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Infineon CoolMOS-C3パワーMOSFET

Infineon PチャンネルパワーMOSFET 40 → 55 V. InfinionのディスクリートHEXFETRパワーMOSFET製品は表面実装およびリード線付きパッケージのP-channelデバイス、そしてほとんどの基板レイアウトと熱設計に対応できるフォームファクタを含みます。抵抗値範囲全体のベンチマークで導電損失を低減させます。これにより最大限のシステム効率を実現します。

Infineon CoolMOSC3パワーMOSFET

Infineon の 40 V 及び 60 V 製品ファミリは、業界最低レベルの R DS ( on )に加えて、高速スイッチング用途に最適なスイッチング動作を備えています。Advanced Thin ウエハー技術により、代替デバイスと比較して、 R DS ( on )の 15 % 低減と性能指数( R DS ( on ) x Q g )の 31 % 低減を実現しています。効率、電力密度、及びコスト効果を高めるためにクラス最高の性能を実現しています。アバランシェ100 %テスト済み 優れた熱抵抗 同期整流に最適化

インフィニオン NチャンネルパワーMOSFET 55 V. インフィニオンのディスクリートHEXFETRパワーMOSFET製品は、Nチャンネルデバイスが表面実装とリード付きパッケージに収容さています。ほぼすべてのボードレイアウトや熱設計課題に対応できる形状になっています。抵抗範囲全体のベンチマークにおいて導電損失を低下させ、最大限のシステム効率を実現します。

Infineon CoolMOS-C6 / C7パワーMOSFET

インフィニオン NチャンネルパワーMOSFET 55 V. インフィニオンのディスクリートHEXFETRパワーMOSFET製品は、Nチャンネルデバイスが表面実装とリード付きパッケージに収容さています。ほぼすべてのボードレイアウトや熱設計課題に対応できる形状になっています。抵抗範囲全体のベンチマークにおいて導電損失を低下させ、最大限のシステム効率を実現します。

NチャンネルパワーMOSFET 40 V、Infineon. InfineonのディスクリートHEXFETRパワーMOSFET製品には、リード付き表面実装パッケージに収容されたNチャンネルデバイス、及びほぼすべてのボードレイアウトや熱設計課題に対応できるフォームファクタが含まれています。 レンジ全体にわたる抵抗のベンチマークにより、導電損失が低下するので、最適なシステム効率を発揮できます。

Infineon 40 V シングル N チャンネル HEXFET パワー MOSFET は、 SO-8 パッケージに収容されています。超低ゲートインピーダンス 超低 RDS ( on ) アバランシェ電圧 / 電流を完全特性化

Infineon SIPMOSR PチャンネルMOSFET. Infineon SIPMOS ；sup>；R ；/sup>；小信号PチャンネルMOSFETは、強化モード、最低で-80 Aの連続ドレイン電流、幅広い動作温度範囲を備えています。 SIPMOSパワートランジスタは、通信、eMobility、ノートブック、DC/DCデバイスだけでなく、自動車産業を含む多様な用途で使用できます。. ・ AEC Q101適合(データシートを参照してください) ・ 無鉛めっき、RoHS対応

トランジスタ出力 ‐ FET及びMOSFET、Infineon. InfineonのPDV13シリーズは、アナログ信号の汎用スイッチングに使用されている電気機械式リレーを置き換える、常時開の単極ソリッドステートリレーです。 このシリーズは、InfineonのHEXFETパワーMOSFETを出力スイッチとして利用し、斬新な構造の太陽光発電集積回路で駆動されます。. バウンスのない動作 1010オフ抵抗 1，000 V/μsec dv/dt 入力感度: 5 mA 4，000 Vrms I/O絶縁 ソリッドステートの安定性

PROFETスマートハイサイド電源スイッチ、シングルチャンネル、Infineon. 過負荷保護 電流制限 短絡保護 サーマルシャットダウン 過電圧保護 静電気放電(ESD)保護

