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パラレルアクセスEEPROM、Microchip

MIC4426 / 4427 / 4428ファミリは、BiCMOS / DMOSプロセスで製造された信頼性の高いデュアルローサイドMOSFETドライバで、低消費電力と高効率を実現します。このドライバは、TTL又はCMOS入力ロジックレベルを正の供給電圧又は接地の25 mV以内でスイングする出力電圧レベルに変換します。同等品のバイポーラデバイスは、供給電圧の1 V以内でのみスイングすることができます。MIC4426 / 7 / 8には、デュアル反転、デュアル非反転、1つの反転 / 1つの非反転出力の3つの構成を用意しています。バイポーラ / CMOS / DMOS構造 逆電流に対するラッチアップ保護: >500 mA ピーク出力電流: 1.5 A 動作電圧範囲: 4.5 → 18 V 低静止供給電流 4 mA、ロジック1入力 バイポーラ / CMOS / DMOS構造 逆電流に対するラッチアップ保護: >500 mA ピーク出力電流: 1.5 A 動作電圧範囲: 4.5 → 18 V 低静止供給電流 4 mA、ロジック1入力 400 μA、ロジック0入力 25 nsで1000 pFを切り替え可能 調和のとれた立ち上り / 立ち下り時間 出力インピーダンス: 7 Ω 遅延時間: <40 ns (標準)

メモリサイズ = 1kbit。インターフェースタイプ = I2C (2線)。パッケージタイプ = JEDEC SOIC。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 8。構成 = 128 x 8ビット。動作供給電圧 Min = 1.7 V。動作供給電圧 Max = 5.5 V。プログラミング電圧 = 1.7 → 5.5V。1ワード当たりのビット数 = 8bit。寸法 = 5.05 x 3.99 x 1.5mm。ワード数 = 128ns。シリアルアクセスEEPROM

メモリサイズ = 16kbit。インターフェースタイプ = シリアル-3ワイヤー。パッケージタイプ = SOIC。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 8。構成 = 1024 x 16ビット、2048 x 8ビット。動作供給電圧 Min = 2.7 V。動作供給電圧 Max = 5.5 V。プログラミング電圧 = 2.7 → 5.5V。1ワード当たりのビット数 = 8 bit， 16bit。寸法 = 4.9 x 3.9 x 1.5mm。ワード数 = 1024， 2048ns。シリアルアクセスEEPROM

Microchip Technology MOSFETMicrochip Technology MOSFET ドライバは、頑丈で、効率的で使いやすいドライバです。非反転ドライバです。MOSFET 9 (ピーク)の出力が可能で、改善された動作マージンで最大の MOSFET を駆動できます。 外付けの速度アップコンデンサや抵抗器ネットワークなしで、 2.4 から VS へのロジック入力に対応します。独自の回路により、部品を損傷することなく、入力を V まで負にスイングできます。特長と利点完全に分離されたプロセスは、すべてのラッチアップに対する本質的な耐性を備えています 大容量負荷駆動は 47，000pF です 高ピーク出力電流は A Peak です 入力は最大 V の負のスイングに耐える 鉛( Pb )フリー 2.4 から VS へのあらゆる電圧のロジック高入力 低等価入力容量 低出力インピーダンス ロジック 入力で 450 A の低供給電流 最小パルス幅は 50ns です ジャンクション動作温度範囲： -40 C 150 C 供給電圧範囲： 4.5 18 V用途クラス スイッチングアンプ MOSFET または IGBT パラレルチップモジュールを駆動 ラインドライバ ローカル電源オン オフスイッチ モータ制御 パルス発生器 パルストランスドライバ スイッチモード電源認定 ANSI/ESD S20.20 2014 BS EN 61340-5-1 2007

SMART SAM3S ARMR Cortex-M3マイクロコントローラ. ARMR CortexR-M3コアをベースにした、AtmelR SMART SAM3Sフラッシュマイクロコントローラ(MCU)は、システム設計を簡素にする機能や、消費電力量を2.3 mW @ 1 MHz、1.45 mW/MHz @ 64 MHz動作、及びリアルタイムクロックを稼動するバックアップモードで1.6 μAに低減する機能を統合しています。 このシリーズもパラレルキャプチャモードや、QTouch静電容量タッチサポートを備えています。

