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NチャンネルパワーMOSFET、IXYSHiperFET(TM)Q3シリーズ.IXYSのQ3クラスのHiperFET(TM)パワーMOSFETは、ハードスイッチング及び共振モードの両方での使用に適しており、ゲート電荷量も小さく、非常に丈夫です。これらのデバイスには高速真性ダイオードが搭載されており、定格が最大1100V及び70Aの各種絶縁タイプなど、さまざまな業界標準パッケージが用意されています。主な用途には、DC-DCコンバータ、バッテリ充電器、スイッチモード及び共振モード電源、DCチョッパ、温度制御及び照明制御などがあります。.高速真性整流器低RDS(オン)及びQG(ゲート電荷量)低真性ゲート抵抗産業用の標準パッケージ低パッケージインダクタンス高電力密度
ピン数(ピン)3
動作温度(℃)(Max)+150、(Min)-55
RoHS指令(10物質対応)対応
実装タイプスルーホール
チャンネルタイプN
チャンネルモードエンハンスメント型
最大連続ドレイン電流(A)50
最大ドレイン-ソース間電圧(V)600
最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)145
最大ゲートしきい値電圧(V)5
最大ゲート-ソース間電圧(V)-30、+30
トランジスタ構成シングル
最大パワー消費1.04kW
1個
￥1,698
税込￥1,868
5日以内出荷
NチャンネルパワーMOSFETIXYSHiperFET(TM)Polar(TM)シリーズ.IXYSのNチャンネルパワーMOSFET(高速固有ダイオード搭載)(HiPerFET(TM))
ピン数(ピン)4
動作温度(℃)(Max)+175、(Min)-55
RoHS指令(10物質対応)対応
実装タイプスクリューマウント
チャンネルタイプN
チャンネルモードエンハンスメント型
最大連続ドレイン電流(A)200
最大ドレイン-ソース間電圧(V)100
最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)7.5
最大ゲートしきい値電圧(V)5
最小ゲートしきい値電圧(V)3
最大ゲート-ソース間電圧(V)-20、+20
最大パワー消費680W
1個
￥4,198
税込￥4,618
5日以内出荷
NチャンネルパワーMOSFETIXYSHiperFET(TM)Polar(TM)シリーズ.IXYSのNチャンネルパワーMOSFET(高速固有ダイオード搭載)(HiPerFET(TM))
ピン数(ピン)4
動作温度(℃)(Min)-55
RoHS指令(10物質対応)対応
実装タイプスクリューマウント
チャンネルタイプN
チャンネルモードエンハンスメント型
最大連続ドレイン電流(A)53
最大ドレイン-ソース間電圧(V)800
最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)140
最大ゲートしきい値電圧(V)5
最大ゲート-ソース間電圧(V)-30、+30
トランジスタ構成シングル
標準ゲートチャージ250nC@10V
最大パワー消費1.04kW
1個
￥6,898
税込￥7,588
5日以内出荷
NチャンネルパワーMOSFETIXYSHiperFET(TM)Polar(TM)シリーズ.IXYSのNチャンネルパワーMOSFET(高速固有ダイオード搭載)(HiPerFET(TM))
幅(mm)5.3
ピン数(ピン)3
動作温度(℃)(Min)-55
RoHS指令(10物質対応)対応
実装タイプスルーホール
チャンネルタイプN
チャンネルモードエンハンスメント型
最大連続ドレイン電流(A)24
最大ドレイン-ソース間電圧(V)800
最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)400
最大ゲートしきい値電圧(V)5
最大ゲート-ソース間電圧(V)-30、+30
トランジスタ構成シングル
最大パワー消費650W
1個
￥1,398
税込￥1,538
5日以内出荷
NチャンネルパワーMOSFETIXYSHiperFET(TM)Polar(TM)シリーズ.IXYSのNチャンネルパワーMOSFET(高速固有ダイオード搭載)(HiPerFET(TM))
シリーズPolarHiPerFET
ピン数(ピン)3
動作温度(℃)(Max)+150
RoHS指令(10物質対応)対応
実装タイプスルーホール
チャンネルタイプN
チャンネルモードエンハンスメント型
最大連続ドレイン電流(A)70
