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MICROCHIPEPROM Microchip
エコ商品
メモリサイズ = 2Mbit。構成 = 256 K x 8ビット。最大ランダムアクセス時間 = 55ns。再ブログラミング技術 = OTP。実装タイプ = スルーホール。パッケージタイプ = PDIP。ピン数 = 32。寸法 = 42.29 x 13.97 x 4.44mm。標準動作供給電圧 = 5 Vbit。EPROM (ワンタイムプログラマブル)、 Atmel
RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(12個)
11,980 税込13,178
5日以内出荷

MICROCHIPOTP EPROMメモリ Microchip
エコ商品
Microchip AT27C020 2 Mb の低消費電力、高性能ワンタイムプログラマブル EPROM は、 256 K ビット x 8 として構成されています。4.5 → 5.5 V の電圧範囲で動作します。通常の読み取りモードでの標準消費電力はわずか 8 mA で、スタンバイモードの供給電流は標準で 10 μ A 未満です。どのバイトにも 55 ns 未満でアクセスできるため、高性能マイクロプロセッサシステムでの速度低減 WAIT ステートが不要になります。低電力 CMOS 動作 アクセス時間は 90 ns です ESD 保護: 2 、 000 V ラッチアップ耐性: 200 mA Rapid Programming アルゴリズム: 100 μ s/ バイト(標準) CMOS及びTTL互換入出力 製品識別コードを内蔵 使用温度範囲: -40 → 85 ° C 32 リード、プラスチック J リード付きチップキャリア( PLCC )パッケージ
仕様メモリサイズ = 2000kbit構成 = 256K x 8最大ランダムアクセス時間 = 55nsプログラミング電圧 = 5V再ブログラミング技術 = OTP実装タイプ = スルーホールパッケージタイプ = PDIPピン数 = 32寸法 = 42.29 x 13.97 x 4.44mmワード数 = 256Kbit RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(2個)
1,798 税込1,978
5日以内出荷

Microchip AT28HC64BFは、高パフォーマンスの64 KビットパラレルEEPROMで、220 mWの消費電力で、55 nsのアクセス時間を提供しています。選択解除時のCMOSスタンバイ電流は100 μA未満です。外部コンポーネントなしで、読み取り / 書き込みサイクルで静的RAMのようにアクセスされます。64バイトのページレジスタを使用し、最大64バイトの書き込みを同時に実行できます。オプションのソフトウェアデータ保護メカニズムは、不注意による書き込みを防止し、さらに追加の64バイトのEEPROMにより、デバイスの識別や追跡を可能にします。その他の特長: 8 Kビット x 8 (64 Kビット) 5 V ±10 %電源 パラレルインターフェイス アクセス時間: 70 ns セルフ時限の消去及び書き込みサイクル ページの書き込みとバイトの書き込み 書き込み検出終了のデータポーリング 2 ms最大オプション 低電力消費: 読み取り / 書き込み電流: 40 mA (最大) スタンバイ電流: TTL 2 mA (最大)、CMOS: 100 μA (最大) 書き込み保護 ハードウェア保護 ソフトウェアデータ保護 10万回を超える消去 / 書き込みサイクル データ保持: > 10年
仕様メモリサイズ = 64kbitインターフェースタイプ = パラレルパッケージタイプ = SOIC実装タイプ = 表面実装ピン数 = 28構成 = 8 K x 8ビット動作供給電圧 Min = 4.5 V動作供給電圧 Max = 5.5 Vプログラミング電圧 = 4.5 → 5.5V1ワード当たりのビット数 = 8bit寸法 = 18.1 x 7.6 x 2.35mm動作温度 Max = +85 ℃ns RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(2個)
2,198 税込2,418
5日以内出荷

メモリサイズ = 64kbit。インターフェースタイプ = パラレル。パッケージタイプ = PLCC。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 32。構成 = 8 K x 8ビット。動作供給電圧 Min = 4.5 V。動作供給電圧 Max = 5.5 V。プログラミング電圧 = 4.5 → 5.5V。1ワード当たりのビット数 = 8bit。寸法 = 11.5 x 14.04 x 3.17mm。ワード数 = 8Kns。Microchip AT28HC64BFは、高パフォーマンスの64 KビットパラレルEEPROMで、220 mWの消費電力で、55 nsのアクセス時間を提供しています。選択解除時のCMOSスタンバイ電流は100 μA未満です。外部コンポーネントなしで、読み取り / 書き込みサイクルで静的RAMのようにアクセスされます。64バイトのページレジスタを使用し、最大64バイトの書き込みを同時に実行できます。オプションのソフトウェアデータ保護メカニズムは、不注意による書き込みを防止し、さらに追加の64バイトのEEPROMにより、デバイスの識別や追跡を可能にします。その他の特長: 8 Kビット x 8 (64 Kビット) 5 V ±10 %電源 パラレルインターフェイス アクセス時間: 70 ns セルフ時限の消去及び書き込みサイクル ページの書き込みとバイトの書き込み 書き込み検出終了のデータポーリング 2 ms最大オプション 低電力消費: 読み取り / 書き込み電流: 40 mA (最大) スタンバイ電流: TTL 2 mA (最大)、CMOS: 100 μA (最大) 書き込み保護 ハードウェア保護 ソフトウェアデータ保護 10万回を超える消去 / 書き込みサイクル データ保持: > 10年
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(2個)
1,998 税込2,198
5日以内出荷



