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CY8CKIT-050 PSoC 5LP開発キット、Cypress. CY8CKIT-050 PSoC 5LP開発キットを使用すれば、高精度アナログ、低消費電力、低電圧のアプリケーションの評価、開発、プロトタイプ作成が可能になります。Cypress製のCY8C58LPは、高精度で広帯域の信号アクイジション、処理、制御向けのマイクロコントローラ、メモリ、アナログ / デジタル機能を備えています。PSoC 5LP開発キットは、優れたアナログ性能を発揮するように設計されており、ノイズレベルが低くなっています。PSoC 5LP 32ビットARM Cortex-M3プログラマブルシステムオンチップの低消費電力での動作もデモンストレーションします。CY8CKIT-050キットはオンボードのプログラマ / デバッガを搭載していますが、Miniprog3を使用したプログラムとデバッグも可能です。キットの内容. PSoC 5LP開発ボード 文字液晶ディスプレイ(LCD)モジュール @ 3.3 V USB標準タイプA-Mini Bケーブル キットDVD クイックスタートガイド
仕様分類 = 開発 ボードテクノロジー = PSoCデバイスコア = ARM Cortex-M3プロセッサファミリ名 = PSoCプロセッサ品番 = CY8C58LPプロセッサ種類 = MCU RoHS指令(10物質対応)対応
1個
17,980 税込19,778
5日以内出荷

クイックスタートガイド、USB-A Mini-Bケーブル、ジャンパワイヤ 6. CY8CKIT-042-BLE キットは、PSoC 4と追加のBLE (Bluetooth 4.1)ワイヤレス機能を備えています。CY8CKIT-042 PSoC 4200 Pioneerキット、Cypress. CY8CKIT-042 PSoC Pioneer開発キットは、使いやすくコスト効果の高いプラットフォームです。作成や設計が簡単になります。この開発キットは、Arduinoシールドのハードウェア互換性と、使いやすいFCC認定のPSoC BLE及びPRoC BLEモジュールを活用し、設計の柔軟性を最大限に高められるよう設計されています。この開発プラットフォームを使用すると、ミックスドシグナル機能とBluetooth LE無線の両方を必要とする組込みソリューションを簡単に開発できます。PSoC CreatorソフトウェアはPC上で動作し、システムの設計、アプリケーションファームウェアの記述、PSoCへのコードのダウンロード、内蔵デバッガを使用したステップスルー実行が可能です。オンボードの内容 48 MHz CY8C4245AXI-483 Cortex-M0コアPSoC 4200 (32 KBフラッシュメモリ、4 KB SRAMを搭載) オンボードCY8C5868LTI-LP039 PSoC 5LPベースのプログラマ デバッガ オンボードNCP1117DT +3.3 V電圧レギュレータ SmartSense自動調整機能付きCapSenseRタッチスライダ PSoC 4用のリセットプッシュボタン ユーザープッシュボタン ユーザーRGB LED PSoC 5LP用のステータスLED PSoC 4のプログラミング デバッグ用USB Mini-Bコネクタ 6ピンDigilent Pmod拡張コネクタ Arduino Uno v3 Shieldヘッダ PSoC 5LP用10ピンプログラミングヘッダ PSoC 5LP GPIO用12ピン拡張ヘッダ 電源: USBコネクタ(Vbus +5 dc)又はArduino Shieldヘッダ(Vin +5 +12 dc)から 用途 組み込み設計と開発 センシング及び計装 電源管理 通信及びネットワーキング 信号処理
仕様分類 = 開発 ボードキット名 = Pioneerテクノロジー = PSoCデバイスコア = ARM Cortex M0プロセッサファミリ名 = PSoCプロセッサ品番 =CY8C4245AXI-483プロセッサ種類 = MCU RoHS指令(10物質対応)対応
1個
6,498 税込7,148
5日以内出荷

