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エコロジープロダクト
RoHS10物質対応(26)
「igbt」の検索結果
Infineon IGBT PG-TO220-3INFINEON￥9,898税込￥10,888
1セット(50個)
7日以内出荷
仕様最大パワー消費 = 35.7 Wパッケージタイプ = PG-TO220-3RoHS指令(10物質対応)対応
Infineon IGBTドライバモジュール 3 A 24リードSSOP 24-PinINFINEON￥35,980税込￥39,578
1セット(55個)
7日以内出荷
仕様ロジックタイプ = CMOS出力電流 = 3 A供給電圧 = 20Vピン数 = 24パッケージタイプ = 24リードSSOPnsドライバ数 = 2RoHS指令(10物質対応)対応
Infineon IGBT PG-TO247-3INFINEON￥12,980税込￥14,278
1セット(30個)
7日以内出荷
仕様最大パワー消費 = 250 Wパッケージタイプ = PG-TO247-3RoHS指令(10物質対応)対応
Infineon IGBT 650 V 74 A， 3-Pin PG-TO220-3INFINEON￥2,398税込￥2,638
1袋(5個)
7日以内出荷
仕様最大連続コレクタ電流 = 74 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 650 V最大ゲート-エミッタ間電圧 = ±20 V， ±30 V最大パワー消費 = 250 Wパッケージタイプ = PG-TO220-3ピン数 = 3RoHS指令(10物質対応)対応
Infineon IGBT 600 V 100 A， 3-Pin TO-247INFINEON￥19,980税込￥21,978
1セット(30個)
7日以内出荷
Infineon TrenchStop IGBTトランジスタ、600 650 V. InfineonのIGBTトランジスタは、600 650 Vのコレクタ-エミッタ間の定格電圧を備え、TrenchStop技術を採用しています。この製品は、高速リカバリアンチパラレルダイオードを搭載したデバイスを含んでいます。. コレクタ-エミッタ電圧範囲: 600 650 VCEsatが非常に低い ターンオフ損失が低い ショートテール電流 低EMI 最大ジャンクション温度: 175 ℃
仕様最大連続コレクタ電流 = 100 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 600 V最大ゲート-エミッタ間電圧 = ±20V最大パワー消費 = 333 Wパッケージタイプ = TO-247実装タイプ = スルーホールピン数 = 3寸法 = 16.03 x 21.1 x 5.16mm動作温度 Min = -40 ℃RoHS指令(10物質対応)対応
Infineon IGBT 600 V 80 A， 3-Pin TO-247 シングルINFINEON￥22,980税込￥25,278
1セット(30個)
7日以内出荷
Infineon TrenchStop IGBTトランジスタ、600 / 650 V. InfineonのIGBTトランジスタは、600 / 650 Vのコレクタ-エミッタ間の定格電圧を備え、TrenchStop技術を採用しています。この製品は、高速リカバリアンチパラレルダイオードを搭載したデバイスを含んでいます。. コレクタ-エミッタ電圧範囲: 600 → 650 V VCEsatが非常に低い ターンオフ損失が低い ショートテール電流 低EMI 最大ジャンクション温度: 175 ℃
仕様最大連続コレクタ電流 = 80 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 600 V最大ゲート-エミッタ間電圧 = ±20V最大パワー消費 = 428 Wパッケージタイプ = TO-247実装タイプ = スルーホールピン数 = 3トランジスタ構成 = シングル寸法 = 16.03 x 21.1 x 5.16mm動作温度 Min = -40 ℃RoHS指令(10物質対応)対応
Infineon MOSFETゲートドライバ 2.5 A SOIC W 2 16-Pin ハイ/ローサイド 非反転 表面実装INFINEON￥19,980税込￥21,978
1セット(45個)
7日以内出荷
MOSFET / IGBTゲートドライバ、ハイサイド及びローサイド、Infineon. InfineonのゲートドライバICは、ハイサイド及びローサイドの構成でMOSFET又はIGBTパワーデバイスを制御します。
