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ファミリー名 = ATF2500C。マクロセル数 = 24。ユーザI/O数 = 24。実装タイプ = スルーホール。パッケージタイプ = PDIP。動作温度 Max = +85 ℃。伝播遅延 = 20ns。個別アウトプットイネーブルコントロール = あり。寸法 = 52.57 x 13.97 x 4.44mm。高さ = 4.44mm。長さ = 52.57mm。幅 = 13.97mm。複合プログラム可能ロジックデバイス
RoHS指令(10物質対応)対応
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1,698 税込1,868
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Microchip CAN 8ビットマイクロコントローラファミリの最初のメンバーで、CANネットワーク用途に対応しています。このマイクロコントローラには、ISP機能を備えた32 KBフラッシュメモリ、2 KB EEPROM、1.2 KB RAMが組み込まれています。X2モードでは、最大外部クロックレート20 MHzで300 nsサイクル時間に達します。このデバイスは、電磁放射の抑制に特別な注意が払われています。
仕様ファミリー名 = AT89C51パッケージタイプ = PLCC実装タイプ = 表面実装ピン数 = 44デバイスコア = 8ビットCPUデータバス幅 = 8bitプログラムメモリサイズ = 32 kB最大周波数 = 40MHzRAMサイズ = 256 BUSBチャンネル = 0PWMユニット数 = 1 x 8 bitCANチャンネル数 = 1高さ = 4.06mm RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(2個)
2,998 税込3,298
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ファミリー名 = AT89C51。パッケージタイプ = VQFP。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 64。デバイスコア = 80C51。データバス幅 = 8bit。プログラムメモリサイズ = 64 kB。最大周波数 = 40MHz。RAMサイズ = 2.048 kB。USBチャンネル = 0。PWMユニット数 = 1 x 8 bit。SPIチャンネル数 = 1。標準動作供給電圧 = 5.5 (最大) V。ADC数 = 8 x 10ビットmm。Microchip 8ビットマイクロコントローラ: CANコントローラと64 KBフラッシュX2モードでは、最大外部クロックレート20 MHzで300 nsサイクル時間に達します。このデバイスには、フルCANコントローラの他に、ISP機能を備えた64 KBフラッシュメモリ、2 KBブートフラッシュメモリ、2 KB EEPROM、2048バイトERAMが組み込まれています。電磁放射の抑制に根本的な注意が払われています。80C51コアアーキテクチャ オンチップRAM: 256バイト オンチップERAM: 2048バイト 64 Kバイトのオンチップフラッシュメモリ データ保持: 10年 @ 85 ℃ 読み取り / 書き込みサイクル: 100 K ブートローダー用の2 Kバイトオンチップフラッシュ 2 KバイトのオンチップEEPROM 読み取り / 書き込みサイクル: 100 K 内蔵電源モニタ(POR: PFD)、内部電源を監視 14ソース4レベル割り込み 16ビットタイマ / カウンター x 3 全二重UART互換80C51 高速アーキテクチャ
RoHS指令(10物質対応)対応
1個
1,698 税込1,868
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仕様●メモリサイズ : 1Mbit●構成 : 128 k x 8ビット●ワード数 : 128k●1ワード当たりのビット数 : 8bit●最大ランダムアクセス時間 : 5ns●アドレスバス幅 : 24bit●クロック周波数 : 20MHz●ローパワー : あり●タイミングタイプ : シンクロナス●実装タイプ : スルーホール●パッケージタイプ : PDIP●ピン数 : 8●寸法 : 0.4 x 0.28 x 0.195インチ●動作供給電圧 Max : 5.5 Vmm●動作温度 Min : -40 ℃mm●SRAM●Microchip RoHS指令(10物質対応)対応
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849 税込934
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1袋(25個)ほか
1,798 税込1,978
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Microchip シンプルプログラマブルロジックデバイス. Atmelのこの高性能プログラマブルロジックデバイスは、低消費電力、高信頼性、業界標準アーキテクチャ(ISA:Industry Standard Architecture)を特長としています。
仕様ファミリー名 = ATF22V10Cゲート数 = 350マクロセル数 = 10ユーザI/O数 = 10最大内部周波数 = 最低50MHz再ブログラミングサポート = あり実装タイプ = スルーホールパッケージタイプ = PDIPピン数 = 24最大伝播遅延時間 = 20ns製造テクノロジー = CMOS, TTL寸法 = 32.13 x 7.11 x 4.95mm高さ = 4.95mm幅 = 7.11mm RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(2個)
959 税込1,055
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仕様●ロジックタイプ: CMOS●出力電流: 9 A●供給電圧: 20V●ピン数: 5●パッケージタイプ: TO-220ns RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(2個)
1,798 税込1,978
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Microchip Technology MOSFETMicrochip Technology MOSFET ドライバは、頑丈で、効率的で使いやすいドライバです。非反転ドライバです。MOSFET 9 (ピーク)の出力が可能で、改善された動作マージンで最大の MOSFET を駆動できます。 外付けの速度アップコンデンサや抵抗器ネットワークなしで、 2.4 から VS へのロジック入力に対応します。独自の回路により、部品を損傷することなく、入力を V まで負にスイングできます。特長と利点完全に分離されたプロセスは、すべてのラッチアップに対する本質的な耐性を備えています 大容量負荷駆動は 47,000pF です 高ピーク出力電流は A Peak です 入力は最大 V の負のスイングに耐える 鉛( Pb )フリー 2.4 から VS へのあらゆる電圧のロジック高入力 低等価入力容量 低出力インピーダンス ロジック 入力で 450 A の低供給電流 最小パルス幅は 50ns です ジャンクション動作温度範囲: -40 C 150 C 供給電圧範囲: 4.5 18 V用途クラス スイッチングアンプ MOSFET または IGBT パラレルチップモジュールを駆動 ラインドライバ ローカル電源オン オフスイッチ モータ制御 パルス発生器 パルストランスドライバ スイッチモード電源認定 ANSI/ESD S20.20 2014 BS EN 61340-5-1 2007
仕様ロジックタイプ = CMOS, TTL出力電流 = 9 A供給電圧 = 18Vピン数 = 8パッケージタイプ = DIPns出力数 = 1上昇時間 = 120nsトポロジー = ローサイドドライバ数 = 1ns極性 = 非反転実装タイプ = スルーホール RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(5個)
2,698 税込2,968
5日以内出荷