ファミリー名 = SAM4S。パッケージタイプ = LQFP。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 100。デバイスコア = ARM Cortex M4。データバス幅 = 32bit。プログラムメモリサイズ = 1.024 MB。最大周波数 = 120MHz。RAMサイズ = 128 kB。USBチャンネル = 1。PWMユニット数 = 1 x 16 bit。SPIチャンネル数 = 3。標準動作供給電圧 = 1.2 V、3.3 V。ADC数 = 16 x 12ビットmm。SMART SAM4S ARMR Cortex-M4マイクロコントローラ. 強力なARMR CortexR-M4コアをベースとするAtmelR SMART SAM4Sシリーズは、拡張可能な性能、メモリ密度、電力効率を実現します。 ハードウェアコート保護を内蔵しています。

EPROM (ワンタイムプログラマブル)、 Atmel

EPROM (ワンタイムプログラマブル)、 Atmel

EPROM (ワンタイムプログラマブル)、 Atmel

EPROM (ワンタイムプログラマブル)、 Atmel

24AA256/24FC256 24LC256 I2C-シリアルEEPROM

24AA02/24LC02B I2CシリアルEEPROM. Microchipの24AA02/24LC02Bファミリのデバイスは、2 KビットI2C シリアルEEPROMです。各種のパッケージ、温度、電源のバージョンが揃っています。. 特長. 単独の電源で1.7 V (24AA02デバイス)、2.5 V (24LC02Bデバイス)で動作 低消費電力CMOSテクノロジー: 読み取り電流: 1 mA (最大)、スタンバイ電流1 μA (最大) 2線シリアルインターフェイス、I2C互換 シュミットトリガ入力でノイズを抑制 出力スロープ制御でグランドバウンスを除去 100 kHz及び400 kHzのクロック互換性 ページの書き込み時間: 3 ms (標準) セルフ時限の消去 / 書き込みサイクル 8バイトのページ書き込みバッファ ハードウェア書き込み保護 ESD保護 4，000 V 100万回を超える消去 / 書き込みサイクル データ保持: 200年間

24AA02/24LC02B I2C-シリアルEEPROM. Microchipの24AA02/24LC02Bファミリのデバイスは、2 KビットI2-シリアルEEPROMです。各種のパッケージ、温度、電源のバージョンが揃っています。. 特長. 単独の電源で1.7 (24AA02デバイス)、2.5 (24LC02Bデバイス)で動作 低消費電力CMOSテクノロジー: 読み取り電流: mA (最大)、スタンバイ電流1 μA (最大) 2線シリアルインターフェイス、I2C互換 シュミットトリガ入力でノイズを抑制 出力スロープ制御でグランドバウンスを除去 100 kHz及び400 kHzのクロック互換性 ページの書き込み時間: ms (標準) セルフ時限の消去 書き込みサイクル 8バイトのページ書き込みバッファ ハードウェア書き込み保護 ESD保護 4，000 100万回を超える消去 書き込みサイクル データ保持: 200年間

EPROM (ワンタイムプログラマブル)、Atmel

Microchip AT28HC64BFは、高パフォーマンスの64 KビットパラレルEEPROMで、220 mWの消費電力で、55 nsのアクセス時間を提供しています。選択解除時のCMOSスタンバイ電流は100 μA未満です。外部コンポーネントなしで、読み取り / 書き込みサイクルで静的RAMのようにアクセスされます。64バイトのページレジスタを使用し、最大64バイトの書き込みを同時に実行できます。オプションのソフトウェアデータ保護メカニズムは、不注意による書き込みを防止し、さらに追加の64バイトのEEPROMにより、デバイスの識別や追跡を可能にします。その他の特長: 8 Kビット x 8 (64 Kビット) 5 V ±10 %電源 パラレルインターフェイス アクセス時間: 70 ns セルフ時限の消去及び書き込みサイクル ページの書き込みとバイトの書き込み 書き込み検出終了のデータポーリング 2 ms最大オプション 低電力消費: 読み取り / 書き込み電流: 40 mA (最大) スタンバイ電流: TTL 2 mA (最大)、CMOS: 100 μA (最大) 書き込み保護 ハードウェア保護 ソフトウェアデータ保護 10万回を超える消去 / 書き込みサイクル データ保持: > 10年

93AA46B/93C46B/93LC46B MicrowireシリアルEEPROM. Microchipの93AA46B/93C46B/93LC46Bファミリのデバイスは、1 KビットMicrowireシリアルEEPROMです。さまざまなパッケージ、温度、電源タイプを用意しています。. 特長. 64 x 16ビット構成 セルフ時限の消去及び書き込みサイクル(自動消去を含む) 自動的にすべて消去(ERAL)後にすべて書き込み(WRAL) 電源オン / オフ時データ保護回路 業界標準3線シリアル入出力 デバイスステータス信号(レディ / ビジー) シーケンシャル読み取り機能 1，000，000回の消去 / 書き込み データ保持: >；200年間