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Infineon Nチャンネル MOSFET650 V 31.2 A 表面実装 パッケージTO-263 3 ピンINFINEON￥459,800税込￥505,780
1セット(1000個)
7日以内出荷
Infineon のクール MOS の設計は、超ジャンクション( SJ )の原理に基づいて設計された Infineon Technologies のパイオニアである、高電圧 MOSFET 向けの革新的な技術です。600 Cool MOS C7 シリーズは、SJ MOSFET サプライヤの経験と高度な技術革新を兼ね備えた製品です。600 C7 は、RDS on * が オーム mm 未満の初めてのテクノロジーです。超高速ボディダイオード
仕様チャンネルタイプ N最大連続ドレイン電流 31.2 A最大ドレイン-ソース間電圧 650 Vシリーズ CoolMOS(TM)実装タイプ 表面実装ピン数 3最大ドレイン-ソース間抵抗 0.11 Ωチャンネルモード エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 4.5V1チップ当たりのエレメント数 1RoHS指令(10物質対応)対応
Infineon Nチャンネル MOSFET700 V 63.3 A スルーホール パッケージTO-247 3 ピンINFINEON￥999税込￥1,099
1個
7日以内出荷
Infineon のクール MOS の設計は、超ジャンクション( SJ )の原理に基づいて設計された Infineon Technologies のパイオニアである、高電圧 MOSFET 向けの革新的な技術です。600 V Cool MOS C7 シリーズは、 SJ MOSFET サプライヤの経験と高度な技術革新を兼ね備えた製品です。600 V C7 は、 RDS ( on ) * A が 1 オーム * mm 2 未満の初めてのテクノロジーです。鉛フリーリードめっき RoHS対応 優れた熱抵抗：アバランシェ 100 % テスト済み IEC61249-2-23 準拠のハロゲンフリーです
仕様チャンネルタイプ N最大連続ドレイン電流 63.3 A最大ドレイン-ソース間電圧 700 Vシリーズ CoolMOS(TM)実装タイプ スルーホールピン数 3最大ドレイン-ソース間抵抗 0.048 Ωチャンネルモード エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 4.5V1チップ当たりのエレメント数 1RoHS指令(10物質対応)対応
Infineon Nチャンネル MOSFET800 V 3.9 A 表面実装 パッケージDPAK (TO-252) 3 ピンINFINEON￥199,800税込￥219,780
1セット(2500個)
7日以内出荷
Infineon の 800 V Cool MOS CE MOSFET は、安全性と性能及び耐久性を兼ね備えた高電圧容量で、最高の効率レベルで安定した設計が可能です。RoHS に準拠しています
仕様チャンネルタイプ N最大連続ドレイン電流 3.9 A最大ドレイン-ソース間電圧 800 Vシリーズ CoolMOS(TM) CE実装タイプ 表面実装ピン数 3最大ドレイン-ソース間抵抗 1.4 Ω最大ゲートしきい値電圧 3.9V1チップ当たりのエレメント数 1RoHS指令(10物質対応)対応
Infineon Nチャンネル MOSFET100 V 33 A スルーホール パッケージTO-220AB 3 ピンINFINEON￥2,798税込￥3,078
1袋(20個)
当日出荷
NチャンネルパワーMOSFET 100 V、Infineon. InfineonのディスクリートHEXFETRパワーMOSFET製品には、リード付き表面実装パッケージに収容されたNチャンネルデバイスが含まれています。 さらに、ほぼすべてのボードレイアウトや熱設計の課題に対応できるフォームファクタが含まれています。 レンジ全体にわたる抵抗のベンチマークにより、導電損失が低下するので、最適なシステム効率を発揮できます。
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 33 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 100 Vシリーズ = HEXFET実装タイプ = スルーホールピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 44 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 4V最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大パワー消費 = 130 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V1チップ当たりのエレメント数 = 1mm動作温度 Min = -55 ℃mmRoHS指令(10物質対応)対応
Infineon Pチャンネル MOSFET100 V 38 A 表面実装 パッケージD2PAK (TO-263) 3 ピンINFINEON￥2,598税込￥2,858
1袋(5個)
翌々日出荷
PチャンネルパワーMOSFET 100 V → 150 V、Infineon. InfineonのディスクリートHEXFETRパワーMOSFET製品には、リード付き表面実装パッケージに収容されたPチャンネルデバイス、及びほぼすべてのボードレイアウトや熱設計課題に対応できるフォームファクタが含まれています。レンジ全体にわたる抵抗のベンチマークにより、導電損失が低下するので、最適なシステム効率を発揮できます。
仕様チャンネルタイプ = P最大連続ドレイン電流 = 38 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 100 Vシリーズ = HEXFET実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 60 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 4V最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大パワー消費 = 170 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V標準ゲートチャージ @ Vgs = 150 nC @ 10 Vmm動作温度 Min = -55 ℃mmRoHS指令(10物質対応)対応
Infineon Nチャンネル MOSFET30 V 260 A スルーホール パッケージTO-220AB 3 ピンINFINEON￥589税込￥648
1袋(2個)
翌々日出荷