最大ドレイン-ソース間電圧(V)300
最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)26
最大ゲートしきい値電圧(V)5
最小ゲートしきい値電圧(V)3
最大ゲート-ソース間電圧(V)-20、+20
最大パワー消費300W
1個
￥3,598
税込￥3,958
5日以内出荷
NチャンネルパワーMOSFETIXYSHiperFET(TM)Polar(TM)シリーズ.IXYSのNチャンネルパワーMOSFET(高速固有ダイオード搭載)(HiPerFET(TM))
高さ(mm)9.6
ピン数(ピン)4
RoHS指令(10物質対応)対応
実装タイプスクリューマウント
チャンネルタイプN
チャンネルモードエンハンスメント型
最大連続ドレイン電流(A)115
最大ドレイン-ソース間電圧(V)300
最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)24
最大ゲートしきい値電圧(V)5
最大ゲート-ソース間電圧(V)-20、+20
トランジスタ構成シングル
標準ゲートチャージ185nC@10V
最大パワー消費700000mW
1個
￥4,698
税込￥5,168
5日以内出荷
NチャンネルパワーMOSFETIXYSHiperFET(TM)Polar(TM)シリーズ.IXYSのNチャンネルパワーMOSFET(高速固有ダイオード搭載)(HiPerFET(TM))
シリーズHiperFET，Polar
ピン数(ピン)3
動作温度(℃)(Max)+175
RoHS指令(10物質対応)対応
実装タイプスルーホール
チャンネルタイプN
チャンネルモードエンハンスメント型
最大連続ドレイン電流(A)110
最大ドレイン-ソース間電圧(V)100
最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)15
最大ゲートしきい値電圧(V)5
最大ゲート-ソース間電圧(V)-20、+20
トランジスタ構成シングル
最大パワー消費480000mW
1個
￥1,398
税込￥1,538
5日以内出荷
NチャンネルパワーMOSFET、IXYSHiperFET(TM)Polar3(TM)シリーズ.IXYSPolar3(TM)シリーズのNチャンネルパワーMOSFET(高速固有ダイオード搭載)(HiPerFET(TM))
ピン数(ピン)3
動作温度(℃)(Max)+150、(Min)-55
RoHS指令(10物質対応)対応
実装タイプスルーホール
チャンネルタイプN
チャンネルモードエンハンスメント型
最大連続ドレイン電流(A)210
最大ドレイン-ソース間電圧(V)300
最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)14.5
最大ゲートしきい値電圧(V)5
最大ゲート-ソース間電圧(V)-20、+20
トランジスタ構成シングル
最大パワー消費1.89kW
1個
￥4,498
税込￥4,948
5日以内出荷
NチャンネルパワーMOSFET、IXYSHiperFET(TM)Polar3(TM)シリーズ.IXYSPolar3(TM)シリーズのNチャンネルパワーMOSFET(高速固有ダイオード搭載)(HiPerFET(TM))
ピン数(ピン)3
動作温度(℃)(Max)+150、(Min)-55
RoHS指令(10物質対応)対応
実装タイプスルーホール
チャンネルタイプN
チャンネルモードエンハンスメント型
最大連続ドレイン電流(A)132
最大ドレイン-ソース間電圧(V)500
最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)39
最大ゲートしきい値電圧(V)5
最大ゲート-ソース間電圧(V)-30、+30
トランジスタ構成シングル
最大パワー消費1.89kW
1個
￥3,998
税込￥4,398
5日以内出荷
NチャンネルパワーMOSFET、IXYSHiperFET(TM)Polar3(TM)シリーズ.IXYSPolar3(TM)シリーズのNチャンネルパワーMOSFET(高速固有ダイオード搭載)(HiPerFET(TM))
幅(mm)5.3
シリーズHiperFET，Polar3
ピン数(ピン)3
RoHS指令(10物質対応)対応
実装タイプスルーホール
チャンネルタイプN
チャンネルモードエンハンスメント型
最大連続ドレイン電流(A)94
最大ドレイン-ソース間電圧(V)300
最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)36
