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93AA46A/93C46A/93LC46A MicrowireシリアルEEPROM. Microchipの93AA46A/93C46A/93LC46Aファミリのデバイスは、1 KビットMicrowireシリアルEEPROMです。さまざまなパッケージ、温度、電源タイプを用意しています。. 特長. 128 x 8ビット構成 セルフ時限の消去及び書き込みサイクル(自動消去を含む) 自動的にすべて消去(ERAL)後にすべて書き込み(WRAL) 電源オン / オフ時データ保護回路 業界標準3線シリアル入出力 デバイスステータス信号(レディ / ビジー) シーケンシャル読み取り機能 1，000，000回の消去 / 書き込み データ保持: >200年間

メモリサイズ = 256kbit。構成 = 32 K x 8ビット。最大ランダムアクセス時間 = 45ns。再ブログラミング技術 = OTP。実装タイプ = スルーホール。パッケージタイプ = PDIP。ピン数 = 28。寸法 = 37.33 x 13.97 x 4.44mm。動作温度 Max = +85 ℃bit。EPROM (ワンタイムプログラマブル)、 Atmel

93AA46B/93C46B/93LC46B MicrowireシリアルEEPROM. Microchipの93AA46B/93C46B/93LC46Bファミリのデバイスは、1 KビットMicrowireシリアルEEPROMです。さまざまなパッケージ、温度、電源タイプを用意しています。特長. 64 x 16ビット構成 セルフ時限の消去及び書き込みサイクル(自動消去を含む) 自動的にすべて消去(ERAL)後にすべて書き込み(WRAL) 電源オン / オフ時データ保護回路 業界標準3線シリアル入出力 デバイスステータス信号(レディ / ビジー) シーケンシャル読み取り機能 1，000，000回の消去 / 書き込み データ保持: >200年間

93AA46B/93C46B/93LC46B MicrowireシリアルEEPROM. Microchipの93AA46B/93C46B/93LC46Bファミリのデバイスは、1 KビットMicrowireシリアルEEPROMです。さまざまなパッケージ、温度、電源タイプを用意しています。特長. 64 x 16ビット構成 セルフ時限の消去及び書き込みサイクル(自動消去を含む) 自動的にすべて消去(ERAL)後にすべて書き込み(WRAL) 電源オン / オフ時データ保護回路 業界標準3線シリアル入出力 デバイスステータス信号(レディ / ビジー) シーケンシャル読み取り機能 1，000，000回の消去 / 書き込み データ保持: >200年間

EPROM (ワンタイムプログラマブル)、 Atmel

メモリサイズ = 256kbit。インターフェースタイプ = パラレル。パッケージタイプ = SOIC。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 28。構成 = 32 K x 8ビット。動作供給電圧 Min = 4.5 V。動作供給電圧 Max = 5.5 V。プログラミング電圧 = 4.5 → 5.5V。1ワード当たりのビット数 = 8bit。寸法 = 18.1 x 7.6 x 2.35mm。データ保持 = 10年

メモリサイズ = 64kB。インターフェースタイプ = シリアル-SPI。パッケージタイプ = SOP。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 8。構成 = 8 K x 8ビット。動作供給電圧 Min = 1.8 V。動作供給電圧 Max = 5.5 V。プログラミング電圧 = 1.8 → 5.5V。1ワード当たりのビット数 = 8bit。寸法 = 3.1 x 4.5 x 1.05mm。データ保持 = 100年

メモリサイズ = 64kbit。インターフェースタイプ = シリアル-SPI。パッケージタイプ = SOIC-8。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 8。構成 = 8 K x 8ビット。動作供給電圧 Min = 1.8 V。動作供給電圧 Max = 5.5 V。プログラミング電圧 = 1.8 → 5.5V。1ワード当たりのビット数 = 8bit。寸法 = 4.9 x 3.9 x 1.5mm。ワード数 = 8k

メモリサイズ = 16kbit。インターフェースタイプ = シリアル-I2C。パッケージタイプ = SOIC。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 8。構成 = 2 K x 8ビット。動作供給電圧 Min = 1.7 V。動作供給電圧 Max = 5.5 V。プログラミング電圧 = 1.7 → 5.5V。1ワード当たりのビット数 = 8bit。寸法 = 4.9 x 3.9 x 1.5mm。ワード数 = 2k

メモリサイズ = 512kbit。構成 = 64 K x 8ビット。最大ランダムアクセス時間 = 45ns。再ブログラミング技術 = OTP。実装タイプ = スルーホール。パッケージタイプ = PLCC。ピン数 = 32。寸法 = 14.04 x 11.5 x 3.17mm。標準動作供給電圧 = 5 Vbit。EPROM (ワンタイムプログラマブル)、 Atmel

メモリサイズ = 2Mbit。構成 = 256 K x 8ビット。最大ランダムアクセス時間 = 55ns。再ブログラミング技術 = OTP。実装タイプ = スルーホール。パッケージタイプ = PDIP。ピン数 = 32。寸法 = 42.29 x 13.97 x 4.44mm。標準動作供給電圧 = 5 Vbit。EPROM (ワンタイムプログラマブル)、 Atmel

