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Infineon Nチャンネル MOSFET20 V 950 mA 表面実装パッケージSOT-363 6 ピンINFINEON

￥44,980税込￥49,478

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Infineon OptiMOS2パワーMOSFETファミリ. Infineonの OptiMOS2 Nチャンネルファミリは、同社の電圧グループ内で最も低いON抵抗を実現しています。 Power MOSFETシリーズは、高周波通信、データ通信、太陽光発電、低電圧デバイス、サーバー電源を含む多くの用途で使用できます。 OptiMOS 製品ファミリの範囲は20 V以上です。様々なパッケージタイプが揃っています。

仕様チャンネルタイプ N最大連続ドレイン電流 950 mA最大ドレイン-ソース間電圧 20 Vシリーズ OptiMOS(TM) 2実装タイプ表面実装ピン数 6最大ドレイン-ソース間抵抗 600 mΩチャンネルモードエンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 1.2V最低ゲートしきい値電圧 0.7V最大パワー消費 500 mWトランジスタ構成絶縁型最大ゲート-ソース間電圧 -12 V， +12 V幅 1.25mm高さ 0.8mmRoHS指令(10物質対応)対応

Infineon Nチャンネル MOSFET100 V 33 A スルーホールパッケージI2PAK (TO-262) 3 ピンINFINEON

￥13,980税込￥15,378

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NチャンネルパワーMOSFET 100 V、Infineon. InfineonのディスクリートHEXFETRパワーMOSFET製品には、リード付き表面実装パッケージに収容されたNチャンネルデバイスが含まれています。さらに、ほぼすべてのボードレイアウトや熱設計の課題に対応できるフォームファクタが含まれています。レンジ全体にわたる抵抗のベンチマークにより、導電損失が低下するので、最適なシステム効率を発揮できます。

仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 33 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 100 Vシリーズ = HEXFET実装タイプ = スルーホールピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 44 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最大パワー消費 = 130 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V幅 = 4.83mm高さ = 9.65mmRoHS指令(10物質対応)対応

Infineon Nチャンネル MOSFET100 V 127 A スルーホールパッケージTO-220ABINFINEON

￥25,980税込￥28,578

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仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 127 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 100 Vパッケージタイプ = TO-220AB実装タイプ = スルーホールRoHS指令(10物質対応)対応

Infineon Nチャンネル IGBT 650 V 15 A， 3-Pin TO-220 1INFINEON

￥799税込￥879

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仕様最大連続コレクタ電流 = 15 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 650 V最大ゲート-エミッタ間電圧 = ±20 V， ±30V最大パワー消費 = 33.3 Wパッケージタイプ = TO-220実装タイプ = スルーホールチャンネルタイプ = Nピン数 = 3RoHS指令(10物質対応)対応

Infineon Nチャンネル MOSFET150 V 51 A スルーホールパッケージTO-220AB 3 ピンINFINEON

￥1,198税込￥1,318

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仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 51 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 150 Vシリーズ = HEXFET実装タイプ = スルーホールピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型1チップ当たりのエレメント数 = 1RoHS指令(10物質対応)対応

Infineon Nチャンネル MOSFET100 V 33 A スルーホールパッケージTO-247AC 3 ピンINFINEON

￥3,998税込￥4,398

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NチャンネルパワーMOSFET 100 V、Infineon. InfineonのディスクリートHEXFETRパワーMOSFET製品には、リード付き表面実装パッケージに収容されたNチャンネルデバイスが含まれています。さらに、ほぼすべてのボードレイアウトや熱設計の課題に対応できるフォームファクタが含まれています。レンジ全体にわたる抵抗のベンチマークにより、導電損失が低下するので、最適なシステム効率を発揮できます。

仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 33 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 100 Vシリーズ = HEXFET実装タイプ = スルーホールピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 52 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 4V最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大パワー消費 = 140 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V1チップ当たりのエレメント数 = 1mm高さ = 20.3mmRoHS指令(10物質対応)対応

