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Infineon TLF1963TE シリーズは、 PG-TO252-5 SMD パッケージで提供される低ドロップアウト電圧レギュレータです。このデバイスは、最大 1.5 A の負荷を供給できますTLF1963 は、複数の供給電圧を必要とするシステムに最適なソリューションを提供します。この調整機能により、レギュレータは、 1.21 V →利用可能な入力電圧のすべての供給電圧を供給できるため、システム設計者に高い柔軟性を提供できます。ワイド入力電圧範囲 出力セラミックキャップをサポート 環境配慮製品 RoHS対応 AEC認定

Cypress PSoC 5LP(ARM Cortex-M3 コア). Cypress Semiconductor PSoC 5LP (Programmable Embedded System-on-Chip) は、メモリおよびマイクロコントローラ(MCU)、デジタルおよびアナログの周辺機器を一つのチップに搭載しています。PSoC 5LPプラットフォームアーキテクチャは、32ビットARM Cortex-M3コアとダイレクトメモリアクセス(DMA)コントローラ、最大80MHzのデジタルフィルタプロセッサを搭載しています。. 柔軟性の高いルーテ ィ ング 幅広い電圧範囲

CYUSBS232 USB-UART LPリファレンスデザインキット、Cypress Semiconductor. USB-UART LPブリッジコントローラは、単一のUSB - UARTインターフェイスチャンネルを提供し、スタンバイモードでの低電力消費を特長としています。CY7C65213コントローラは、バッテリ充電検出ロジックを内蔵しています。このコントローラは、入力 / 出力用に最大8ピンを備えます。USBシリアルソフトウェア開発キット(SDK)はcypress.comで入手できます。USB-IFバッテリ充電仕様バージョン1.2に準拠 CY7C65213 USB-UART LPブリッジコントローラを備えたUSB接続アプリケーションに最適. キットの内容. CYUSBS232開発ボード クイックスタートガイド USBタイプA - Micro-Bケーブル ジャンパワイヤ CY7C65213 USB-UART LPブリッジコントローラのサンプル

Cypress PSoC 5LP(ARM Cortex-M3 コア). Cypress Semiconductor PSoC 5LP (Programmable Embedded System-on-Chip) は、メモリおよびマイクロコントローラ(MCU)、デジタルおよびアナログの周辺機器を一つのチップに搭載しています。PSoC 5LPプラットフォームアーキテクチャは、32ビットARM Cortex-M3コアとダイレクトメモリアクセス(DMA)コントローラ、最大80MHzのデジタルフィルタプロセッサを搭載しています。. 柔軟性の高いルーテ ィ ング 幅広い電圧範囲

PROFETスマートハイサイド電源スイッチ、シングルチャンネル、Infineon. 過負荷保護 電流制限 短絡保護 サーマルシャットダウン 過電圧保護 静電気放電(ESD)保護

CapSenseRタッチコントローラ、Cypress Semiconductor. Cypress Semiconductorプログラマブルシステムオンチップ(PSoCR)製品シリーズは、アナログサブシステムと静電容量式検出ハードウェアを内蔵しています。これらの設定可能なデバイスには、オンボードMCUが搭載されており、主に静電容量式タッチスクリーンの用途を対象としています。

USBインターフェースIC・USBコントローラ

USBインターフェースIC・USBコントローラ

USBインターフェースIC・USBコントローラ

USBインターフェースIC・USBコントローラ

半導体リレー

NチャンネルパワーMOSFET 150 → 600 V、Infineon. InfineonのディスクリートHEXFETRパワーMOSFET製品には、リード付き表面実装パッケージに収容されたNチャンネルデバイス、及びほぼすべてのボードレイアウトや熱設計課題に対応できるフォームファクタが含まれています。 レンジ全体にわたる抵抗のベンチマークにより、導電損失が低下するので、最適なシステム効率を発揮できます。

Infineon OptiMOS3パワーMOSFET、100 V以上

デジタルオーディオMOSFET、Infineon. クラスDアンプは、短期間で業務用及び家庭用のオーディオ / ビデオシステム向けに推奨されるソリューションとなっています。 Infineonは、高効率クラスDアンプ設計を簡素化する充実した製品ラインアップを揃えています。

