仕様メモリサイズ = 64Mbit構成 = 4 M x 16ワード数 = 4000k1ワード当たりのビット数 = 16bit最大ランダムアクセス時間 = 55ns
RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(210個)
¥2,798,000
税込¥3,077,800
5日以内出荷
仕様メモリサイズ = 4Mbit構成 = 512K x 8ワード数 = 512k1ワード当たりのビット数 = 8bit
RoHS指令(10物質対応)対応
1個
¥1,498
税込¥1,648
5日以内出荷
仕様●メモリサイズ: 1Mbit●構成: 128K x 8●ワード数: 128k●1ワード当たりのビット数: 8bit
RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(234個)
¥69,980
税込¥76,978
7日以内出荷
仕様●メモリサイズ: 1Mbit●構成: 64 K x 16●ワード数: 64k●1ワード当たりのビット数: 16bit
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(2個)
¥639
税込¥703
7日以内出荷
仕様メモリサイズ = 4Mbit構成 = 256K x 16ワード数 = 256k1ワード当たりのビット数 = 16bit
RoHS指令(10物質対応)対応
1個
¥819
税込¥901
5日以内出荷
仕様●メモリサイズ: 4Mbit●構成: 256K x 16●ワード数: 256k●1ワード当たりのビット数: 16bit
RoHS指令(10物質対応)対応
1個
¥819
税込¥901
7日以内出荷
仕様メモリサイズ = 1Mbit構成 = 64 K x 16ワード数 = 64k1ワード当たりのビット数 = 16bit
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(2個)
¥679
税込¥747
5日以内出荷
仕様メモリサイズ = 4Mbit構成 = 256K x 16ワード数 = 256k1ワード当たりのビット数 = 16bit
RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(135個)
¥109,800
税込¥120,780
5日以内出荷
仕様メモリサイズ = 1Mbit構成 = 128K x 8ワード数 = 128k1ワード当たりのビット数 = 8bit
RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(234個)
¥69,980
税込¥76,978
5日以内出荷
仕様●メモリサイズ: 2Mbit●構成: 128K x 16●ワード数: 128k●1ワード当たりのビット数: 16bit
RoHS指令(10物質対応)対応
1個
¥719
税込¥791
7日以内出荷
仕様メモリサイズ = 4Mbit構成 = 256k x 16
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(2個)
¥2,598
税込¥2,858
5日以内出荷
Cypress CY14X101PA は、1 Mbit nv SRAM [1] とフル機能 RTC をシリアル SPI インターフェース付きのモノリシック集積回路にまとめた製品です。メモリは、それぞれ 128 K ワードの 8 ビットで構成されています。内蔵の不揮発性エレメントには Quantum Trap テクノロジーが組み込まれており、世界で最も信頼性の高い不揮発性メモリを実現します。SRAM は無限の読み取り / 書き込みサイクルを実現しますが、Quantum Trap セルは信頼性の高い不揮発性データストレージを提供します。SRAM から不揮発性エレメントへのデータ転送( STORE 操作)は、パワーダウン時に自動的に行われます。電源投入時に、不揮発性メモリ( RECALL 動作)から SRAM にデータが復元されます。また、SPI 命令を使用して STORE 操作と RECALL 操作を開始することもできます。
仕様メモリサイズ = 1Mbit構成 = 128 k x 8ビットワード数 = 128k1ワード当たりのビット数 = 8bit最大ランダムアクセス時間 = 15nsクロック周波数 = 104MHzローパワー = ありタイミングタイプ = シンクロナス実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOICピン数 = 16寸法 = 10.49 x 7.59 x 2.36mm高さ = 2.36mm動作温度 Max = +85 ℃
RoHS指令(10物質対応)対応
1個
¥1,898
税込¥2,088
5日以内出荷
仕様●メモリサイズ: 1Mbit●構成: 64 K x 16●ワード数: 64k●1ワード当たりのビット数: 16bit
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(2個)
¥969
税込¥1,066
7日以内出荷
仕様メモリサイズ = 1Mbit構成 = 64 K x 16ワード数 = 64k1ワード当たりのビット数 = 16bit
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(2個)
¥969
税込¥1,066
5日以内出荷
仕様●メモリサイズ: 4Mbit●構成: 512K x 8●ワード数: 512k●1ワード当たりのビット数: 8bit
RoHS指令(10物質対応)対応
1個