NチャンネルパワーMOSFET 30 V、Infineon. InfineonのディスクリートHEXFETRパワーMOSFET製品には、リード付き表面実装パッケージに収容されたNチャンネルデバイスが含まれています。 さらに、ほぼすべてのボードレイアウトや熱設計の課題に対応できるフォームファクタが含まれています。 レンジ全体にわたる抵抗のベンチマークにより、導電損失が低下するので、最適なシステム効率を発揮できます。
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 260 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 Vシリーズ = HEXFET実装タイプ = スルーホールピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 2 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 2.35V最低ゲートしきい値電圧 = 1.35V最大パワー消費 = 230 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V標準ゲートチャージ @ Vgs = 57 nC @ 4.5 Vmm動作温度 Min = -55 ℃mmRoHS指令(10物質対応)対応
Infineon Nチャンネル MOSFET40 V 343 A スルーホール パッケージTO-220AB 3 ピンINFINEON￥1,398税込￥1,538
1袋(2個)
翌々日出荷
モータ制御 / AC-DC同期整流MOSFET、Infineon. モータ制御MOSFET. Infineonでは、モータ制御用途向けに耐久性の高いNチャンネル / PチャンネルMOSFETデバイスの充実したポートフォリオを揃えています。. 同期整流MOSFET. AC-DC電源向けの同期整流MOSFETのポートフォリオは、電力密度が高く、サイズが小さく、携帯性が優れた、フレキシブルなシステムに関する顧客の要求に適合します。
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 343 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 40 Vシリーズ = HEXFET実装タイプ = スルーホールピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 2 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 2.5V最低ゲートしきい値電圧 = 1V最大パワー消費 = 375000 mWトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V標準ゲートチャージ @ Vgs = 108 nC @ 4.5 Vmm動作温度 Min = -55 ℃RoHS指令(10物質対応)対応
Infineon Nチャンネル MOSFET75 V 80 A スルーホール パッケージTO-220AB 3 ピンINFINEON￥929税込￥1,022
1袋(5個)
翌々日出荷
モータ制御 / AC-DC同期整流MOSFET、Infineon. モータ制御MOSFET. Infineonでは、モータ制御用途向けに耐久性の高いNチャンネル / PチャンネルMOSFETデバイスの充実したポートフォリオを揃えています。. 同期整流MOSFET. AC-DC電源向けの同期整流MOSFETのポートフォリオは、電力密度が高く、サイズが小さく、携帯性が優れた、フレキシブルなシステムに関する顧客の要求に適合します。
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 80 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 75 Vシリーズ = HEXFET実装タイプ = スルーホールピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 9 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 4V最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大パワー消費 = 140 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V幅 = 4.82mm動作温度 Min = -55 ℃mmRoHS指令(10物質対応)対応
Infineon Nチャンネル MOSFET100 V 180 A スルーホール パッケージTO-247AC 3 ピンINFINEON￥1,798税込￥1,978
1袋(2個)
翌々日出荷
モータ制御 / AC-DC同期整流MOSFET、Infineon. モータ制御MOSFET. Infineonでは、モータ制御用途向けに耐久性の高いNチャンネル / PチャンネルMOSFETデバイスの充実したポートフォリオを揃えています。. 同期整流MOSFET. AC-DC電源向けの同期整流MOSFETのポートフォリオは、電力密度が高く、サイズが小さく、携帯性が優れた、フレキシブルなシステムに関する顧客の要求に適合します。
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 180 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 100 Vシリーズ = HEXFET実装タイプ = スルーホールピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 5 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 4V最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大パワー消費 = 370 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 Vトランジスタ素材 = Simm動作温度 Min = -55 ℃RoHS指令(10物質対応)対応
Infineon Nチャンネル MOSFET200 V 18 A 表面実装 パッケージD2PAK (TO-263) 3 ピンINFINEON￥1,898税込￥2,088
1袋(10個)
翌々日出荷
NチャンネルパワーMOSFET 150 → 600 V、Infineon. InfineonのディスクリートHEXFETRパワーMOSFET製品には、リード付き表面実装パッケージに収容されたNチャンネルデバイス、及びほぼすべてのボードレイアウトや熱設計課題に対応できるフォームファクタが含まれています。 レンジ全体にわたる抵抗のベンチマークにより、導電損失が低下するので、最適なシステム効率を発揮できます。
