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Infineon FRAMメモリ， 16kbit， SOIC， シリアル-2 ワイヤー， シリアル-I2C， FM24CL16B-GINFINEON￥1,298税込￥1,428
1袋(5個)
7日以内出荷
仕様●メモリサイズ： 16kbit●構成： 2 K x 8ビット●インターフェースタイプ： シリアル-2 ワイヤー， シリアル-I2C●データバス幅： 8bit●最大ランダムアクセス時間： 3000ns●実装タイプ： 表面実装●パッケージタイプ： SOIC●ピン数： 8●寸法： 4.97×3.98×1.48mm●長さ： 4.97mm●幅： 3.98mm●高さ： 1.48mm●動作温度 Max： +85 ℃●ワード数： 2Kbit●FRAM、サイプレス半導体. 強誘電体RAM( F-RAM )はエネルギー効率に優れており、シリアルとパラレルの両方のインターフェースに対応する不揮発性RAMの中で最も高い信頼性を持っています。末尾が Aの部品は車載用途向けに設計されており、AEC-Q100 認定を取得しています。. 不揮発性強誘電体RAMメモリ 高速書き込み 高耐久性 低消費電力RoHS指令(10物質対応)対応
Infineon FRAMメモリ， 16kbit， DFN， シリアル-2 ワイヤー， シリアル-I2C， FM24CL16B-DGINFINEON￥1,898税込￥2,088
1袋(5個)
7日以内出荷
仕様●メモリサイズ： 16kbit●構成： 2 K x 8ビット●インターフェースタイプ： シリアル-2 ワイヤー， シリアル-I2C●データバス幅： 8bit●最大ランダムアクセス時間： 3000ns●実装タイプ： 表面実装●パッケージタイプ： DFN●ピン数： 8●寸法： 4×4.5×0.7mm●長さ： 4.5mm●幅： 4mm●高さ： 0.7mm●動作温度 Max： +85 ℃●ワード数： 2Kbit●FRAM、サイプレス半導体. 強誘電体RAM( F-RAM )はエネルギー効率に優れており、シリアルとパラレルの両方のインターフェースに対応する不揮発性RAMの中で最も高い信頼性を持っています。末尾が Aの部品は車載用途向けに設計されており、AEC-Q100 認定を取得しています。. 不揮発性強誘電体RAMメモリ 高速書き込み 高耐久性 低消費電力RoHS指令(10物質対応)対応
Infineon， SRAM 2Mbit， 128 K x 16 ビット， 48-Pin CY62137FV30LL-45BVXIINFINEON￥1,198税込￥1,318
1袋(2個)
7日以内出荷
仕様●メモリサイズ： 2Mbit●構成： 128 K x 16 ビット●ワード数： 128k●1ワード当たりのビット数： 16bit●最大ランダムアクセス時間： 45ns●アドレスバス幅： 16bit●クロック周波数： 1MHz●ローパワー： あり●タイミングタイプ： 非シンクロナス●実装タイプ： 表面実装●パッケージタイプ： VFBGA●ピン数： 48●寸法： 6×8×0.81mm●動作供給電圧 Max： 3.6 Vmm●幅： 8mm●非同期SRAMメモリ、Cypress SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応
Infineon FRAMメモリ， 64kbit， SOIC， シリアル-2 ワイヤー， シリアル-I2C， FM24CL64B-GINFINEON￥869税込￥956
1袋(2個)
翌々日出荷
仕様●メモリサイズ： 64kbit●構成： 8 K x 8ビット●インターフェースタイプ： シリアル-2 ワイヤー， シリアル-I2C●データバス幅： 8bit●最大ランダムアクセス時間： 550ns●実装タイプ： 表面実装●パッケージタイプ： SOIC●ピン数： 8●寸法： 4.97×3.98×1.48mm●長さ： 4.97mm●動作供給電圧 Max： 3.65 Vmm●高さ： 1.48mm●動作温度 Max： +85 ℃●自動車規格： AEC-Q100bit●FRAM、サイプレス半導体. 強誘電体RAM( F-RAM )はエネルギー効率に優れており、シリアルとパラレルの両方のインターフェースに対応する不揮発性RAMの中で最も高い信頼性を持っています。末尾が Aの部品は車載用途向けに設計されており、AEC-Q100 認定を取得しています。. 不揮発性強誘電体RAMメモリ 高速書き込み 高耐久性 低消費電力RoHS指令(10物質対応)対応