PSoC ファミリは、多くのプログラマブルシステムオンチップコントローラデバイスで構成されています。これらのデバイスは、複数の従来の MCU ベースのシステムコンポーネントを、低コストのシングルチッププログラマブルコンポーネントに置き換えるように設計されています。PSoC デバイスには、アナログ / デジタルロジックの構成可能なブロックとプログラマブルインターコネクトが組み込まれています。このアーキテクチャにより、個々のアプリケーションの要件に合わせて、カスタマイズされたペリフェラル設定を作成できます。また、高速 CPU 、フラッシュプログラムメモリ、 SRAM データメモリ、及び構成可能な I/O が、便利なピン配列に用意されています。

Infineon のハイサイド電源スイッチは、垂直パワー FET を内蔵しており、保護及び診断機能を内蔵しています。サーマルシャットダウン、再起動機能、ロードダンプを含む過電圧保護を備えています。スタンバイ電流が非常に低くなっています ESD 保護機能を備えています fail イベントにフラグが設定されています

強力なハーバードアーキテクチャプロセッサ 最大 24 MHz M8C プロセッサ速度 高速で低電力 動作電圧: 3.0 5.25 車載温度範囲： -40 C +85 C Advanced Peripherals PSoC ブロック アナログタイプ PSoC ブロック 個には、次の特長があります。 デジタル アナログコンバータ( DAC )搭載のコンパレータ 2 参照 最大 10 ビットシングル デュアル、 24 チャンネルのアナログ デジタル コンバータ( ADC 4 つのデジタル PSoC ブロックの特長： → 32 ビットのタイマ、カウンタ、及びパルス幅変調器 PWM 巡回冗長検査( CRC )および擬似ランダム シーケンス( PRS )モジュール 全二重又は半二重 UART SPI Master 又はスレーブです すべての汎用 I/O GPIO )ピンに接続可能です ブロックを組み合わせることで複雑なペリフェラルを実現 静電容量センシング用途に対応 柔軟性の高いオンチップメモリ KB のフラッシュプログラムストレージ 512 バイト SRAM データ格納 インシステムシリアルプログラミング( ISSP 部分的なフラッシュアップデート 柔軟な保護モード フラッシュでの EEPROM エミュレーション 開発ツール一式 無料の開発ソフトウェア( PSoC Designer ) 多機能のインサーキットエミュレータ( ICE )とプログラマ フルスピードエミュレーション 複雑なブレークポイント構造 128 KB のトレースメモリ 精密でプログラム可能なクロック周波数 5 24 MHz の発振器を内蔵 ウォッチドッグ及び用の低速、低消費電力の発振器を内蔵しています スリープ機能 オプションの外部発振器、最大 24 MHz プログラム可能なピン構成 すべての GPIO 25 mA シンク、 10 mA ドライブ プルアップ、プルダウン、高 、強、オープンドレイン駆動モード すべての GPIO すべての GPIO にアナログ入力を備えています すべての GPIO で設定可能な割り込み 多用途のアナログマルチプレクサ 共通内部アナログバス I/O の組み合わせの同時接続 その他のシステムリソース 内部集積回路( 2c )マスター、スレーブ、またはマルチマスター 最大動作周波数： 400 kHz ウォッチドッグタイマ及びスリープタイマです ユーザー設定可能な低電圧検出( LVD 監視回路を内蔵 オンチップ高精度基準電圧

Infineon BAS シリーズのショットキーダイオードは、最大定格電流が 120 mA の高速スイッチングに対応します。電圧クランプ、高レベル検出及びミキシング、回路保護などで使用します。動作温度範囲： -55 → +150 ° C 鉛フリー

PROFETスマートハイサイド電源スイッチ、シングルチャンネル、Infineon. 過負荷保護 電流制限 短絡保護 サーマルシャットダウン 過電圧保護 静電気放電(ESD)保護

PROFETスマートハイサイド電源スイッチ、シングルチャンネル、Infineon. 過負荷保護 電流制限 短絡保護 サーマルシャットダウン 過電圧保護 静電気放電(ESD)保護

CapSenseRタッチコントローラ、Cypress Semiconductor. Cypress Semiconductorプログラマブルシステムオンチップ(PSoCR)製品シリーズは、アナログサブシステムと静電容量式検出ハードウェアを内蔵しています。これらの設定可能なデバイスには、オンボードMCUが搭載されており、主に静電容量式タッチスクリーンの用途を対象としています。