仕様●メモリサイズ:4Mbit●構成:512 K x 8ビット●インターフェースタイプ:パラレル●データバス幅:8bit●最大ランダムアクセス時間:45ns●実装タイプ:表面実装●パッケージタイプ:TSOP●ピン数:44●寸法:18.51 x 10.26 x 1.04mm●長さ:18.51mm●幅:10.26mm●高さ:1.04mm●動作供給電圧 Max:3.6 V●動作温度 Max:+85 ℃●ワード数:512Kbit●Cypress CY14B104LA / CY14B104NA は、高速スタティック RAM ( SRAM )で、各メモリセルに不揮発性エレメントを備えています。メモリは、 512 K バイトの 8 ビットごとに構成され、 256 K ワードの 16 ビットごとに構成されています。組み込みの不揮発性エレメントには、 QuantumTrap テクノロジーが組み込まれており、信頼性の高い不揮発性メモリを実現します。SRAM は無制限の読み取り / 書き込みサイクルを提供し、独立した不揮発性データは信頼性の高い QuantumTrap セルに格納されます。SRAM から不揮発性エレメント( STORE 操作)へのデータ転送は、電源を切ると自動的に行われます。電源投入時に、不揮発性メモリから SRAM にデータが復元されます( RECALL 動作)。ソフトウェア制御では、 STORE 操作と RECALL 操作の両方を使用できます。 RoHS指令(10物質対応)対応
1個
6,598 税込7,258
7日以内出荷

PSoC 3 (8051コア)、Cypress. PSoC 3 (プログラム可能な組み込みシステムオンチップ)ファミリは、設定可能なアナログ / デジタルロジックブロックを備えた8051コアマイクロコントローラデバイスとプログラム可能なインターコネクトで構成されています。 また、フラッシュプログラムメモリ、SRAMデータメモリ、及び設定可能なI/Oも含まれています。
仕様プロセッシングユニット = マイクロコントローラテクノロジー = CMOS実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = TQFPピン数 = 100寸法 = 14 x 14 x 1.4mm高さ = 1.4mm長さ = 14mm動作供給電圧 Max = 5.5 V動作温度 Max = +85 ℃動作供給電圧 Min = 1.71 V動作温度 Min = -40 ℃幅 = 14mm RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(2個)
2,998 税込3,298
5日以内出荷

Cypress PSoC 1 ( M8C コア). PSoC 1 (プログラム可能な組み込みシステムオンチップ)ファミリは、M8C-core マイクロコントローラと設定可能なアナログとデジタル ロジックのブロックとともに、プログラム可能な相互接続を備えています。さらに、フラッシュプログラムメモリ、SRAMデータメモリ、設定可能なI/Oを搭載しています。
仕様プロセッシングユニット = マイクロコントローラテクノロジー = CMOS実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SSOPピン数 = 28寸法 = 10.4 x 5.6 x 1.85mm高さ = 1.85mm長さ = 10.4mm動作供給電圧 Max = 5.25 V動作温度 Max = +85 ℃動作供給電圧 Min = 3 V動作温度 Min = -40 ℃幅 = 5.6mm RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(2個)
3,698 税込4,068
7日以内出荷

Cypress PSoC 5LP(ARM Cortex-M3 コア). Cypress Semiconductor PSoC 5LP (Programmable Embedded System-on-Chip) は、メモリおよびマイクロコントローラ(MCU)、デジタルおよびアナログの周辺機器を一つのチップに搭載しています。PSoC 5LPプラットフォームアーキテクチャは、32ビットARM Cortex-M3コアとダイレクトメモリアクセス(DMA)コントローラ、最大80MHzのデジタルフィルタプロセッサを搭載しています。. 柔軟性の高いルーテ ィ ング 幅広い電圧範囲
仕様プロセッシングユニット = マイクロコントローラアプリケーション = 自動車, 静電容量方式, コントローラ, 組み込み, フラッシュ, LCD, LED, USBテクノロジー = CMOS実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = TQFPピン数 = 100寸法 = 14 x 14 x 1.4mm高さ = 1.4mm長さ = 14mm動作供給電圧 Max = 5.5 V動作温度 Max = +85 ℃動作供給電圧 Min = 1.71 V動作温度 Min = -40 ℃幅 = 14mm RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(90個)
139,800 税込153,780
5日以内出荷

仕様●メモリサイズ: 1Mbit●構成: 128 k x 8ビット●インターフェースタイプ: SPI●データバス幅: 8bit●最大ランダムアクセス時間: 18ns●実装タイプ: 表面実装●パッケージタイプ: SOIC●ピン数: 8●寸法: 4.97×3.98×1.48mm●長さ: 4.97mm●幅: 3.98mm●高さ: 1.48mm●動作温度 Max: +85 ℃●動作供給電圧 Min: 2 Vbit●FRAM、サイプレス半導体. 強誘電体RAM( F-RAM )はエネルギー効率に優れており、シリアルとパラレルの両方のインターフェースに対応する不揮発性RAMの中で最も高い信頼性を持っています。末尾が Aの部品は車載用途向けに設計されており、AEC-Q100 認定を取得しています。. 不揮発性強誘電体RAMメモリ 高速書き込み 高耐久性 低消費電力 RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(97個)
169,800 税込186,780
7日以内出荷