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 18 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 200 Vシリーズ = HEXFET実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 150 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 4V最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大パワー消費 = 150 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V1チップ当たりのエレメント数 = 1mm動作温度 Min = -55 ℃mmRoHS指令(10物質対応)対応
Infineon Nチャンネル MOSFET100 V 36 A スルーホール パッケージTO-220AB 3 ピンINFINEON￥469税込￥516
1袋(2個)
翌々日出荷
NチャンネルパワーMOSFET 100 V、Infineon. InfineonのディスクリートHEXFETRパワーMOSFET製品には、リード付き表面実装パッケージに収容されたNチャンネルデバイスが含まれています。 さらに、ほぼすべてのボードレイアウトや熱設計の課題に対応できるフォームファクタが含まれています。 レンジ全体にわたる抵抗のベンチマークにより、導電損失が低下するので、最適なシステム効率を発揮できます。
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 36 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 100 Vパッケージタイプ = TO-220AB実装タイプ = スルーホールピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 27 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 4V最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大パワー消費 = 92000 mWトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 Vトランジスタ素材 = Simm高さ = 8.77mmRoHS指令(10物質対応)対応
Infineon Nチャンネル MOSFET200 V 18 A スルーホール パッケージTO-220AB 3 ピンINFINEON￥1,198税込￥1,318
1袋(5個)
翌々日出荷
デジタルオーディオMOSFET、Infineon. クラスDアンプは、短期間で業務用及び家庭用のオーディオ / ビデオシステム向けに推奨されるソリューションとなっています。 Infineonは、高効率クラスDアンプ設計を簡素化する充実した製品ラインアップを揃えています。
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 18 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 200 Vシリーズ = HEXFET実装タイプ = スルーホールピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 100 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 4.9V最低ゲートしきい値電圧 = 3V最大パワー消費 = 100 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V幅 = 4.82mm動作温度 Min = -55 ℃RoHS指令(10物質対応)対応
Infineon電流モード PWMコントローラINFINEON￥699～税込￥769～
1袋(2個)ほか
翌々日出荷から7日以内出荷
AC-DC内蔵電源ステージ-CoolSET、Infineon.InfineonオフラインSMPS電流モードコントローラには、内蔵650VCoolMOS及びスタートアップセル(周波数ジッタモード)が搭載されています。
PMICBiCMOSテクノロジーは26VのVcc範囲を備えているので、2次側にCV/CC調整を適用すると、補助電源の変動に対応します。
この製品はアクティブなバーストモードも備えており、低スタンバイ電力だけでなく、自動リスタートモード機能を使用して、Vcc化電圧/低電圧、出力オープンループと過熱から保護します。
ICE3B1565Jは、固定周波数/電流モード/フライバックPWMコントローラで、スマートメータ、DVDプレーヤー、セットトップボックス、ゲーム機とLEDTVなどの多様な用途で使用できます。
低スタンバイ電力<100mW)変調型ゲートドライブ低EMIノイズ。
出力数PWM：1コントロール電流ピン数(ピン)8
Infineon Nチャンネル MOSFET60 V 300 mA 表面実装 パッケージSOT-23 3 ピンINFINEON￥799税込￥879
1袋(100個)
翌々日出荷
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 300 mA最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 Vシリーズ = OptiMOS実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 4 Ωチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 2.5V最低ゲートしきい値電圧 = 1.5V最大パワー消費 = 500 mWトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V1チップ当たりのエレメント数 = 1mm動作温度 Min = -55 ℃Infineon OptiMOS小信号MOSFETRoHS指令(10物質対応)対応
Infineon Nチャンネル MOSFET550 V 23 A スルーホール パッケージTO-220 FP 3 ピンINFINEON￥679税込￥747
1個
5日以内出荷
Infineon CoolMOS-CPパワーMOSFET
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 23 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 550 Vシリーズ = CoolMOS CP実装タイプ = スルーホールピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 140 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 3.5V最低ゲートしきい値電圧 = 2.5V最大パワー消費 = 34 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V標準ゲートチャージ @ Vgs = 48 nC @ 10 Vmm動作温度 Min = -55 ℃mmRoHS指令(10物質対応)対応
