 V1チップ当たりのエレメント数 = 1mm動作温度 Min = -55 ℃mmRoHS指令(10物質対応)対応
Infineon Nチャンネル MOSFET60 V 270 A スルーホール パッケージTO-247 3 ピン INFINEONInfineon Nチャンネル MOSFET60 V 270 A スルーホール パッケージTO-247 3 ピンINFINEON
569税込626
1個
7日以内出荷
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 270 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 Vシリーズ = HEXFET実装タイプ = スルーホールピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型1チップ当たりのエレメント数 = 1RoHS指令(10物質対応)対応
Infineon Nチャンネル MOSFET55 V 30 A 表面実装 パッケージD2PAK (TO-263) 3 ピン INFINEONInfineon Nチャンネル MOSFET55 V 30 A 表面実装 パッケージD2PAK (TO-263) 3 ピンINFINEON
1,798税込1,978
1袋(20個)
7日以内出荷
Infineon OptiMOS シリーズ N チャンネル MOSFET は、 DPAK パッケージに収納されています。最高の電流能力、最低のスイッチング損失、及び導電電力損失により、高い熱効率と堅牢なパッケージにより、優れた品質と信頼性を実現しています。車載AEC Q101認定 MSL1 Peak リフロー:最高 260 ° C 175 ° C の動作温度 グリーンパッケージ 超低 RDS 100% アバランシェ試験済み
仕様チャンネルタイプ N最大連続ドレイン電流 30 A最大ドレイン-ソース間電圧 55 Vシリーズ OptiMOS(TM)実装タイプ 表面実装ピン数 3最大ドレイン-ソース間抵抗 0.035 Ωチャンネルモード エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 2Vトランジスタ素材 SiRoHS指令(10物質対応)対応
Infineon Nチャンネル MOSFET40 V 130 A スルーホール パッケージTO-220AB 3 ピン INFINEONInfineon Nチャンネル MOSFET40 V 130 A スルーホール パッケージTO-220AB 3 ピンINFINEON
659税込725
1個
6日以内出荷
NチャンネルパワーMOSFET 40 V、Infineon. InfineonのディスクリートHEXFETRパワーMOSFET製品には、リード付き表面実装パッケージに収容されたNチャンネルデバイス、及びほぼすべてのボードレイアウトや熱設計課題に対応できるフォームファクタが含まれています。 レンジ全体にわたる抵抗のベンチマークにより、導電損失が低下するので、最適なシステム効率を発揮できます。
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 130 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 40 Vパッケージタイプ = TO-220AB実装タイプ = スルーホールピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 7 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 1V最低ゲートしきい値電圧 = 1V最大パワー消費 = 200000 mWトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -16 V, +16 V標準ゲートチャージ @ Vgs = 100 nC @ 4.5 V動作温度 Min = -55 ℃mmRoHS指令(10物質対応)対応
Infineon Nチャンネル MOSFET30 V 260 A スルーホール パッケージTO-220AB 3 ピン INFINEONInfineon Nチャンネル MOSFET30 V 260 A スルーホール パッケージTO-220AB 3 ピンINFINEON
589税込648
1袋(2個)
翌々日出荷
NチャンネルパワーMOSFET 30 V、Infineon. InfineonのディスクリートHEXFETRパワーMOSFET製品には、リード付き表面実装パッケージに収容されたNチャンネルデバイスが含まれています。 さらに、ほぼすべてのボードレイアウトや熱設計の課題に対応できるフォームファクタが含まれています。 レンジ全体にわたる抵抗のベンチマークにより、導電損失が低下するので、最適なシステム効率を発揮できます。
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 260 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 Vシリーズ = HEXFET実装タイプ = スルーホールピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 2 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 2.35V最低ゲートしきい値電圧 = 1.35V最大パワー消費 = 230 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V, +20 V標準ゲートチャージ @ Vgs = 57 nC @ 4.5 Vmm動作温度 Min = -55 ℃mmRoHS指令(10物質対応)対応
Infineon 開発 ボード CY8CKIT-059 INFINEONInfineon 開発 ボード CY8CKIT-059INFINEON
3,998税込4,398
1個
当日出荷