仕様●メモリサイズ: 4kbit●構成: 512×8ビット●インターフェースタイプ: SPI●データバス幅: 8bit●最大ランダムアクセス時間: 20ns●実装タイプ: 表面実装●パッケージタイプ: SOIC●ピン数: 8●寸法: 4.97×3.98×1.48mm●長さ: 4.97mm●幅: 3.98mm●高さ: 1.48mm●動作温度 Max: +85 ℃●自動車規格: AEC-Q100bit●FRAM、サイプレス半導体. 強誘電体RAM( F-RAM )はエネルギー効率に優れており、シリアルとパラレルの両方のインターフェースに対応する不揮発性RAMの中で最も高い信頼性を持っています。末尾が Aの部品は車載用途向けに設計されており、AEC-Q100 認定を取得しています。. 不揮発性強誘電体RAMメモリ 高速書き込み 高耐久性 低消費電力 RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(5個)
1,298 税込1,428
7日以内出荷

仕様●メモリサイズ: 512kbit●構成: 64 K x 8ビット●インターフェースタイプ: I2C●データバス幅: 8bit●最大ランダムアクセス時間: 450ns●実装タイプ: 表面実装●パッケージタイプ: SOIC●ピン数: 8●寸法: 4.97×3.98×1.48mm●長さ: 4.97mm●幅: 3.98mm●高さ: 1.48mm●動作温度 Max: +85 ℃●ワード数: 64kbit●FRAM、サイプレス半導体. 強誘電体RAM( F-RAM )はエネルギー効率に優れており、シリアルとパラレルの両方のインターフェースに対応する不揮発性RAMの中で最も高い信頼性を持っています。末尾が Aの部品は車載用途向けに設計されており、AEC-Q100 認定を取得しています。. 不揮発性強誘電体RAMメモリ 高速書き込み 高耐久性 低消費電力 RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(97個)
179,800 税込197,780
7日以内出荷

仕様●メモリサイズ: 256kbit●構成: 32 K x 8ビット●インターフェースタイプ: SPI●データバス幅: 8bit●最大ランダムアクセス時間: 20ns●実装タイプ: 表面実装●パッケージタイプ: SOIC●ピン数: 8●寸法: 4.97×3.98×1.48mm●長さ: 4.97mm●幅: 3.98mm●高さ: 1.48mm●動作温度 Max: +85 ℃●自動車規格: AEC-Q100bit●FRAM、サイプレス半導体. 強誘電体RAM( F-RAM )はエネルギー効率に優れており、シリアルとパラレルの両方のインターフェースに対応する不揮発性RAMの中で最も高い信頼性を持っています。末尾が Aの部品は車載用途向けに設計されており、AEC-Q100 認定を取得しています。. 不揮発性強誘電体RAMメモリ 高速書き込み 高耐久性 低消費電力 RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(97個)
97,980 税込107,778
7日以内出荷

仕様●メモリサイズ: 256kbit●構成: 32 K x 8ビット●インターフェースタイプ: I2C●データバス幅: 8bit●実装タイプ: 表面実装●パッケージタイプ: SOIC●ピン数: 14●寸法: 8.73×3.98×1.48mm●動作供給電圧 Max: 5.5 V●動作温度 Max: +85 ℃●1ワード当たりのビット数: 8bit●F-RAMプロセッサコンパニオン. プロセッサベースのシステムに最も必要とされる機能を集めた集積デバイスです。. シリアル不揮発性FRAMメモリ リアルタイムクロック(RTC) 低電圧リセット ウォッチドッグタイマ 早期電源障害警告 / NMI 16ビットイベントカウンタ x 2 セキュリティのための書き込み禁止シリアル番号 バッテリ駆動に切り替え イベントカウンタトラッキング I2Cインターフェイス RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(56個)
119,800 税込131,780
7日以内出荷

仕様●メモリサイズ: 4kbit●構成: 512×8●インターフェースタイプ: シリアル-I2C●データバス幅: 8bit●パッケージタイプ: SOIC●ピン数: 8 RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(97個)
26,980 税込29,678
7日以内出荷

