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インフィニオン NチャンネルパワーMOSFET 55 V. インフィニオンのディスクリートHEXFETRパワーMOSFET製品は、Nチャンネルデバイスが表面実装とリード付きパッケージに収容さています。ほぼすべてのボードレイアウトや熱設計課題に対応できる形状になっています。抵抗範囲全体のベンチマークにおいて導電損失を低下させ、最大限のシステム効率を実現します。
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 110 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 55 Vシリーズ = HEXFET実装タイプ = スルーホールピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 8 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 4V最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大パワー消費 = 200 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V, +20 Vトランジスタ素材 = Simm動作温度 Min = -55 ℃mm RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(50個)
8,298 税込9,128
7日以内出荷

インフィニオン NチャンネルパワーMOSFET 55 V. インフィニオンのディスクリートHEXFETRパワーMOSFET製品は、Nチャンネルデバイスが表面実装とリード付きパッケージに収容さています。ほぼすべてのボードレイアウトや熱設計課題に対応できる形状になっています。抵抗範囲全体のベンチマークにおいて導電損失を低下させ、最大限のシステム効率を実現します。
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 2.8 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 55 Vシリーズ = HEXFET実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 280 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 2V最低ゲートしきい値電圧 = 1V最大パワー消費 = 2.1 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -16 V, +16 V長さ = 6.7mm動作温度 Min = -55 ℃mm RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(25個)
2,298 税込2,528
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インフィニオン NチャンネルパワーMOSFET 55 V. インフィニオンのディスクリートHEXFETRパワーMOSFET製品は、Nチャンネルデバイスが表面実装とリード付きパッケージに収容さています。ほぼすべてのボードレイアウトや熱設計課題に対応できる形状になっています。抵抗範囲全体のベンチマークにおいて導電損失を低下させ、最大限のシステム効率を実現します。
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 64 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 55 Vシリーズ = HEXFET実装タイプ = スルーホールピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 14 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 4V最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大パワー消費 = 130 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V, +20 V1チップ当たりのエレメント数 = 1mm動作温度 Min = -55 ℃mm RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(50個)
5,798 税込6,378
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インフィニオン NチャンネルパワーMOSFET 55 V. インフィニオンのディスクリートHEXFETRパワーMOSFET製品は、Nチャンネルデバイスが表面実装とリード付きパッケージに収容さています。ほぼすべてのボードレイアウトや熱設計課題に対応できる形状になっています。抵抗範囲全体のベンチマークにおいて導電損失を低下させ、最大限のシステム効率を実現します。
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 51 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 55 Vシリーズ = HEXFET実装タイプ = スルーホールピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 14 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 4V最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大パワー消費 = 80 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V, +20 V標準ゲートチャージ @ Vgs = 29 nC @ 10 V動作温度 Min = -55 ℃mm RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(5個)
879 税込967
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インフィニオン NチャンネルパワーMOSFET 55 V. インフィニオンのディスクリートHEXFETRパワーMOSFET製品は、Nチャンネルデバイスが表面実装とリード付きパッケージに収容さています。ほぼすべてのボードレイアウトや熱設計課題に対応できる形状になっています。抵抗範囲全体のベンチマークにおいて導電損失を低下させ、最大限のシステム効率を実現します。
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 110 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 55 Vシリーズ = HEXFET実装タイプ = スルーホールピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 8 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 4V最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大パワー消費 = 200000 mWトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V, +20 V標準ゲートチャージ @ Vgs = 170 nC @ 10 Vmm動作温度 Min = -55 ℃mm RoHS指令(10物質対応)対応
1個
619 税込681
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インフィニオン NチャンネルパワーMOSFET 55 V. インフィニオンのディスクリートHEXFETRパワーMOSFET製品は、Nチャンネルデバイスが表面実装とリード付きパッケージに収容さています。ほぼすべてのボードレイアウトや熱設計課題に対応できる形状になっています。抵抗範囲全体のベンチマークにおいて導電損失を低下させ、最大限のシステム効率を実現します。
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 169 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 55 Vシリーズ = HEXFET実装タイプ = スルーホールピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 5 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 4V最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大パワー消費 = 330 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V, +20 V1チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Min = -55 ℃mm RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(50個)
9,998 税込10,998
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インフィニオン NチャンネルパワーMOSFET 55 V. インフィニオンのディスクリートHEXFETRパワーMOSFET製品は、Nチャンネルデバイスが表面実装とリード付きパッケージに収容さています。ほぼすべてのボードレイアウトや熱設計課題に対応できる形状になっています。抵抗範囲全体のベンチマークにおいて導電損失を低下させ、最大限のシステム効率を実現します。
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 160 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 55 Vシリーズ = HEXFET実装タイプ = スルーホールピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 5.3 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最大パワー消費 = 310 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V, +20 V幅 = 19.71mm高さ = 5.31mm RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(25個)
7,898 税込8,688
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インフィニオン NチャンネルパワーMOSFET 55 V. インフィニオンのディスクリートHEXFETRパワーMOSFET製品は、Nチャンネルデバイスが表面実装とリード付きパッケージに収容さています。ほぼすべてのボードレイアウトや熱設計課題に対応できる形状になっています。抵抗範囲全体のベンチマークにおいて導電損失を低下させ、最大限のシステム効率を実現します。
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 30 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 55 Vシリーズ = HEXFET実装タイプ = スルーホールピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 35 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 2V最低ゲートしきい値電圧 = 1V最大パワー消費 = 68 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -16 V, +16 V1チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Min = -55 ℃mm RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(50個)
6,898 税込7,588
7日以内出荷

