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Atmel UC3-A3 XPLAINED評価キットは、Atmel AT32UC3A3256マイクロコントローラを評価するためのハードウェアプラットフォームです。AtmelR AT32UC3A3256マイクロコントローラ 64 MビットSDRAM アナログ入力(ADCへ) - 温度センサ - RCフィルタ 入出力 - 機械式ボタン x 1 - LED x 4 - 拡張ヘッダ x 4 外部メモリ用フットプリント
仕様分類 = 評価ボードキット名 = UC3-A3 Xplainedテクノロジー = MCUデバイスコア = AVR32UCプロセッサファミリ名 = AVRプロセッサ品番 = AT32UC3A3256プロセッサ種類 = MCU RoHS指令(10物質対応)対応
1個
7,898 税込8,688
7日以内出荷

仕様●メモリサイズ : 2Mbit●パッケージタイプ : TSOP●ピン数 : 48●構成 : 128 K x 16 RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(5個)
1,998 税込2,198
7日以内出荷

仕様●メモリサイズ : 1Mbit●インターフェースタイプ : パラレル●パッケージタイプ : TSOP●ピン数 : 32●構成 : 128 K x 8●実装タイプ : 表面実装●セルタイプ : スプリットゲート●動作供給電圧 Min : 2.7 V●動作供給電圧 Max : 3.6 V●ブロック構成 : 対称●長さ : 8.1mm●高さ : 1.05mm●幅 : 12.5mm●寸法 : 12.5 x 8.1 x 1.05mm●動作温度 Max : +85 ℃ns RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(10個)
1,998 税込2,198
7日以内出荷

仕様●メモリサイズ 1MB●インターフェースタイプ パラレル●パッケージタイプ PLCC●ピン数 32●構成 128 x 8ビット●実装タイプ 表面実装●セルタイプ スプリットゲート●動作供給電圧 Min 4.5 V●動作供給電圧 Max 5.5 V●ブロック構成 対称●長さ 14.05mm●高さ 2.84mm●幅 11.51mm●寸法 14.05 11.51 2.84mm●ワード数 128Kbit●SST39SF010A/020A/040パラレルSuperFlashRメモリ. Microchip製のSST39SF010A/020A/040ファミリのデバイスは●パラレルの多目的SuperFlashRメモリICです。. 特長. 4.5-5.5 V読み取り及び書き込み操作 耐久性 100000回(標準) 低消費電力 アクティブ電流10 mA●スタンバイ電流30 μA (14 MHzでの標準値) セクタ消去機能: 均一な4 KBセクタ 読み取りアクセス時間: 55 70 ns セクタ消去時間: 18 ms チップ消去時間: 70 ms(標準) バイトプログラム時間 14 μs(標準) チップ書換え時間 SST39SF010A 2秒●SST39SF020A 4秒●SST39SF040 8秒(標準値) ラッチ付きアドレス及びデータ 自動書き込み時間 内部VPP生成 End-of-Write検出 トグルビット データ#ポーリング TTL I/O互換品 JEDEC規格 フラッシュEEPROMピン配列及びコマンドセット RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(10個)
2,998 税込3,298
7日以内出荷

仕様●メモリサイズ : 1Mbit●インターフェースタイプ : SPI●パッケージタイプ : SOIC●ピン数 : 8●構成 : 128 K x 8ビット●実装タイプ : 表面実装●セルタイプ : スプリットゲート●動作供給電圧 Min : 2.7 V●動作供給電圧 Max : 3.6 V●ブロック構成 : 対称●長さ : 5mm●高さ : 1.5mm●幅 : 4mm●寸法 : 4 x 5 x 1.5mm●シリーズ : SST25bit●SST25VF010AシリアルSPI SuperFlashRメモリ RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(100個)
10,980 税込12,078
7日以内出荷

仕様●メモリサイズ 4MB●インターフェースタイプ パラレル●パッケージタイプ PLCC●ピン数 32●構成 512 x 8ビット●実装タイプ 表面実装●セルタイプ スプリットゲート●動作供給電圧 Min 4.5 V●動作供給電圧 Max 5.5 V●ブロック構成 対称●長さ 14.05mm●高さ 2.84mm●幅 11.51mm●寸法 14.05 11.51 2.84mm●1ワード当たりのビット数 8bit●SST39SF010A/020A/040パラレルSuperFlashRメモリ. Microchip製のSST39SF010A/020A/040ファミリのデバイスは●パラレルの多目的SuperFlashRメモリICです。. 特長. 4.5-5.5 V読み取り及び書き込み操作 耐久性 100000回(標準) 低消費電力 アクティブ電流10 mA●スタンバイ電流30 μA (14 MHzでの標準値) セクタ消去機能: 均一な4 KBセクタ 読み取りアクセス時間: 55 70 ns セクタ消去時間: 18 ms チップ消去時間: 70 ms(標準) バイトプログラム時間 14 μs(標準) チップ書換え時間 SST39SF010A 2秒●SST39SF020A 4秒●SST39SF040 8秒(標準値) ラッチ付きアドレス及びデータ 自動書き込み時間 内部VPP生成 End-of-Write検出 トグルビット データ#ポーリング TTL I/O互換品 JEDEC規格 フラッシュEEPROMピン配列及びコマンドセット RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(5個)
2,298 税込2,528
7日以内出荷