仕様●メモリサイズ: 64kbit●構成: 8K x 8●インターフェースタイプ: シリアル-I2C●データバス幅: 8bit●パッケージタイプ: SOIC●ピン数: 8 RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(81個)
47,980 税込52,778
7日以内出荷

仕様●メモリサイズ: 16kbit●構成: 2 K x 8ビット●インターフェースタイプ: シリアル-2 ワイヤー, シリアル-I2C●データバス幅: 8bit●最大ランダムアクセス時間: 3000ns●実装タイプ: 表面実装●パッケージタイプ: DFN●ピン数: 8●寸法: 4×4.5×0.7mm●長さ: 4.5mm●幅: 4mm●高さ: 0.7mm●動作温度 Max: +85 ℃●ワード数: 2Kbit●FRAM、サイプレス半導体. 強誘電体RAM( F-RAM )はエネルギー効率に優れており、シリアルとパラレルの両方のインターフェースに対応する不揮発性RAMの中で最も高い信頼性を持っています。末尾が Aの部品は車載用途向けに設計されており、AEC-Q100 認定を取得しています。. 不揮発性強誘電体RAMメモリ 高速書き込み 高耐久性 低消費電力 RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(5個)
2,198 税込2,418
7日以内出荷

仕様●メモリサイズ: 64kbit●構成: 8 K x 8ビット●インターフェースタイプ: シリアル-2 ワイヤー, シリアル-I2C●データバス幅: 8bit●最大ランダムアクセス時間: 550ns●実装タイプ: 表面実装●パッケージタイプ: SOIC●ピン数: 8●寸法: 4.97×3.98×1.48mm●長さ: 4.97mm●動作供給電圧 Max: 3.65 Vmm●高さ: 1.48mm●動作温度 Max: +85 ℃●自動車規格: AEC-Q100bit●FRAM、サイプレス半導体. 強誘電体RAM( F-RAM )はエネルギー効率に優れており、シリアルとパラレルの両方のインターフェースに対応する不揮発性RAMの中で最も高い信頼性を持っています。末尾が Aの部品は車載用途向けに設計されており、AEC-Q100 認定を取得しています。. 不揮発性強誘電体RAMメモリ 高速書き込み 高耐久性 低消費電力 RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(2個)
699 税込769
翌々日出荷

仕様●メモリサイズ: 16kbit●構成: 2K x 8●インターフェースタイプ: シリアル-SPI●データバス幅: 8bit●パッケージタイプ: SOIC●ピン数: 8 RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(97個)
23,980 税込26,378
7日以内出荷

仕様●メモリサイズ: 64kbit●構成: 8 K x 8ビット●インターフェースタイプ: シリアル-2 ワイヤー, シリアル-I2C●データバス幅: 8bit●実装タイプ: 表面実装●パッケージタイプ: SOIC●ピン数: 14●寸法: 8.73×3.98×1.48mm●長さ: 8.73mm●幅: 3.98mm●高さ: 1.48mm●動作温度 Max: +85 ℃●ワード数: 8Kbit●F-RAMプロセッサコンパニオン. プロセッサベースのシステムに最も必要とされる機能を集めた集積デバイスです。. シリアル不揮発性FRAMメモリ リアルタイムクロック(RTC) 低電圧リセット ウォッチドッグタイマ 早期電源障害警告 / NMI 16ビットイベントカウンタ x 2 セキュリティのための書き込み禁止シリアル番号 バッテリ駆動に切り替え イベントカウンタトラッキング I2Cインターフェイス RoHS指令(10物質対応)対応
1個
1,398 税込1,538
5日以内出荷

仕様●メモリサイズ: 16kbit●構成: 2 K x 8ビット●インターフェースタイプ: シリアル-2 ワイヤー, シリアル-I2C●データバス幅: 8bit●最大ランダムアクセス時間: 3000ns●実装タイプ: 表面実装●パッケージタイプ: SOIC●ピン数: 8●寸法: 4.97×3.98×1.48mm●長さ: 4.97mm●幅: 3.98mm●高さ: 1.48mm●動作温度 Max: +85 ℃●ワード数: 2Kbit●FRAM、サイプレス半導体. 強誘電体RAM( F-RAM )はエネルギー効率に優れており、シリアルとパラレルの両方のインターフェースに対応する不揮発性RAMの中で最も高い信頼性を持っています。末尾が Aの部品は車載用途向けに設計されており、AEC-Q100 認定を取得しています。. 不揮発性強誘電体RAMメモリ 高速書き込み 高耐久性 低消費電力 RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(5個)
1,098 税込1,208
7日以内出荷