¥989
税込¥1,088
7日以内出荷
仕様メモリサイズ = 1Mbit構成 = 128 k x 8ワード数 = 128k1ワード当たりのビット数 = 8bit
RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(23個)
¥14,980
税込¥16,478
5日以内出荷
仕様メモリサイズ = 2Mbit構成 = 128K x 16ワード数 = 128k1ワード当たりのビット数 = 16bit
RoHS指令(10物質対応)対応
1個
¥719
税込¥791
5日以内出荷
仕様メモリサイズ = 4Mbit構成 = 512K x 8ワード数 = 512k1ワード当たりのビット数 = 8bit
RoHS指令(10物質対応)対応
1個
¥989
税込¥1,088
5日以内出荷
仕様●メモリサイズ: 1Mbit●構成: 128 k x 8ビット●ワード数: 128k●1ワード当たりのビット数: 8bit●最大ランダムアクセス時間: 15ns●クロック周波数: 104MHz●ローパワー: あり●タイミングタイプ: シンクロナス●実装タイプ: 表面実装●パッケージタイプ: SOIC●ピン数: 16●寸法: 10.49×7.59×2.36mm●高さ: 2.36mm●動作温度 Max: +85 ℃mm●Cypress CY14×101PA は、 1 Mbit nv SRAM [1] とフル機能 RTC をシリアル SPI インターフェース付きのモノリシック集積回路にまとめた製品です。メモリは、それぞれ 128 K ワードの 8 ビットで構成されています。内蔵の不揮発性エレメントには Quantum Trap テクノロジーが組み込まれており、世界で最も信頼性の高い不揮発性メモリを実現します。SRAM は無限の読み取り / 書き込みサイクルを実現しますが、 Quantum Trap セルは信頼性の高い不揮発性データストレージを提供します。SRAM から不揮発性エレメントへのデータ転送( STORE 操作)は、パワーダウン時に自動的に行われます。電源投入時に、不揮発性メモリ( RECALL 動作)から SRAM にデータが復元されます。また、 SPI 命令を使用して STORE 操作と RECALL 操作を開始することもできます。
RoHS指令(10物質対応)対応
1個
¥1,898
税込¥2,088
5日以内出荷
仕様●メモリサイズ: 2Mbit●構成: 128 K x 16 ビット●ワード数: 128k●1ワード当たりのビット数: 16bit●最大ランダムアクセス時間: 45ns●アドレスバス幅: 16bit●クロック周波数: 1MHz●ローパワー: あり●タイミングタイプ: 非シンクロナス●実装タイプ: 表面実装●パッケージタイプ: VFBGA●ピン数: 48●寸法: 6×8×0.81mm●動作供給電圧 Max: 3.6 Vmm●幅: 8mm●非同期SRAMメモリ、Cypress Semiconductor
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(2個)
¥1,398
税込¥1,538
7日以内出荷
仕様●メモリサイズ: 512kbit●構成: 32k x 16●ワード数: 32k●1ワード当たりのビット数: 16bit●最大ランダムアクセス時間: 10ns●アドレスバス幅: 16bit●クロック周波数: 1MHz●ローパワー: あり●タイミングタイプ: 非シンクロナス●実装タイプ: 表面実装●パッケージタイプ: TSOP-44●ピン数: 44●寸法: 18.51 x 10.26 x 1.05mm●高さ: 1.05mm●幅: 10.26mm
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(2個)
¥2,198
税込¥2,418
7日以内出荷
仕様●メモリサイズ: 16Mbit●構成: 1 M x 16ビット●ワード数: 1M●1ワード当たりのビット数: 16bit●最大ランダムアクセス時間: 55ns●アドレスバス幅: 16bit●クロック周波数: 1MHz●ローパワー: あり●タイミングタイプ: 非シンクロナス●実装タイプ: 表面実装●パッケージタイプ: TSOP●ピン数: 48●寸法: 18.4×12×1.05mm●高さ: 1.05mm●動作温度 Max: +85 ℃mm●非同期SRAMメモリ、Cypress Semiconductor
RoHS指令(10物質対応)対応
1個
¥3,198
税込¥3,518
5日以内出荷
仕様●メモリサイズ: 16Mbit●構成: 1 M x 16ビット●ワード数: 1M●1ワード当たりのビット数: 16bit●最大ランダムアクセス時間: 45ns●アドレスバス幅: 16bit●クロック周波数: 1MHz●ローパワー: あり●タイミングタイプ: 非シンクロナス●実装タイプ: 表面実装●パッケージタイプ: TSOP●ピン数: 48●寸法: 18.4×12×1.05mm●高さ: 1.05mm●動作温度 Min: -40 ℃mm●非同期SRAMメモリ、Cypress Semiconductor
RoHS指令(10物質対応)対応
1個
¥2,898
税込¥3,188
5日以内出荷
非同期SRAMメモリ、Cypress Semiconductor
仕様メモリサイズ = 16Mbit構成 = 1 M x 16ビットワード数 = 1M1ワード当たりのビット数 = 16bit最大ランダムアクセス時間 = 45nsアドレスバス幅 = 16bitクロック周波数 = 1MHzローパワー = ありタイミングタイプ = 非シンクロナス実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = TSOPピン数 = 48寸法 = 18.4 x 12 x 1.05mm高さ = 1.05mm幅 = 12mm