Infineon Nチャンネル MOSFET100 V 290 A スルーホールパッケージTO-247AC 3 ピンINFINEON

￥12,980税込￥14,278

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モータ制御 / AC-DC同期整流MOSFET、Infineon. モータ制御MOSFET. Infineonでは、モータ制御用途向けに耐久性の高いNチャンネル / PチャンネルMOSFETデバイスの充実したポートフォリオを揃えています。. 同期整流MOSFET. AC-DC電源向けの同期整流MOSFETのポートフォリオは、電力密度が高く、サイズが小さく、携帯性が優れた、フレキシブルなシステムに関する顧客の要求に適合します。

仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 290 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 100 Vシリーズ = HEXFET実装タイプ = スルーホールピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 3 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 4V最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大パワー消費 = 520 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V幅 = 5.31mm高さ = 20.7mmRoHS指令(10物質対応)対応

Infineon Nチャンネル MOSFET25 V 5.8 A 表面実装パッケージSOT-23 3 ピンINFINEON

￥39,980税込￥43,978

1セット(3000個)

7日以内出荷

NチャンネルパワーMOSFET 12 → 25 V、Infineon. InfineonのディスクリートHEXFETRパワーMOSFET製品には、リード付き表面実装パッケージに収容されたNチャンネルデバイス、及びほぼすべてのボードレイアウトや熱設計課題に対応できるフォームファクタが含まれています。レンジ全体にわたる抵抗のベンチマークにより、導電損失が低下するので、最適なシステム効率を発揮できます。

仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 5.8 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 25 Vパッケージタイプ = SOT-23実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 41 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 2.35V最低ゲートしきい値電圧 = 1.35V最大パワー消費 = 1.25 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V動作温度 Max = +150 ℃mm動作温度 Min = -55 ℃mmRoHS指令(10物質対応)対応

Infineon Nチャンネル MOSFET110 V 16 A 表面実装パッケージDPAK (TO-252) 3 ピンINFINEON

￥279,800税込￥307,780

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International Rectifier の Infineon 設計の HEXFET R パワー MOSFET は、Advanced Processing 技術を活かして、シリコン面積当たりのオン抵抗を極めて低く抑えています。HEXFET パワー MOSFET に期待されるとおりの高速スイッチング及び耐久性の高いデバイス設計と相まって、幅広い用途の設計に適した効率と信頼性の極めて高いデバイスとなっています。先進のプロセス技術動的dv/dt定格高速スイッチング完全アバランシェ定格

仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 16 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 110 Vシリーズ = HEXFET実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 115 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 4V1チップ当たりのエレメント数 = 1RoHS指令(10物質対応)対応

Infineon Nチャンネル IGBT 1200 V 30 A， 3-Pin TO-247 シングルINFINEON

￥1,798税込￥1,978

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Infineon TrenchStop IGBTトランジスタ、1100 → 1600 V. Infineonのコレクタ-エミッタ電圧の定格が1100 ～ 1600 VのIGBTトランジスタ製品です。TrenchStopテクノロジーを使用しています。このシリーズには、高速度、高速回復アンチパラレルダイオード搭載の素子が含まれています。. コレクタ-エミッタ電圧範囲: 1100 →1600 V 超低VCEsat 低ターンオフ損失短テール電流低EMI 最大ジャンクション温度: 175 ℃

仕様最大連続コレクタ電流 = 30 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 1200 V最大ゲート-エミッタ間電圧 = ±20V最大パワー消費 = 217 Wパッケージタイプ = TO-247実装タイプ = スルーホールチャンネルタイプ = Nピン数 = 3トランジスタ構成 = シングル寸法 = 16.03 x 5.16 x 21.1mm動作温度 Min = -40 ℃RoHS指令(10物質対応)対応