仕様●メモリサイズ: 64kbit●構成: 8 K x 8ビット●インターフェースタイプ: SPI●データバス幅: 8bit●最大ランダムアクセス時間: 20ns●実装タイプ: 表面実装●パッケージタイプ: DFN●ピン数: 8●寸法: 4×4.5×0.7mm●長さ: 4.5mm●幅: 4mm●高さ: 0.7mm●動作温度 Max: +85 ℃●動作温度 Min: -40 ℃bit●FRAM、サイプレス半導体. 強誘電体RAM( F-RAM )はエネルギー効率に優れており、シリアルとパラレルの両方のインターフェースに対応する不揮発性RAMの中で最も高い信頼性を持っています。末尾が Aの部品は車載用途向けに設計されており、AEC-Q100 認定を取得しています。. 不揮発性強誘電体RAMメモリ 高速書き込み 高耐久性 低消費電力 RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(2個)
949 税込1,044
7日以内出荷

仕様●メモリサイズ: 64kbit●構成: 8 K x 8ビット●インターフェースタイプ: SPI●データバス幅: 8bit●最大ランダムアクセス時間: 20ns●実装タイプ: 表面実装●パッケージタイプ: SOIC●ピン数: 8●寸法: 4.97×3.98×1.48mm●長さ: 4.97mm●動作供給電圧 Max: 3.65 Vmm●高さ: 1.48mm●動作温度 Max: +85 ℃●ワード数: 8Kbit●FRAM、サイプレス半導体. 強誘電体RAM( F-RAM )はエネルギー効率に優れており、シリアルとパラレルの両方のインターフェースに対応する不揮発性RAMの中で最も高い信頼性を持っています。末尾が Aの部品は車載用途向けに設計されており、AEC-Q100 認定を取得しています。. 不揮発性強誘電体RAMメモリ 高速書き込み 高耐久性 低消費電力 RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(2個)
1,398 税込1,538
7日以内出荷

仕様●メモリサイズ: 64kbit●構成: 8 K x 8ビット●インターフェースタイプ: I2C●データバス幅: 8bit●最大ランダムアクセス時間: 550ns●実装タイプ: 表面実装●パッケージタイプ: SOIC●ピン数: 8●寸法: 4.97×3.98×1.48mm●長さ: 4.97mm●動作供給電圧 Max: 5.5 Vmm●高さ: 1.48mm●動作温度 Max: +85 ℃●ワード数: 8kbit●FRAM、サイプレス半導体. 強誘電体RAM( F-RAM )はエネルギー効率に優れており、シリアルとパラレルの両方のインターフェースに対応する不揮発性RAMの中で最も高い信頼性を持っています。末尾が Aの部品は車載用途向けに設計されており、AEC-Q100 認定を取得しています。. 不揮発性強誘電体RAMメモリ 高速書き込み 高耐久性 低消費電力 RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(97個)
47,980 税込52,778
7日以内出荷

非同期SRAMメモリ、Cypress Semiconductor
仕様メモリサイズ = 16Mbit構成 = 1 M x 16ビットワード数 = 1M1ワード当たりのビット数 = 16bit最大ランダムアクセス時間 = 55nsアドレスバス幅 = 16bitクロック周波数 = 1MHzローパワー = ありタイミングタイプ = 非シンクロナス実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = TSOPピン数 = 48寸法 = 18.4 x 12 x 1.05mm高さ = 1.05mm幅 = 12mm RoHS指令(10物質対応)対応
1個
3,198 税込3,518
5日以内出荷

非同期SRAMメモリ、Cypress Semiconductor
仕様メモリサイズ = 256kbit構成 = 32 k x 8ビットワード数 = 32k1ワード当たりのビット数 = 8bit最大ランダムアクセス時間 = 15nsアドレスバス幅 = 8bitクロック周波数 = 1MHzローパワー = ありタイミングタイプ = 非シンクロナス実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOJピン数 = 28寸法 = 18.03 x 7.62 x 0.254mm高さ = 0.254mm幅 = 7.62mm RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(5個)
2,098 税込2,308
5日以内出荷