Infineon FRAMメモリ， 512kbit， SOIC， I2C， FM24V05-GINFINEON￥189,800税込￥208,780
1セット(97個)
7日以内出荷
仕様●メモリサイズ： 512kbit●構成： 64 K x 8ビット●インターフェースタイプ： I2C●データバス幅： 8bit●最大ランダムアクセス時間： 450ns●実装タイプ： 表面実装●パッケージタイプ： SOIC●ピン数： 8●寸法： 4.97×3.98×1.48mm●長さ： 4.97mm●幅： 3.98mm●高さ： 1.48mm●動作温度 Max： +85 ℃●ワード数： 64kbit●FRAM、サイプレス半導体. 強誘電体RAM( F-RAM )はエネルギー効率に優れており、シリアルとパラレルの両方のインターフェースに対応する不揮発性RAMの中で最も高い信頼性を持っています。末尾が Aの部品は車載用途向けに設計されており、AEC-Q100 認定を取得しています。. 不揮発性強誘電体RAMメモリ 高速書き込み 高耐久性 低消費電力RoHS指令(10物質対応)対応
Infineon FRAMメモリ， 64kbit， SOIC， I2C， FM24C64B-GINFINEON￥44,980税込￥49,478
1セット(97個)
7日以内出荷
仕様●メモリサイズ： 64kbit●構成： 8 K x 8ビット●インターフェースタイプ： I2C●データバス幅： 8bit●最大ランダムアクセス時間： 550ns●実装タイプ： 表面実装●パッケージタイプ： SOIC●ピン数： 8●寸法： 4.97×3.98×1.48mm●長さ： 4.97mm●動作供給電圧 Max： 5.5 Vmm●高さ： 1.48mm●動作温度 Max： +85 ℃●ワード数： 8kbit●FRAM、サイプレス半導体. 強誘電体RAM( F-RAM )はエネルギー効率に優れており、シリアルとパラレルの両方のインターフェースに対応する不揮発性RAMの中で最も高い信頼性を持っています。末尾が Aの部品は車載用途向けに設計されており、AEC-Q100 認定を取得しています。. 不揮発性強誘電体RAMメモリ 高速書き込み 高耐久性 低消費電力RoHS指令(10物質対応)対応
Infineon， SRAM 1Mbit， 64 k x 16 ビット， 44-Pin CY7C1021DV33-10ZSXITINFINEON￥1,098税込￥1,208
1袋(3個)
7日以内出荷
仕様●メモリサイズ： 1Mbit●構成： 64 x 16 ビット●ワード数： 64k●1ワード当たりのビット数： 16bit●最大ランダムアクセス時間： 10ns●タイミングタイプ： 非シンクロナス●実装タイプ： 表面実装●パッケージタイプ： TSOP●ピン数： 44●寸法： 18.51×10.26×1.04mm●高さ： 1.04mm●幅： 10.26mm●使用温度範囲 産業用：-40～85℃ 車載用 -A ：-40～85℃ C CY7C1021CV33 とピン配置及び機能互換があります 高速 tAA： 10 ns 低アクティブ電力 ICC： 60 mA 10 ns CMOS スタンバイ電力 ISB2： mA Data Retention の略 選択解除時に自動的に電源がオフになります 速度 電力を最適化する CMOS 上下のビットを個別に制御 鉛フリーの 44 ピン 400-Mil ワイドモールド SOJ 44 ピン TSOP II 48 ボール VFBGA パッケージで提供されますRoHS指令(10物質対応)対応
Cypress Semiconductor， CY62136FV30LL-45ZINFINEON￥2,798税込￥3,078
1袋(5個)
7日以内出荷
仕様●メモリサイズ： 2Mbit●構成： 128k x 16●ワード数： 128k●1ワード当たりのビット数： 16bit●最大ランダムアクセス時間： 45nsRoHS指令(10物質対応)対応
Infineon， SRAM 2Mbit， 128 K x 16 インチ CY7C1011DV33-10BVXIINFINEON￥349,800税込￥384,780
1セット(480個)
5日以内出荷
Cypress Semiconductor CY7C1011DV33 は、 128 K ワード x 16 ビットに構成された高性能 CMOS 静的 RAM です。鉛フリーの標準 44 ピン TSOP II で提供され、センターパワーおよびアースピンアウト、 48 ボール超ファインピッチボールグリッドアレイ (VFBGA) パッケージを備えています。通常、高速は 10 ns です 低スタンバイ電力 選択解除時に自動的に電源がオフになります TTL互換の入出力