仕様●メモリサイズ : 8Mbit●インターフェースタイプ : パラレル●パッケージタイプ : TSOP●ピン数 : 48●構成 : 512 K x 16ビット●実装タイプ : 表面実装●セルタイプ : スプリットゲート●動作供給電圧 Min : 2.7 V●動作供給電圧 Max : 3.6 V●ブロック構成 : 対称●長さ : 12.2mm●高さ : 1.05mm●幅 : 18.5mm●寸法 : 18.5 x 12.2 x 1.05mm●最大ランダムアクセス時間 : 70ns●SST39VF200A/400A/800AパラレルSuperFlashRメモリ RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(2個)
779 税込857
7日以内出荷

仕様●メモリサイズ 32Mbit●インターフェースタイプ SPI●パッケージタイプ WDFN●ピン数 8●構成 4 x 8ビット●実装タイプ 表面実装●セルタイプ スプリットゲート●動作供給電圧 Min 2.7 V●動作供給電圧 Max 3.6 V●ブロック構成 対称●長さ 6mm●高さ 0.75mm●幅 5mm●寸法 6 5 0.75mm●シリーズ SST26bit●SST26VF016B/032B/064BシリアルクワッドI/O (SQI) SuperFlashRメモリ. Microchip製のSST26VF016B/032B/064Bファミリのデバイスは●シリアルクワッドI/O(TM) (SQI(TM))インターフェイスSuperFlashRメモリICで●6線式●4ビットI/Oインターフェイスを備えており●ピン数の少ない小型パッケージで低消費電力●高性能動作を実現します。 Microchip製のSQI(TM)インターフェイスを使用すれば●最高で104 MHzの性能を発揮し●最小限のプロセッサバッファメモリで低レイテンシのexecute-in-place (XIP)機能が可能になります。 これらのフラッシュメモリチップは●従来のシリアルペリフェラルインターフェイス(SPI)プロトコルとの互換性のある完全なコマンドセットをサポートしています。 これらのデバイスは●SuperFlashR技術を使用することで●他のフラッシュメモリ代替品に比べると●非常に優れた消去時間を発揮します。 通常●セクタ及びブロックの消去コマンドは18 msで完了し●完全なチップ消去操作の所要時間は35 msです。. 特長. シリアルインターフェイスアーキテクチャ ニブル単位の多重化I/O●SPIに類似したシリアルコマンド構造 x1 x2 x4シリアルペリフェラルインターフェイス(SPI)プロトコル 高速クロック周波数 最大104 MHz バーストモード 低消費電力 アクティブ読み取り15 mA (104 MHz時の代表値)●スタンバイ15 μA(代表値) 高速消去時間 セクタ ブロック消去: 18 ms(代表値)●チップ消去35 ms(代表値) 柔軟性の高い消去機能 ソフトウェア書き込み保護 RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(5個)
1,998 税込2,198
7日以内出荷

AT86RF233トランシーバチップ: RS品番 ; 769-2687 769-2687. ATSAMR21 SoC Xplained Pro開発ボード. Atmel SAM R21は、低電力システムオンチップ(SoC)シリーズで、SAM D21マイクロコントローラを備え、AT86RF233 2.4 GHz ISMバンドトランシーバを内蔵しています。 Atmel SAM R21 Xplained Pro評価キットは、ATSAMR21G18Aデバイスのプロトタイピングと評価を目的にしています。 Atmel SAM R21 Xplained Proハードウェアプラットフォームキットを使用すれば、ATSAMR21G18Aをカスタム設計に統合する方法を理解できます。 Atmel製のSAM R21は、Atmel Studio統合開発プラットフォーム(IDP)に対応しています。 Xplained Pro MCUシリーズの評価キットには、オンボードの組み込みデバッガが搭載されています。 ATSAMR21G18Aマイクロコントローラのプログラム又はデバッグに別途の工具は不要です。 ATSAMR21-XPROボードは、ZigBeeスタックと互換性があり、自己修復、自己編成メッシュネットワークをサポートしています。また、ネットワークトラフィックを最適化し、消費電力を最小化します。. ATSAMR21 Xplained Pro開発ボードの特長と利点 256 KBフラッシュメモリ、32 KB SRAM、2.4 GHz AT86RF233トランシーバ搭載のATSAMR21G18A Cortex-M0+コアSoC RF出力電力: 最大+4 dBm レシーバ感度: -99 dBm 変調: O-QPSK OTAデータ転送速度: 256 kbps ハードウェア支援MAC (自動認識、自動再試行) SFD検知、拡散 / 逆拡張、フレーミング、CRC-16計算 アンテナダイバーシティ及びTx / Rx制御 128バイトTx/Rxフレームバッファ AES-128暗号化 組み込みデバッガ(EDBG) シリアルワイヤデバッグ(SWD)を介したSAM R21ボード上でのプログラミングとデバッグ UART経由で仮想COMポートインターフェイスに接続 SPI / I2C経由でターゲットに接続するためのAtmelデータゲートウェイインターフェイス(DGI) GPIO x 4 (コード挿入の場合にターゲットに接続) リセットプッシュボタン ユーザープッシュボタン ユーザーLED Xplained Pro拡張ヘッダ x 2 電源: +5 V dc (外部コネクタ又はUSB接続経由) 消費電流監視由ヘッダ 組み込みデバッガ用microUSBコネクタ ターゲット用microUSBコネクタ セラミックチップアンテナ 外部アンテナ用SMAコネクタ 用途: 産業用制御、住宅 / 業務用オートメーション、健康管理、家庭用電化製品、PC周辺機器、IEEE802.15.4又はZigBeeプロトコルを使用したモノのインターネット(IoT)用ローカル通信など
仕様分類 評価 キットキット名 SAM R21 Xplained Proテクノロジー MCUデバイスコア ARM Cortex(TM)M0+プロセッサファミリ名 SAMプロセッサ品番 - ATSAMR21G18Aプロセッサ種類 MCU RoHS指令(10物質対応)対応
1個
15,980 税込17,578
7日以内出荷

