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「スナップアウェイ」プログラマ/デバッガ CY8CKIT-059 PSoC 5LPプロトタイピングキット. CY8CKIT-059 PSoC 5LPプロトタイプ開発キットは、使いやすくコスト効率の高いプロトタイププラットフォームとして設計されています。このキットは、比類のない高精度アナログと柔軟性のあるカスタムシステムソリューションを設計することができます。この開発キットはまた、信号取得、信号処理、高精度、高帯域幅で柔軟性の高い制御の現代的な手法を提供します。 設計者は、PSoC 5LPとPSoC Creatorコンポーネントを組み合わせ、設計スケジュールを短縮し、市場投入期間を短縮できます。このキットには、PSoC 5LPデバイスをエンドシステムに簡単に開発・統合するためのプラットフォームとなるのと同時に、デバイスサンプルの代わりとなる低コストの代替品になります。. オンボードの内容. - PSoC 5LP デバイス - PSoC 5LPヘッダポートJ1 / J2 - Micro-USB コネクタ、 J6 - PSoC 5LP プログラム / デバッグ JTAG ヘッダ、 J5 - KitProg ( PSoC 5LP )デバイス - KitProgポート、J8 / J9 (GPIO) - SWD接続、J3 / J7 - PCB USB コネクタ - アンバーLED x 1 (電源) - 緑LED x 1 (ステータス) - 青LED x 1 (ユーザー) - ユーザープッシュボタンとリセットボタン - 外部リファレンスコンデンサ( ADC バイパス) - CapSense コンデンサ (CMOD) - プログラミングコネクタ、 J3 - 穴開き簡単に取り付けられるボードデザイン 特長 - 最高速USB 2.0接続でプロトタイプを作成するためのMicro-USBヘッダ - 32ビットARM Cortex M3 CPUコア - 0.5 V 、シングルセルバッテリ駆動からのブーストスタートアップ - 300 nA低リークハイバネーション低電力モード - 汎用I/Oシステム - デジタルペリフェラル - プログラミング/デバッグ/トレース - 精密でプログラム可能なクロック周波数 - PSoC Creator対応 アプリケーション 組込み設計と開発
仕様分類 = 開発 ボードテクノロジー = PSoCデバイスコア = ARM Cortex-M3プロセッサファミリ名 = PSoCプロセッサ品番 = CY8C5888LTI-LP097プロセッサ種類 = MCU
RoHS指令(10物質対応)対応
1個
￥3,398
税込￥3,738
5日以内出荷
NチャンネルパワーMOSFET 100 V、Infineon. InfineonのディスクリートHEXFETRパワーMOSFET製品には、リード付き表面実装パッケージに収容されたNチャンネルデバイスが含まれています。 さらに、ほぼすべてのボードレイアウトや熱設計の課題に対応できるフォームファクタが含まれています。 レンジ全体にわたる抵抗のベンチマークにより、導電損失が低下するので、最適なシステム効率を発揮できます。
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 33 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 100 Vシリーズ = HEXFET実装タイプ = スルーホールピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 44 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 4V最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大パワー消費 = 130 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V1チップ当たりのエレメント数 = 1mm動作温度 Min = -55 ℃mm
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(20個)
￥2,198
税込￥2,418
5日以内出荷
モータ制御 / AC-DC同期整流MOSFET、Infineon. モータ制御MOSFET. Infineonでは、モータ制御用途向けに耐久性の高いNチャンネル / PチャンネルMOSFETデバイスの充実したポートフォリオを揃えています。. 同期整流MOSFET. AC-DC電源向けの同期整流MOSFETのポートフォリオは、電力密度が高く、サイズが小さく、携帯性が優れた、フレキシブルなシステムに関する顧客の要求に適合します。
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 160 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 Vシリーズ = HEXFET実装タイプ = スルーホールピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 4 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 4V最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大パワー消費 = 230 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V幅 = 4.82mm動作温度 Min = -55 ℃mm
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(2個)
￥749
税込￥824
5日以内出荷
モータ制御 / AC-DC同期整流MOSFET、Infineon. モータ制御MOSFET. Infineonでは、モータ制御用途向けに耐久性の高いNチャンネル / PチャンネルMOSFETデバイスの充実したポートフォリオを揃えています。. 同期整流MOSFET. AC-DC電源向けの同期整流MOSFETのポートフォリオは、電力密度が高く、サイズが小さく、携帯性が優れた、フレキシブルなシステムに関する顧客の要求に適合します。
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 210 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 Vパッケージタイプ = TO-220AB実装タイプ = スルーホールピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 3 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 4V最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大パワー消費 = 300 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V標準ゲートチャージ @ Vgs = 120 nC @ 10 Vmm動作温度 Min = -55 ℃mm