仕様メモリサイズ = 2Mbit構成 = 128 K x 16 インチワード数 = 128K1ワード当たりのビット数 = 16bit最大ランダムアクセス時間 = 10nsRoHS指令(10物質対応)対応
Infineon MOSFETゲートドライバ -9.4 A 、 10 A DSO 2 8-Pin ガルバニック絶縁 反転， 非反転 表面実装INFINEON￥379,800税込￥417,780
1セット(2500個)
7日以内出荷
EiceDRIVER絶縁型MOSFET / IGBTゲートドライバ。入出力間の絶縁電圧: 幅広い入力動作範囲 個別のソース / シンク出力 用途: ACモータ / ブラシレスDCモータドライブ
仕様ロジックタイプ = CMOS、出力電流 = -9.4 A、10 A、供給電圧 = 17V、ピン数 = 8、パッケージタイプ = DSOns、出力数 = 2、上昇時間 = 20ns、トポロジー = ガルバニック絶縁、高/低サイド依存性 = 独立、ドライバ数 = 2、極性 = 反転， 非反転、実装タイプ = 表面実装RoHS指令(10物質対応)対応
Infineon， SRAM 1Mbit， 64 k x 16 ビット， 44-Pin CY7C1021DV33-10ZSXITINFINEON￥1,198税込￥1,318
1袋(3個)
5日以内出荷
使用温度範囲 産業用： 40 85 C 車載用 -A ： 40 85 C CY7C1021CV33 とピン配置及び機能互換があります 高速 tAA 10 ns 低アクティブ電力 ICC 60 mA 10 ns CMOS スタンバイ電力 ISB2 3 mA Data Retention の略 選択解除時に自動的に電源がオフになります 速度 電力を最適化する CMOS 上下のビットを個別に制御 鉛フリーの 44 ピン 400-Mil ワイドモールド SOJ 44 ピン TSOP II 48 ボール VFBGA パッケージで提供されます
仕様メモリサイズ = 1Mbit構成 = 64 k x 16 ビットワード数 = 64k1ワード当たりのビット数 = 16bit最大ランダムアクセス時間 = 10nsタイミングタイプ = 非シンクロナス実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = TSOPピン数 = 44寸法 = 18.51 x 10.26 x 1.04mm高さ = 1.04mm幅 = 10.26mmRoHS指令(10物質対応)対応
Infineon， SRAM 1Mbit， 128 k x 8ビット， 32-Pin CY7C109D-10VXITINFINEON￥389,800税込￥428,780
1セット(750個)
5日以内出荷
CY7C109B / CY7C1009B とピン及び機能の互換性があります。高速 tAA = 10 ns 低アクティブ電力 ICC = 80 mA @ 10 ns 低 CMOS スタンバイ電力 ISB2 = 3 mA 2.0 V Data 選択解除時に自動的に電源がオフになります。TTL互換の入出力 CE1 、CE2 、OE オプションを使用してメモリを簡単に拡張できます。CY7C109D は、鉛フリー 32 ピン 400-Mil ワイド成形 SOJ 及び 32 ピン TSOP I パッケージで提供されています。CY7C1009D は、鉛フリーの 32 ピン 300-Mil ワイド成形 SOJ パッケージで提供されています。
仕様メモリサイズ = 1Mbit、構成 = 128 k x 8ビット、ワード数 = 128k、1ワード当たりのビット数 = 8bit、最大ランダムアクセス時間 = 10ns、クロック周波数 = 100MHz、ローパワー = あり、タイミングタイプ = 非シンクロナス、実装タイプ = 表面実装、パッケージタイプ = SOJ、ピン数 = 32、寸法 = 0.83 x 0.305 x 0.11mm、高さ = 0.11mm、動作温度 Min = -40 ℃RoHS指令(10物質対応)対応
Infineon， SRAM 2Mbit， 128 K x 16 ビット， 48-Pin CY62137FV30LL-45BVXIINFINEON￥1,198税込￥1,318
1袋(2個)
5日以内出荷