仕様出力電流 = 2.5 A供給電圧 = 20Vピン数 = 16パッケージタイプ = SOIC W出力数 = 2トポロジー = ハイ/ローサイド高/低サイド依存性 = 独立ドライバ数 = 2極性 = 非反転実装タイプ = 表面実装RoHS指令(10物質対応)対応
Infineon MOSFETゲートドライバ -9.4 A 、 10 A DSO 2 8-Pin ガルバニック絶縁 反転， 非反転 表面実装INFINEON￥379,800税込￥417,780
1セット(2500個)
7日以内出荷
EiceDRIVER絶縁型MOSFET / IGBTゲートドライバ。入出力間の絶縁電圧: 幅広い入力動作範囲 個別のソース / シンク出力 用途: ACモータ / ブラシレスDCモータドライブ
仕様ロジックタイプ = CMOS、出力電流 = -9.4 A、10 A、供給電圧 = 17V、ピン数 = 8、パッケージタイプ = DSOns、出力数 = 2、上昇時間 = 20ns、トポロジー = ガルバニック絶縁、高/低サイド依存性 = 独立、ドライバ数 = 2、極性 = 反転， 非反転、実装タイプ = 表面実装RoHS指令(10物質対応)対応
Infineon MOSFETゲートドライバ 500 mA SOIC 1 8-Pin ハイサイド 非反転 表面実装INFINEON￥21,980税込￥24,178
1セット(95個)
7日以内出荷
Infineon MOSFET / IGBT ドライバ ハイサイド. Infineon のゲートドライバ IC は、ハイサイド構成で MOSFET 又は IGBT パワーデバイスを制御します。
仕様出力電流 = 500 mA供給電圧 = 20Vピン数 = 8パッケージタイプ = SOIC出力数 = 1トポロジー = ハイサイドドライバ数 = 1極性 = 非反転実装タイプ = 表面実装RoHS指令(10物質対応)対応
Infineon MOSFETゲートドライバ 2.5 A SOIC 2 16-Pin ハイ/ローサイド 非反転 表面実装INFINEON￥2,198税込￥2,418
1袋(5個)
7日以内出荷
MOSFET / IGBTゲートドライバ、ハイサイド及びローサイド、Infineon. InfineonのゲートドライバICは、ハイサイド及びローサイドの構成でMOSFET又はIGBTパワーデバイスを制御します。
仕様出力電流 = 2.5 A供給電圧 = 20Vピン数 = 16パッケージタイプ = SOIC出力数 = 2トポロジー = ハイ/ローサイド高/低サイド依存性 = 独立ドライバ数 = 2極性 = 非反転実装タイプ = 表面実装RoHS指令(10物質対応)対応
Infineon Nチャンネル IGBT 600 V 45 A， 3-Pin TO-247 シングルINFINEON￥1,198税込￥1,318
1袋(2個)
7日以内出荷
Infineon TrenchStop IGBTトランジスタ、600 650 V. InfineonのIGBTトランジスタは、600 650 Vのコレクタ-エミッタ間の定格電圧を備え、TrenchStop技術を採用しています。この製品は、高速リカバリアンチパラレルダイオードを搭載したデバイスを含んでいます。. コレクタ-エミッタ電圧範囲: 600 650 VCEsatが非常に低い ターンオフ損失が低い ショートテール電流 低EMI 最大ジャンクション温度: 175 ℃
仕様最大連続コレクタ電流 = 45 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 600 V最大ゲート-エミッタ間電圧 = ±20V最大パワー消費 = 187 Wパッケージタイプ = TO-247実装タイプ = スルーホールチャンネルタイプ = Nピン数 = 3トランジスタ構成 = シングル寸法 = 16.13 x 5.21 x 21.1mm動作温度 Min = -40 ℃pFRoHS指令(10物質対応)対応
Infineon Nチャンネル IGBT 650 V 1899-12-31 08:00:00， 3-Pin TO-220 1INFINEON￥10,980税込￥12,078
1セット(50個)
7日以内出荷
仕様最大連続コレクタ電流 = 1899-12-31 08:00:00最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 650 V最大ゲート-エミッタ間電圧 = ±20 V， ±30Vトランジスタ数 = 1パッケージタイプ = TO-220実装タイプ = スルーホールチャンネルタイプ = Nピン数 = 3RoHS指令(10物質対応)対応