非同期SRAMメモリ、Cypress Semiconductor
仕様メモリサイズ = 1Mbit構成 = 64 k x 16 ビットワード数 = 64k1ワード当たりのビット数 = 16bit最大ランダムアクセス時間 = 12nsアドレスバス幅 = 16bitクロック周波数 = 1MHzローパワー = ありタイミングタイプ = 非シンクロナス実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = TSOPピン数 = 44寸法 = 18.517 x 10.262 x 1.044mm高さ = 1.044mm長さ = 18.517mm非同期SRAMメモリ、Cypress Semiconductor RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(270個)
189,800 税込208,780
5日以内出荷

Cypress CY14B104LA / CY14B104NA は、高速スタティック RAM ( SRAM )で、各メモリセルに不揮発性エレメントを備えています。メモリは、 512 K バイトの 8 ビットごとに構成され、 256 K ワードの 16 ビットごとに構成されています。組み込みの不揮発性エレメントには、 QuantumTrap テクノロジーが組み込まれており、信頼性の高い不揮発性メモリを実現します。SRAM は無制限の読み取り / 書き込みサイクルを提供し、独立した不揮発性データは信頼性の高い QuantumTrap セルに格納されます。SRAM から不揮発性エレメント( STORE 操作)へのデータ転送は、電源を切ると自動的に行われます。電源投入時に、不揮発性メモリから SRAM にデータが復元されます( RECALL 動作)。ソフトウェア制御では、 STORE 操作と RECALL 操作の両方を使用できます。
仕様メモリサイズ = 4Mbit構成 = 512 K x 8ビットインターフェースタイプ = パラレルデータバス幅 = 8bit最大ランダムアクセス時間 = 45ns実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = TSOPピン数 = 44寸法 = 18.51 x 10.26 x 1.04mm長さ = 18.51mm幅 = 10.26mm高さ = 1.04mm動作供給電圧 Max = 3.6 V動作温度 Max = +85 ℃ワード数 = 512Kbit RoHS指令(10物質対応)対応
1個
6,398 税込7,038
5日以内出荷

FRAM、サイプレス半導体. 強誘電体RAM( F-RAM )はエネルギー効率に優れており、シリアルとパラレルの両方のインターフェースに対応する不揮発性RAMの中で最も高い信頼性を持っています。末尾が Aの部品は車載用途向けに設計されており、AEC-Q100 認定を取得しています。. 不揮発性強誘電体RAMメモリ 高速書き込み 高耐久性 低消費電力
仕様メモリサイズ = 64kbit構成 = 8 K x 8ビットインターフェースタイプ = SPIデータバス幅 = 8bit最大ランダムアクセス時間 = 20ns実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOICピン数 = 8寸法 = 4.97 x 3.98 x 1.48mm長さ = 4.97mm動作供給電圧 Max = 5.5 Vmm高さ = 1.48mm動作温度 Max = +85 ℃1ワード当たりのビット数 = 8bit RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(97個)
59,980 税込65,978
5日以内出荷

FRAM、サイプレス半導体. 強誘電体RAM( F-RAM )はエネルギー効率に優れており、シリアルとパラレルの両方のインターフェースに対応する不揮発性RAMの中で最も高い信頼性を持っています。末尾が Aの部品は車載用途向けに設計されており、AEC-Q100 認定を取得しています。. 不揮発性強誘電体RAMメモリ 高速書き込み 高耐久性 低消費電力
仕様メモリサイズ = 64kbit構成 = 8 K x 8ビットインターフェースタイプ = SPIデータバス幅 = 8bit最大ランダムアクセス時間 = 20ns実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOICピン数 = 8寸法 = 4.97 x 3.98 x 1.48mm長さ = 4.97mm動作供給電圧 Max = 3.65 Vmm高さ = 1.48mm動作温度 Max = +85 ℃1ワード当たりのビット数 = 8bit RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(2個)
1,398 税込1,538
5日以内出荷