仕様メモリサイズ = 2Mbit構成 = 128 K x 16 ビットワード数 = 128k1ワード当たりのビット数 = 16bit最大ランダムアクセス時間 = 45nsアドレスバス幅 = 16bitクロック周波数 = 1MHzローパワー = ありタイミングタイプ = 非シンクロナス実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = VFBGAピン数 = 48寸法 = 6 x 8 x 0.81mm高さ = 0.81mm動作温度 Max = +85 ℃非同期SRAMメモリ、Cypress SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応
Infineon FRAMメモリ， 512kbit， SOIC， I2C， FM24V05-GINFINEON￥179,800税込￥197,780
1セット(97個)
5日以内出荷
FRAM、サイプレス半導体. 強誘電体RAM( F-RAM )はエネルギー効率に優れており、シリアルとパラレルの両方のインターフェースに対応する不揮発性RAMの中で最も高い信頼性を持っています。末尾が Aの部品は車載用途向けに設計されており、AEC-Q100 認定を取得しています。. 不揮発性強誘電体RAMメモリ 高速書き込み 高耐久性 低消費電力
仕様メモリサイズ = 512kbit構成 = 64 K x 8ビットインターフェースタイプ = I2Cデータバス幅 = 8bit最大ランダムアクセス時間 = 450ns実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOICピン数 = 8寸法 = 4.97 x 3.98 x 1.48mm長さ = 4.97mm幅 = 3.98mm高さ = 1.48mm動作温度 Max = +85 ℃ワード数 = 64kbitRoHS指令(10物質対応)対応
Infineon FRAMメモリ， 16kbit， DFN， シリアル-2 ワイヤー， シリアル-I2C， FM24CL16B-DGINFINEON￥1,898税込￥2,088
1袋(5個)
5日以内出荷
FRAM、サイプレス半導体. 強誘電体RAM( F-RAM )はエネルギー効率に優れており、シリアルとパラレルの両方のインターフェースに対応する不揮発性RAMの中で最も高い信頼性を持っています。末尾が Aの部品は車載用途向けに設計されており、AEC-Q100 認定を取得しています。. 不揮発性強誘電体RAMメモリ 高速書き込み 高耐久性 低消費電力
仕様メモリサイズ = 16kbit構成 = 2 K x 8ビットインターフェースタイプ = シリアル-2 ワイヤー， シリアル-I2Cデータバス幅 = 8bit最大ランダムアクセス時間 = 3000ns実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = DFNピン数 = 8寸法 = 4 x 4.5 x 0.7mm長さ = 4.5mm動作供給電圧 Max = 3.65 Vmm高さ = 0.7mm動作温度 Max = +85 ℃自動車規格 = AEC-Q100bitRoHS指令(10物質対応)対応
Infineon FRAMメモリ， 1Mbit， SOIC， I2C， FM24V10-GINFINEON￥199,800税込￥219,780
1セット(97個)
7日以内出荷
FRAM、サイプレス半導体. 強誘電体RAM( F-RAM )はエネルギー効率に優れており、シリアルとパラレルの両方のインターフェースに対応する不揮発性RAMの中で最も高い信頼性を持っています。末尾が Aの部品は車載用途向けに設計されており、AEC-Q100 認定を取得しています。. 不揮発性強誘電体RAMメモリ 高速書き込み 高耐久性 低消費電力
仕様メモリサイズ = 1Mbit構成 = 128 K x 8ビットインターフェースタイプ = I2Cデータバス幅 = 8bit最大ランダムアクセス時間 = 450ns実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOICピン数 = 8寸法 = 4.97 x 3.98 x 1.48mm長さ = 4.97mm幅 = 3.98mm高さ = 1.48mm動作温度 Max = +85 ℃動作供給電圧 Min = 2 VbitRoHS指令(10物質対応)対応
Infineon FRAMメモリ， 64kbit， SOIC， シリアル-2 ワイヤー， シリアル-I2C， FM24CL64B-GINFINEON￥889税込￥978
1袋(2個)
5日以内出荷