ATmega128RFR2チップ. ATmega256RFR2 Xplained Pro評価キット. Atmel ATMEGA256RFR2 Xplained Pro評価キットは、ATmega256RFR2ワイヤレスシステムオンチップ(SoC)を評価するプラットフォームとして使用されます。Xplained Pro SoC評価ボードは、Atmel Studioによってサポートされています。Atmelの組み込みのデバッガ(EDBG)を使用すると、ATmega256RFR2のプログラミングやデバッグに他のツールを使用する必要はありません。このSoCは、IEEE802.15.4準拠のWPAN通信及びZigBeeメッシュネットワーク用に設計されており、同時に、RF4CE、SP100、WirelessHART、6LoWPANの各プロトコルもサポートします。256 KBフラッシュメモリ、8 KB EEPROM、32 KB SRAM、2.4 GHz ISMバンドトランシーバ搭載のATmega256RFR2 SoC セラミックチップアンテナ シリアルI2Cバス上の温度センサ及びEEPROM 組み込みデバッガ(EDBG) リセットプッシュボタン ユーザープッシュボタン ユーザーLED Xplained Pro拡張ボード用ヘッダ x 5 電流測定用ヘッダ 外部アンテナ用SMAコネクタ デバッグ用microUSBコネクタ 仮想COM-portインターフェイス(UART経由) 電源: +5 V dc USB接続又は外部のPWRヘッダから給電
仕様分類 = 評価 キットキット名 = ATmega256RFR2 Xplained Proデバイスコア = AVRプロセッサファミリ名 = AVRプロセッサ品番 = ATmega256RFR2プロセッサ種類 = MCU RoHS指令(10物質対応)対応
1個
17,980 税込19,778
7日以内出荷

仕様●メモリサイズ 2MB●インターフェースタイプ パラレル●パッケージタイプ PDIP●ピン数 32●構成 256 x 8ビット●実装タイプ スルーホール●セルタイプ スプリットゲート●動作供給電圧 Min 4.5 V●動作供給電圧 Max 5.5 V●ブロック構成 対称●長さ 42.04mm●高さ 3.81mm●幅 13.97mm●寸法 42.04 13.97 3.81mm●シリーズ SST39ns●SST39SF010A/020A/040パラレルSuperFlashRメモリ. Microchip製のSST39SF010A/020A/040ファミリのデバイスは●パラレルの多目的SuperFlashRメモリICです。. 特長. 4.5-5.5 V読み取り及び書き込み操作 耐久性 100000回(標準) 低消費電力 アクティブ電流10 mA●スタンバイ電流30 μA (14 MHzでの標準値) セクタ消去機能: 均一な4 KBセクタ 読み取りアクセス時間: 55 70 ns セクタ消去時間: 18 ms チップ消去時間: 70 ms(標準) バイトプログラム時間 14 μs(標準) チップ書換え時間 SST39SF010A 2秒●SST39SF020A 4秒●SST39SF040 8秒(標準値) ラッチ付きアドレス及びデータ 自動書き込み時間 内部VPP生成 End-of-Write検出 トグルビット データ#ポーリング TTL I/O互換品 JEDEC規格 フラッシュEEPROMピン配列及びコマンドセット RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(11個)
5,998 税込6,598
7日以内出荷

仕様●メモリサイズ 1MB●インターフェースタイプ パラレル●パッケージタイプ PLCC●ピン数 32●構成 128 x 8ビット●実装タイプ 表面実装●セルタイプ スプリットゲート●動作供給電圧 Min 4.5 V●動作供給電圧 Max 5.5 V●ブロック構成 対称●長さ 14.05mm●高さ 2.84mm●幅 11.51mm●寸法 14.05 11.51 2.84mm●シリーズ SST39bit●SST39SF010A/020A/040パラレルSuperFlashRメモリ. Microchip製のSST39SF010A/020A/040ファミリのデバイスは●パラレルの多目的SuperFlashRメモリICです。. 特長. 4.5-5.5 V読み取り及び書き込み操作 耐久性 100000回(標準) 低消費電力 アクティブ電流10 mA●スタンバイ電流30 μA (14 MHzでの標準値) セクタ消去機能: 均一な4 KBセクタ 読み取りアクセス時間: 55 70 ns セクタ消去時間: 18 ms チップ消去時間: 70 ms(標準) バイトプログラム時間 14 μs(標準) チップ書換え時間 SST39SF010A 2秒●SST39SF020A 4秒●SST39SF040 8秒(標準値) ラッチ付きアドレス及びデータ 自動書き込み時間 内部VPP生成 End-of-Write検出 トグルビット データ#ポーリング TTL I/O互換品 JEDEC規格 フラッシュEEPROMピン配列及びコマンドセット RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(30個)
9,898 税込10,888
7日以内出荷

仕様●メモリサイズ 4Mbit●インターフェースタイプ パラレル●パッケージタイプ PLCC●ピン数 32●構成 512 x 8ビット●実装タイプ 表面実装●セルタイプ スプリットゲート●動作供給電圧 Min 4.5 V●動作供給電圧 Max 5.5 V●ブロック構成 対称●長さ 14.05mm●高さ 2.84mm●幅 11.51mm●寸法 11.51 14.05 2.84mm●最大ランダムアクセス時間 70ns●SST39SF010A/020A/040パラレルSuperFlashRメモリ. Microchip製のSST39SF010A/020A/040ファミリのデバイスは●パラレルの多目的SuperFlashRメモリICです。. 特長. 4.5-5.5 V読み取り及び書き込み操作 耐久性 100000回(標準) 低消費電力 アクティブ電流10 mA●スタンバイ電流30 μA (14 MHzでの標準値) セクタ消去機能: 均一な4 KBセクタ 読み取りアクセス時間: 55 70 ns セクタ消去時間: 18 ms チップ消去時間: 70 ms(標準) バイトプログラム時間 14 μs(標準) チップ書換え時間 SST39SF010A 2秒●SST39SF020A 4秒●SST39SF040 8秒(標準値) ラッチ付きアドレス及びデータ 自動書き込み時間 内部VPP生成 End-of-Write検出 トグルビット データ#ポーリング TTL I/O互換品 JEDEC規格 フラッシュEEPROMピン配列及びコマンドセット RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(2個)
889 税込978
7日以内出荷