FRAM、サイプレス半導体. 強誘電体RAM( F-RAM )はエネルギー効率に優れており、シリアルとパラレルの両方のインターフェースに対応する不揮発性RAMの中で最も高い信頼性を持っています。末尾が Aの部品は車載用途向けに設計されており、AEC-Q100 認定を取得しています。. 不揮発性強誘電体RAMメモリ 高速書き込み 高耐久性 低消費電力
仕様メモリサイズ = 64kbit構成 = 8 K x 8ビットインターフェースタイプ = I2Cデータバス幅 = 8bit最大ランダムアクセス時間 = 550ns実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOICピン数 = 8寸法 = 4.97 x 3.98 x 1.48mm長さ = 4.97mm幅 = 3.98mm高さ = 1.48mm動作温度 Max = +85 ℃ワード数 = 8kbit RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(97個)
47,980 税込52,778
5日以内出荷

F-RAMプロセッサコンパニオン. プロセッサベースのシステムに最も必要とされる機能を集めた集積デバイスです。. シリアル不揮発性FRAMメモリ リアルタイムクロック(RTC) 低電圧リセット ウォッチドッグタイマ 早期電源障害警告 / NMI 16ビットイベントカウンタ x 2 セキュリティのための書き込み禁止シリアル番号 バッテリ駆動に切り替え イベントカウンタトラッキング I2Cインターフェイス
仕様メモリサイズ = 64kbit構成 = 8 K x 8ビットインターフェースタイプ = シリアル-I2Cデータバス幅 = 8bit最大ランダムアクセス時間 = 3000ns実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOICピン数 = 14寸法 = 8.73 x 3.98 x 1.48mm長さ = 4.97mm幅 = 3.98mm高さ = 1.48mm動作温度 Max = +85 ℃1ワード当たりのビット数 = 8bit RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(56個)
69,980 税込76,978
5日以内出荷

仕様メモリサイズ = 4kbit構成 = 512 x 8インターフェースタイプ = シリアル-I2Cデータバス幅 = 8bitパッケージタイプ = SOICピン数 = 8 RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(97個)
26,980 税込29,678
5日以内出荷

FRAM、サイプレス半導体. 強誘電体RAM( F-RAM )はエネルギー効率に優れており、シリアルとパラレルの両方のインターフェースに対応する不揮発性RAMの中で最も高い信頼性を持っています。末尾が Aの部品は車載用途向けに設計されており、AEC-Q100 認定を取得しています。不揮発性強誘電体RAMメモリ 高速書き込み 高耐久性 低消費電力
仕様メモリサイズ = 4kbit構成 = 512 x 8ビットインターフェースタイプ = I2Cデータバス幅 = 8bit最大ランダムアクセス時間 = 3000ns実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOICピン数 = 8寸法 = 4.97 x 3.98 x 1.48mm長さ = 4.97mm動作供給電圧 Max = 5.5 Vmm高さ = 1.48mm動作温度 Max = +85 ℃1ワード当たりのビット数 = 8bit RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(97個)
18,980 税込20,878
5日以内出荷

仕様メモリサイズ = 64kbit構成 = 8K x 8インターフェースタイプ = シリアル-I2Cデータバス幅 = 8bitパッケージタイプ = SOICピン数 = 8 RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(81個)
44,980 税込49,478
5日以内出荷

FRAM、サイプレス半導体. 強誘電体RAM( F-RAM )はエネルギー効率に優れており、シリアルとパラレルの両方のインターフェースに対応する不揮発性RAMの中で最も高い信頼性を持っています。末尾が Aの部品は車載用途向けに設計されており、AEC-Q100 認定を取得しています。. 不揮発性強誘電体RAMメモリ 高速書き込み 高耐久性 低消費電力
仕様メモリサイズ = 512kbit構成 = 64 K x 8ビットインターフェースタイプ = I2Cデータバス幅 = 8bit最大ランダムアクセス時間 = 450ns実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOICピン数 = 8寸法 = 4.97 x 3.98 x 1.48mm長さ = 4.97mm幅 = 3.98mm高さ = 1.48mm動作温度 Max = +85 ℃ワード数 = 64kbit RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(97個)
169,800 税込186,780
5日以内出荷

FRAM、サイプレス半導体. 強誘電体RAM( F-RAM )はエネルギー効率に優れており、シリアルとパラレルの両方のインターフェースに対応する不揮発性RAMの中で最も高い信頼性を持っています。末尾が Aの部品は車載用途向けに設計されており、AEC-Q100 認定を取得しています。. 不揮発性強誘電体RAMメモリ 高速書き込み 高耐久性 低消費電力
仕様メモリサイズ = 64kbit構成 = 8 K x 8ビットインターフェースタイプ = SPIデータバス幅 = 8bit最大ランダムアクセス時間 = 20ns実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = DFNピン数 = 8寸法 = 4 x 4.5 x 0.7mm長さ = 4.5mm幅 = 4mm高さ = 0.7mm動作温度 Max = +85 ℃動作温度 Min = -40 ℃bit RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(2個)
929 税込1,022
5日以内出荷