Infineon Nチャンネル MOSFET650 V 47 A スルーホール パッケージTO-247 3 ピンINFINEON￥1,598税込￥1,758
1個
5日以内出荷
Infineon CoolMOS-C3パワーMOSFET
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 47 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 650 Vパッケージタイプ = TO-247実装タイプ = スルーホールピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 70 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 3.9V最低ゲートしきい値電圧 = 2.1V最大パワー消費 = 415 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V標準ゲートチャージ @ Vgs = 252 nC @ 10 Vmm動作温度 Min = -55 ℃mmRoHS指令(10物質対応)対応
Infineon Nチャンネル MOSFET700 V 43.3 A スルーホール パッケージTO-247 3 ピンINFINEON￥999税込￥1,099
1個
5日以内出荷
Infineon CoolMOS CFDパワーMOSFET
仕様チャンネルタイプ N最大連続ドレイン電流 43.3 A最大ドレイン-ソース間電圧 700 Vシリーズ CoolMOS(TM) CFD実装タイプ スルーホールピン数 3最大ドレイン-ソース間抵抗 80 mΩチャンネルモード エンハンスメント型最大パワー消費 391 Wトランジスタ構成 シングル最大ゲート-ソース間電圧 -30 V， +30 V動作温度 Max +150 ℃mm順方向ダイオード電圧 0.9VRoHS指令(10物質対応)対応
Infineon Nチャンネル MOSFET700 V 83 A スルーホール パッケージTO-247 3 ピンINFINEON￥2,298税込￥2,528
1個
5日以内出荷
Infineon CoolMOS-C6 / C7パワーMOSFET
仕様チャンネルタイプ N最大連続ドレイン電流 83 A最大ドレイン-ソース間電圧 700 Vシリーズ CoolMOS(TM) C6実装タイプ スルーホールピン数 3最大ドレイン-ソース間抵抗 37 mΩチャンネルモード エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 3.5V最低ゲートしきい値電圧 2.5V最大パワー消費 500 Wトランジスタ構成 シングル最大ゲート-ソース間電圧 -30 V， +30 V1チップ当たりのエレメント数 1mm順方向ダイオード電圧 0.85VRoHS指令(10物質対応)対応
Infineon Nチャンネル MOSFET75 V 210 A スルーホール パッケージTO-220AB 3 ピンINFINEON￥479税込￥527
1個
5日以内出荷
モータ制御 / AC-DC同期整流MOSFET、Infineon. モータ制御MOSFET. Infineonでは、モータ制御用途向けに耐久性の高いNチャンネル / PチャンネルMOSFETデバイスの充実したポートフォリオを揃えています。. 同期整流MOSFET. AC-DC電源向けの同期整流MOSFETのポートフォリオは、電力密度が高く、サイズが小さく、携帯性が優れた、フレキシブルなシステムに関する顧客の要求に適合します。
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 210 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 75 Vシリーズ = HEXFET実装タイプ = スルーホールピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 3 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 4V最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大パワー消費 = 370 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V標準ゲートチャージ @ Vgs = 160 nC @ 10 Vmm高さ = 9.02mmRoHS指令(10物質対応)対応
Infineon Nチャンネル MOSFET200 V 130 A スルーホール パッケージTO-247AC 3 ピンINFINEON￥819税込￥901
1個
5日以内出荷
モータ制御 / AC-DC同期整流MOSFET、Infineon. モータ制御MOSFET. Infineonでは、モータ制御用途向けに耐久性の高いNチャンネル / PチャンネルMOSFETデバイスの充実したポートフォリオを揃えています。. 同期整流MOSFET. AC-DC電源向けの同期整流MOSFETのポートフォリオは、電力密度が高く、サイズが小さく、携帯性が優れた、フレキシブルなシステムに関する顧客の要求に適合します。
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 130 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 200 Vパッケージタイプ = TO-247AC実装タイプ = スルーホールピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 10 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 5V最低ゲートしきい値電圧 = 3V最大パワー消費 = 520 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V， +30 V標準ゲートチャージ @ Vgs = 161 nC @ 10 Vmm高さ = 20.7mmRoHS指令(10物質対応)対応
Infineon Nチャンネル MOSFET150 V 171 A スルーホール パッケージTO-247AC 3 ピンINFINEON￥1,298税込￥1,428
1個