インフィニオン NチャンネルパワーMOSFET 55 V. インフィニオンのディスクリートHEXFETRパワーMOSFET製品は、Nチャンネルデバイスが表面実装とリード付きパッケージに収容さています。ほぼすべてのボードレイアウトや熱設計課題に対応できる形状になっています。抵抗範囲全体のベンチマークにおいて導電損失を低下させ、最大限のシステム効率を実現します。
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 3 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 50 Vシリーズ = HEXFET実装タイプ = 表面実装ピン数 = 8最大ドレイン-ソース間抵抗 = 200 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 3V最低ゲートしきい値電圧 = 1V最大パワー消費 = 2 Wトランジスタ構成 = 絶縁型最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V, +20 V1チップ当たりのエレメント数 = 2mm動作温度 Min = -55 ℃mm RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(20個)
2,198 税込2,418
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インフィニオン NチャンネルパワーMOSFET 55 V. インフィニオンのディスクリートHEXFETRパワーMOSFET製品は、Nチャンネルデバイスが表面実装とリード付きパッケージに収容さています。ほぼすべてのボードレイアウトや熱設計課題に対応できる形状になっています。抵抗範囲全体のベンチマークにおいて導電損失を低下させ、最大限のシステム効率を実現します。
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 75 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 55 Vシリーズ = HEXFET実装タイプ = スルーホールピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 4.7 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 4V最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大パワー消費 = 330 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V, +20 V標準ゲートチャージ @ Vgs = 150 nC @ 10 Vmm動作温度 Min = -55 ℃mm RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(50個)
9,198 税込10,118
7日以内出荷

インフィニオン NチャンネルパワーMOSFET 55 V. インフィニオンのディスクリートHEXFETRパワーMOSFET製品は、Nチャンネルデバイスが表面実装とリード付きパッケージに収容さています。ほぼすべてのボードレイアウトや熱設計課題に対応できる形状になっています。抵抗範囲全体のベンチマークにおいて導電損失を低下させ、最大限のシステム効率を実現します。
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 150 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 55 Vシリーズ = HEXFET実装タイプ = スルーホールピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 4.9 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 4V最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大パワー消費 = 230 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V, +20 V幅 = 4.83mm動作温度 Min = -55 ℃mm RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(5個)
2,598 税込2,858
7日以内出荷

インフィニオン NチャンネルパワーMOSFET 55 V. インフィニオンのディスクリートHEXFETRパワーMOSFET製品は、Nチャンネルデバイスが表面実装とリード付きパッケージに収容さています。ほぼすべてのボードレイアウトや熱設計課題に対応できる形状になっています。抵抗範囲全体のベンチマークにおいて導電損失を低下させ、最大限のシステム効率を実現します。
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 17 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 55 Vシリーズ = HEXFET実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 110 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 2V最低ゲートしきい値電圧 = 1V最大パワー消費 = 45 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -16 V, +16 V1チップ当たりのエレメント数 = 1mm動作温度 Min = -55 ℃mm RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(25個)
2,298 税込2,528
7日以内出荷

インフィニオン NチャンネルパワーMOSFET 55 V. インフィニオンのディスクリートHEXFETRパワーMOSFET製品は、Nチャンネルデバイスが表面実装とリード付きパッケージに収容さています。ほぼすべてのボードレイアウトや熱設計課題に対応できる形状になっています。抵抗範囲全体のベンチマークにおいて導電損失を低下させ、最大限のシステム効率を実現します。
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 17 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 55 Vシリーズ = HEXFET実装タイプ = スルーホールピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 65 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 2V最低ゲートしきい値電圧 = 1V最大パワー消費 = 45 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -16 V, +16 V1チップ当たりのエレメント数 = 1mm高さ = 6.22mm RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(75個)
6,698 税込7,368
7日以内出荷

インフィニオン NチャンネルパワーMOSFET 55 V. インフィニオンのディスクリートHEXFETRパワーMOSFET製品は、Nチャンネルデバイスが表面実装とリード付きパッケージに収容さています。ほぼすべてのボードレイアウトや熱設計課題に対応できる形状になっています。抵抗範囲全体のベンチマークにおいて導電損失を低下させ、最大限のシステム効率を実現します。
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 42 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 55 Vパッケージタイプ = DPAK (TO-252)実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 40 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 2V最低ゲートしきい値電圧 = 1V最大パワー消費 = 110 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -16 V, +16 V動作温度 Max = +175 ℃mm動作温度 Min = -55 ℃mm RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(20個)
3,798 税込4,178
7日以内出荷