RoHS指令(10物質対応)対応
1個
￥499
税込￥549
5日以内出荷
モータ制御 / AC-DC同期整流MOSFET、Infineon. モータ制御MOSFET. Infineonでは、モータ制御用途向けに耐久性の高いNチャンネル / PチャンネルMOSFETデバイスの充実したポートフォリオを揃えています。. 同期整流MOSFET. AC-DC電源向けの同期整流MOSFETのポートフォリオは、電力密度が高く、サイズが小さく、携帯性が優れた、フレキシブルなシステムに関する顧客の要求に適合します。
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 180 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 100 Vシリーズ = HEXFET実装タイプ = スルーホールピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 4 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 2.5V最低ゲートしきい値電圧 = 1V最大パワー消費 = 370 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -16 V， +16 V動作温度 Max = +175 ℃動作温度 Min = -55 ℃
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(2個)
￥1,498
税込￥1,648
翌々日出荷
RoHS指令(10物質対応)対応
Infineon SIPMOSR PチャンネルMOSFET. Infineon SIPMOS ；sup>R ；/sup>小信号PチャンネルMOSFETは、強化モード、最低で-80 Aの連続ドレイン電流、幅広い動作温度範囲を備えています。 SIPMOSパワートランジスタは、通信、eMobility、ノートブック、DC/DCデバイスだけでなく、自動車産業を含む多様な用途で使用できます。. ・ AEC Q101適合(データシートを参照してください) ・ 無鉛めっき、RoHS対応
仕様チャンネルタイプ = P最大連続ドレイン電流 = 330 mA最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 Vシリーズ = SIPMOSR実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 3 Ωチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 2V最低ゲートしきい値電圧 = 1V最大パワー消費 = 360 mWトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V幅 = 1.3mm動作温度 Min = -55 ℃mm
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(50個)
￥2,498
税込￥2,748
5日以内出荷
AC-DC内蔵電源ステージ-CoolSET、Infineon.InfineonオフラインSMPS電流モードコントローラには、内蔵650VCoolMOS及びスタートアップセル(周波数ジッタモード)が搭載されています。
PMICBiCMOSテクノロジーは26VのVcc範囲を備えているので、2次側にCV/CC調整を適用すると、補助電源の変動に対応します。
この製品はアクティブなバーストモードも備えており、低スタンバイ電力だけでなく、自動リスタートモード機能を使用して、Vcc化電圧/低電圧、出力オープンループと過熱から保護します。
ICE3B1565Jは、固定周波数/電流モード/フライバックPWMコントローラで、スマートメータ、DVDプレーヤー、セットトップボックス、ゲーム機とLEDTVなどの多様な用途で使用できます。
低スタンバイ電力<100mW)変調型ゲートドライブ低EMIノイズ。
出力数PWM：1
コントロール電流
ピン数(ピン)8
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 75 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 55 Vシリーズ = HEXFET実装タイプ = スルーホールピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1
RoHS指令(10物質対応)対応
1個
￥789
税込￥868
欠品中
Microsoft Windows XP/Windows Vista/Windows 7のPCが必要です。PSoCR MiniProg3プログラム/デバッグキット. Cypress SemiconductorのCY8CKIT-002 PSoCR MiniProg3プログラム/デバッグキットは低コストの拡張キットです。Cypressの8ビット / 32ビットPSoCデバイス用に独自のシステムを開発する開発者を対象としています。このキットは、PSoC 1、PSoC 3、PSoC 4、PSoC 5LPアーキテクチャ用のプログラマと、PSoC 3、PSoC 4、PSoC 5LPアーキテクチャ用のデバッグツールです。MiniProg3は、JTAG、SWD、ISSP、I2Cなど、さまざまなプログラミングとデバッグインターフェースに柔軟に対応します。プログラミングの際、MiniProg3は、1.5V → 5.5VのI/O電圧レベルを使用してターゲットデバイスとの通信を可能にします。さらにMiniProg3は、シンプルなターゲットボードに1.8 V/2.5 V/3.3 V/5 Vの4種類の電圧レベルで電力を供給できます。キットの内容 - MiniProg3 プログラマ / デバッガ -10 ピンリボンケーブル - USB A-MiniB ケーブル - クイックスタートガイド 用途 - 組込み設計/開発
仕様プロダクトタイプ = デバッガ， プログラマ
RoHS指令(10物質対応)対応
1個
￥22,980
税込￥25,278
翌々日出荷
RoHS指令(10物質対応)対応
仕様PROFETスマートハイサイド電源スイッチ、シングルチャンネル、Infineon. 過負荷保護 電流制限 短絡保護 サーマルシャットダウン 過電圧保護 静電気放電(ESD)保護
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(5個)
￥1,798
税込￥1,978
5日以内出荷
LDO電圧レギュレータ、Infineon. Infineon固定電圧LDO (低ドロップアウト)リニアレギュレータ製品です。
仕様出力電流 Max = 800mA出力電圧 = -2 → 45 Vラインレギュレーション = 25 mV精度 = 0.5%実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = TO-252μAピン数 = 5出力タイプ = 可変寸法 = 6.5 x 6.22 x 2.3mm動作温度 Min = -40 ℃mm長さ = 6.5mm