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モータ制御 / AC-DC同期整流MOSFET、Infineon. モータ制御MOSFET. Infineonでは、モータ制御用途向けに耐久性の高いNチャンネル / PチャンネルMOSFETデバイスの充実したポートフォリオを揃えています。. 同期整流MOSFET. AC-DC電源向けの同期整流MOSFETのポートフォリオは、電力密度が高く、サイズが小さく、携帯性が優れた、フレキシブルなシステムに関する顧客の要求に適合します。
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 171 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 150 Vシリーズ = HEXFET実装タイプ = スルーホールピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 6 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 5V最低ゲートしきい値電圧 = 3V最大パワー消費 = 517 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V， +30 Vトランジスタ素材 = Simm動作温度 Min = -55 ℃mmRoHS指令(10物質対応)対応
Infineon Nチャンネル MOSFET150 V 85 A スルーホール パッケージTO-220AB 3 ピンINFINEON￥349税込￥384
1個
5日以内出荷
モータ制御 / AC-DC同期整流MOSFET、Infineon. モータ制御MOSFET. Infineonでは、モータ制御用途向けに耐久性の高いNチャンネル / PチャンネルMOSFETデバイスの充実したポートフォリオを揃えています。. 同期整流MOSFET. AC-DC電源向けの同期整流MOSFETのポートフォリオは、電力密度が高く、サイズが小さく、携帯性が優れた、フレキシブルなシステムに関する顧客の要求に適合します。
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 85 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 150 Vシリーズ = HEXFET実装タイプ = スルーホールピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 15 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 5V最低ゲートしきい値電圧 = 3V最大パワー消費 = 350 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V， +30 V標準ゲートチャージ @ Vgs = 71 nC @ 10 Vmm動作温度 Min = -55 ℃mmRoHS指令(10物質対応)対応
Infineon Pチャンネル MOSFET55 V 12 A スルーホール パッケージTO-220AB 3 ピンINFINEON￥95税込￥105
1個
5日以内出荷
Infineon PチャンネルパワーMOSFET 40 → 55 V. InfinionのディスクリートHEXFETRパワーMOSFET製品は表面実装およびリード線付きパッケージのP-channelデバイス、そしてほとんどの基板レイアウトと熱設計に対応できるフォームファクタを含みます。抵抗値範囲全体のベンチマークで導電損失を低減させます。これにより最大限のシステム効率を実現します。
仕様チャンネルタイプ = P最大連続ドレイン電流 = 12 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 55 Vシリーズ = HEXFET実装タイプ = スルーホールピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 175 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 4V最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大パワー消費 = 45 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V標準ゲートチャージ @ Vgs = 19 nC @ 10 V動作温度 Min = -55 ℃mmRoHS指令(10物質対応)対応
Infineon Nチャンネル MOSFET40 V 130 A スルーホール パッケージTO-220AB 3 ピンINFINEON￥589税込￥648
1個
5日以内出荷
NチャンネルパワーMOSFET 40 V、Infineon. InfineonのディスクリートHEXFETRパワーMOSFET製品には、リード付き表面実装パッケージに収容されたNチャンネルデバイス、及びほぼすべてのボードレイアウトや熱設計課題に対応できるフォームファクタが含まれています。 レンジ全体にわたる抵抗のベンチマークにより、導電損失が低下するので、最適なシステム効率を発揮できます。
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 130 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 40 Vパッケージタイプ = TO-220AB実装タイプ = スルーホールピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 7 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 1V最低ゲートしきい値電圧 = 1V最大パワー消費 = 200000 mWトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -16 V， +16 V標準ゲートチャージ @ Vgs = 100 nC @ 4.5 V動作温度 Min = -55 ℃mmRoHS指令(10物質対応)対応
Infineon Nチャンネル MOSFET40 V 350 A スルーホール パッケージTO-247AC 3 ピンINFINEON￥869税込￥956
1個
5日以内出荷
NチャンネルパワーMOSFET 40 V、Infineon. InfineonのディスクリートHEXFETRパワーMOSFET製品には、リード付き表面実装パッケージに収容されたNチャンネルデバイス、及びほぼすべてのボードレイアウトや熱設計課題に対応できるフォームファクタが含まれています。 レンジ全体にわたる抵抗のベンチマークにより、導電損失が低下するので、最適なシステム効率を発揮できます。