25AA256/25LC256 SPIシリアルEEPROM. Microchipの25AA256/25LC256ファミリのデバイスは、256 KビットSPIシリアルEEPROMです。さまざまなパッケージ、温度、電源タイプを用意しています。 シリアルペリフェラルインターフェイス(SPI)はクロック入力(SCK)、データ入力(SI)、データ出力(SO)信号が必要な場合に利用します。 このデバイスの動作はホールドピン(HOLD)から一時停止できます。これにより、チップセレクト(CS)ピンから定義されている優先度の高い割り込みを除く入力が無視されます。. 特長. 最大クロック: 10 MHz 最大書き込み電流: 5 mA 読み取り電流: 6 mA (標準) スタンバイ電流: 1 μA (標準) 32，768 x 8ビット構成 64バイトページ セルフ時限の消去及び書き込みサイクル: 5 ms (最大) ブロック書き込み保護: 保護なし、1/4、1/2、全アレイ 内蔵書込み保護: 電源オン / オフ時データ保護回路、書き込み有効ラッチ、書き込み保護ピン シーケンシャル読み取り 耐久性: >1 M回の消去 / 書き込み データ保持: >200年間 ESD保護: >4000 V

24AA32A/24LC32A I2C-シリアルEEPROM. Microchipの24AA32A/24LC32Aファミリのデバイスは、32 KビットI2C-シリアルEEPROMです。さまざまなパッケージ、温度、電源タイプを用意しています。特長. シングル電源(24AA32Aデバイスは最低1.7 V、24LC32Aデバイスは最低2.5 Vで動作) 低電力CMOS技術: 有効電流1 mA (標準)、スタンバイ電流1 μA (標準) 2線シリアルインターフェイス、I2C互換 シュミットトリガ入力でノイズを抑制 出力スロープ制御でグランドバウンスを除去 100 kHz及び400 kHzのクロック互換性 ページの書き込み時間: 5 ms (最大) セルフ時限の消去 / 書き込みサイクル 32バイトのページ書き込みバッファ ハードウェア書き込み保護 ESD保護: >4，000 V 100万回を超える消去 / 書き込みサイクル データ保持: >200年間

MCP413x/415x/423x/425xデジタルポテンショメータ. Microchip MCP413x、MCP415x、MCP423x及びMCP425xシリーズのデバイスは、SPIインターフェイスを備えたデジタルポテンショメータです。 不揮発性のRAMメモリを搭載しています。 7ビット(129ステップ)及び8ビット(257ステップ)のタイプには、5 → 100 kΩの多様なRAB抵抗オプションが用意されています。 さらに、可変抵抗器とポテンショメータのピン配置も用意しており、シングル / デュアル抵抗器ネットワークのオプションも用意しています。. 特長. ゼロスケール-フルスケールのワイパー動作 低ワイパー抵抗: 75 Ω (標準) 低い温度係数: アブソリュート(可変抵抗器) 50 ppm、レシオメトリック(ポテンショメータ) 15 ppm (標準) SPIシリアルインターフェイス 抵抗ネットワーク端子切断機能 ブラウンアウトリセット保護: 1.5 V (標準) シリアルインターフェイス非動作時電流: 2.5 uA (標準) 高電圧許容デジタル入力: 最大12.5 V レールスプリット用途に対応 すべてのデジタル入力に対する内部プルアップ抵抗が弱い 幅広い動作電圧: 1.8 → 5.5 V 広帯域幅(-3 dB)の動作: 5.0 kΩデバイスの場合は2 MHz (標準). モデルによって異なる. ポテンショメータワイパーの構成: MCP4131、MCP4151、MCP4231、MCP4251 可変抵抗器ワイパーの構成: MCP4132、MCP4152、MCP4232、MCP4252 シングル抵抗ネットワーク: MCP4131、MCP4132、MCP4151、MCP4152 デュアル抵抗ネットワーク: MCP4231、MCP4232、MCP4251、MCP4252 7ビット、128抵抗器(129ステップ): MCP4131、MCP4132、MCP4231、MCP4232 8ビット、256抵抗器(257ステップ): MCP4151、MCP4152、MCP4251、MCP4252

24AA256/24FC256 / 24LC256 I2C-シリアルEEPROM

24AA64/24FC64/24LC64 I2C シリアルEEPROM. Microchipの24AA64/24FC64/24LC64ファミリのデバイスは、64 KビットI2C シリアルEEPROMです。各種のパッケージ、温度、電源のバージョンが揃っています。. 特長. 単独の電源で1.7 V (24AA64/24FC64デバイス)、2.5 V (24LC64デバイス)で動作 低消費電力CMOSテクノロジー: 読み取り電流: 3 mA (最大)、スタンバイ電流1 μA (最大) 2線シリアルインターフェイス、I2C 互換 3本のアドレスピンのパッケージは最大8台のデバイスにカスケード可能 シュミットトリガ入力でノイズを抑制 出力スロープ制御でグランドバウンスを除去 100 kHz及び400 kHzのクロック互換性 24FC64モデル用の1 MHzクロック ページの書き込み時間: 5 ms (最大) セルフ時限の消去 / 書き込みサイクル 32バイトのページ書き込みバッファ ハードウェア書き込み保護 ESD保護 4，000 V 100万回を超える消去 / 書き込みサイクル データ保持200年間