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(2個)
￥599
税込￥659
5日以内出荷
Infineon MOSFET / IGBT ドライバ ハイサイド. Infineon のゲートドライバ IC は、ハイサイド構成で MOSFET 又は IGBT パワーデバイスを制御します。
仕様出力電流 = 500 mA供給電圧 = 20Vピン数 = 8パッケージタイプ = SOIC出力数 = 1トポロジー = ハイサイドドライバ数 = 1極性 = 非反転実装タイプ = 表面実装
RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(95個)
￥22,980
税込￥25,278
5日以内出荷
ショットキーバリアダイオード、Infineon
仕様実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOT-323 (SC-70)最大連続 順方向電流 = 250mAピーク逆繰返し電圧 = 40Vダイオード構成 = シリーズ整流タイプ = ショットキーダイオードダイオードタイプ = ショットキーピン数 = 3最大順方向降下電圧 = 750mV1チップ当たりのエレメント数 = 2ダイオードテクノロジー = ショットキーピーク逆回復時間 = 5nsピーク非繰返し順方向サージ電流 = 800mA
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(50個)
￥1,298
税込￥1,428
5日以内出荷
Infineon CoolMOSC3パワーMOSFET
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 4 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 800 Vパッケージタイプ = TO-220実装タイプ = スルーホールピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 1.3 Ωチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 3.9V最低ゲートしきい値電圧 = 2.1V最大パワー消費 = 63 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V， +30 V標準ゲートチャージ @ Vgs = 23 nC @ 10 Vmm動作温度 Min = -55 ℃mm
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(2個)
￥769
税込￥846
5日以内出荷
PFCコントローラ - CCM、Infineon. 不連続導通モード動作を利用するInfineon及びInternational RectifierのPFC (力率補正)コントローラ製品です。
仕様最大スイッチング周波数 = 250 kHzスタートアップ供給電流 = 2.4mAインターフェース = 力率コントローラICmA実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = DSOピン数 = 14寸法 = 8.75 x 4 x 1.5mm高さ = 1.5mm長さ = 8.75mm動作供給電圧 Max = 25 V動作温度 Max = +150 ℃動作温度 Min = -40 ℃mm
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(10個)
￥2,798
税込￥3,078
5日以内出荷
ショットキーバリアダイオード、Infineon
仕様実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOD-323最大連続 順方向電流 = 70mAピーク逆繰返し電圧 = 70Vダイオード構成 = シングル整流タイプ = ショットキーダイオードダイオードタイプ = ショットキーピン数 = 2最大順方向降下電圧 = 1V1チップ当たりのエレメント数 = 1ダイオードテクノロジー = ショットキーピーク非繰返し順方向サージ電流 = 100mA
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(50個)
￥1,998
税込￥2,198
5日以内出荷
Infineon SIPMOSR NチャンネルMOSFET
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 660 mA最大ドレイン-ソース間電圧 = 200 Vパッケージタイプ = SOT-223実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 1.8 Ωチャンネルモード = デプレッション型最大ゲートしきい値電圧 = 1V最低ゲートしきい値電圧 = 2.1V最大パワー消費 = 1.8 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V動作温度 Max = +150 ℃mm高さ = 1.6mm
RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(1000個)
￥82,980
税込￥91,278
5日以内出荷
Infineon OptiMOS小信号MOSFET
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 190 mA最大ドレイン-ソース間電圧 = 100 Vパッケージタイプ = SOT-23実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 10 Ωチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 1.8V最低ゲートしきい値電圧 = 0.8V最大パワー消費 = 500 mWトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V幅 = 1.3mm高さ = 1mm
1セット(3000個)
￥27,980
税込￥30,778
5日以内出荷
Infineon OptiMOS 5パワーMOSFET
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 100 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 Vシリーズ = OptiMOS 5実装タイプ = 表面実装ピン数 = 8最大ドレイン-ソース間抵抗 = 2.4 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最大パワー消費 = 139 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 Vトランジスタ素材 = Simm高さ = 1.1mm
1セット(5000個)
￥929,800
税込￥1,022,780
5日以内出荷
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