MICROCHIPEPROM Microchip
エコ商品
EPROM (ワンタイムプログラマブル)、 Atmel
仕様メモリサイズ = 2Mbit構成 = 256 K x 8ビット最大ランダムアクセス時間 = 55ns再ブログラミング技術 = OTP実装タイプ = スルーホールパッケージタイプ = PLCCピン数 = 32寸法 = 14.04 x 11.5 x 3.17mmワード数 = 256Kbit RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(2個)
1,498 税込1,648
5日以内出荷

仕様●メモリサイズ 4MB●インターフェースタイプ パラレル●パッケージタイプ PLCC●ピン数 32●構成 512 x 8ビット●実装タイプ 表面実装●セルタイプ スプリットゲート●動作供給電圧 Min 4.5 V●動作供給電圧 Max 5.5 V●ブロック構成 対称●長さ 14.05mm●高さ 2.84mm●幅 11.51mm●寸法 14.05 11.51 2.84mm●1ワード当たりのビット数 8bit●SST39SF010A/020A/040パラレルSuperFlashRメモリ. Microchip製のSST39SF010A/020A/040ファミリのデバイスは●パラレルの多目的SuperFlashRメモリICです。. 特長. 4.5-5.5 V読み取り及び書き込み操作 耐久性 100000回(標準) 低消費電力 アクティブ電流10 mA●スタンバイ電流30 μA (14 MHzでの標準値) セクタ消去機能: 均一な4 KBセクタ 読み取りアクセス時間: 55 70 ns セクタ消去時間: 18 ms チップ消去時間: 70 ms(標準) バイトプログラム時間 14 μs(標準) チップ書換え時間 SST39SF010A 2秒●SST39SF020A 4秒●SST39SF040 8秒(標準値) ラッチ付きアドレス及びデータ 自動書き込み時間 内部VPP生成 End-of-Write検出 トグルビット データ#ポーリング TTL I/O互換品 JEDEC規格 フラッシュEEPROMピン配列及びコマンドセット RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(5個)
2,298 税込2,528
7日以内出荷


仕様●メモリサイズ 2MB●インターフェースタイプ パラレル●パッケージタイプ PDIP●ピン数 32●構成 256 x 8ビット●実装タイプ スルーホール●セルタイプ スプリットゲート●動作供給電圧 Min 4.5 V●動作供給電圧 Max 5.5 V●ブロック構成 対称●長さ 42.04mm●高さ 3.81mm●幅 13.97mm●寸法 42.04 13.97 3.81mm●シリーズ SST39ns●SST39SF010A/020A/040パラレルSuperFlashRメモリ. Microchip製のSST39SF010A/020A/040ファミリのデバイスは●パラレルの多目的SuperFlashRメモリICです。. 特長. 4.5-5.5 V読み取り及び書き込み操作 耐久性 100000回(標準) 低消費電力 アクティブ電流10 mA●スタンバイ電流30 μA (14 MHzでの標準値) セクタ消去機能: 均一な4 KBセクタ 読み取りアクセス時間: 55 70 ns セクタ消去時間: 18 ms チップ消去時間: 70 ms(標準) バイトプログラム時間 14 μs(標準) チップ書換え時間 SST39SF010A 2秒●SST39SF020A 4秒●SST39SF040 8秒(標準値) ラッチ付きアドレス及びデータ 自動書き込み時間 内部VPP生成 End-of-Write検出 トグルビット データ#ポーリング TTL I/O互換品 JEDEC規格 フラッシュEEPROMピン配列及びコマンドセット RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(11個)
5,998 税込6,598
7日以内出荷