RoHS指令(10物質対応)対応
1個
¥2,898
税込¥3,188
5日以内出荷
仕様メモリサイズ = 1024kbit構成 = 64 k x 16 ビットワード数 = 655361ワード当たりのビット数 = 16bit最大ランダムアクセス時間 = 10nsアドレスバス幅 = 16bitクロック周波数 = 1MHzローパワー = ありタイミングタイプ = 非シンクロナス実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = TSOP-44ピン数 = 44寸法 = 18.51 x 10.26 x 1.05mm動作供給電圧 Max = 5.5 Vmm幅 = 10.26mm
RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(1000個)
¥499,800
税込¥549,780
5日以内出荷
CY7C109B / CY7C1009B とピン及び機能の互換性があります。高速 tAA = 10 ns 低アクティブ電力 ICC = 80 mA @ 10 ns 低 CMOS スタンバイ電力 ISB2 = 3 mA 2.0 V Data 選択解除時に自動的に電源がオフになります。TTL互換の入出力 CE1 、CE2 、OE オプションを使用してメモリを簡単に拡張できます。CY7C109D は、鉛フリー 32 ピン 400-Mil ワイド成形 SOJ 及び 32 ピン TSOP I パッケージで提供されています。CY7C1009D は、鉛フリーの 32 ピン 300-Mil ワイド成形 SOJ パッケージで提供されています。
仕様メモリサイズ = 1Mbit、構成 = 128 k x 8ビット、ワード数 = 128k、1ワード当たりのビット数 = 8bit、最大ランダムアクセス時間 = 10ns、クロック周波数 = 100MHz、ローパワー = あり、タイミングタイプ = 非シンクロナス、実装タイプ = 表面実装、パッケージタイプ = SOJ、ピン数 = 32、寸法 = 0.83 x 0.305 x 0.11mm、高さ = 0.11mm、動作温度 Min = -40 ℃
RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(750個)
¥379,800
税込¥417,780
5日以内出荷
仕様メモリサイズ = 2Mbit構成 = 128 K x 16 ビットワード数 = 128k1ワード当たりのビット数 = 16bit最大ランダムアクセス時間 = 45nsアドレスバス幅 = 16bitクロック周波数 = 1MHzローパワー = ありタイミングタイプ = 非シンクロナス実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = VFBGAピン数 = 48寸法 = 6 x 8 x 0.81mm高さ = 0.81mm動作温度 Max = +85 ℃非同期SRAMメモリ、Cypress Semiconductor
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(2個)
¥1,398
税込¥1,538
5日以内出荷
非同期SRAMメモリ、Cypress Semiconductor
仕様メモリサイズ = 16Mbit構成 = 1 M x 16ビットワード数 = 1M1ワード当たりのビット数 = 16bit最大ランダムアクセス時間 = 55nsアドレスバス幅 = 16bitクロック周波数 = 1MHzローパワー = ありタイミングタイプ = 非シンクロナス実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = TSOPピン数 = 48寸法 = 18.4 x 12 x 1.05mm高さ = 1.05mm幅 = 12mm
RoHS指令(10物質対応)対応
1個
¥3,198
税込¥3,518
5日以内出荷
仕様メモリサイズ = 4096kbit、構成 = 512 K x 8 ビット、ワード数 = 512k、1ワード当たりのビット数 = 8bit、最大ランダムアクセス時間 = 45ns、アドレスバス幅 = 8bit、クロック周波数 = 1MHz、ローパワー = あり、タイミングタイプ = 非シンクロナス、実装タイプ = 表面実装、パッケージタイプ = TSOP-32、ピン数 = 32、寸法 = 8.1 x 11.9 x 1.05mm、高さ = 1.05mm、幅 = 11.9mm
RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(1000個)
¥699,800
税込¥769,780
5日以内出荷
Cypress CY62128EV30 は、 Advanced Circuit 設計の高性能 CMOS スタティック RAM モジュールで、超低アクティブ電流を実現します。この機能は、ポータブルアプリケーションでより多くのバッテリ寿命 (MoBL) を提供するのに理想的です。超高速: 45 ns 電圧範囲: 4.5 5.5 超低スタンバイ電力 超低アクティブ電力 選択解除時に自動的に電源がオフになります
