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エコロジープロダクト
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Infineon 高速スイッチINFINEON￥879税込￥967
1個
7日以内出荷
仕様電源スイッチの種類：高速スイッチ 、 スイッチオン抵抗：0.165Ω 、 出力数：4 、 電圧：16V 、 電流：7.5A 、 実装タイプ：表面実装 、 パッケージタイプ：DSO 、 ピン数：20 、 寸法：12.8 x 7.6 x 2.45mm 、 長さ：12.8mm 、 幅：7.6mm 、 高さ：2.45mm 、 動作温度 Max：+150 ℃ 、 動作温度 Min：-40 ℃ 、 PROFETスマートハイサイド電源スイッチ、マルチチャンネル、Infineon. 過負荷保護 電流制限 短絡保護 サーマルシャットダウン 過電圧保護 静電気放電(ESD)保護RoHS指令(10物質対応)対応
Infineon ハイサイドNMOSINFINEON￥2,698～税込￥2,968～
1袋(20個)ほか
7日以内出荷
仕様電源スイッチの種類：ハイサイドNMOS 、 スイッチオン抵抗：5Ω 、 出力数：1 、 電圧：60V 、 実装タイプ：表面実装 、 パッケージタイプ：SOT-223 、 ピン数：3 + Tab 、 寸法：6.5 x 3.5 x 1.6mm 、 長さ：6.5mm 、 幅：3.5mm 、 高さ：1.6mm 、 動作温度 Max：+125 ℃ 、 動作温度 Min：-40 ℃ 、 産業用ハイサイドスイッチ、Infineon. Infineonのシングル及びマルチチェック保護スマートハイサイドNMOSパワースイッチ製品です。RoHS指令(10物質対応)対応
Infineon シングル1:1 アナログスイッチINFINEON￥459,800税込￥505,780
1リール(2500個)
7日以内出荷
仕様構成：シングル1:1 、 パッケージタイプ：TO-252 、 実装タイプ：表面実装 、 標準シングル供給電圧：52 V 、 スイッチタイプ：ハイサイド 、 ピン数：5 、 電源タイプ：シングル 、 入力信号タイプ：CMOS 、 動作温度 Min：-40 ℃ 、 動作温度 Max：+150 ℃ 、 1チップ当たりのチャンネル数：1 、 寸法：6.5 x 6.22 x 2.3mm 、 PROFETスマートハイサイド電源スイッチ、シングルチャンネル、Infineon. 過負荷保護 電流制限 短絡保護 サーマルシャットダウン 過電圧保護 静電気放電(ESD)保護RoHS指令(10物質対応)対応
Infineon オーディオアンプ ICINFINEON￥439,800税込￥483,780
1リール(2500個)
7日以内出荷
仕様アンプタイプ：Class-D●出力タイプ：モノリシック●最大電力：500W●アンプのクラス：クラスD●電源タイプ：シングル●1チップ当たりのチャンネル数：1●パッケージタイプ：SOIC●ピン数：16●入力信号タイプ：シングル●出力信号タイプ：シングル●標準ゲインバンド幅積：9MHz●最小CMRR：60dB●寸法：9.98 x 4 x 1.5mmRoHS指令(10物質対応)対応
Infineon Pチャンネル 小信号 MOSFETトランジスタINFINEON￥49,980税込￥54,978
1リール(1000個)
7日以内出荷
仕様チャンネルタイプ：P●最大連続ドレイン電流：1.9 A●最大ドレイン-ソース間電圧：60 V●最大ドレイン-ソース間抵抗：300 mΩ●最大ゲートしきい値電圧：2V●最低ゲートしきい値電圧：1V●最大ゲート-ソース間電圧：-20 V， +20 V●パッケージタイプ：SOT-223●実装タイプ：表面実装●ピン数：3+Tab●チャンネルモード：エンハンスメント型●カテゴリー：小信号●最大パワー消費：1.8 W●シリーズ：SIPMOS●Infineon SIPMOSR PチャンネルMOSFET. Infineon SIPMOS R 小信号PチャンネルMOSFETは、強化モード、最低で-80 Aの連続ドレイン電流、幅広い動作温度範囲を備えています。 SIPMOSパワートランジスタは、通信、eMobility、ノートブック、DC/DCデバイスだけでなく、自動車産業を含む多様な用途で使用できます。. ・ AEC Q101適合(データシートを参照してください) ・ 無鉛めっき、RoHS対応RoHS指令(10物質対応)対応
Infineon Pチャンネル MOSFETINFINEON￥1,998税込￥2,198
1袋(20個)
7日以内出荷
仕様チャンネルタイプ：P●最大連続ドレイン電流：2.9 A●最大ドレイン-ソース間電圧：60 V●最大ドレイン-ソース間抵抗：130 mΩ●最大ゲートしきい値電圧：4V●最低ゲートしきい値電圧：2.1V●最大ゲート-ソース間電圧：-20 V， +20 V●パッケージタイプ：SOT-223●実装タイプ：表面実装●ピン数：3+Tab●チャンネルモード：エンハンスメント型●最大パワー消費：10.8 W●1チップ当たりのエレメント数：1●Infineon SIPMOSR PチャンネルMOSFET. Infineon SIPMOS R 小信号PチャンネルMOSFETは、強化モード、最低で-80 Aの連続ドレイン電流、幅広い動作温度範囲を備えています。 SIPMOSパワートランジスタは、通信、eMobility、ノートブック、DC/DCデバイスだけでなく、自動車産業を含む多様な用途で使用できます。. ・ AEC Q101適合(データシートを参照してください) ・ 無鉛めっき、RoHS対応RoHS指令(10物質対応)対応
Infineon 2 GHz 広帯域 RFアンプINFINEON￥3,898税込￥4,288
1袋(20個)
7日以内出荷
仕様アンプタイプ：ブロードバンド●標準パワーゲイン：19.8 dB●標準出力パワー：12dBm●標準ノイズ：2.1dB●1チップ当たりのチャンネル数：1●最大動作周波数：2 GHz●実装タイプ：表面実装●パッケージタイプ：SOT-343●ピン数：4●寸法：2 x 1.25 x 0.8mm●高さ：0.8mm●長さ：2mm●幅：1.25mm●RFアンプ、Infineon. Infineon のRF低ノイズアンプ(LNA)製品は、MMIC、GPS、ゲイン及びPCSの他に、ブロードバンドタイプ及びGlonassフロントエンドモジュールに対応しています。 このRFアンプは、低消費電力、データの高速受信を特長とし、ESD保護機能を備え、モバイル機器で使用されます。 GPS / Glonassモジュールは、パーソナルナビゲーションデバイス(PND)、タブレット、カメラ及び携帯電話で広く使用されています。RoHS指令(10物質対応)対応