仕様●メモリサイズ 1MB●インターフェースタイプ パラレル●パッケージタイプ PLCC●ピン数 32●構成 128 x 8ビット●実装タイプ 表面実装●セルタイプ スプリットゲート●動作供給電圧 Min 4.5 V●動作供給電圧 Max 5.5 V●ブロック構成 対称●長さ 14.05mm●高さ 2.84mm●幅 11.51mm●寸法 14.05 11.51 2.84mm●シリーズ SST39bit●SST39SF010A/020A/040パラレルSuperFlashRメモリ. Microchip製のSST39SF010A/020A/040ファミリのデバイスは●パラレルの多目的SuperFlashRメモリICです。. 特長. 4.5-5.5 V読み取り及び書き込み操作 耐久性 100000回(標準) 低消費電力 アクティブ電流10 mA●スタンバイ電流30 μA (14 MHzでの標準値) セクタ消去機能: 均一な4 KBセクタ 読み取りアクセス時間: 55 70 ns セクタ消去時間: 18 ms チップ消去時間: 70 ms(標準) バイトプログラム時間 14 μs(標準) チップ書換え時間 SST39SF010A 2秒●SST39SF020A 4秒●SST39SF040 8秒(標準値) ラッチ付きアドレス及びデータ 自動書き込み時間 内部VPP生成 End-of-Write検出 トグルビット データ#ポーリング TTL I/O互換品 JEDEC規格 フラッシュEEPROMピン配列及びコマンドセット RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(30個)
9,898 税込10,888
7日以内出荷

仕様●メモリサイズ 4Mbit●インターフェースタイプ パラレル●パッケージタイプ PLCC●ピン数 32●構成 512 x 8ビット●実装タイプ 表面実装●セルタイプ スプリットゲート●動作供給電圧 Min 4.5 V●動作供給電圧 Max 5.5 V●ブロック構成 対称●長さ 14.05mm●高さ 2.84mm●幅 11.51mm●寸法 11.51 14.05 2.84mm●最大ランダムアクセス時間 70ns●SST39SF010A/020A/040パラレルSuperFlashRメモリ. Microchip製のSST39SF010A/020A/040ファミリのデバイスは●パラレルの多目的SuperFlashRメモリICです。. 特長. 4.5-5.5 V読み取り及び書き込み操作 耐久性 100000回(標準) 低消費電力 アクティブ電流10 mA●スタンバイ電流30 μA (14 MHzでの標準値) セクタ消去機能: 均一な4 KBセクタ 読み取りアクセス時間: 55 70 ns セクタ消去時間: 18 ms チップ消去時間: 70 ms(標準) バイトプログラム時間 14 μs(標準) チップ書換え時間 SST39SF010A 2秒●SST39SF020A 4秒●SST39SF040 8秒(標準値) ラッチ付きアドレス及びデータ 自動書き込み時間 内部VPP生成 End-of-Write検出 トグルビット データ#ポーリング TTL I/O互換品 JEDEC規格 フラッシュEEPROMピン配列及びコマンドセット RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(2個)
889 税込978
7日以内出荷

仕様●メモリサイズ 1MB●インターフェースタイプ パラレル●パッケージタイプ PLCC●ピン数 32●構成 128 x 8ビット●実装タイプ 表面実装●セルタイプ スプリットゲート●動作供給電圧 Min 4.5 V●動作供給電圧 Max 5.5 V●ブロック構成 対称●長さ 14.05mm●高さ 2.84mm●幅 11.51mm●寸法 14.05 11.51 2.84mm●ワード数 128Kbit●SST39SF010A/020A/040パラレルSuperFlashRメモリ. Microchip製のSST39SF010A/020A/040ファミリのデバイスは●パラレルの多目的SuperFlashRメモリICです。. 特長. 4.5-5.5 V読み取り及び書き込み操作 耐久性 100000回(標準) 低消費電力 アクティブ電流10 mA●スタンバイ電流30 μA (14 MHzでの標準値) セクタ消去機能: 均一な4 KBセクタ 読み取りアクセス時間: 55 70 ns セクタ消去時間: 18 ms チップ消去時間: 70 ms(標準) バイトプログラム時間 14 μs(標準) チップ書換え時間 SST39SF010A 2秒●SST39SF020A 4秒●SST39SF040 8秒(標準値) ラッチ付きアドレス及びデータ 自動書き込み時間 内部VPP生成 End-of-Write検出 トグルビット データ#ポーリング TTL I/O互換品 JEDEC規格 フラッシュEEPROMピン配列及びコマンドセット RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(10個)
2,998 税込3,298
7日以内出荷