仕様メモリサイズ = 1024kbit構成 = 128 k x 8ビットワード数 = 128k1ワード当たりのビット数 = 8bit最大ランダムアクセス時間 = 45nsアドレスバス幅 = 8bitクロック周波数 = 1MHzローパワー = ありタイミングタイプ = 非シンクロナス実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = TSOP-32ピン数 = 32寸法 = 8.1 x 11.9 x 1.05mm動作供給電圧 Max = 3.6 Vmm幅 = 11.9mm
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(5個)
¥1,698
税込¥1,868
5日以内出荷
使用温度範囲 産業用: 40 85 C 車載用 -A : 40 85 C CY7C1021CV33 とピン配置及び機能互換があります 高速 tAA 10 ns 低アクティブ電力 ICC 60 mA 10 ns CMOS スタンバイ電力 ISB2 3 mA Data Retention の略 選択解除時に自動的に電源がオフになります 速度 電力を最適化する CMOS 上下のビットを個別に制御 鉛フリーの 44 ピン 400-Mil ワイドモールド SOJ 44 ピン TSOP II 48 ボール VFBGA パッケージで提供されます
仕様メモリサイズ = 1Mbit構成 = 64 k x 16 ビットワード数 = 64k1ワード当たりのビット数 = 16bit最大ランダムアクセス時間 = 10nsタイミングタイプ = 非シンクロナス実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = TSOPピン数 = 44寸法 = 18.51 x 10.26 x 1.04mm高さ = 1.04mm幅 = 10.26mm
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(3個)
¥1,598
税込¥1,758
5日以内出荷
仕様●メモリサイズ: 4096kbit●構成: 512 K x 8 ビット●ワード数: 512k●1ワード当たりのビット数: 8bit●最大ランダムアクセス時間: 45ns●アドレスバス幅: 8bit●クロック周波数: 1MHz●ローパワー: あり●タイミングタイプ: 非シンクロナス●実装タイプ: 表面実装●パッケージタイプ: TSOP-32●ピン数: 32●寸法: 8.1 x 11.9 x 1.05mm●高さ: 1.05mm●幅: 11.9mm
RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(1000個)
¥689,800
税込¥758,780
7日以内出荷
Cypress Semiconductor CY7C1011DV33 は、 128 K ワード x 16 ビットに構成された高性能 CMOS 静的 RAM です。鉛フリーの標準 44 ピン TSOP II で提供され、センターパワーおよびアースピンアウト、 48 ボール超ファインピッチボールグリッドアレイ (VFBGA) パッケージを備えています。通常、高速は 10 ns です 低スタンバイ電力 選択解除時に自動的に電源がオフになります TTL互換の入出力
仕様メモリサイズ = 2Mbit構成 = 128 K x 16 インチワード数 = 128K1ワード当たりのビット数 = 16bit最大ランダムアクセス時間 = 10ns
RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(480個)
¥339,800
税込¥373,780
5日以内出荷
仕様●メモリサイズ: 1Mbit●構成: 64 x 16 ビット●ワード数: 64k●1ワード当たりのビット数: 16bit●最大ランダムアクセス時間: 10ns●タイミングタイプ: 非シンクロナス●実装タイプ: 表面実装●パッケージタイプ: TSOP●ピン数: 44●寸法: 18.51×10.26×1.04mm●高さ: 1.04mm●幅: 10.26mm●使用温度範囲 産業用:-40~85℃ 車載用 -A :-40~85℃ C CY7C1021CV33 とピン配置及び機能互換があります 高速 tAA: 10 ns 低アクティブ電力 ICC: 60 mA 10 ns CMOS スタンバイ電力 ISB2: mA Data Retention の略 選択解除時に自動的に電源がオフになります 速度 電力を最適化する CMOS 上下のビットを個別に制御 鉛フリーの 44 ピン 400-Mil ワイドモールド SOJ 44 ピン TSOP II 48 ボール VFBGA パッケージで提供されます
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(3個)
¥1,498
税込¥1,648
7日以内出荷
仕様●メモリサイズ: 1024kbit●構成: 128 x 8ビット●ワード数: 128k●1ワード当たりのビット数: 8bit●最大ランダムアクセス時間: 45ns●アドレスバス幅: 8bit●クロック周波数: 1MHz●ローパワー: あり●タイミングタイプ: 非シンクロナス●実装タイプ: 表面実装●パッケージタイプ: TSOP-32●ピン数: 32●寸法: 8.1×11.9×1.05mm●高さ: 1.05mm●幅: 11.9mm●Cypress CY62128EV30 は、 Advanced Circuit 設計の高性能 CMOS スタティック RAM モジュールで、超低アクティブ電流を実現します。この機能は、ポータブルアプリケーションでより多くのバッテリ寿命- (MoBL) を提供するのに理想的です。超高速: 45 ns 電圧範囲: 4.5 5.5 超低スタンバイ電力 超低アクティブ電力 選択解除時に自動的に電源がオフになります