MICROCHIPOTP EPROMメモリ Microchip
エコ商品
Microchip AT27C020 2 Mb の低消費電力、高性能ワンタイムプログラマブル EPROM は、 256 K ビット x 8 として構成されています。4.5 → 5.5 V の電圧範囲で動作します。通常の読み取りモードでの標準消費電力はわずか 8 mA で、スタンバイモードの供給電流は標準で 10 μ A 未満です。どのバイトにも 55 ns 未満でアクセスできるため、高性能マイクロプロセッサシステムでの速度低減 WAIT ステートが不要になります。低電力 CMOS 動作 アクセス時間は 90 ns です ESD 保護: 2 、 000 V ラッチアップ耐性: 200 mA Rapid Programming アルゴリズム: 100 μ s/ バイト(標準) CMOS及びTTL互換入出力 製品識別コードを内蔵 使用温度範囲: -40 → 85 ° C 32 リード、プラスチック J リード付きチップキャリア( PLCC )パッケージ
仕様メモリサイズ = 2000kbit構成 = 256K x 8最大ランダムアクセス時間 = 55nsプログラミング電圧 = 5V再ブログラミング技術 = OTP実装タイプ = スルーホールパッケージタイプ = PDIPピン数 = 32寸法 = 42.29 x 13.97 x 4.44mmワード数 = 256Kbit RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(2個)
1,798 税込1,978
5日以内出荷


ファミリー名 = ATtiny4313。パッケージタイプ = PDIP。実装タイプ = スルーホール。ピン数 = 20。デバイスコア = AVR。データバス幅 = 8bit。プログラムメモリサイズ = 4 kB。最大周波数 = 20MHz。RAMサイズ = 256 B。USBチャンネル = 0。PWMユニット数 = 1。SPIチャンネル数 = 2。標準動作供給電圧 = 1.8 → 5.5 V。寸法 = 25.98 x 7.11 x 4.95mm。8ビットPicoPower tinyAVRRマイクロコントローラ. Atmel tinyAVRR機器は、小型パッケージでも優れた性能、高い出力効率、使いやすさが求められる用途を想定して最適化されています。 すべてのpicoPowerデバイスは、電力消費をできるだけ小さくするように一から設計されたものです。. サイズが重要な用途向けの小型で最もコンパクトなパッケージ 静電容量タッチ 高速、コード効果 高集積 動作: 1.8 V → 5.5 V (ATtiny43Uでは0.7 Vで動作)
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(5個)
1,498 税込1,648
5日以内出荷

MICROCHIPEPROM Microchip
エコ商品
メモリサイズ = 256kbit。構成 = 32 K x 8ビット。最大ランダムアクセス時間 = 45ns。再ブログラミング技術 = OTP。実装タイプ = スルーホール。パッケージタイプ = PDIP。ピン数 = 28。寸法 = 37.33 x 13.97 x 4.44mm。動作温度 Max = +85 ℃bit。EPROM (ワンタイムプログラマブル)、 Atmel
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(5個)
2,498 税込2,748
7日以内出荷

Microchip 1 K ビットシリアル電気的消去可能 PROM です。2 線シリアルインターフェイス付き 128 x 8 ビットメモリの単一ブロックとして構成されています。工場プログラミング可能 RoHS対応
仕様メモリサイズ = 1kbitインターフェースタイプ = シリアル-I2Cパッケージタイプ = SOIC実装タイプ = 表面実装ピン数 = 8構成 = 128 x 8ビット動作供給電圧 Min = 2.5 V動作供給電圧 Max = 5.5 Vプログラミング電圧 = 2.5 to 5.5V1ワード当たりのビット数 = 8bit寸法 = 4.9 x 3.9 x 1.25mmデータ保持 = 200年 RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(100個)
4,698 税込5,168
7日以内出荷

仕様メモリサイズ:8Mbit●インターフェースタイプ:SPI●パッケージタイプ:PDIP●ピン数:8●構成:1 M x 8ビット●実装タイプ:スルーホール●セルタイプ:スプリットゲート●動作供給電圧 Min:2.7 V●動作供給電圧 Max:3.6 V●長さ:10.16mm●高さ:4.95mm●幅:7.11mm●寸法:10.16 x 7.11 x 4.95mm●ワード数:1M●SST25VF080BシリアルSPI SuperFlashRメモリ RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(60個)
15,980 税込17,578
7日以内出荷