仕様メモリサイズ:4Mbit、インターフェースタイプ:パラレル、パッケージタイプ:PLCC、ピン数:32、構成:512 K x 8ビット、実装タイプ:表面実装、セルタイプ:スプリットゲート、動作供給電圧 Min:4.5 V、動作供給電圧 Max:5.5 V、長さ:11.43mm、高さ:2.79mm、幅:13.97mm、寸法:11.43 x 13.97 x 2.79mm、ワード数:512K、SST39SF010A/020A/040パラレルSuperFlashRメモリ. Microchip製のSST39SF010A/020A/040ファミリのデバイスは、パラレルの多目的SuperFlashRメモリICです。特長. 4.5-5.5 V読み取り及び書き込み操作 耐久性ー100,000回(標準) 低消費電力 - アクティブ電流10 mA、スタンバイ電流30 μA (14 MHzでの標準値) セクタ消去機能: 均一な4 KBセクタ 読み取りアクセス時間: 55 → 70 ns セクタ消去時間: 18 ms チップ消去時間: 70 ms(標準) バイトプログラム時間ー14 μs(標準) チップ書換え時間ーSST39SF010A 2秒、SST39SF020A 4秒、SST39SF040 8秒(標準値) ラッチ付きアドレス及びデータ 自動書き込みー内部VPP生成 End-of-Write検出ートグルビットーデータ#ポーリング TTL I/O互換品 JEDEC規格ーフラッシュEEPROMピン配列及びコマンドセット RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(5個)
2,398 税込2,638
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仕様●最大スイッチング周波数: 3 MHz●出力電圧: 4.16 V●出力電流: 10 mA●出力数: 1●実装タイプ: 表面実装ns●パッケージタイプ: SOICns●ピン数: 16●最大デューティサイクル: 49.6%●長さ: 10mm●幅: 4mm●高さ: 1.65mm●動作温度 Min: -55 ℃●HV912xシリーズ高電圧電流モードPWMコントローラ. Microchip HV912xシリーズ高電圧電流モードPWMコントローラは、スイッチモード電源(SMPS)コントローラサブシステムです。この製品は、12 V電池や、整流器 / フィルタ付き240 V acラインなど、ほとんどのDC入力から直接起動して実行することができます。 これらのデバイスは高電圧入力から直接自己起動した後、制御対象のコンバータのいずれかの出力から電力を受け取って動作します。これにより、非常に効率の高い操作が可能になると同時に、関連する磁気アセンブリの絶縁システム電圧のみで制限される入力-出力間のガルバニック絶縁が維持されます。 ±2 %の内部バンドギャップリファレンス、内部オペアンプ、超高速コンパレータ、及び出力バッファにより、頑丈で、性能と効率の高い、50 W以上の電力供給が実現します。これにより、1.0 W以下の出力で80 %を超える効率が達成します。 リモートオン / オフ制御により、リモートシャットダウンのラッチ又はラッチ解除が可能になります。 シャットダウン中、必要な電源は6.0 mWです。. 特長. 入力電圧範囲: 10 → 450 V ;供給電流: 1.3 mA >クロック速度: 1.0 MHz >20:1ダイナミックレンジ @ 500 kHz 内部ノイズが低い. 代表的用途. オフライン高周波電源 ユニバーサル入力電源 高密度電源 非常に効率の高いスイッチング電源 負荷範囲は非常に広い電源 RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(5個)
2,398 税込2,638
7日以内出荷

仕様●最大スイッチング周波数: 3 MHz●出力電圧: 4.16 V●出力電流: 10 mA●コントロール方法: 電流, 電圧●実装タイプ: スルーホールns●パッケージタイプ: PDIPns●ピン数: 16●最大デューティサイクル: 49.6%●長さ: 20.57mm●幅: 0.28インチ●高さ: 4.95mm●動作温度 Min: -55 ℃●HV912xシリーズ高電圧電流モードPWMコントローラ. Microchip HV912xシリーズ高電圧電流モードPWMコントローラは、スイッチモード電源(SMPS)コントローラサブシステムです。この製品は、12 V電池や、整流器 / フィルタ付き240 V acラインなど、ほとんどのDC入力から直接起動して実行することができます。 これらのデバイスは高電圧入力から直接自己起動した後、制御対象のコンバータのいずれかの出力から電力を受け取って動作します。これにより、非常に効率の高い操作が可能になると同時に、関連する磁気アセンブリの絶縁システム電圧のみで制限される入力-出力間のガルバニック絶縁が維持されます。 ±2 %の内部バンドギャップリファレンス、内部オペアンプ、超高速コンパレータ、及び出力バッファにより、頑丈で、性能と効率の高い、50 W以上の電力供給が実現します。これにより、1.0 W以下の出力で80 %を超える効率が達成します。 リモートオン / オフ制御により、リモートシャットダウンのラッチ又はラッチ解除が可能になります。 シャットダウン中、必要な電源は6.0 mWです。. 特長. 入力電圧範囲: 10 → 450 V ;供給電流: 1.3 mA >クロック速度: 1.0 MHz >20:1ダイナミックレンジ @ 500 kHz 内部ノイズが低い. 代表的用途. オフライン高周波電源 ユニバーサル入力電源 高密度電源 非常に効率の高いスイッチング電源 負荷範囲は非常に広い電源 RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(5個)
1,998 税込2,198
欠品中

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