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Infineon, SRAM 1Mbit, 64 k x 16 ビット, 44-Pin CY7C1021DV33-10ZSXIT INFINEONInfineon, SRAM 1Mbit, 64 k x 16 ビット, 44-Pin CY7C1021DV33-10ZSXITINFINEON
1,198税込1,318
1袋(3個)
5日以内出荷
使用温度範囲 産業用: 40 85 C 車載用 -A : 40 85 C CY7C1021CV33 とピン配置及び機能互換があります 高速 tAA 10 ns 低アクティブ電力 ICC 60 mA 10 ns CMOS スタンバイ電力 ISB2 3 mA Data Retention の略 選択解除時に自動的に電源がオフになります 速度 電力を最適化する CMOS 上下のビットを個別に制御 鉛フリーの 44 ピン 400-Mil ワイドモールド SOJ 44 ピン TSOP II 48 ボール VFBGA パッケージで提供されます
仕様メモリサイズ = 1Mbit構成 = 64 k x 16 ビットワード数 = 64k1ワード当たりのビット数 = 16bit最大ランダムアクセス時間 = 10nsタイミングタイプ = 非シンクロナス実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = TSOPピン数 = 44寸法 = 18.51 x 10.26 x 1.04mm高さ = 1.04mm幅 = 10.26mmRoHS指令(10物質対応)対応
Infineon, SRAM 1Mbit, 128 k x 8ビット, 32-Pin CY7C109D-10VXIT INFINEONInfineon, SRAM 1Mbit, 128 k x 8ビット, 32-Pin CY7C109D-10VXITINFINEON
389,800税込428,780
1セット(750個)
5日以内出荷
CY7C109B / CY7C1009B とピン及び機能の互換性があります。高速 tAA = 10 ns 低アクティブ電力 ICC = 80 mA @ 10 ns 低 CMOS スタンバイ電力 ISB2 = 3 mA 2.0 V Data 選択解除時に自動的に電源がオフになります。TTL互換の入出力 CE1 、CE2 、OE オプションを使用してメモリを簡単に拡張できます。CY7C109D は、鉛フリー 32 ピン 400-Mil ワイド成形 SOJ 及び 32 ピン TSOP I パッケージで提供されています。CY7C1009D は、鉛フリーの 32 ピン 300-Mil ワイド成形 SOJ パッケージで提供されています。
仕様メモリサイズ = 1Mbit、構成 = 128 k x 8ビット、ワード数 = 128k、1ワード当たりのビット数 = 8bit、最大ランダムアクセス時間 = 10ns、クロック周波数 = 100MHz、ローパワー = あり、タイミングタイプ = 非シンクロナス、実装タイプ = 表面実装、パッケージタイプ = SOJ、ピン数 = 32、寸法 = 0.83 x 0.305 x 0.11mm、高さ = 0.11mm、動作温度 Min = -40 ℃RoHS指令(10物質対応)対応
Infineon, PINダイオード コモンカソードペア2組, 3-Pin SOT-323 INFINEONInfineon, PINダイオード コモンカソードペア2組, 3-Pin SOT-323INFINEON
32,980税込36,278
1セット(3000個)
7日以内出荷
仕様ダイオード構成 = コモンカソードペア2組1チップ当たりのエレメント数 = 2最大順方向電流 = 100mA最大逆電圧 = 50V標準キャリアライフ時間 = 75nsパッケージタイプ = SOT-323ピン数 = 3RoHS指令(10物質対応)対応
Infineon 整流ダイオード, 100A, 600V スルーホール, 3-Pin TO-247 シリコンジャンクション 2V INFINEONInfineon 整流ダイオード, 100A, 600V スルーホール, 3-Pin TO-247 シリコンジャンクション 2VINFINEON
10,980税込12,078
1セット(30個)
7日以内出荷