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 350 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 40 Vシリーズ = HEXFET実装タイプ = スルーホールピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 2 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 4V最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大パワー消費 = 380000 mWトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V標準ゲートチャージ @ Vgs = 220 nC @ 10 Vmm動作温度 Min = -55 ℃mmRoHS指令(10物質対応)対応
Infineon Nチャンネル MOSFET100 V 9.4 A スルーホール パッケージIPAK (TO-251) 3 ピンINFINEON￥209税込￥230
1個
5日以内出荷
NチャンネルパワーMOSFET 100 V、Infineon. InfineonのディスクリートHEXFETRパワーMOSFET製品には、リード付き表面実装パッケージに収容されたNチャンネルデバイスが含まれています。 さらに、ほぼすべてのボードレイアウトや熱設計の課題に対応できるフォームファクタが含まれています。 レンジ全体にわたる抵抗のベンチマークにより、導電損失が低下するので、最適なシステム効率を発揮できます。
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 9.4 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 100 Vパッケージタイプ = IPAK (TO-251)実装タイプ = スルーホールピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 210 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 4V最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大パワー消費 = 48 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V標準ゲートチャージ @ Vgs = 25 nC @ 10 Vmm動作温度 Min = -55 ℃RoHS指令(10物質対応)対応
Infineon N， Pチャンネル MOSFET20 V 1.7 A、2.4 A 表面実装 パッケージMSOP 8 ピンINFINEON￥129税込￥142
1個
5日以内出荷
デュアルN / PチャンネルパワーMOSFET、Infineon. InfineonのデュアルパワーMOSFETでは、2つのHEXFETRデバイスが統合されているので、基板スペースが最優先される高コンポーネント密度の設計において、省スペースでコスト効果の高いスイッチングソリューションが実現されます。 さまざまなパッケージングオプションを用意しているので、設計者はデュアルN/Pチャンネル構成を選択できます。
仕様チャンネルタイプ = N， P最大連続ドレイン電流 = 1.7 A、2.4 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 20 Vパッケージタイプ = MSOP実装タイプ = 表面実装ピン数 = 8最大ドレイン-ソース間抵抗 = 140 mΩ， 270 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 0.7V最低ゲートしきい値電圧 = 0.7V最大パワー消費 = 1250 mWトランジスタ構成 = 絶縁型最大ゲート-ソース間電圧 = -12 V， +12 V標準ゲートチャージ @ Vgs = 5.3 nC @ 4.5 V、5.4 nC @ 4.5 Vmm動作温度 Min = -55 ℃RoHS指令(10物質対応)対応
Infineon Nチャンネル MOSFET100 V 42 A スルーホール パッケージTO-220AB 3 ピンINFINEON￥269税込￥296
1個
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NチャンネルパワーMOSFET 100 V、Infineon. InfineonのディスクリートHEXFETRパワーMOSFET製品には、リード付き表面実装パッケージに収容されたNチャンネルデバイスが含まれています。 さらに、ほぼすべてのボードレイアウトや熱設計の課題に対応できるフォームファクタが含まれています。 レンジ全体にわたる抵抗のベンチマークにより、導電損失が低下するので、最適なシステム効率を発揮できます。
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 42 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 100 Vシリーズ = HEXFET実装タイプ = スルーホールピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 36 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 4V最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大パワー消費 = 160 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 Vトランジスタ素材 = Simm動作温度 Min = -55 ℃mmRoHS指令(10物質対応)対応
Infineon Nチャンネル MOSFET200 V 94 A スルーホール パッケージTO-247AC 3 ピンINFINEON￥969税込￥1,066
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NチャンネルパワーMOSFET 150 → 600 V、Infineon. InfineonのディスクリートHEXFETRパワーMOSFET製品には、リード付き表面実装パッケージに収容されたNチャンネルデバイス、及びほぼすべてのボードレイアウトや熱設計課題に対応できるフォームファクタが含まれています。 レンジ全体にわたる抵抗のベンチマークにより、導電損失が低下するので、最適なシステム効率を発揮できます。
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 94 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 200 Vパッケージタイプ = TO-247AC実装タイプ = スルーホールピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 23 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 5V最低ゲートしきい値電圧 = 3V最大パワー消費 = 580 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V， +30 V標準ゲートチャージ @ Vgs = 180 nC @ 10 Vmm動作温度 Min = -55 ℃mmRoHS指令(10物質対応)対応