Infineon Nチャンネル MOSFET100 V 180 A スルーホールパッケージTO-247AC 3 ピンINFINEON

￥1,998税込￥2,198

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モータ制御 / AC-DC同期整流MOSFET、Infineon. モータ制御MOSFET. Infineonでは、モータ制御用途向けに耐久性の高いNチャンネル / PチャンネルMOSFETデバイスの充実したポートフォリオを揃えています。. 同期整流MOSFET. AC-DC電源向けの同期整流MOSFETのポートフォリオは、電力密度が高く、サイズが小さく、携帯性が優れた、フレキシブルなシステムに関する顧客の要求に適合します。

仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 180 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 100 Vシリーズ = HEXFET実装タイプ = スルーホールピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 5 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 4V最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大パワー消費 = 370 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 Vトランジスタ素材 = Simm動作温度 Min = -55 ℃RoHS指令(10物質対応)対応

Infineon N， Pチャンネル MOSFET30 V 2.3 A、3.5 A 表面実装パッケージSOIC 8 ピンINFINEON

￥2,398税込￥2,638

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デュアルN / PチャンネルパワーMOSFET、Infineon. InfineonのデュアルパワーMOSFETでは、2つのHEXFETRデバイスが統合されているので、基板スペースが最優先される高コンポーネント密度の設計において、省スペースでコスト効果の高いスイッチングソリューションが実現されます。さまざまなパッケージングオプションを用意しているので、設計者はデュアルN/Pチャンネル構成を選択できます。

仕様チャンネルタイプ = N， P最大連続ドレイン電流 = 2.3 A、3.5 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 Vシリーズ = HEXFET実装タイプ = 表面実装ピン数 = 8最大ドレイン-ソース間抵抗 = 150 mΩ， 400 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 1V最低ゲートしきい値電圧 = 1V最大パワー消費 = 2 Wトランジスタ構成 = 絶縁型最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V標準ゲートチャージ @ Vgs = 6.1 nC @ 10 V、6.9 nC @ 10 Vmm高さ = 1.5mmRoHS指令(10物質対応)対応

Infineon Nチャンネル IGBT 650 V 30 A， 3-Pin TO-220 シングルINFINEON

￥2,298税込￥2,528

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Infineon TrenchStop IGBTトランジスタ、600 650 V. InfineonのIGBTトランジスタは、600 650 Vのコレクタ-エミッタ間の定格電圧を備え、TrenchStop技術を採用しています。この製品は、高速リカバリアンチパラレルダイオードを搭載したデバイスを含んでいます。. コレクタ-エミッタ電圧範囲: 600 650 VCEsatが非常に低いターンオフ損失が低いショートテール電流低EMI 最大ジャンクション温度: 175 ℃

仕様最大連続コレクタ電流 = 30 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 650 V最大ゲート-エミッタ間電圧 = ±20V最大パワー消費 = 105 Wパッケージタイプ = TO-220実装タイプ = スルーホールチャンネルタイプ = Nピン数 = 3トランジスタ構成 = シングル寸法 = 10.36 x 4.57 x 15.95mm動作温度 Min = -40 ℃pFRoHS指令(10物質対応)対応

Infineon Nチャンネル MOSFET100 V 36 A スルーホールパッケージTO-220AB 3 ピンINFINEON

￥16,980税込￥18,678

1セット(50個)

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Infineon 車載用NチャンネルパワーMOSFET. InfineonのAECQ-101車載用認定済みシングルダイNチャンネルデバイスの包括的なポートフォリオは、多くの用途で幅広い電源要件に対応します。このディスクリートHEXFETRパワーMOSFET製品群には、表面実装及びリード線付きパッケージのNチャネルデバイスと、ほぼすべてのボードレイアウトや熱設計の課題に対応できるフォームファクタも用意されています。抵抗値範囲全体のベンチマークで導電損失を低減させます。これにより最大限のシステム効率を実現します。

仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 36 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 100 Vシリーズ = HEXFET実装タイプ = スルーホールピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 26.5 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 4V最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大パワー消費 = 92 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V動作温度 Max = +175 ℃mm高さ = 16.51mmRoHS指令(10物質対応)対応

Infineon Nチャンネル MOSFET100 V 97 A スルーホールパッケージTO-220AB 3 ピンINFINEON

￥649税込￥714

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モータ制御 / AC-DC同期整流MOSFET、Infineon. モータ制御MOSFET. Infineonでは、モータ制御用途向けに耐久性の高いNチャンネル / PチャンネルMOSFETデバイスの充実したポートフォリオを揃えています。. 同期整流MOSFET. AC-DC電源向けの同期整流MOSFETのポートフォリオは、電力密度が高く、サイズが小さく、携帯性が優れた、フレキシブルなシステムに関する顧客の要求に適合します。

仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 97 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 100 Vシリーズ = HEXFET実装タイプ = スルーホールピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 9 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 4V最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大パワー消費 = 230 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V標準ゲートチャージ @ Vgs = 83 nC @ 10 Vmm動作温度 Min = -55 ℃mmRoHS指令(10物質対応)対応

Infineon Nチャンネル MOSFET150 V 44 A 表面実装パッケージPQFN 5 x 6 8 ピンINFINEON

￥859税込￥945

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NチャンネルパワーMOSFET 150 → 600 V、Infineon. InfineonのディスクリートHEXFETRパワーMOSFET製品には、リード付き表面実装パッケージに収容されたNチャンネルデバイス、及びほぼすべてのボードレイアウトや熱設計課題に対応できるフォームファクタが含まれています。レンジ全体にわたる抵抗のベンチマークにより、導電損失が低下するので、最適なシステム効率を発揮できます。

仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 44 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 150 Vシリーズ = HEXFET実装タイプ = 表面実装ピン数 = 8最大ドレイン-ソース間抵抗 = 31 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 5V最低ゲートしきい値電圧 = 3V最大パワー消費 = 156 W最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V1チップ当たりのエレメント数 = 1mm高さ = 0.85mmRoHS指令(10物質対応)対応

Infineon Nチャンネル MOSFET150 V 900 mA スルーホールパッケージTSOP-6INFINEON

￥419税込￥461

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仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 900 mA最大ドレイン-ソース間電圧 = 150 Vパッケージタイプ = TSOP-6実装タイプ = スルーホールRoHS指令(10物質対応)対応

Infineon Nチャンネル MOSFET150 V 78 A スルーホールパッケージTO-247AC 3 ピンINFINEON

￥759税込￥835

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モータ制御 / AC-DC同期整流MOSFET、Infineon. モータ制御MOSFET. Infineonでは、モータ制御用途向けに耐久性の高いNチャンネル / PチャンネルMOSFETデバイスの充実したポートフォリオを揃えています。. 同期整流MOSFET. AC-DC電源向けの同期整流MOSFETのポートフォリオは、電力密度が高く、サイズが小さく、携帯性が優れた、フレキシブルなシステムに関する顧客の要求に適合します。

仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 78 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 150 Vパッケージタイプ = TO-247AC実装タイプ = スルーホールピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 16 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 5V最低ゲートしきい値電圧 = 3V最大パワー消費 = 310000 mWトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V， +30 Vトランジスタ素材 = Simm高さ = 20.3mmRoHS指令(10物質対応)対応

Infineon Nチャンネル MOSFET20 V 6.3 A 表面実装パッケージSOT-23 3 ピンINFINEON

￥38,980税込￥42,878

1セット(3000個)

7日以内出荷

NチャンネルパワーMOSFET 12 → 25 V、Infineon. InfineonのディスクリートHEXFETRパワーMOSFET製品には、リード付き表面実装パッケージに収容されたNチャンネルデバイス、及びほぼすべてのボードレイアウトや熱設計課題に対応できるフォームファクタが含まれています。レンジ全体にわたる抵抗のベンチマークにより、導電損失が低下するので、最適なシステム効率を発揮できます。

仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 6.3 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 20 Vシリーズ = HEXFET実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 27 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 1.1V最低ゲートしきい値電圧 = 0.5V最大パワー消費 = 1.3 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -12 V， +12 V標準ゲートチャージ @ Vgs = 8.9 nC @ 4.5 Vmm高さ = 1.02mmRoHS指令(10物質対応)対応

Infineon Nチャンネル MOSFET100 V 42 A スルーホールパッケージTO-247AC 3 ピンINFINEON

￥5,898税込￥6,488

1セット(25個)

7日以内出荷

NチャンネルパワーMOSFET 100 V、Infineon. InfineonのディスクリートHEXFETRパワーMOSFET製品には、リード付き表面実装パッケージに収容されたNチャンネルデバイスが含まれています。さらに、ほぼすべてのボードレイアウトや熱設計の課題に対応できるフォームファクタが含まれています。レンジ全体にわたる抵抗のベンチマークにより、導電損失が低下するので、最適なシステム効率を発揮できます。

仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 42 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 100 Vパッケージタイプ = TO-247AC実装タイプ = スルーホールピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 36 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 4V最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大パワー消費 = 160 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V動作温度 Max = +175 ℃mm高さ = 20.3mmRoHS指令(10物質対応)対応

Infineon Nチャンネル MOSFET100 V 190 mA 表面実装パッケージSOT-23 3 ピンINFINEON

￥22,980税込￥25,278

1セット(3000個)

7日以内出荷

Infineon OptiMOS小信号MOSFET

仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 190 mA最大ドレイン-ソース間電圧 = 100 Vパッケージタイプ = SOT-23実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 10 Ωチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 1.8V最低ゲートしきい値電圧 = 0.8V最大パワー消費 = 500 mWトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V幅 = 1.3mm高さ = 1mm

Infineon Nチャンネル MOSFET200 V 11.3 A 表面実装パッケージPG-TSDSON-8 8 ピンINFINEON

￥3,198税込￥3,518

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7日以内出荷

仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 11.3 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 200 Vパッケージタイプ = PG-TSDSON-8実装タイプ = 表面実装ピン数 = 8チャンネルモード = エンハンスメント型1チップ当たりのエレメント数 = 1RoHS指令(10物質対応)対応

Infineon Nチャンネル MOSFET200 V 9.3 A スルーホールパッケージTO-220AB 3 ピンINFINEON

￥3,998税込￥4,398

1セット(50個)

7日以内出荷

NチャンネルパワーMOSFET 150 → 600 V、Infineon. InfineonのディスクリートHEXFETRパワーMOSFET製品には、リード付き表面実装パッケージに収容されたNチャンネルデバイス、及びほぼすべてのボードレイアウトや熱設計課題に対応できるフォームファクタが含まれています。レンジ全体にわたる抵抗のベンチマークにより、導電損失が低下するので、最適なシステム効率を発揮できます。

仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 9.3 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 200 Vパッケージタイプ = TO-220AB実装タイプ = スルーホールピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 300 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 4V最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大パワー消費 = 82 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V動作温度 Max = +175 ℃mm動作温度 Min = -55 ℃mmRoHS指令(10物質対応)対応

Infineon Nチャンネル MOSFET250 V 60 A スルーホールパッケージTO-220AB 3 ピンINFINEON

￥539税込￥593

1個

7日以内出荷

モータ制御 / AC-DC同期整流MOSFET、Infineon. モータ制御MOSFET. Infineonでは、モータ制御用途向けに耐久性の高いNチャンネル / PチャンネルMOSFETデバイスの充実したポートフォリオを揃えています。. 同期整流MOSFET. AC-DC電源向けの同期整流MOSFETのポートフォリオは、電力密度が高く、サイズが小さく、携帯性が優れた、フレキシブルなシステムに関する顧客の要求に適合します。

仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 60 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 250 Vパッケージタイプ = TO-220AB実装タイプ = スルーホールピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 33 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 5V最低ゲートしきい値電圧 = 3V最大パワー消費 = 390 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V， +30 Vトランジスタ素材 = Simm高さ = 9.02mmRoHS指令(10物質対応)対応

Infineon Nチャンネル MOSFET150 V 33 A 基板実装パッケージD-PAKINFINEON

￥1,098税込￥1,208

1袋(5個)

7日以内出荷

仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 33 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 150 Vパッケージタイプ = D-PAK実装タイプ = 基板実装RoHS指令(10物質対応)対応

Infineon Nチャンネル MOSFET150 V 85 A スルーホールパッケージTO-220AB 3 ピンINFINEON

￥539税込￥593

1個

5日以内出荷

モータ制御 / AC-DC同期整流MOSFET、Infineon. モータ制御MOSFET. Infineonでは、モータ制御用途向けに耐久性の高いNチャンネル / PチャンネルMOSFETデバイスの充実したポートフォリオを揃えています。. 同期整流MOSFET. AC-DC電源向けの同期整流MOSFETのポートフォリオは、電力密度が高く、サイズが小さく、携帯性が優れた、フレキシブルなシステムに関する顧客の要求に適合します。

仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 85 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 150 Vシリーズ = HEXFET実装タイプ = スルーホールピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 15 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 5V最低ゲートしきい値電圧 = 3V最大パワー消費 = 350 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V， +30 V標準ゲートチャージ @ Vgs = 71 nC @ 10 Vmm動作温度 Min = -55 ℃mmRoHS指令(10物質対応)対応

Infineon Nチャンネル MOSFET100 V 42 A 基板実装パッケージD-PAKINFINEON

￥229,800税込￥252,780

1セット(2000個)

7日以内出荷

仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 42 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 100 Vパッケージタイプ = D-PAK実装タイプ = 基板実装RoHS指令(10物質対応)対応

Cypress Semiconductor， CY62138FV30LL-45ZINFINEON

￥44,980税込￥49,478

1セット(156個)

5日以内出荷

仕様メモリサイズ = 2Mbit構成 = 256k x 8ワード数 = 256k1ワード当たりのビット数 = 8bit最大ランダムアクセス時間 = 45nsRoHS指令(10物質対応)対応

Infineon Nチャンネル MOSFET100 V 42 A スルーホールパッケージTO-220AB 3 ピンINFINEON

￥419税込￥461

1個

5日以内出荷

NチャンネルパワーMOSFET 100 V、Infineon. InfineonのディスクリートHEXFETRパワーMOSFET製品には、リード付き表面実装パッケージに収容されたNチャンネルデバイスが含まれています。さらに、ほぼすべてのボードレイアウトや熱設計の課題に対応できるフォームファクタが含まれています。レンジ全体にわたる抵抗のベンチマークにより、導電損失が低下するので、最適なシステム効率を発揮できます。

仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 42 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 100 Vシリーズ = HEXFET実装タイプ = スルーホールピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 36 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 4V最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大パワー消費 = 160 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 Vトランジスタ素材 = Simm動作温度 Min = -55 ℃mmRoHS指令(10物質対応)対応

Infineon Nチャンネル MOSFET100 V 17 A 表面実装パッケージDPAK (TO-252) 3 ピンINFINEON

￥1,998税込￥2,198

1袋(20個)

7日以内出荷

NチャンネルパワーMOSFET 100 V、Infineon. InfineonのディスクリートHEXFETRパワーMOSFET製品には、リード付き表面実装パッケージに収容されたNチャンネルデバイスが含まれています。さらに、ほぼすべてのボードレイアウトや熱設計の課題に対応できるフォームファクタが含まれています。レンジ全体にわたる抵抗のベンチマークにより、導電損失が低下するので、最適なシステム効率を発揮できます。

仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 17 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 100 Vシリーズ = HEXFET実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 155 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 2V最低ゲートしきい値電圧 = 1V最大パワー消費 = 79 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -16 V， +16 V動作温度 Max = +175 ℃mm動作温度 Min = -55 ℃mmRoHS指令(10物質対応)対応

Infineon Nチャンネル MOSFET100 V 9.7 A スルーホールパッケージTO-220AB 3 ピンINFINEON

￥2,898税込￥3,188

1セット(50個)

7日以内出荷

NチャンネルパワーMOSFET 100 V、Infineon. InfineonのディスクリートHEXFETRパワーMOSFET製品には、リード付き表面実装パッケージに収容されたNチャンネルデバイスが含まれています。さらに、ほぼすべてのボードレイアウトや熱設計の課題に対応できるフォームファクタが含まれています。レンジ全体にわたる抵抗のベンチマークにより、導電損失が低下するので、最適なシステム効率を発揮できます。

仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 9.7 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 100 Vシリーズ = HEXFET実装タイプ = スルーホールピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 200 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 4V最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大パワー消費 = 48 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 Vトランジスタ素材 = Simm動作温度 Min = -55 ℃mmRoHS指令(10物質対応)対応

Infineon Nチャンネル MOSFET100 V 9.3 A 表面実装パッケージPQFNINFINEON

￥969税込￥1,066

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仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 9.3 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 100 Vパッケージタイプ = PQFN実装タイプ = 表面実装RoHS指令(10物質対応)対応

Infineon Nチャンネル MOSFET100 V 63 A 表面実装パッケージDPAK (TO-252) 3 ピンINFINEON

￥1,898税込￥2,088

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NチャンネルパワーMOSFET 100 V、Infineon. InfineonのディスクリートHEXFETRパワーMOSFET製品には、リード付き表面実装パッケージに収容されたNチャンネルデバイスが含まれています。さらに、ほぼすべてのボードレイアウトや熱設計の課題に対応できるフォームファクタが含まれています。レンジ全体にわたる抵抗のベンチマークにより、導電損失が低下するので、最適なシステム効率を発揮できます。

仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 63 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 100 Vシリーズ = HEXFET実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 13.9 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 4V最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大パワー消費 = 143 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V動作温度 Max = +175 ℃mm順方向ダイオード電圧 = 1.3VRoHS指令(10物質対応)対応

Infineon Nチャンネル MOSFET200 V 18 A スルーホールパッケージTO-220AB 3 ピンINFINEON

￥1,298税込￥1,428

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デジタルオーディオMOSFET、Infineon. クラスDアンプは、短期間で業務用及び家庭用のオーディオ / ビデオシステム向けに推奨されるソリューションとなっています。 Infineonは、高効率クラスDアンプ設計を簡素化する充実した製品ラインアップを揃えています。

仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 18 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 200 Vシリーズ = HEXFET実装タイプ = スルーホールピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 100 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 4.9V最低ゲートしきい値電圧 = 3V最大パワー消費 = 100 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V幅 = 4.82mm動作温度 Min = -55 ℃RoHS指令(10物質対応)対応

Infineon Nチャンネル MOSFET200 V 43 A スルーホールパッケージTO-220AB 3 ピンINFINEON

￥2,898税込￥3,188

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NチャンネルパワーMOSFET 150 → 600 V、Infineon. InfineonのディスクリートHEXFETRパワーMOSFET製品には、リード付き表面実装パッケージに収容されたNチャンネルデバイス、及びほぼすべてのボードレイアウトや熱設計課題に対応できるフォームファクタが含まれています。レンジ全体にわたる抵抗のベンチマークにより、導電損失が低下するので、最適なシステム効率を発揮できます。

仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 43 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 200 Vシリーズ = HEXFET実装タイプ = スルーホールピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 54 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 5V最低ゲートしきい値電圧 = 3V最大パワー消費 = 300 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V， +30 V動作温度 Max = +175 ℃高さ = 16.51mmRoHS指令(10物質対応)対応