仕様メモリサイズ:64Mbit 、 インターフェースタイプ:SPI 、 パッケージタイプ:WDFN 、 ピン数:8 、 構成:8 M x 8ビット 、 実装タイプ:表面実装 、 セルタイプ:スプリットゲート 、 動作供給電圧 Min:2.7 V 、 動作供給電圧 Max:3.6 V 、 長さ:6mm 、 高さ:0.8mm 、 幅:8mm 、 寸法:6 x 8 x 0.8mm 、 動作温度 Max:+85 ℃ 、 SST26VF016B/032B/064BシリアルクワッドI/O (SQI) SuperFlashRメモリ. Microchip製のSST26VF016B/032B/064Bファミリのデバイスは、シリアルクワッドI/O (SQI )インターフェイスSuperFlashRメモリICで、6線式、4ビットI/Oインターフェイスを備えており、ピン数の少ない小型パッケージで低消費電力、高性能動作を実現します。 Microchip製のSQI インターフェイスを使用すれば、最高で104 MHzの性能を発揮し、最小限のプロセッサバッファメモリで低レイテンシのexecute-in-place (XIP)機能が可能になります。 これらのフラッシュメモリチップは、従来のシリアルペリフェラルインターフェイス(SPI)プロトコルとの互換性のある完全なコマンドセットをサポートしています。 これらのデバイスは、SuperFlashR技術を使用することで、他のフラッシュメモリ代替品に比べると、非常に優れた消去時間を発揮します。 通常、セクタ及びブロックの消去コマンドは18 msで完了し、完全なチップ消去操作の所要時間は35 msです。. 特長. シリアルインターフェイスアーキテクチャ ニブル単位の多重化I/O、SPIに類似したシリアルコマンド構造 x1 / x2 / x4シリアルペリフェラルインターフェイス(SPI)プロトコル 高速クロック周波数 - 最大104 MHz バーストモード 低消費電力 アクティブ読み取り15 mA (104 MHz時の代表値)、スタンバイ15 μA(代表値) 高速消去時間 - セクタ / ブロック消去: 18 ms(代表値)、チップ消去35 ms(代表値) 柔軟性の高い消去機能 ソフトウェア書き込み保護 RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(480個)
299,800 税込329,780
7日以内出荷

仕様メモリサイズ:64Mbit●インターフェースタイプ:SPI●パッケージタイプ:SOIJ●ピン数:8●構成:8 x 8ビット●実装タイプ:表面実装●セルタイプ:スプリットゲート●動作供給電圧 Min:2.7 V●動作供給電圧 Max:3.6 V●ブロック構成:対称●長さ:5.26mm●高さ:1.98mm●幅:5.25mm●寸法:5.26 5.25 1.98mm●ワード数:8M●SST26VF016B/032B/064BシリアルクワッドI/O (SQI) SuperFlashRメモリ. Microchip製のSST26VF016B/032B/064Bファミリのデバイスは、シリアルクワッドI/O(TM) (SQI(TM))インターフェイスSuperFlashRメモリICで、6線式、4ビットI/Oインターフェイスを備えており、ピン数の少ない小型パッケージで低消費電力、高性能動作を実現します。 Microchip製のSQI(TM)インターフェイスを使用すれば、最高で104 MHzの性能を発揮し、最小限のプロセッサバッファメモリで低レイテンシのexecute-in-place (XIP)機能が可能になります。 これらのフラッシュメモリチップは、従来のシリアルペリフェラルインターフェイス(SPI)プロトコルとの互換性のある完全なコマンドセットをサポートしています。 これらのデバイスは、SuperFlashR技術を使用することで、他のフラッシュメモリ代替品に比べると、非常に優れた消去時間を発揮します。 通常、セクタ及びブロックの消去コマンドは18 msで完了し、完全なチップ消去操作の所要時間は35 msです。特長. シリアルインターフェイスアーキテクチャ ニブル単位の多重化I/O、SPIに類似したシリアルコマンド構造 x1 x2 x4シリアルペリフェラルインターフェイス(SPI)プロトコル 高速クロック周波数 最大104 MHz バーストモード 低消費電力 アクティブ読み取り15 mA (104 MHz時の代表値)、スタンバイ15 μA(代表値) 高速消去時間 セクタ ブロック消去: 18 ms(代表値)、チップ消去35 ms(代表値) 柔軟性の高い消去機能 ソフトウェア書き込み保護 RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(90個)
47,980 税込52,778
7日以内出荷


ファミリー名 = Microcontrollers。パッケージタイプ = TQFP。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 44。デバイスコア = 8051。データバス幅 = 8bit。プログラムメモリサイズ = 8 kB。最大周波数 = 20MHz。RAMサイズ = 256 B。USBチャンネル = 0。PWMユニット数 = 0。SPIチャンネル数 = 0。CANチャンネル数 = 0。幅 = 10mm。Microchip AT89LP52 8 ビットマイクロコントローラは、 4K / 8 KB のインシステムプログラマブルフラッシュプログラムメモリと 256 バイトのフラッシュデータメモリを搭載しています。2.4 → 5.5 V の電源で動作します。コントローラは、クロックサイクルごとにメモリからシングルバイトをフェッチできる、拡張 CPU コアを中心に構築されています。従来の 8051 アーキテクチャでは、各フェッチに 6 クロックサイクルが必要であり、命令は 12 、 24 、 48 クロックサイクルで実行されます。4K / 8K バイトのインシステムプログラマブルフラッシュプログラムメモリ、 256 バイトのフラッシュデータメモリ、 256 バイトの RAM 、最大 36 の I/O ライン、 3 つの 16 ビットタイマ / カウンタ、プログラム可能なウォッチドッグタイマ、全二重シリアルポート、オンチップ水晶発振器、内蔵 1.8432 MHz 補助発振器を搭載しています。 4 レベル、 6 ベクトル割り込みシステムを備えています。AT89S52 と 100 % ソフトウェア及びタイミング互換 ほぼ完全な Master SPI ポートとして機能したり、 TWI のソフトウェアエミュレーションを改善したりできます AT89S52 と同じ消費電流と周波数で平均 9 倍のスループットを達成するには、互換モードを無効にします クロック周波数を 9 回下げて AT89S52 と同じ速度にしますが、消費電流は 5 倍以上に抑えられます
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(5個)
1,398 税込1,538
7日以内出荷

