「ns-2」の検索結果

メモリサイズ = 2Mbit。構成 = 256 K x 8ビット。最大ランダムアクセス時間 = 55ns。再ブログラミング技術 = OTP。実装タイプ = スルーホール。パッケージタイプ = PDIP。ピン数 = 32。寸法 = 42.29 x 13.97 x 4.44mm。標準動作供給電圧 = 5 Vbit。EPROM (ワンタイムプログラマブル)、 Atmel

Microchip AT28HC64BFは、高パフォーマンスの64 KビットパラレルEEPROMで、220 mWの消費電力で、55 nsのアクセス時間を提供しています。選択解除時のCMOSスタンバイ電流は100 μA未満です。外部コンポーネントなしで、読み取り / 書き込みサイクルで静的RAMのようにアクセスされます。64バイトのページレジスタを使用し、最大64バイトの書き込みを同時に実行できます。オプションのソフトウェアデータ保護メカニズムは、不注意による書き込みを防止し、さらに追加の64バイトのEEPROMにより、デバイスの識別や追跡を可能にします。その他の特長: 8 Kビット x 8 (64 Kビット) 5 V ±10 %電源 パラレルインターフェイス アクセス時間: 70 ns セルフ時限の消去及び書き込みサイクル ページの書き込みとバイトの書き込み 書き込み検出終了のデータポーリング 2 ms最大オプション 低電力消費: 読み取り / 書き込み電流: 40 mA (最大) スタンバイ電流: TTL 2 mA (最大)、CMOS: 100 μA (最大) 書き込み保護 ハードウェア保護 ソフトウェアデータ保護 10万回を超える消去 / 書き込みサイクル データ保持: > 10年

メモリサイズ = 64kbit。インターフェースタイプ = パラレル。パッケージタイプ = PLCC。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 32。構成 = 8 K x 8ビット。動作供給電圧 Min = 4.5 V。動作供給電圧 Max = 5.5 V。プログラミング電圧 = 4.5 → 5.5V。1ワード当たりのビット数 = 8bit。寸法 = 11.5 x 14.04 x 3.17mm。ワード数 = 8Kns。Microchip AT28HC64BFは、高パフォーマンスの64 KビットパラレルEEPROMで、220 mWの消費電力で、55 nsのアクセス時間を提供しています。選択解除時のCMOSスタンバイ電流は100 μA未満です。外部コンポーネントなしで、読み取り / 書き込みサイクルで静的RAMのようにアクセスされます。64バイトのページレジスタを使用し、最大64バイトの書き込みを同時に実行できます。オプションのソフトウェアデータ保護メカニズムは、不注意による書き込みを防止し、さらに追加の64バイトのEEPROMにより、デバイスの識別や追跡を可能にします。その他の特長: 8 Kビット x 8 (64 Kビット) 5 V ±10 %電源 パラレルインターフェイス アクセス時間: 70 ns セルフ時限の消去及び書き込みサイクル ページの書き込みとバイトの書き込み 書き込み検出終了のデータポーリング 2 ms最大オプション 低電力消費: 読み取り / 書き込み電流: 40 mA (最大) スタンバイ電流: TTL 2 mA (最大)、CMOS: 100 μA (最大) 書き込み保護 ハードウェア保護 ソフトウェアデータ保護 10万回を超える消去 / 書き込みサイクル データ保持: > 10年

MIC4426 / 4427 / 4428ファミリは、BiCMOS / DMOSプロセスで製造された信頼性の高いデュアルローサイドMOSFETドライバで、低消費電力と高効率を実現します。このドライバは、TTL又はCMOS入力ロジックレベルを正の供給電圧又は接地の25 mV以内でスイングする出力電圧レベルに変換します。同等品のバイポーラデバイスは、供給電圧の1 V以内でのみスイングすることができます。MIC4426 / 7 / 8には、デュアル反転、デュアル非反転、1つの反転 / 1つの非反転出力の3つの構成を用意しています。バイポーラ / CMOS / DMOS構造 逆電流に対するラッチアップ保護: >500 mA ピーク出力電流: 1.5 A 動作電圧範囲: 4.5 → 18 V 低静止供給電流 4 mA、ロジック1入力 バイポーラ / CMOS / DMOS構造 逆電流に対するラッチアップ保護: >500 mA ピーク出力電流: 1.5 A 動作電圧範囲: 4.5 → 18 V 低静止供給電流 4 mA、ロジック1入力 400 μA、ロジック0入力 25 nsで1000 pFを切り替え可能 調和のとれた立ち上り / 立ち下り時間 出力インピーダンス: 7 Ω 遅延時間: <40 ns (標準)

MIC4126、MIC4127、及びMIC4128ファミリは、BiCMOS / DMOSプロセスで製造された、信頼性の高いデュアル1.5 AローサイドMOSFETドライバです。低消費電力と高効率が特長です。MIC4126/27/28は、TTL又はCMOS入力ロジックレベルを、正の電源又は接地から25 mV以内でスイングする出力電圧レベルに変換します。同等のバイポーラデバイスのスイングは、電源の1 V以内にしかなりません。露出した裏面パッドパッケージにより熱を低減 バイポーラ / CMOS / DMOS構造 電源又は接地からの最大出力オフセット: 25 mV ラッチアップ保護: >500 mAの逆電流 25 nsで1000 pFを切り替え 供給電圧に依存しないロジック入力しきい値 ロジック入力保護: -5 V 等価入力容量: 6 pF (標準) デュアル反転、デュアル非反転、及びコンプリメンタリ構成 ジャンクション動作温度範囲: -40 → +125 ℃