Infineon Nチャンネル MOSFET100 V 57 A スルーホール パッケージTO-220AB 3 ピンINFINEON￥349税込￥384
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NチャンネルパワーMOSFET 100 V、Infineon. InfineonのディスクリートHEXFETRパワーMOSFET製品には、リード付き表面実装パッケージに収容されたNチャンネルデバイスが含まれています。 さらに、ほぼすべてのボードレイアウトや熱設計の課題に対応できるフォームファクタが含まれています。 レンジ全体にわたる抵抗のベンチマークにより、導電損失が低下するので、最適なシステム効率を発揮できます。
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 57 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 100 Vパッケージタイプ = TO-220AB実装タイプ = スルーホールピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 23 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 4V最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大パワー消費 = 200 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V標準ゲートチャージ @ Vgs = 130 nC @ 10 Vmm高さ = 8.77mmRoHS指令(10物質対応)対応
Infineon Nチャンネル MOSFET100 V 17 A 表面実装 パッケージD2PAK (TO-263) 3 ピンINFINEON￥2,598税込￥2,858
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NチャンネルパワーMOSFET 100 V、Infineon. InfineonのディスクリートHEXFETRパワーMOSFET製品には、リード付き表面実装パッケージに収容されたNチャンネルデバイスが含まれています。 さらに、ほぼすべてのボードレイアウトや熱設計の課題に対応できるフォームファクタが含まれています。 レンジ全体にわたる抵抗のベンチマークにより、導電損失が低下するので、最適なシステム効率を発揮できます。
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 17 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 100 Vシリーズ = HEXFET実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 90 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 4V最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大パワー消費 = 70 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 Vトランジスタ素材 = Simm動作温度 Min = -55 ℃mmRoHS指令(10物質対応)対応
Infineon， SRAM 1Mbit， 64 k x 16 ビット， 44-Pin CY7C1021DV33-10ZSXITINFINEON￥1,198税込￥1,318
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使用温度範囲 産業用： 40 85 C 車載用 -A ： 40 85 C CY7C1021CV33 とピン配置及び機能互換があります 高速 tAA 10 ns 低アクティブ電力 ICC 60 mA 10 ns CMOS スタンバイ電力 ISB2 3 mA Data Retention の略 選択解除時に自動的に電源がオフになります 速度 電力を最適化する CMOS 上下のビットを個別に制御 鉛フリーの 44 ピン 400-Mil ワイドモールド SOJ 44 ピン TSOP II 48 ボール VFBGA パッケージで提供されます
仕様メモリサイズ = 1Mbit構成 = 64 k x 16 ビットワード数 = 64k1ワード当たりのビット数 = 16bit最大ランダムアクセス時間 = 10nsタイミングタイプ = 非シンクロナス実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = TSOPピン数 = 44寸法 = 18.51 x 10.26 x 1.04mm高さ = 1.04mm幅 = 10.26mmRoHS指令(10物質対応)対応
Infineon， SRAM 1024kbit， 128 k x 8ビット， 32-Pin CY62128EV30LL-45ZAXITINFINEON￥1,498税込￥1,648
1袋(5個)
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Cypress CY62128EV30 は、 Advanced Circuit 設計の高性能 CMOS スタティック RAM モジュールで、超低アクティブ電流を実現します。この機能は、ポータブルアプリケーションでより多くのバッテリ寿命 (MoBL) を提供するのに理想的です。超高速： 45 ns 電圧範囲： 4.5 5.5 超低スタンバイ電力 超低アクティブ電力 選択解除時に自動的に電源がオフになります
仕様メモリサイズ = 1024kbit構成 = 128 k x 8ビットワード数 = 128k1ワード当たりのビット数 = 8bit最大ランダムアクセス時間 = 45nsアドレスバス幅 = 8bitクロック周波数 = 1MHzローパワー = ありタイミングタイプ = 非シンクロナス実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = TSOP-32ピン数 = 32寸法 = 8.1 x 11.9 x 1.05mm動作供給電圧 Max = 3.6 Vmm幅 = 11.9mmRoHS指令(10物質対応)対応
Infineon Nチャンネル MOSFET40 V 195 A スルーホール パッケージTO-247AC 3 ピンINFINEON￥439税込￥483