仕様メモリサイズ:64Mbit●インターフェースタイプ:SPI●パッケージタイプ:WDFN●ピン数:8●構成:8 x 8ビット●実装タイプ:表面実装●セルタイプ:スプリットゲート●動作供給電圧 Min:2.7 V●動作供給電圧 Max:3.6 V●ブロック構成:対称●長さ:6mm●高さ:0.75mm●幅:5mm●寸法:6 5 0.75mm●最大ランダムアクセス時間:3ns●SST26VF016B/032B/064BシリアルクワッドI/O (SQI) SuperFlashRメモリ. Microchip製のSST26VF016B/032B/064Bファミリのデバイスは、シリアルクワッドI/O(TM) (SQI(TM))インターフェイスSuperFlashRメモリICで、6線式、4ビットI/Oインターフェイスを備えており、ピン数の少ない小型パッケージで低消費電力、高性能動作を実現します。 Microchip製のSQI(TM)インターフェイスを使用すれば、最高で104 MHzの性能を発揮し、最小限のプロセッサバッファメモリで低レイテンシのexecute-in-place (XIP)機能が可能になります。 これらのフラッシュメモリチップは、従来のシリアルペリフェラルインターフェイス(SPI)プロトコルとの互換性のある完全なコマンドセットをサポートしています。 これらのデバイスは、SuperFlashR技術を使用することで、他のフラッシュメモリ代替品に比べると、非常に優れた消去時間を発揮します。 通常、セクタ及びブロックの消去コマンドは18 msで完了し、完全なチップ消去操作の所要時間は35 msです。特長. シリアルインターフェイスアーキテクチャ ニブル単位の多重化I/O、SPIに類似したシリアルコマンド構造 x1 x2 x4シリアルペリフェラルインターフェイス(SPI)プロトコル 高速クロック周波数 最大104 MHz バーストモード 低消費電力 アクティブ読み取り15 mA (104 MHz時の代表値)、スタンバイ15 μA(代表値) 高速消去時間 セクタ ブロック消去: 18 ms(代表値)、チップ消去35 ms(代表値) 柔軟性の高い消去機能 ソフトウェア書き込み保護 RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(2個)
1,198 税込1,318
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仕様メモリサイズ:64Mbit 、 インターフェースタイプ:SPI 、 パッケージタイプ:SOIC 、 ピン数:16 、 構成:8 M x 8ビット 、 実装タイプ:表面実装 、 セルタイプ:スプリットゲート 、 動作供給電圧 Min:2.7 V 、 動作供給電圧 Max:3.6 V 、 ブロック構成:対称 、 長さ:10.3mm 、 高さ:2.05mm 、 幅:7.5mm 、 寸法:10.3 x 7.5 x 2.05mm 、 動作温度 Max: +85 ℃ 、 SST26VF016B/032B/064BシリアルクワッドI/O (SQI) SuperFlashRメモリ. Microchip製のSST26VF016B/032B/064Bファミリのデバイスは、シリアルクワッドI/O(TM) (SQI(TM))インターフェイスSuperFlashRメモリICで、6線式、4ビットI/Oインターフェイスを備えており、ピン数の少ない小型パッケージで低消費電力、高性能動作を実現します。 Microchip製のSQI(TM)インターフェイスを使用すれば、最高で104 MHzの性能を発揮し、最小限のプロセッサバッファメモリで低レイテンシのexecute-in-place (XIP)機能が可能になります。 これらのフラッシュメモリチップは、従来のシリアルペリフェラルインターフェイス(SPI)プロトコルとの互換性のある完全なコマンドセットをサポートしています。 これらのデバイスは、SuperFlashR技術を使用することで、他のフラッシュメモリ代替品に比べると、非常に優れた消去時間を発揮します。 通常、セクタ及びブロックの消去コマンドは18 msで完了し、完全なチップ消去操作の所要時間は35 msです。特長. シリアルインターフェイスアーキテクチャ- ニブル単位の多重化I/O、SPIに類似したシリアルコマンド構造 x1 / x2 / x4シリアルペリフェラルインターフェイス(SPI)プロトコル 高速クロック周波数 - 最大104 MHz バーストモード 低消費電力-アクティブ読み取り15 mA (104 MHz時の代表値)、スタンバイ15 μA(代表値) 高速消去時間 - セクタ / ブロック消去: 18 ms(代表値)、チップ消去35 ms(代表値) 柔軟性の高い消去機能 ソフトウェア書き込み保護 RoHS指令(10物質対応)対応
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1,198 税込1,318
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ファミリー名 = AT89C51。パッケージタイプ = VQFP。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 64。デバイスコア = 80C51。データバス幅 = 8bit。プログラムメモリサイズ = 64 kB。最大周波数 = 40MHz。RAMサイズ = 2.048 kB。USBチャンネル = 0。PWMユニット数 = 1 x 8 bit。SPIチャンネル数 = 1。標準動作供給電圧 = 5.5 (最大) V。ADC数 = 8 x 10ビットmm。Microchip 8ビットマイクロコントローラ: CANコントローラと64 KBフラッシュX2モードでは、最大外部クロックレート20 MHzで300 nsサイクル時間に達します。このデバイスには、フルCANコントローラの他に、ISP機能を備えた64 KBフラッシュメモリ、2 KBブートフラッシュメモリ、2 KB EEPROM、2048バイトERAMが組み込まれています。電磁放射の抑制に根本的な注意が払われています。80C51コアアーキテクチャ オンチップRAM: 256バイト オンチップERAM: 2048バイト 64 Kバイトのオンチップフラッシュメモリ データ保持: 10年 @ 85 ℃ 読み取り / 書き込みサイクル: 100 K ブートローダー用の2 Kバイトオンチップフラッシュ 2 KバイトのオンチップEEPROM 読み取り / 書き込みサイクル: 100 K 内蔵電源モニタ(POR: PFD)、内部電源を監視 14ソース4レベル割り込み 16ビットタイマ / カウンター x 3 全二重UART互換80C51 高速アーキテクチャ
RoHS指令(10物質対応)対応
1個
1,698 税込1,868
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仕様メモリサイズ:16Mbit 、 インターフェースタイプ:クワッドSPI 、 パッケージタイプ:SOIC 、 ピン数:8 、 構成:2 M x 8ビット 、 実装タイプ:表面実装 、 セルタイプ:スプリットゲート 、 動作供給電圧 Min:2.7 V 、 動作供給電圧 Max:3.6 V 、 長さ:4.9mm 、 高さ:1.5mm 、 幅:3.9mm 、 寸法:4.9 x 3.9 x 1.5mm 、 動作温度 Max:+85 ℃ 、 SST26VF016B/032B/064BシリアルクワッドI/O (SQI) SuperFlashRメモリ. Microchip製のSST26VF016B/032B/064Bファミリのデバイスは、シリアルクワッドI/O(TM) (SQI(TM))インターフェイスSuperFlashRメモリICで、6線式、4ビットI/Oインターフェイスを備えており、ピン数の少ない小型パッケージで低消費電力、高性能動作を実現します。 Microchip製のSQI(TM)インターフェイスを使用すれば、最高で104 MHzの性能を発揮し、最小限のプロセッサバッファメモリで低レイテンシのexecute-in-place (XIP)機能が可能になります。 これらのフラッシュメモリチップは、従来のシリアルペリフェラルインターフェイス(SPI)プロトコルとの互換性のある完全なコマンドセットをサポートしています。 これらのデバイスは、SuperFlashR技術を使用することで、他のフラッシュメモリ代替品に比べると、非常に優れた消去時間を発揮します。 通常、セクタ及びブロックの消去コマンドは18 msで完了し、完全なチップ消去操作の所要時間は35 msです。特長. シリアルインターフェイスアーキテクチャ- ニブル単位の多重化I/O、SPIに類似したシリアルコマンド構造 x1 / x2 / x4シリアルペリフェラルインターフェイス(SPI)プロトコル 高速クロック周波数 - 最大104 MHz バーストモード 低消費電力-アクティブ読み取り15 mA (104 MHz時の代表値)、スタンバイ15 μA(代表値) 高速消去時間 - セクタ / ブロック消去: 18 ms(代表値)、チップ消去35 ms(代表値) 柔軟性の高い消去機能 ソフトウェア書き込み保護 RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(100個)