FRAM、サイプレス半導体. 強誘電体RAM( F-RAM )はエネルギー効率に優れており、シリアルとパラレルの両方のインターフェースに対応する不揮発性RAMの中で最も高い信頼性を持っています。末尾が Aの部品は車載用途向けに設計されており、AEC-Q100 認定を取得しています。. 不揮発性強誘電体RAMメモリ 高速書き込み 高耐久性 低消費電力
仕様メモリサイズ = 64kbit構成 = 8 K x 8ビットインターフェースタイプ = シリアル-2 ワイヤー， シリアル-I2Cデータバス幅 = 8bit最大ランダムアクセス時間 = 550ns実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOICピン数 = 8寸法 = 4.97 x 3.98 x 1.48mm長さ = 4.97mm動作供給電圧 Max = 3.65 Vmm高さ = 1.48mm動作温度 Max = +85 ℃自動車規格 = AEC-Q100bitRoHS指令(10物質対応)対応
Infineon FRAMメモリ， 64kbit， SOIC， シリアル-I2C， FM31L276-GINFINEON￥71,980税込￥79,178
1セット(56個)
5日以内出荷
F-RAMプロセッサコンパニオン. プロセッサベースのシステムに最も必要とされる機能を集めた集積デバイスです。. シリアル不揮発性FRAMメモリ リアルタイムクロック(RTC) 低電圧リセット ウォッチドッグタイマ 早期電源障害警告 / NMI 16ビットイベントカウンタ x 2 セキュリティのための書き込み禁止シリアル番号 バッテリ駆動に切り替え イベントカウンタトラッキング I2Cインターフェイス
仕様メモリサイズ = 64kbit構成 = 8 K x 8ビットインターフェースタイプ = シリアル-I2Cデータバス幅 = 8bit最大ランダムアクセス時間 = 3000ns実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOICピン数 = 14寸法 = 8.73 x 3.98 x 1.48mm長さ = 4.97mm幅 = 3.98mm高さ = 1.48mm動作温度 Max = +85 ℃1ワード当たりのビット数 = 8bitRoHS指令(10物質対応)対応
Infineon FRAMメモリ， 16kbit， SOIC， シリアル-2 ワイヤー， シリアル-I2C， FM24CL16B-GINFINEON￥1,198税込￥1,318
1袋(5個)
5日以内出荷
FRAM、サイプレス半導体. 強誘電体RAM( F-RAM )はエネルギー効率に優れており、シリアルとパラレルの両方のインターフェースに対応する不揮発性RAMの中で最も高い信頼性を持っています。末尾が Aの部品は車載用途向けに設計されており、AEC-Q100 認定を取得しています。. 不揮発性強誘電体RAMメモリ 高速書き込み 高耐久性 低消費電力
仕様メモリサイズ = 16kbit構成 = 2 K x 8ビットインターフェースタイプ = シリアル-2 ワイヤー， シリアル-I2Cデータバス幅 = 8bit最大ランダムアクセス時間 = 3000ns実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOICピン数 = 8寸法 = 4.97 x 3.98 x 1.48mm長さ = 4.97mm幅 = 3.98mm高さ = 1.48mm動作温度 Max = +85 ℃ワード数 = 2KbitRoHS指令(10物質対応)対応
Infineon FRAMメモリ， 64kbit， SOIC， I2C， FM24C64B-GINFINEON￥44,980税込￥49,478
1セット(97個)
5日以内出荷
FRAM、サイプレス半導体. 強誘電体RAM( F-RAM )はエネルギー効率に優れており、シリアルとパラレルの両方のインターフェースに対応する不揮発性RAMの中で最も高い信頼性を持っています。末尾が Aの部品は車載用途向けに設計されており、AEC-Q100 認定を取得しています。. 不揮発性強誘電体RAMメモリ 高速書き込み 高耐久性 低消費電力
仕様メモリサイズ = 64kbit構成 = 8 K x 8ビットインターフェースタイプ = I2Cデータバス幅 = 8bit最大ランダムアクセス時間 = 550ns実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOICピン数 = 8寸法 = 4.97 x 3.98 x 1.48mm長さ = 4.97mm幅 = 3.98mm高さ = 1.48mm動作温度 Max = +85 ℃ワード数 = 8kbitRoHS指令(10物質対応)対応