Infineon Nチャンネル MOSFET100 V 33 A 表面実装パッケージD2PAK (TO-263) 3 ピンINFINEON

￥1,998税込￥2,198

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7日以内出荷

NチャンネルパワーMOSFET 100 V、Infineon. InfineonのディスクリートHEXFETRパワーMOSFET製品には、リード付き表面実装パッケージに収容されたNチャンネルデバイスが含まれています。さらに、ほぼすべてのボードレイアウトや熱設計の課題に対応できるフォームファクタが含まれています。レンジ全体にわたる抵抗のベンチマークにより、導電損失が低下するので、最適なシステム効率を発揮できます。

仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 33 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 100 Vシリーズ = HEXFET実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 44 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 4V最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大パワー消費 = 130 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 Vトランジスタ素材 = Simm高さ = 4.83mmRoHS指令(10物質対応)対応

Infineon Nチャンネル MOSFET200 V 600 mA 表面実装パッケージTSOP-6 6 ピンINFINEON

￥649税込￥714

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7日以内出荷

NチャンネルパワーMOSFET 150 → 600 V、Infineon. InfineonのディスクリートHEXFETRパワーMOSFET製品には、リード付き表面実装パッケージに収容されたNチャンネルデバイス、及びほぼすべてのボードレイアウトや熱設計課題に対応できるフォームファクタが含まれています。レンジ全体にわたる抵抗のベンチマークにより、導電損失が低下するので、最適なシステム効率を発揮できます。

仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 600 mA最大ドレイン-ソース間電圧 = 200 Vシリーズ = HEXFET実装タイプ = 表面実装ピン数 = 6最大ドレイン-ソース間抵抗 = 2.2 Ωチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 5.5V最低ゲートしきい値電圧 = 3V最大パワー消費 = 2 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V， +30 Vトランジスタ素材 = Simm動作温度 Min = -55 ℃mmRoHS指令(10物質対応)対応

Infineon Nチャンネル MOSFET150 V 13 A スルーホールパッケージDPAKINFINEON

￥1,398税込￥1,538

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7日以内出荷

仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 13 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 150 Vパッケージタイプ = DPAK実装タイプ = スルーホールRoHS指令(10物質対応)対応

Infineon Nチャンネル MOSFET100 V 20 A スルーホールパッケージTO-220 3 ピンINFINEON

￥6,498税込￥7,148

1セット(50個)

7日以内出荷

NチャンネルパワーMOSFET 100 V、Infineon. InfineonのディスクリートHEXFETRパワーMOSFET製品には、リード付き表面実装パッケージに収容されたNチャンネルデバイスが含まれています。さらに、ほぼすべてのボードレイアウトや熱設計の課題に対応できるフォームファクタが含まれています。レンジ全体にわたる抵抗のベンチマークにより、導電損失が低下するので、最適なシステム効率を発揮できます。

仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 20 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 100 Vパッケージタイプ = TO-220実装タイプ = スルーホールピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 52 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 4V最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大パワー消費 = 54 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V1チップ当たりのエレメント数 = 1高さ = 8.9mmRoHS指令(10物質対応)対応

Infineon Nチャンネル MOSFET250 V 25 A 表面実装パッケージTDSON 8 ピンINFINEON

￥1,998税込￥2,198

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Infineon OptiMOS3パワーMOSFET、100 V以上

仕様チャンネルタイプ N最大連続ドレイン電流 25 A最大ドレイン-ソース間電圧 250 Vシリーズ OptiMOS(TM) 3実装タイプ表面実装ピン数 8最大ドレイン-ソース間抵抗 60 mΩチャンネルモードエンハンスメント型最大パワー消費 125 Wトランジスタ構成シングル最大ゲート-ソース間電圧 -20 V， +20 V動作温度 Max +150 ℃mm高さ 1.1mm

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