CapSenseRタッチコントローラ、Cypress Semiconductor. Cypress Semiconductorプログラマブルシステムオンチップ(PSoCR)製品シリーズは、アナログサブシステムと静電容量式検出ハードウェアを内蔵しています。これらの設定可能なデバイスには、オンボードMCUが搭載されており、主に静電容量式タッチスクリーンの用途を対象としています。

Infineon の低ドロップアウト電圧レギュレータは、 300 mA の出力電流をマイクロパワーで低ノイズで供給できます低消費電流 短絡保護 過熱保護

XMC4500 32ビット産業用マイクロコントローラ、Infineon. DAVE ；sup>；TM ；/sup>； 3 ソフトウェアは、XMC4000シリーズでハードウェアの機能を利用するソフトウェアを開発するのに役立つ無料のツールチェーンです。 このDAVEツールには、既存のDAVEツールのあらゆる機能と、IDE、コンパイラ、デバッガ、低レベルコード生成の機能が組み込まれています。 このツールは使いやすく、組み込みコードはDAVEアプリと呼ばれています。DAVEアプリは、Webからダウンロードして構成することができます。 自由なアプリケーションコード設計により、評価から生産(E2P)までの用途に応じたアプリを必要な数だけ追加することができます。 www.infineon.com/DAVEからDAVE ；sup>；TM ；/sup>；を無料でダウンロード. ARM ；sup>；R ；/sup>； Cortex-M4、120 MHz (シングルサイクルDSP MAC及び浮動少数点ユニット(FPU)搭載) 1 MB組み込みフラッシュ(ハードウェアECC内蔵) 160 Kb SRAM (XMC4504 128 Kb) 12チャンネルDMA IEEE1588準拠イーサネットMAC USB 2.0フルスピードOn-the-Go 充実したセット内容: 各種タイマ、PWM、デルタ-シグマ復調器、一インターフェイス 最大26チャンネルを備えた12ビットADCカーネル x 4、12ビットDAC x 2 多機能シリアルインターフェイスモジュール x 6 (SPI、I2C、I2S、UARTに構成可能) CANノード x 3 外付けバスインターフェイス。SDRAM、SRAM、NOR- / NAND-Flash及びメモリマップI / O装置(LCD)をサポート SD / MMCインターフェイス タッチインターフェイス及びLEDマトリックス バッテリバックアップ式リアルタイムクロック(カレンダー機能及びタイムベース又は外部ウェイクアップ機能を搭載)

高速スイッチングエミッタ制御ダイオード、Infineon. Infineon 切り替えエミッタ制御ダイオードは、Rapid 1及びRapid 2ファミリの600 V / 1200 V超ソフトダイオードです。 これらのダイオードは、通信、UPS、溶接、AC-DCの多様な用途で動作し、超ソフトバージョンは最高で30 kHzのモータ駆動用途で動作します。. ；i>； Rapid 1 ；/i>；ダイオードは、18 kHzと40 kHzの間で切り替わります。 温度安定性のある順方向電圧: 1.35 V 力率補正(PFC)トポロジに最適 ；i>；Rapid 2ダイオード ；/i>； は、40 kHzと100 kHzの間で切り替わります。 低い逆回復電荷量: BiC性能向けの順方向電圧 短い逆回復時間 ブーストスイッチのターンオン損失が低い ；i>； 超高速ダイオード ；/i>； 600 V / 1200 Vエミッタ制御技術 JEDEC規格に適合 優れたEMI対策 低い導電損失 並列接続が簡単

CY8CKIT-030 PSoC 3開発キット、Cypress. CY8CKIT-030 PSoC 3開発キットにより、PSoC Creator又はPSoC Programmerソフトウェアを搭載したPSoC 3を使用して、高精度のアナログ設計や低消費電力設計の開発 / 評価を行うことができます。PSoC 3は、8ビット / 16ビットアプリケーション用のプログラマブルシステムオンチッププラットフォームです。このキットは、オンボードプログラマ / デバッガを備えているため、Miniprog3を接続しなくてもPSoC 3をプログラムすることができます。キットの内容. PSoC 3開発ボード LCD文字ディスプレイ USB標準タイプA-Mini-Bケーブル クイックスタートガイド キットCD: PSoC Creator、PSoC Programmer、プロジェクト、及びマニュアルを収録