インフィニオン NチャンネルパワーMOSFET 55 V. インフィニオンのディスクリートHEXFETRパワーMOSFET製品は、Nチャンネルデバイスが表面実装とリード付きパッケージに収容さています。ほぼすべてのボードレイアウトや熱設計課題に対応できる形状になっています。抵抗範囲全体のベンチマークにおいて導電損失を低下させ、最大限のシステム効率を実現します。
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 5.2 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 55 Vシリーズ = HEXFET実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 65 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 2V最低ゲートしきい値電圧 = 1V最大パワー消費 = 2.1 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -16 V, +16 V幅 = 3.7mm高さ = 1.739mm RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(20個)
2,498 税込2,748
7日以内出荷

インフィニオン NチャンネルパワーMOSFET 55 V. インフィニオンのディスクリートHEXFETRパワーMOSFET製品は、Nチャンネルデバイスが表面実装とリード付きパッケージに収容さています。ほぼすべてのボードレイアウトや熱設計課題に対応できる形状になっています。抵抗範囲全体のベンチマークにおいて導電損失を低下させ、最大限のシステム効率を実現します。
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 28 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 55 Vシリーズ = HEXFET実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 65 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 2V最低ゲートしきい値電圧 = 1V最大パワー消費 = 68 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -16 V, +16 V1チップ当たりのエレメント数 = 1mm動作温度 Min = -55 ℃mm RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(20個)
2,498 税込2,748
7日以内出荷

インフィニオン NチャンネルパワーMOSFET 55 V. インフィニオンのディスクリートHEXFETRパワーMOSFET製品は、Nチャンネルデバイスが表面実装とリード付きパッケージに収容さています。ほぼすべてのボードレイアウトや熱設計課題に対応できる形状になっています。抵抗範囲全体のベンチマークにおいて導電損失を低下させ、最大限のシステム効率を実現します。
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 17 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 55 Vシリーズ = HEXFET実装タイプ = スルーホールピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 70 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 4V最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大パワー消費 = 45 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V, +20 Vトランジスタ素材 = Si動作温度 Min = -55 ℃mm RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(50個)
3,398 税込3,738
7日以内出荷

インフィニオン NチャンネルパワーMOSFET 55 V. インフィニオンのディスクリートHEXFETRパワーMOSFET製品は、Nチャンネルデバイスが表面実装とリード付きパッケージに収容さています。ほぼすべてのボードレイアウトや熱設計課題に対応できる形状になっています。抵抗範囲全体のベンチマークにおいて導電損失を低下させ、最大限のシステム効率を実現します。
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 4.4 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 55 Vパッケージタイプ = SOT-223実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 100 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 2V最低ゲートしきい値電圧 = 1V最大パワー消費 = 2.1 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -16 V, +16 V1チップ当たりのエレメント数 = 1mm動作温度 Min = -55 ℃mm RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(20個)
1,998 税込2,198
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インフィニオン NチャンネルパワーMOSFET 55 V. インフィニオンのディスクリートHEXFETRパワーMOSFET製品は、Nチャンネルデバイスが表面実装とリード付きパッケージに収容さています。ほぼすべてのボードレイアウトや熱設計課題に対応できる形状になっています。抵抗範囲全体のベンチマークにおいて導電損失を低下させ、最大限のシステム効率を実現します。
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 29 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 55 Vシリーズ = HEXFET実装タイプ = スルーホールピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 40 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 4V最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大パワー消費 = 68 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V, +20 V動作温度 Max = +175 ℃動作温度 Min = -55 ℃mm RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(50個)
3,298 税込3,628
7日以内出荷

インフィニオン NチャンネルパワーMOSFET 55 V. インフィニオンのディスクリートHEXFETRパワーMOSFET製品は、Nチャンネルデバイスが表面実装とリード付きパッケージに収容さています。ほぼすべてのボードレイアウトや熱設計課題に対応できる形状になっています。抵抗範囲全体のベンチマークにおいて導電損失を低下させ、最大限のシステム効率を実現します。
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 81 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 55 Vシリーズ = HEXFET実装タイプ = スルーホールピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 12 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 4V最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大パワー消費 = 170 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V, +20 Vトランジスタ素材 = Simm動作温度 Min = -55 ℃mm RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(25個)
8,198 税込9,018
7日以内出荷

Infineon 車載用NチャンネルパワーMOSFET. InfineonのAECQ-101車載用認定済みシングルダイNチャンネルデバイスの包括的なポートフォリオは、多くの用途で幅広い電源要件に対応します。このディスクリートHEXFETRパワーMOSFET製品群には、表面実装及びリード線付きパッケージのNチャネルデバイスと、ほぼすべてのボードレイアウトや熱設計の課題に対応できるフォームファクタも用意されています。抵抗値範囲全体のベンチマークで導電損失を低減させます。これにより最大限のシステム効率を実現します。
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 36 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 100 Vシリーズ = HEXFET実装タイプ = スルーホールピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 26.5 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 4V最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大パワー消費 = 92 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V, +20 V動作温度 Max = +175 ℃mm高さ = 16.51mm RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(50個)
14,980 税込16,478
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