高速スイッチングエミッタ制御ダイオード、Infineon. Infineon 切り替えエミッタ制御ダイオードは、Rapid 1及びRapid 2ファミリの600 V / 1200 V超ソフトダイオードです。 これらのダイオードは、通信、UPS、溶接、AC-DCの多様な用途で動作し、超ソフトバージョンは最高で30 kHzのモータ駆動用途で動作します。. ;i>; Rapid 1 ;/i>;ダイオードは、18 kHzと40 kHzの間で切り替わります。 温度安定性のある順方向電圧: 1.35 V 力率補正(PFC)トポロジに最適 ;i>;Rapid 2ダイオード ;/i>; は、40 kHzと100 kHzの間で切り替わります。 低い逆回復電荷量: BiC性能向けの順方向電圧 短い逆回復時間 ブーストスイッチのターンオン損失が低い ;i>; 超高速ダイオード ;/i>; 600 V / 1200 Vエミッタ制御技術 JEDEC規格に適合 優れたEMI対策 低い導電損失 並列接続が簡単
仕様実装タイプ = スルーホールパッケージタイプ = TO-247最大連続 順方向電流 = 100Aピーク逆繰返し電圧 = 600Vダイオード構成 = シングル整流タイプ = スイッチングダイオードタイプ = 整流器ピン数 = 3最大順方向降下電圧 = 2V1チップ当たりのエレメント数 = 1ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクションピーク逆回復時間 = 120nsピーク非繰返し順方向サージ電流 = 400ARoHS指令(10物質対応)対応
Infineon 整流ダイオード, シリーズ, 250mA, 40V 表面実装, 3-Pin SOT-323 (SC-70) ショットキー 750mV INFINEONInfineon 整流ダイオード, シリーズ, 250mA, 40V 表面実装, 3-Pin SOT-323 (SC-70) ショットキー 750mVINFINEON
879税込967
1袋(50個)
7日以内出荷
ショットキーバリアダイオード、Infineon
仕様実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOT-323 (SC-70)最大連続 順方向電流 = 250mAピーク逆繰返し電圧 = 40Vダイオード構成 = シリーズ整流タイプ = ショットキーダイオードダイオードタイプ = ショットキーピン数 = 3最大順方向降下電圧 = 750mV1チップ当たりのエレメント数 = 2ダイオードテクノロジー = ショットキーピーク逆回復時間 = 5nsピーク非繰返し順方向サージ電流 = 800mARoHS指令(10物質対応)対応
Infineon, PINダイオード シリーズ, 3-Pin SOT-323 (SC-70) INFINEONInfineon, PINダイオード シリーズ, 3-Pin SOT-323 (SC-70)INFINEON
44,980税込49,478
1セット(3000個)
7日以内出荷
PINダイオード、Infineon. RFスイッチングやアッテネータ用途に適したさまざまなPINダイオード
仕様ダイオード構成 = シリーズアプリケーション = RF減衰器最大順方向電流 = 100mA最大逆電圧 = 150V標準キャリアライフ時間 = 1550ns最大順方向電圧 = 1.1V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOT-323 (SC-70)ピン数 = 3最大ダイオードキャパシタンス = 0.35pF最大シリーズ抵抗 @ 最大 IF = 20 Ω@ 1 mA寸法 = 2 x 1.25 x 0.8mm高さ = 0.8mm長さ = 2mm動作温度 Max = +125 ℃mmRoHS指令(10物質対応)対応
Infineon Nチャンネル MOSFET200 V 7 A 表面実装 パッケージTDSON 8 ピン INFINEONInfineon Nチャンネル MOSFET200 V 7 A 表面実装 パッケージTDSON 8 ピンINFINEON
2,198税込2,418
1袋(20個)
7日以内出荷
Infineon OptiMOS3パワーMOSFET、100 V以上
仕様チャンネルタイプ N最大連続ドレイン電流 7 A最大ドレイン-ソース間電圧 200 Vシリーズ OptiMOS(TM) 3実装タイプ 表面実装ピン数 8最大ドレイン-ソース間抵抗 225 mΩチャンネルモード エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 4V最低ゲートしきい値電圧 2V最大パワー消費 34 Wトランジスタ構成 シングル最大ゲート-ソース間電圧 -20 V, +20 V幅 6.35mm動作温度 Min -55 ℃mmRoHS指令(10物質対応)対応
Infineon Nチャンネル MOSFET100 V 100 A 表面実装 パッケージTDSON 8 ピン INFINEONInfineon Nチャンネル MOSFET100 V 100 A 表面実装 パッケージTDSON 8 ピンINFINEON