最大ゲートしきい値電圧(V)5
最大ゲート-ソース間電圧(V)-20、+20
トランジスタ構成シングル
最大パワー消費1.04kW
1個
￥1,998
税込￥2,198
5日以内出荷
NチャンネルパワーMOSFETIXYSHiperFET(TM)Polar(TM)シリーズ.IXYSのNチャンネルパワーMOSFET(高速固有ダイオード搭載)(HiPerFET(TM))
シリーズHiperFET，Polar
ピン数(ピン)3
RoHS指令(10物質対応)対応
実装タイプスルーホール
チャンネルタイプN
チャンネルモードエンハンスメント型
最大連続ドレイン電流(A)75
最大ドレイン-ソース間電圧(V)100
最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)25
最大ゲートしきい値電圧(V)5.5
最大ゲート-ソース間電圧(V)-20、+20
トランジスタ構成シングル
標準ゲートチャージ74nC@10V
最大パワー消費360000mW
1個
￥799
税込￥879
5日以内出荷
NチャンネルパワーMOSFETIXYSHiperFET(TM)Polar(TM)シリーズ.IXYSのNチャンネルパワーMOSFET(高速固有ダイオード搭載)(HiPerFET(TM))
高さ(mm)9.6
シリーズHiperFET，Polar
ピン数(ピン)4
RoHS指令(10物質対応)対応
実装タイプスクリューマウント
チャンネルタイプN
材質(トランジスタ)Si
チャンネルモードエンハンスメント型
最大連続ドレイン電流(A)61
最大ドレイン-ソース間電圧(V)500
最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)85
最大ゲートしきい値電圧(V)5.5
最大ゲート-ソース間電圧(V)-30、+30
トランジスタ構成シングル
最大パワー消費700000mW
1個
￥4,798
税込￥5,278
5日以内出荷
NチャンネルパワーMOSFET、IXYSHiperFET(TM)Polar3(TM)シリーズ.IXYSPolar3(TM)シリーズのNチャンネルパワーMOSFET(高速固有ダイオード搭載)(HiPerFET(TM))
高さ(mm)26.16
ピン数(ピン)3
RoHS指令(10物質対応)対応
実装タイプスルーホール
1チップ当たりのエレメント数1
チャンネルタイプN
チャンネルモードエンハンスメント型
最大連続ドレイン電流(A)98
最大ドレイン-ソース間電圧(V)500
最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)50
最大ゲートしきい値電圧(V)5
最大ゲート-ソース間電圧(V)-30、+30
トランジスタ構成シングル
最大パワー消費1.3kW
1個
￥2,998
税込￥3,298
5日以内出荷
NチャンネルパワーMOSFET、IXYSHiperFET(TM)Polar3(TM)シリーズ.IXYSPolar3(TM)シリーズのNチャンネルパワーMOSFET(高速固有ダイオード搭載)(HiPerFET(TM))
シリーズHiperFET，Polar3
ピン数(ピン)3
動作温度(℃)(Max)+150
RoHS指令(10物質対応)対応
実装タイプスルーホール
チャンネルタイプN
チャンネルモードエンハンスメント型
最大連続ドレイン電流(A)60
最大ドレイン-ソース間電圧(V)500
最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)100
最大ゲートしきい値電圧(V)5
最大ゲート-ソース間電圧(V)-30、+30
トランジスタ構成シングル
最大パワー消費1.04kW
1個
￥1,698
税込￥1,868
5日以内出荷
NチャンネルパワーMOSFET、IXYSHiperFET(TM)Polar3(TM)シリーズ.IXYSPolar3(TM)シリーズのNチャンネルパワーMOSFET(高速固有ダイオード搭載)(HiPerFET(TM))
高さ(mm)26.16
ピン数(ピン)3
RoHS指令(10物質対応)対応
実装タイプスルーホール
1チップ当たりのエレメント数1
チャンネルタイプN
チャンネルモードエンハンスメント型
最大連続ドレイン電流(A)150
最大ドレイン-ソース間電圧(V)300
最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)19
最大ゲートしきい値電圧(V)5
最大ゲート-ソース間電圧(V)-20、+20
トランジスタ構成シングル