24AA256/24FC256 24LC256 I2C-シリアルEEPROM

EPROM (ワンタイムプログラマブル)、 Atmel

メモリサイズ = 2kbit。インターフェースタイプ = シリアル-I2C。パッケージタイプ = TSSOP。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 8。構成 = 256 x 8ビット。動作供給電圧 Min = 1.7 V。動作供給電圧 Max = 3.6 V。プログラミング電圧 = 1.7 → 3.6V。1ワード当たりのビット数 = 8bit。寸法 = 3.1 x 4.5 x 1.05mm。ワード数 = 256ns。MicrochipAT24C02D シリーズは、 2 K ビットのシリアル EEPROM です。デバイス通信は、単一の I/O ピンを介して行われます。 8 バイトのページ書き込みまたは 1 バイトの書き込みが可能です。このデバイスは、ウエハーフォーム、テープ、リールなどのダイセールオプションで構成されています。低電圧動作 フィルタ処理されたシュミットトリガ入力でノイズを抑制 双方向データ転送プロトコル 書き込み保護ピンでフルアレイのハードウェアデータ保護 ランダム及びシーケンシャル読み取りモード 高い信頼性

TC4467 / 4468 / 4469 MOSFETドライバ. Microchip TC4467、TC4468、TC4469は、4出力ローサイドMOSFETドライバのシリーズです。 これらのMOSFETドライバでは、各出力用の2つの入力をロジックゲートとして設定しています。. 特長. 動作範囲: 4.5 → 18 V 対称立ち上がり及び立下り: 25 ns 短い等価遅延時間: 75 ns ラッチ防止 - 500 mAの誘導性キックバックに耐える 出力あたり2つの入力ロジックゲート - TC4467用のNAND、TC4468用のAND、TC4469用のAND/INV すべてのピンに2 kV ESD保護

Microchip CAN 8ビットマイクロコントローラファミリの最初のメンバーで、CANネットワーク用途に対応しています。このマイクロコントローラには、ISP機能を備えた32 KBフラッシュメモリ、2 KB EEPROM、1.2 KB RAMが組み込まれています。X2モードでは、最大外部クロックレート20 MHzで300 nsサイクル時間に達します。このデバイスは、電磁放射の抑制に特別な注意が払われています。

ファミリー名 = AT89C51。パッケージタイプ = VQFP。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 64。デバイスコア = 80C51。データバス幅 = 8bit。プログラムメモリサイズ = 64 kB。最大周波数 = 40MHz。RAMサイズ = 2.048 kB。USBチャンネル = 0。PWMユニット数 = 1 x 8 bit。SPIチャンネル数 = 1。標準動作供給電圧 = 5.5 (最大) V。ADC数 = 8 x 10ビットmm。Microchip 8ビットマイクロコントローラ: CANコントローラと64 KBフラッシュX2モードでは、最大外部クロックレート20 MHzで300 nsサイクル時間に達します。このデバイスには、フルCANコントローラの他に、ISP機能を備えた64 KBフラッシュメモリ、2 KBブートフラッシュメモリ、2 KB EEPROM、2048バイトERAMが組み込まれています。電磁放射の抑制に根本的な注意が払われています。80C51コアアーキテクチャ オンチップRAM: 256バイト オンチップERAM: 2048バイト 64 Kバイトのオンチップフラッシュメモリ データ保持: 10年 @ 85 ℃ 読み取り / 書き込みサイクル: 100 K ブートローダー用の2 Kバイトオンチップフラッシュ 2 KバイトのオンチップEEPROM 読み取り / 書き込みサイクル: 100 K 内蔵電源モニタ(POR: PFD)、内部電源を監視 14ソース4レベル割り込み 16ビットタイマ / カウンター x 3 全二重UART互換80C51 高速アーキテクチャ

Microchip AT27C020 2 Mb の低消費電力、高性能ワンタイムプログラマブル EPROM は、 256 K ビット x 8 として構成されています。4.5 → 5.5 V の電圧範囲で動作します。通常の読み取りモードでの標準消費電力はわずか 8 mA で、スタンバイモードの供給電流は標準で 10 μ A 未満です。どのバイトにも 55 ns 未満でアクセスできるため、高性能マイクロプロセッサシステムでの速度低減 WAIT ステートが不要になります。低電力 CMOS 動作 アクセス時間は 90 ns です ESD 保護： 2 、 000 V ラッチアップ耐性： 200 mA Rapid Programming アルゴリズム： 100 μ s/ バイト(標準) CMOS及びTTL互換入出力 製品識別コードを内蔵 使用温度範囲： -40 → 85 ° C 32 リード、プラスチック J リード付きチップキャリア( PLCC )パッケージ

24AA16 24LC16B I2C-シリアルEEPROM