Infineon Nチャンネル IGBT 600 V 6.5 A， 3-Pin PG-TO252 1 シングルINFINEON￥1,398税込￥1,538
1袋(15個)
7日以内出荷
Infineon IKD03N60RF は、スイッチング時の熱サイクルが少ないので、モノリシック集積 IGBT 及びダイオードを使用することで信頼性が高くなります。スムーズなスイッチング性能により EMI レベルが低くなります。動作範囲は 4 → 30 kHz です。パラメータのばらつきが非常に少ない 最大ジャンクション温度： 175 ° C 5 μ s の短絡能力
仕様最大連続コレクタ電流 = 6.5 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 600 V最大ゲート-エミッタ間電圧 = 20V最大パワー消費 = 53.6 Wパッケージタイプ = PG-TO252チャンネルタイプ = Nピン数 = 3トランジスタ構成 = シングルRoHS指令(10物質対応)対応
Infineon Nチャンネル IGBT 650 V 15 A， 3-Pin TO-220 1INFINEON￥869税込￥956
1袋(2個)
7日以内出荷
仕様最大連続コレクタ電流 = 15 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 650 V最大ゲート-エミッタ間電圧 = ±20 V， ±30V最大パワー消費 = 33.3 Wパッケージタイプ = TO-220実装タイプ = スルーホールチャンネルタイプ = Nピン数 = 3RoHS指令(10物質対応)対応
Infineon Nチャンネル IGBT 1200 V 30 A， 3-Pin TO-247 シングルINFINEON￥1,698税込￥1,868
1袋(2個)
7日以内出荷
Infineon TrenchStop IGBTトランジスタ、1100 → 1600 V. Infineonのコレクタ-エミッタ電圧の定格が1100 ～ 1600 VのIGBTトランジスタ製品です。TrenchStopテクノロジーを使用しています。このシリーズには、高速度、高速回復アンチパラレルダイオード搭載の素子が含まれています。. コレクタ-エミッタ電圧範囲: 1100 →1600 V 超低VCEsat 低ターンオフ損失 短テール電流 低EMI 最大ジャンクション温度: 175 ℃
仕様最大連続コレクタ電流 = 30 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 1200 V最大ゲート-エミッタ間電圧 = ±20V最大パワー消費 = 217 Wパッケージタイプ = TO-247実装タイプ = スルーホールチャンネルタイプ = Nピン数 = 3トランジスタ構成 = シングル寸法 = 16.03 x 5.16 x 21.1mm動作温度 Min = -40 ℃RoHS指令(10物質対応)対応
Infineon Nチャンネル IGBT 650 V 30 A， 3-Pin TO-220 シングルINFINEON￥1,798税込￥1,978
1袋(5個)
7日以内出荷
Infineon TrenchStop IGBTトランジスタ、600 650 V. InfineonのIGBTトランジスタは、600 650 Vのコレクタ-エミッタ間の定格電圧を備え、TrenchStop技術を採用しています。この製品は、高速リカバリアンチパラレルダイオードを搭載したデバイスを含んでいます。. コレクタ-エミッタ電圧範囲: 600 650 VCEsatが非常に低い ターンオフ損失が低い ショートテール電流 低EMI 最大ジャンクション温度: 175 ℃
仕様最大連続コレクタ電流 = 30 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 650 V最大ゲート-エミッタ間電圧 = ±20V最大パワー消費 = 105 Wパッケージタイプ = TO-220実装タイプ = スルーホールチャンネルタイプ = Nピン数 = 3トランジスタ構成 = シングル寸法 = 10.36 x 4.57 x 15.95mm動作温度 Min = -40 ℃pFRoHS指令(10物質対応)対応
MOSFET DriverINFINEON￥2,198税込￥2,418
1袋(10個)
7日以内出荷
仕様MOSFET / IGBTドライバ、ハイサイド、Infineon. InfineonのゲートドライバICは、ハイサイド構成でMOSFET又はIGBTパワーデバイスを制御します。RoHS指令(10物質対応)対応