Microchip AT27C020 2 Mb の低消費電力、高性能ワンタイムプログラマブル EPROM は、 256 K ビット x 8 として構成されています。4.5 → 5.5 V の電圧範囲で動作します。通常の読み取りモードでの標準消費電力はわずか 8 mA で、スタンバイモードの供給電流は標準で 10 μ A 未満です。どのバイトにも 55 ns 未満でアクセスできるため、高性能マイクロプロセッサシステムでの速度低減 WAIT ステートが不要になります。低電力 CMOS 動作 アクセス時間は 90 ns です ESD 保護： 2 、 000 V ラッチアップ耐性： 200 mA Rapid Programming アルゴリズム： 100 μ s/ バイト(標準) CMOS及びTTL互換入出力 製品識別コードを内蔵 使用温度範囲： -40 → 85 ° C 32 リード、プラスチック J リード付きチップキャリア( PLCC )パッケージ

メモリサイズ = 32kbit。インターフェースタイプ = シリアル-SPI。パッケージタイプ = SOIC-8。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 8。構成 = 4 K x 8ビット。動作供給電圧 Min = 1.8 V。動作供給電圧 Max = 5.5 V。プログラミング電圧 = 1.8 → 5.5V。1ワード当たりのビット数 = 8bit。寸法 = 4.9 x 3.9 x 1.5mm。ワード数 = 4k。Microchip AT25320B シリーズ EEPROM は、シリアルペリフェラルインターフェイス( SPI )互換の 32 K ビットシリアル読み取り専用 EEPROM です。このデバイスは、低消費電力と低電圧動作が不可欠な多くの産業及び商業用途での使用に最適化されています。産業用温度定格: -40 → +85 ℃ ハードウェアとソフトウェアの両方のデータ保護のための書き込み保護( WP )ピン及び書き込みディセーブル命令 64 バイトのページ書き込みモード 自己タイミング書き込みサイクルは最大 5 ms 以内 高い信頼性

メモリサイズ = 256kbit。インターフェースタイプ = シリアル-SPI。パッケージタイプ = SOIC-8。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 8。構成 = 32 K x 8ビット。動作供給電圧 Min = 1.8 V。動作供給電圧 Max = 5.5 V。プログラミング電圧 = 1.8 → 5.5V。1ワード当たりのビット数 = 8bit。寸法 = 4.9 x 3.9 x 1.5mm。ワード数 = 32k。Microchip AT25256B シリーズ EEPROM は、シリアルペリフェラルインターフェース( SPI )互換の 256 K ビットシリアル読み取り専用 EEPROM です。このデバイスは、低消費電力と低電圧動作が不可欠な多くの産業及び商業用途での使用に最適化されています。産業用温度定格: -40 → +85 ℃ ハードウェアとソフトウェアの両方のデータ保護のための書き込み保護( WP )ピン及び書き込みディセーブル命令 64 バイトのページ書き込みモード 自己タイミング書き込みサイクルは最大 5 ms 以内 高い信頼性

メモリサイズ = 64kbit。インターフェースタイプ = パラレル。パッケージタイプ = PLCC。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 32。構成 = 8 K x 8ビット。動作供給電圧 Min = 4.5 V。動作供給電圧 Max = 5.5 V。プログラミング電圧 = 4.5 → 5.5V。1ワード当たりのビット数 = 8bit。寸法 = 11.5 x 14.04 x 3.17mm。ワード数 = 8Kns。Microchip AT28HC64BFは、高パフォーマンスの64 KビットパラレルEEPROMで、220 mWの消費電力で、55 nsのアクセス時間を提供しています。選択解除時のCMOSスタンバイ電流は100 μA未満です。外部コンポーネントなしで、読み取り / 書き込みサイクルで静的RAMのようにアクセスされます。64バイトのページレジスタを使用し、最大64バイトの書き込みを同時に実行できます。オプションのソフトウェアデータ保護メカニズムは、不注意による書き込みを防止し、さらに追加の64バイトのEEPROMにより、デバイスの識別や追跡を可能にします。その他の特長: 8 Kビット x 8 (64 Kビット) 5 V ±10 %電源 パラレルインターフェイス アクセス時間: 70 ns セルフ時限の消去及び書き込みサイクル ページの書き込みとバイトの書き込み 書き込み検出終了のデータポーリング 2 ms最大オプション 低電力消費: 読み取り / 書き込み電流: 40 mA (最大) スタンバイ電流: TTL 2 mA (最大)、CMOS: 100 μA (最大) 書き込み保護 ハードウェア保護 ソフトウェアデータ保護 10万回を超える消去 / 書き込みサイクル データ保持: > 10年