デュアルN / PチャンネルパワーMOSFET、Infineon. InfineonのデュアルパワーMOSFETでは、2つのHEXFETRデバイスが統合されているので、基板スペースが最優先される高コンポーネント密度の設計において、省スペースでコスト効果の高いスイッチングソリューションが実現されます。 さまざまなパッケージングオプションを用意しているので、設計者はデュアルN/Pチャンネル構成を選択できます。

モータ制御 / AC-DC同期整流MOSFET、Infineon. モータ制御MOSFET. Infineonでは、モータ制御用途向けに耐久性の高いNチャンネル / PチャンネルMOSFETデバイスの充実したポートフォリオを揃えています。. 同期整流MOSFET. AC-DC電源向けの同期整流MOSFETのポートフォリオは、電力密度が高く、サイズが小さく、携帯性が優れた、フレキシブルなシステムに関する顧客の要求に適合します。

モータ制御 / AC-DC同期整流MOSFET、Infineon. モータ制御MOSFET. Infineonでは、モータ制御用途向けに耐久性の高いNチャンネル / PチャンネルMOSFETデバイスの充実したポートフォリオを揃えています。. 同期整流MOSFET. AC-DC電源向けの同期整流MOSFETのポートフォリオは、電力密度が高く、サイズが小さく、携帯性が優れた、フレキシブルなシステムに関する顧客の要求に適合します。

NチャンネルパワーMOSFET 150 → 600 V、Infineon. InfineonのディスクリートHEXFETRパワーMOSFET製品には、リード付き表面実装パッケージに収容されたNチャンネルデバイス、及びほぼすべてのボードレイアウトや熱設計課題に対応できるフォームファクタが含まれています。 レンジ全体にわたる抵抗のベンチマークにより、導電損失が低下するので、最適なシステム効率を発揮できます。

Infineon の 100V OptiMOS パワー MOSFET は、高効率、高電力密度 SMPS の優れたソリューションを提供します。次善の技術と比較してこのファミリは、 R DS ( on )と FOM (性能指数)の両方が 30 % 低くなっています。優れたスイッチング性能：世界最低クラスの R DS ( on ) 超低Q g / Q gd 優れたゲート電荷量 x R DS(on)製品(FOM) RoHS 準拠 - ハロゲンフリー MSL1 等級 2

Infineon OptiMOS3パワーMOSFET、100 V以上

NチャンネルパワーMOSFET 100 V、Infineon. InfineonのディスクリートHEXFETRパワーMOSFET製品には、リード付き表面実装パッケージに収容されたNチャンネルデバイスが含まれています。 さらに、ほぼすべてのボードレイアウトや熱設計の課題に対応できるフォームファクタが含まれています。 レンジ全体にわたる抵抗のベンチマークにより、導電損失が低下するので、最適なシステム効率を発揮できます。

Infineon の OptimOS P3 + OptiMOS 2 MOSFET は、同じパッケージに収められた N チャンネル及び P チャンネルパワー MOSFET です。発電(太陽光発電マイクロインバータなど)、電源(サーバーや通信など)、消費電力(電気自動車など)の高効率ソリューションです。アバランシェ定格です100 % 鉛フリーで RoHS に適合しています

デュアルN / PチャンネルパワーMOSFET、Infineon。InfineonのデュアルパワーMOSFETでは、2つのHEXFETRデバイスが統合されているので、基板スペースが最優先される高コンポーネント密度の設計において、省スペースでコスト効果の高いスイッチングソリューションが実現されます。さまざまなパッケージングオプションを用意しているので、設計者はデュアルN/Pチャンネル構成を選択できます。

Infineon TrenchStop IGBTトランジスタ、600 650 V. InfineonのIGBTトランジスタは、600 650 Vのコレクタ-エミッタ間の定格電圧を備え、TrenchStop技術を採用しています。この製品は、高速リカバリアンチパラレルダイオードを搭載したデバイスを含んでいます。. コレクタ-エミッタ電圧範囲: 600 650 VCEsatが非常に低い ターンオフ損失が低い ショートテール電流 低EMI 最大ジャンクション温度: 175 ℃