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(5個)
¥1,698
税込¥1,868
7日以内出荷
非同期SRAMメモリ、Cypress Semiconductor
仕様メモリサイズ = 256kbit構成 = 32 k x 8ビットワード数 = 32k1ワード当たりのビット数 = 8bit最大ランダムアクセス時間 = 15nsアドレスバス幅 = 8bitクロック周波数 = 1MHzローパワー = ありタイミングタイプ = 非シンクロナス実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOJピン数 = 28寸法 = 18.03 x 7.62 x 0.254mm高さ = 0.254mm幅 = 7.62mm
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(5個)
¥2,098
税込¥2,308
5日以内出荷
仕様メモリサイズ = 512kbit構成 = 32k x 16ワード数 = 32k1ワード当たりのビット数 = 16bit最大ランダムアクセス時間 = 10nsアドレスバス幅 = 16bitクロック周波数 = 1MHzローパワー = ありタイミングタイプ = 非シンクロナス実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = TSOP-44ピン数 = 44寸法 = 18.51 x 10.26 x 1.05mm動作供給電圧 Max = 3.6 Vmm幅 = 10.26mm
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(2個)
¥2,198
税込¥2,418
5日以内出荷
非同期SRAMメモリ、Cypress Semiconductor
仕様メモリサイズ = 1Mbit構成 = 64 k x 16 ビットワード数 = 64k1ワード当たりのビット数 = 16bit最大ランダムアクセス時間 = 12nsアドレスバス幅 = 16bitクロック周波数 = 1MHzローパワー = ありタイミングタイプ = 非シンクロナス実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = TSOPピン数 = 44寸法 = 18.517 x 10.262 x 1.044mm高さ = 1.044mm長さ = 18.517mm非同期SRAMメモリ、Cypress Semiconductor
RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(270個)
¥189,800
税込¥208,780
5日以内出荷
Cypress CY14B104LA / CY14B104NA は、高速スタティック RAM ( SRAM )で、各メモリセルに不揮発性エレメントを備えています。メモリは、 512 K バイトの 8 ビットごとに構成され、 256 K ワードの 16 ビットごとに構成されています。組み込みの不揮発性エレメントには、 QuantumTrap テクノロジーが組み込まれており、信頼性の高い不揮発性メモリを実現します。SRAM は無制限の読み取り / 書き込みサイクルを提供し、独立した不揮発性データは信頼性の高い QuantumTrap セルに格納されます。SRAM から不揮発性エレメント( STORE 操作)へのデータ転送は、電源を切ると自動的に行われます。電源投入時に、不揮発性メモリから SRAM にデータが復元されます( RECALL 動作)。ソフトウェア制御では、 STORE 操作と RECALL 操作の両方を使用できます。
仕様メモリサイズ = 4Mbit構成 = 512 K x 8ビットインターフェースタイプ = パラレルデータバス幅 = 8bit最大ランダムアクセス時間 = 45ns実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = TSOPピン数 = 44寸法 = 18.51 x 10.26 x 1.04mm長さ = 18.51mm幅 = 10.26mm高さ = 1.04mm動作供給電圧 Max = 3.6 V動作温度 Max = +85 ℃ワード数 = 512Kbit
RoHS指令(10物質対応)対応
1個
¥6,398
税込¥7,038
5日以内出荷
PSoC 3 (8051コア)、Cypress. PSoC 3 (プログラム可能な組み込みシステムオンチップ)ファミリは、設定可能なアナログ / デジタルロジックブロックを備えた8051コアマイクロコントローラデバイスとプログラム可能なインターコネクトで構成されています。 また、フラッシュプログラムメモリ、SRAMデータメモリ、及び設定可能なI/Oも含まれています。
仕様プロセッシングユニット = マイクロコントローラテクノロジー = CMOS実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = TQFPピン数 = 100寸法 = 14 x 14 x 1.4mm高さ = 1.4mm長さ = 14mm動作供給電圧 Max = 5.5 V動作温度 Max = +85 ℃動作供給電圧 Min = 1.71 V動作温度 Min = -40 ℃幅 = 14mm
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(2個)
¥2,998
税込¥3,298
5日以内出荷
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