最大パワー消費1.3kW
1個
￥3,298
税込￥3,628
5日以内出荷
NチャンネルパワーMOSFET、IXYSHiperFET(TM)シリーズ
シリーズHiperFET
ピン数(ピン)4
RoHS指令(10物質対応)対応
実装タイプスクリューマウント
1チップ当たりのエレメント数1
チャンネルタイプN
チャンネルモードエンハンスメント型
最大連続ドレイン電流(A)24
最大ドレイン-ソース間電圧(V)1000
最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)390
最大ゲートしきい値電圧(V)5.5
最大ゲート-ソース間電圧(V)-20、+20
トランジスタ構成シングル
最大パワー消費568000mW
1個
￥7,898
税込￥8,688
5日以内出荷
NチャンネルパワーMOSFET、IXYSHiperFET(TM)シリーズ
高さ(mm)26.16
ピン数(ピン)3
RoHS指令(10物質対応)対応
実装タイプスルーホール
チャンネルタイプN
材質(トランジスタ)Si
チャンネルモードエンハンスメント型
最大連続ドレイン電流(A)48
最大ドレイン-ソース間電圧(V)500
最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)100
最大ゲートしきい値電圧(V)4
最大ゲート-ソース間電圧(V)-20、+20
トランジスタ構成シングル
最大パワー消費500W
1個
￥4,498
税込￥4,948
5日以内出荷
UL適合E72873。MCOシリーズサイリスタモジュール、IXYS。ハイパワーサイリスタモジュール
寸法(mm)38.2×25.07×9.6
タイプサイリスタ：SCR
電圧(V)ピークオンステージ：1.3
ピン数(ピン)4
RoHS指令(10物質対応)対応
実装タイプパネルマウント
最大ゲートトリガー電流(mA)80
繰返しピーク逆方向電圧(V)1600
最大ゲートトリガー電圧(V)1.4
定格平均オン電流(A)54
最大保持電流(mA)100
サージ電流レーティング(kA)0.8
1個
￥4,398
税込￥4,838
5日以内出荷
IGBTディスクリート、IXYSXPTシリーズ.IXYSのXPT(TM)シリーズのディスクリートIGBTは、極めて軽量な穴開き薄型ウエハーテクノロジーを採用しており、熱抵抗の低減とエネルギー損失の軽減を実現しています。これらのデバイスでは、低テール電流によって高速なスイッチングが可能です。また、さまざまな業界の規格と独自仕様に沿ったパッケージが用意されています。.高電力密度及び低VCE(sat)逆バイアス安全動作領域(RBSOA)を定格降伏電圧に向かって直角になるように形成10μsの短絡耐量オン状態電圧の正温度係数オプションのSonic-FRD(TM)又はHiPerFRED(TM)ダイオード付属国際規格及び独自仕様の高電圧パッケージ
寸法(mm)16.26×5.3×21.46
ピン数(ピン)3
動作温度(℃)(Min)-55
RoHS指令(10物質対応)対応
実装タイプスルーホール
最大連続コレクタ電流(A)200
最大コレクタ-エミッタ間電圧(V)1200
最大ゲート-エミッタ間電圧(V)±20
チャンネルタイプN
トランジスタ構成シングル
スイッチングスピード50kHz
最大パワー消費1250W
1個
￥3,500
税込￥3,850
欠品中
IGBTディスクリート、IXYSXPTシリーズ.IXYSのXPT(TM)シリーズのディスクリートIGBTは、極めて軽量な穴開き薄型ウエハーテクノロジーを採用しており、熱抵抗の低減とエネルギー損失の軽減を実現しています。これらのデバイスでは、低テール電流によって高速なスイッチングが可能です。また、さまざまな業界の規格と独自仕様に沿ったパッケージが用意されています。.高電力密度及び低VCE(sat)逆バイアス安全動作領域(RBSOA)を定格降伏電圧に向かって直角になるように形成10μsの短絡耐量オン状態電圧の正温度係数オプションのSonic-FRD(TM)又はHiPerFRED(TM)ダイオード付属国際規格及び独自仕様の高電圧パッケージ
寸法(mm)16.13×5.21×21.34
ピン数(ピン)3
動作温度(℃)(Min)-40
RoHS指令(10物質対応)対応
実装タイプスルーホール
最大連続コレクタ電流(A)58
最大コレクタ-エミッタ間電圧(V)1200
最大ゲート-エミッタ間電圧(V)±20
チャンネルタイプN
トランジスタ構成シングル
最大パワー消費195W
1個
￥2,198
税込￥2,418
5日以内出荷
関連キーワード