2,798税込3,078
1袋(10個)
7日以内出荷
Infineon OptiMOS3パワーMOSFET、100 V以上
仕様チャンネルタイプ N最大連続ドレイン電流 100 A最大ドレイン-ソース間電圧 100 Vパッケージタイプ TDSON実装タイプ 表面実装ピン数 8最大ドレイン-ソース間抵抗 8.6 mΩチャンネルモード エンハンスメント型最大パワー消費 156 Wトランジスタ構成 シングル最大ゲート-ソース間電圧 -20 V, +20 V動作温度 Max +150 ℃mm順方向ダイオード電圧 1.2VInfineon OptiMOS(TM)3パワーMOS(TM)ET、100 V以上
Infineon Nチャンネル MOSFET200 V 11.3 A 表面実装 パッケージPG-TSDSON-8 8 ピン INFINEONInfineon Nチャンネル MOSFET200 V 11.3 A 表面実装 パッケージPG-TSDSON-8 8 ピンINFINEON
2,798税込3,078
1袋(5個)
7日以内出荷
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 11.3 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 200 Vパッケージタイプ = PG-TSDSON-8実装タイプ = 表面実装ピン数 = 8チャンネルモード = エンハンスメント型1チップ当たりのエレメント数 = 1RoHS指令(10物質対応)対応
Infineon Nチャンネル MOSFET250 V 25 A 表面実装 パッケージTDSON 8 ピン INFINEONInfineon Nチャンネル MOSFET250 V 25 A 表面実装 パッケージTDSON 8 ピンINFINEON
1,498税込1,648
1袋(5個)
7日以内出荷
Infineon OptiMOS3パワーMOSFET、100 V以上
仕様チャンネルタイプ N最大連続ドレイン電流 25 A最大ドレイン-ソース間電圧 250 Vシリーズ OptiMOS(TM) 3実装タイプ 表面実装ピン数 8最大ドレイン-ソース間抵抗 60 mΩチャンネルモード エンハンスメント型最大パワー消費 125 Wトランジスタ構成 シングル最大ゲート-ソース間電圧 -20 V, +20 V動作温度 Max +150 ℃mm高さ 1.1mm
Infineon Nチャンネル MOSFET250 V 5 A 表面実装 パッケージPG-TSDSON-8-2 INFINEONInfineon Nチャンネル MOSFET250 V 5 A 表面実装 パッケージPG-TSDSON-8-2INFINEON
699税込769
1袋(5個)
7日以内出荷
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 5 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 250 Vパッケージタイプ = PG-TSDSON-8-2実装タイプ = 表面実装RoHS指令(10物質対応)対応
Infineon 整流ダイオード INFINEONInfineon 整流ダイオードINFINEON
2,398税込2,638
1袋(6個)ほか
7日以内出荷
Infineon Pチャンネル 小信号 MOSFET INFINEONInfineon Pチャンネル 小信号 MOSFETINFINEON
5,398税込5,938
1リール(250個)
7日以内出荷
Infineon Pチャンネル パワーMOSFET INFINEONInfineon Pチャンネル パワーMOSFETINFINEON
1,998税込2,198
1袋(20個)ほか
7日以内出荷
Infineon Nチャンネル 小信号 MOSFET INFINEONInfineon Nチャンネル 小信号 MOSFETINFINEON
1,198税込1,318
1セット(10個)ほか
7日以内出荷
Infineon Nチャンネル パワーMOSFET INFINEONInfineon Nチャンネル パワーMOSFETINFINEON
539税込593
1個ほか
翌々日出荷から7日以内出荷
Infineon Nチャンネル MOSFET INFINEONInfineon Nチャンネル MOSFETINFINEON
419税込461
1袋(2個)ほか
7日以内出荷
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