「スナップアウェイ」プログラマ/デバッガ CY8CKIT-059 PSoC 5LPプロトタイピングキット. CY8CKIT-059 PSoC 5LPプロトタイプ開発キットは、使いやすくコスト効率の高いプロトタイププラットフォームとして設計されています。このキットは、比類のない高精度アナログと柔軟性のあるカスタムシステムソリューションを設計することができます。この開発キットはまた、信号取得、信号処理、高精度、高帯域幅で柔軟性の高い制御の現代的な手法を提供します。 設計者は、PSoC 5LPとPSoC Creatorコンポーネントを組み合わせ、設計スケジュールを短縮し、市場投入期間を短縮できます。このキットには、PSoC 5LPデバイスをエンドシステムに簡単に開発・統合するためのプラットフォームとなるのと同時に、デバイスサンプルの代わりとなる低コストの代替品になります。. オンボードの内容. - PSoC 5LP デバイス - PSoC 5LPヘッダポートJ1 / J2 - Micro-USB コネクタ、 J6 - PSoC 5LP プログラム / デバッグ JTAG ヘッダ、 J5 - KitProg ( PSoC 5LP )デバイス - KitProgポート、J8 / J9 (GPIO) - SWD接続、J3 / J7 - PCB USB コネクタ - アンバーLED x 1 (電源) - 緑LED x 1 (ステータス) - 青LED x 1 (ユーザー) - ユーザープッシュボタンとリセットボタン - 外部リファレンスコンデンサ( ADC バイパス) - CapSense コンデンサ (CMOD) - プログラミングコネクタ、 J3 - 穴開き簡単に取り付けられるボードデザイン 特長 - 最高速USB 2.0接続でプロトタイプを作成するためのMicro-USBヘッダ - 32ビットARM Cortex M3 CPUコア - 0.5 V 、シングルセルバッテリ駆動からのブーストスタートアップ - 300 nA低リークハイバネーション低電力モード - 汎用I/Oシステム - デジタルペリフェラル - プログラミング/デバッグ/トレース - 精密でプログラム可能なクロック周波数 - PSoC Creator対応 アプリケーション 組込み設計と開発
仕様分類 = 開発 ボードテクノロジー = PSoCデバイスコア = ARM Cortex-M3プロセッサファミリ名 = PSoCプロセッサ品番 = CY8C5888LTI-LP097プロセッサ種類 = MCURoHS指令(10物質対応)対応
Infineon Nチャンネル MOSFET100 V 33 A スルーホール パッケージTO-220AB 3 ピン INFINEONInfineon Nチャンネル MOSFET100 V 33 A スルーホール パッケージTO-220AB 3 ピンINFINEON
1,898税込2,088
1袋(20個)
当日出荷
NチャンネルパワーMOSFET 100 V、Infineon. InfineonのディスクリートHEXFETRパワーMOSFET製品には、リード付き表面実装パッケージに収容されたNチャンネルデバイスが含まれています。 さらに、ほぼすべてのボードレイアウトや熱設計の課題に対応できるフォームファクタが含まれています。 レンジ全体にわたる抵抗のベンチマークにより、導電損失が低下するので、最適なシステム効率を発揮できます。
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 33 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 100 Vシリーズ = HEXFET実装タイプ = スルーホールピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 44 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 4V最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大パワー消費 = 130 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V, +20 V1チップ当たりのエレメント数 = 1mm動作温度 Min = -55 ℃mmRoHS指令(10物質対応)対応
Infineon Nチャンネル MOSFET150 V 33 A スルーホール パッケージIPAK 3 ピン INFINEONInfineon Nチャンネル MOSFET150 V 33 A スルーホール パッケージIPAK 3 ピンINFINEON
1,998税込2,198
1袋(5個)
7日以内出荷
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 33 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 150 Vパッケージタイプ = IPAK実装タイプ = スルーホールピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型トランジスタ素材 = シリコンRoHS指令(10物質対応)対応
Infineon 整流ダイオード INFINEONInfineon 整流ダイオードINFINEON
1,498税込1,648
1袋(10個)ほか
7日以内出荷
Infineon NPN ダーリントンペア INFINEONInfineon NPN ダーリントンペアINFINEON
1,498税込1,648
1袋(25個)ほか
7日以内出荷
Infineon IGBT INFINEONInfineon IGBTINFINEON
779税込857
1個ほか
7日以内出荷
Smart High-Side Power Switch 1.8A TO252 INFINEONSmart High-Side Power Switch 1.8A TO252INFINEON
1,798税込1,978
1袋(5個)
7日以内出荷
仕様PROFETスマートハイサイド電源スイッチ、シングルチャンネル、Infineon. 過負荷保護 電流制限 短絡保護 サーマルシャットダウン 過電圧保護 静電気放電(ESD)保護RoHS指令(10物質対応)対応
IRFZ48NPBF INFINEONIRFZ48NPBFINFINEON
119税込131
1個
翌々日出荷
IRFP4768PBF INFINEONIRFP4768PBFINFINEON
899税込989
1個
7日以内出荷
RoHS指令(10物質対応)対応
IRFP260NPBF INFINEONIRFP260NPBFINFINEON(1件のレビュー)
759税込835
1個
翌々日出荷
IRFP140NPBF INFINEONIRFP140NPBFINFINEON
399税込439
1個
翌々日出荷
IRFB4321PBF INFINEONIRFB4321PBFINFINEON
529税込582
1個
7日以内出荷
IRF9Z24NPBF INFINEONIRF9Z24NPBFINFINEON
93税込102
1個
翌々日出荷
IRF640NPBF INFINEONIRF640NPBFINFINEON(1件のレビュー)
259税込285
1個
翌々日出荷
IRF5305PBF INFINEONIRF5305PBFINFINEON
279税込307
1個
7日以内出荷
IRF3205PBF INFINEONIRF3205PBFINFINEON
239税込263
1個
7日以内出荷
IRF1405PBF INFINEONIRF1405PBFINFINEON
179税込197
1個
翌々日出荷
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