Infineon， PINダイオード コモンカソードペア2組， 3-Pin SOT-323INFINEON￥32,980税込￥36,278
1セット(3000個)
7日以内出荷
仕様ダイオード構成 = コモンカソードペア2組1チップ当たりのエレメント数 = 2最大順方向電流 = 100mA最大逆電圧 = 50V標準キャリアライフ時間 = 75nsパッケージタイプ = SOT-323ピン数 = 3RoHS指令(10物質対応)対応
Infineon， PINダイオード コモンカソードペア2組INFINEON￥699税込￥769
1袋(25個)
7日以内出荷
仕様ダイオード構成 = コモンカソードペア2組アプリケーション = スイッチ最大順方向電流 = 100mA最大逆電圧 = 50V標準キャリアライフ時間 = 75nsRoHS指令(10物質対応)対応
Infineon 整流ダイオード， 100A， 600V スルーホール， 3-Pin TO-247 シリコンジャンクション 2VINFINEON￥10,980税込￥12,078
1セット(30個)
7日以内出荷
高速スイッチングエミッタ制御ダイオード、Infineon. Infineon 切り替えエミッタ制御ダイオードは、Rapid 1及びRapid 2ファミリの600 V / 1200 V超ソフトダイオードです。 これらのダイオードは、通信、UPS、溶接、AC-DCの多様な用途で動作し、超ソフトバージョンは最高で30 kHzのモータ駆動用途で動作します。. ；i>； Rapid 1 ；/i>；ダイオードは、18 kHzと40 kHzの間で切り替わります。 温度安定性のある順方向電圧: 1.35 V 力率補正(PFC)トポロジに最適 ；i>；Rapid 2ダイオード ；/i>； は、40 kHzと100 kHzの間で切り替わります。 低い逆回復電荷量: BiC性能向けの順方向電圧 短い逆回復時間 ブーストスイッチのターンオン損失が低い ；i>； 超高速ダイオード ；/i>； 600 V / 1200 Vエミッタ制御技術 JEDEC規格に適合 優れたEMI対策 低い導電損失 並列接続が簡単
仕様実装タイプ = スルーホールパッケージタイプ = TO-247最大連続 順方向電流 = 100Aピーク逆繰返し電圧 = 600Vダイオード構成 = シングル整流タイプ = スイッチングダイオードタイプ = 整流器ピン数 = 3最大順方向降下電圧 = 2V1チップ当たりのエレメント数 = 1ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクションピーク逆回復時間 = 120nsピーク非繰返し順方向サージ電流 = 400ARoHS指令(10物質対応)対応
Infineon 整流ダイオード， シリーズ， 250mA， 40V 表面実装， 3-Pin SOT-323 (SC-70) ショットキー 750mVINFINEON￥879税込￥967
1袋(50個)
7日以内出荷
ショットキーバリアダイオード、Infineon
仕様実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOT-323 (SC-70)最大連続 順方向電流 = 250mAピーク逆繰返し電圧 = 40Vダイオード構成 = シリーズ整流タイプ = ショットキーダイオードダイオードタイプ = ショットキーピン数 = 3最大順方向降下電圧 = 750mV1チップ当たりのエレメント数 = 2ダイオードテクノロジー = ショットキーピーク逆回復時間 = 5nsピーク非繰返し順方向サージ電流 = 800mARoHS指令(10物質対応)対応
Cypress Semiconductor， CY62136FV30LL-45ZINFINEON￥2,798税込￥3,078
1袋(5個)
5日以内出荷
仕様メモリサイズ = 2Mbit構成 = 128k x 16ワード数 = 128k1ワード当たりのビット数 = 16bit最大ランダムアクセス時間 = 45nsRoHS指令(10物質対応)対応
Cypress Semiconductor， CY62138FV30LL-45ZINFINEON￥73,980税込￥81,378
1セット(156個)
5日以内出荷
仕様メモリサイズ = 2Mbit構成 = 256k x 8ワード数 = 256k1ワード当たりのビット数 = 8bit最大ランダムアクセス時間 = 45nsRoHS指令(10物質対応)対応