FRAM、サイプレス半導体. 強誘電体RAM( F-RAM )はエネルギー効率に優れており、シリアルとパラレルの両方のインターフェースに対応する不揮発性RAMの中で最も高い信頼性を持っています。末尾が Aの部品は車載用途向けに設計されており、AEC-Q100 認定を取得しています。. 不揮発性強誘電体RAMメモリ 高速書き込み 高耐久性 低消費電力
仕様メモリサイズ = 16kbit構成 = 2 K x 8ビットインターフェースタイプ = シリアル-2 ワイヤー, シリアル-I2Cデータバス幅 = 8bit最大ランダムアクセス時間 = 3000ns実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = DFNピン数 = 8寸法 = 4 x 4.5 x 0.7mm長さ = 4.5mm動作供給電圧 Max = 3.65 Vmm高さ = 0.7mm動作温度 Max = +85 ℃自動車規格 = AEC-Q100bit RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(5個)
2,298 税込2,528
5日以内出荷

仕様メモリサイズ = 16kbit構成 = 2K x 8インターフェースタイプ = シリアル-I2Cデータバス幅 = 8bitパッケージタイプ = SOICピン数 = 8 RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(97個)
24,980 税込27,478
5日以内出荷

F-RAMプロセッサコンパニオン. プロセッサベースのシステムに最も必要とされる機能を集めた集積デバイスです。. シリアル不揮発性FRAMメモリ リアルタイムクロック(RTC) 低電圧リセット ウォッチドッグタイマ 早期電源障害警告 / NMI 16ビットイベントカウンタ x 2 セキュリティのための書き込み禁止シリアル番号 バッテリ駆動に切り替え イベントカウンタトラッキング I2Cインターフェイス
仕様メモリサイズ = 64kbit構成 = 8 K x 8ビットインターフェースタイプ = シリアル-2 ワイヤー, シリアル-I2Cデータバス幅 = 8bit実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOICピン数 = 14寸法 = 8.73 x 3.98 x 1.48mm長さ = 8.73mm幅 = 3.98mm高さ = 1.48mm動作温度 Max = +85 ℃ワード数 = 8Kbit RoHS指令(10物質対応)対応
1個
1,398 税込1,538
5日以内出荷

仕様メモリサイズ = 16kbit構成 = 2K x 8インターフェースタイプ = シリアル-SPIデータバス幅 = 8bitパッケージタイプ = SOICピン数 = 8 RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(97個)
23,980 税込26,378
5日以内出荷

FRAM、サイプレス半導体. 強誘電体RAM( F-RAM )はエネルギー効率に優れており、シリアルとパラレルの両方のインターフェースに対応する不揮発性RAMの中で最も高い信頼性を持っています。末尾が Aの部品は車載用途向けに設計されており、AEC-Q100 認定を取得しています。. 不揮発性強誘電体RAMメモリ 高速書き込み 高耐久性 低消費電力
仕様メモリサイズ = 1Mbit構成 = 128 K x 8ビットインターフェースタイプ = I2Cデータバス幅 = 8bit最大ランダムアクセス時間 = 450ns実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOICピン数 = 8寸法 = 4.97 x 3.98 x 1.48mm長さ = 4.97mm幅 = 3.98mm高さ = 1.48mm動作温度 Max = +85 ℃動作供給電圧 Min = 2 Vbit RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(97個)
199,800 税込219,780
7日以内出荷

非同期SRAMメモリ、Cypress Semiconductor
仕様メモリサイズ = 16Mbit構成 = 1 M x 16ビットワード数 = 1M1ワード当たりのビット数 = 16bit最大ランダムアクセス時間 = 45nsアドレスバス幅 = 16bitクロック周波数 = 1MHzローパワー = ありタイミングタイプ = 非シンクロナス実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = TSOPピン数 = 48寸法 = 18.4 x 12 x 1.05mm高さ = 1.05mm幅 = 12mm RoHS指令(10物質対応)対応
1個
2,898 税込3,188
5日以内出荷

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