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Infineon StrongIRFET パワーMOSFET. Infineon StrongIRFET ；sub>；ファミリは、低R DS(on)と高電流を対応するように最適化されています。 ；/sub>；この製品は、ゲート、アバランシェ、ダイナミックDV/DTの耐久性が向上しており、モータードライブ、電動工具、インバータ、バッテリ管理など、性能と耐久性が求められる産業用低周波アプリケーションに最適です。
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 195 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 40 Vシリーズ = StrongIRFET実装タイプ = スルーホールピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 1.3 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 3.9V最低ゲートしきい値電圧 = 2.2V最大パワー消費 = 366 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V1チップ当たりのエレメント数 = 1mm高さ = 20.7mmRoHS指令(10物質対応)対応
Infineon， SRAM 2Mbit， 128 K x 16 インチ CY7C1011DV33-10BVXIINFINEON￥349,800税込￥384,780
1セット(480個)
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Cypress Semiconductor CY7C1011DV33 は、 128 K ワード x 16 ビットに構成された高性能 CMOS 静的 RAM です。鉛フリーの標準 44 ピン TSOP II で提供され、センターパワーおよびアースピンアウト、 48 ボール超ファインピッチボールグリッドアレイ (VFBGA) パッケージを備えています。通常、高速は 10 ns です 低スタンバイ電力 選択解除時に自動的に電源がオフになります TTL互換の入出力
仕様メモリサイズ = 2Mbit構成 = 128 K x 16 インチワード数 = 128K1ワード当たりのビット数 = 16bit最大ランダムアクセス時間 = 10nsRoHS指令(10物質対応)対応
Infineon Nチャンネル MOSFET650 V 34 A スルーホール パッケージTO-247 3 ピンINFINEON￥1,498税込￥1,648
1個
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仕様チャンネルタイプ N最大連続ドレイン電流 34 A最大ドレイン-ソース間電圧 650 Vパッケージタイプ TO-247実装タイプ スルーホールピン数 3最大ドレイン-ソース間抵抗 100 mΩチャンネルモード エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 3.9V最低ゲートしきい値電圧 2.1V最大パワー消費 313 Wトランジスタ構成 シングル最大ゲート-ソース間電圧 -20 V， +20 V1チップ当たりのエレメント数 1mm動作温度 Min -55 ℃mmInfineon CoolMOS(TM)C3パワーMOS(TM)ETRoHS指令(10物質対応)対応
Infineon， SRAM 1Mbit， 128 k x 8ビット， 32-Pin CY7C109D-10VXITINFINEON￥389,800税込￥428,780
1セット(750個)
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CY7C109B / CY7C1009B とピン及び機能の互換性があります。高速 tAA = 10 ns 低アクティブ電力 ICC = 80 mA @ 10 ns 低 CMOS スタンバイ電力 ISB2 = 3 mA 2.0 V Data 選択解除時に自動的に電源がオフになります。TTL互換の入出力 CE1 、CE2 、OE オプションを使用してメモリを簡単に拡張できます。CY7C109D は、鉛フリー 32 ピン 400-Mil ワイド成形 SOJ 及び 32 ピン TSOP I パッケージで提供されています。CY7C1009D は、鉛フリーの 32 ピン 300-Mil ワイド成形 SOJ パッケージで提供されています。
仕様メモリサイズ = 1Mbit、構成 = 128 k x 8ビット、ワード数 = 128k、1ワード当たりのビット数 = 8bit、最大ランダムアクセス時間 = 10ns、クロック周波数 = 100MHz、ローパワー = あり、タイミングタイプ = 非シンクロナス、実装タイプ = 表面実装、パッケージタイプ = SOJ、ピン数 = 32、寸法 = 0.83 x 0.305 x 0.11mm、高さ = 0.11mm、動作温度 Min = -40 ℃RoHS指令(10物質対応)対応
Infineon Nチャンネル MOSFET60 V 210 A スルーホール パッケージTO-220AB 3 ピンINFINEON￥169税込￥186
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モータ制御 / AC-DC同期整流MOSFET、Infineon. モータ制御MOSFET. Infineonでは、モータ制御用途向けに耐久性の高いNチャンネル / PチャンネルMOSFETデバイスの充実したポートフォリオを揃えています。. 同期整流MOSFET. AC-DC電源向けの同期整流MOSFETのポートフォリオは、電力密度が高く、サイズが小さく、携帯性が優れた、フレキシブルなシステムに関する顧客の要求に適合します。
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 210 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 Vパッケージタイプ = TO-220AB実装タイプ = スルーホールピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 3 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 4V最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大パワー消費 = 300 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V標準ゲートチャージ @ Vgs = 120 nC @ 10 Vmm動作温度 Min = -55 ℃mmRoHS指令(10物質対応)対応