24,980 税込27,478
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仕様メモリサイズ:64Mbit インターフェースタイプ:SPI パッケージタイプ:WDFN ピン数:8 構成:8 x 8ビット 実装タイプ:表面実装 セルタイプ:スプリットゲート 動作供給電圧 Min:2.7 、 動作供給電圧 Max:3.6 、 長さ:6mm 高さ:0.8mm 幅:8mm 寸法:6 8 0.8mm 動作温度 Max: +85 、 SST26VF016B/032B/064BシリアルクワッドI/O (SQI) SuperFlashRメモリ. Microchip製のSST26VF016B/032B/064Bファミリのデバイスは、シリアルクワッドI/O(TM) (SQI(TM))インターフェイスSuperFlashRメモリICで、6線式、4ビットI/Oインターフェイスを備えており、ピン数の少ない小型パッケージで低消費電力、高性能動作を実現します。 Microchip製のSQI(TM)インターフェイスを使用すれば、最高で104 MHzの性能を発揮し、最小限のプロセッサバッファメモリで低レイテンシのexecute-in-place (XIP)機能が可能になります。 これらのフラッシュメモリチップは、従来のシリアルペリフェラルインターフェイス(SPI)プロトコルとの互換性のある完全なコマンドセットをサポートしています。 これらのデバイスは、SuperFlashR技術を使用することで、他のフラッシュメモリ代替品に比べると、非常に優れた消去時間を発揮します。 通常、セクタ及びブロックの消去コマンドは18 msで完了し、完全なチップ消去操作の所要時間は35 msです。特長. シリアルインターフェイスアーキテクチャ ニブル単位の多重化I/O、SPIに類似したシリアルコマンド構造 x1 x2 x4シリアルペリフェラルインターフェイス(SPI)プロトコル 高速クロック周波数 最大104 MHz バーストモード 低消費電力 アクティブ読み取り15 mA (104 MHz時の代表値)、スタンバイ15 μA(代表値) 高速消去時間 セクタ ブロック消去: 18 ms(代表値)、チップ消去35 ms(代表値) 柔軟性の高い消去機能 ソフトウェア書き込み保護 RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(2個)
1,298 税込1,428
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ファミリー名 = SAM4E。パッケージタイプ = LQFP。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 100。デバイスコア = ARM Cortex M4。データバス幅 = 32bit。プログラムメモリサイズ = 1.024 MB。最大周波数 = 120MHz。RAMサイズ = 128 kB。USBチャンネル = 1。PWMユニット数 = 1 x 16 bit。SPIチャンネル数 = 0。標準動作供給電圧 = 1.2 V、3.3 V。幅 = 9mm。SMART SAM4E ARMR Cortex-M3マイクロコントローラ. Atmels SMARTマイクロコントローラは、ワイヤレス接続機能と増強されたメモリ / データストレージを備えた安全な機器として使用できるように、モノのインターネットの技術革新に基づいてユーザーをサポートする目的で開発された製品です。 SAM4Eマイクロコントローラの特長と利点 浮動小数点ユニット(FPU) 10 / 100 MbpsイーサネットMACでIEEE1588及びデュアルCANをサポート USB 2.0 USART x 4 SPI / I ;sup>2 ;/sup>Cシリアル通信インターフェイス MCI / SPIO Advanced Encryption Standard (AES) CryptoAuthentication 最大117のGPIO 最大120 MHz 最大1024 KBのフラッシュメモリ 2 KBのキャッシュメモリ 最大128 KBのSRAM エネルギー管理、産業オートメーション、ホーム / ビル制御、M2M通信、自動車関連アフターサービス用途などに最適
RoHS指令(10物質対応)対応
1個
1,598 税込1,758
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仕様メモリサイズ:16Mbit 、 インターフェースタイプ:SPI 、 パッケージタイプ:SOIC 、 ピン数:8 、 構成:2 M x 8ビット 、 実装タイプ:表面実装 、 セルタイプ:スプリットゲート 、 動作供給電圧 Min:2.7 V 、 動作供給電圧 Max:3.6 V 、 長さ:5.4mm 、 高さ:1.91mm 、 幅:5.4mm 、 寸法:5.4 x 5.4 x 1.91mm 、 動作温度 Min:-40 ℃ 、 SST25VF016BシリアルSPI SuperFlashRメモリ RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(90個)
28,980 税込31,878
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SST26VF016B/032B/064BシリアルクワッドI/O (SQI) SuperFlashRメモリ. Microchip製のSST26VF016B/032B/064Bファミリのデバイスは、シリアルクワッドI/O (SQI)インターフェイスSuperFlashRメモリICで、6線式、4ビットI/Oインターフェイスを備えており、ピン数の少ない小型パッケージで低消費電力、高性能動作を実現します。Microchip製のSQIインターフェイスを使用すれば、最高で104 MHzの性能を発揮し、最小限のプロセッサバッファメモリで低レイテンシのexecute-in-place (XIP)機能が可能になります。これらのフラッシュメモリチップは、従来のシリアルペリフェラルインターフェイス(SPI)プロトコルとの互換性のある完全なコマンドセットをサポートしています。これらのデバイスは、SuperFlashR技術を使用することで、他のフラッシュメモリ代替品に比べると、非常に優れた消去時間を発揮します。通常、セクタ及びブロックの消去コマンドは18 msで完了し、完全なチップ消去操作の所要時間は35 msです。特長. シリアルインターフェイスアーキテクチャ - ニブル単位の多重化I/O、SPIに類似したシリアルコマンド構造 x1 / x2 / x4シリアルペリフェラルインターフェイス(SPI)プロトコル 高速クロック周波数 - 最大104 MHz バーストモード 低消費電力 - アクティブ読み取り15 mA (104 MHz時の代表値)、スタンバイ15 μA(代表値) 高速消去時間 - セクタ / ブロック消去: 18 ms(代表値)、チップ消去35 ms(代表値) 柔軟性の高い消去機能 ソフトウェア書き込み保護
仕様メモリサイズ = 32Mbitインターフェースタイプ = SPIパッケージタイプ = SOIJピン数 = 8構成 = 4 M x 8ビット実装タイプ = 表面実装セルタイプ = スプリットゲート動作供給電圧 Min = 2.7 V動作供給電圧 Max = 3.6 Vブロック構成 = 対称長さ = 5.26mm高さ = 1.98mm幅 = 5.25mm寸法 = 5.26 x 5.25 x 1.98mm最大ランダムアクセス時間 = 3ns RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(90個)
31,980 税込35,178
7日以内出荷

ファミリー名 = SAM4S。パッケージタイプ = LQFP。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 100。デバイスコア = ARM Cortex M4。データバス幅 = 32bit。プログラムメモリサイズ = 1.024 MB。最大周波数 = 120MHz。RAMサイズ = 128 kB。USBチャンネル = 1。PWMユニット数 = 1 x 16 bit。SPIチャンネル数 = 3。標準動作供給電圧 = 1.2 V、3.3 V。ADC数 = 16 x 12ビットmm。SMART SAM4S ARMR Cortex-M4マイクロコントローラ. 強力なARMR CortexR-M4コアをベースとするAtmelR SMART SAM4Sシリーズは、拡張可能な性能、メモリ密度、電力効率を実現します。 ハードウェアコート保護を内蔵しています。
RoHS指令(10物質対応)対応
1個
1,298 税込1,428
5日以内出荷

ファミリー名 = ATmega。パッケージタイプ = TQFP。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 32。デバイスコア = AVR。データバス幅 = 8bit。プログラムメモリサイズ = 32 kB。最大周波数 = 20MHz。RAMサイズ = 2 kB。USBチャンネル = 0。PWMユニット数 = 1。SPIチャンネル数 = 2。標準動作供給電圧 = 5.5 (最大) V。ADC数 = 8 x 10ビットmm
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(5個)
2,298 税込2,528
7日以内出荷

メモリサイズ = 64kbit。インターフェースタイプ = シリアル-SPI。パッケージタイプ = SOIC-8。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 8。構成 = 8 K x 8ビット。動作供給電圧 Min = 1.8 V。動作供給電圧 Max = 5.5 V。プログラミング電圧 = 1.8 → 5.5V。1ワード当たりのビット数 = 8bit。寸法 = 4.9 x 3.9 x 1.5mm。ワード数 = 8k
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(25個)
2,398 税込2,638
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