仕様メモリサイズ:512kbit●構成:64 k x 8ビット●ワード数:64K●1ワード当たりのビット数:8bit●最大ランダムアクセス時間:25ns●アドレスバス幅:16bit●クロック周波数:20MHz●タイミングタイプ:シンクロナス●実装タイプ:スルーホール●パッケージタイプ:TSSOP●ピン数:8●寸法:0.4 x 0.28 x 0.195インチ●高さ:4.95mm●動作供給電圧 Min:2.5 V RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(5個)
1,498 税込1,648
5日以内出荷

Microchip シンプルプログラマブルロジックデバイス. Atmelのこの高性能プログラマブルロジックデバイスは、低消費電力、高信頼性、業界標準アーキテクチャ(ISA:Industry Standard Architecture)を特長としています。
仕様ファミリー名 = ATF16V8Cゲート数 = 150マクロセル数 = 8ユーザI/O数 = 8最大内部周波数 = 62MHz再ブログラミングサポート = あり実装タイプ = スルーホールパッケージタイプ = PDIPピン数 = 20最大伝播遅延時間 = 15ns製造テクノロジー = CMOS, TTL寸法 = 26.92 x 7.11 x 4.95mm高さ = 4.95mm動作供給電圧 Max = 5 VpF RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(5個)
1,998 税込2,198
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Microchip シンプルプログラマブルロジックデバイス. Atmelのこの高性能プログラマブルロジックデバイスは、低消費電力、高信頼性、業界標準アーキテクチャ(ISA:Industry Standard Architecture)を特長としています。
仕様ファミリー名 = ATF16V8Bゲート数 = 150マクロセル数 = 8ユーザI/O数 = 8最大内部周波数 = 62MHz再ブログラミングサポート = あり実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = PLCCピン数 = 20最大伝播遅延時間 = 15ns製造テクノロジー = CMOS, TTL寸法 = 9.04 x 9.04 x 4.06mm高さ = 4.06mm幅 = 9.04mm RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(5個)
949 税込1,044
5日以内出荷

仕様ロジックタイプ = CMOS, TTL出力電流 = 12 A供給電圧 = 20Vピン数 = 5パッケージタイプ = TO-220ns出力数 = 1上昇時間 = 50nsトポロジー = ローサイドドライバ数 = 1ns極性 = 反転実装タイプ = スルーホール RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(50個)
19,980 税込21,978
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仕様メモリサイズ:1Mbit 、 構成:128 K x 8ビット 、 1ワード当たりのビット数:8bit 、 最大ランダムアクセス時間:5ns 、 アドレスバス幅:24bit 、 クロック周波数:20MHz 、 ローパワー:あり 、 実装タイプ:表面実装 、 パッケージタイプ:TSSOP 、 ピン数:8 、 寸法:3.1 x 4.5 x 1.05mm 、 高さ:1.05mm 、 動作温度 Min:-40 ℃ RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(100個)
47,980 税込52,778
5日以内出荷

仕様●メモリサイズ 2MB●インターフェースタイプ パラレル●パッケージタイプ PDIP●ピン数 32●構成 256 x 8ビット●実装タイプ スルーホール●セルタイプ スプリットゲート●動作供給電圧 Min 4.5 V●動作供給電圧 Max 5.5 V●ブロック構成 対称●長さ 42.04mm●高さ 3.81mm●幅 13.97mm●寸法 42.04 13.97 3.81mm●シリーズ SST39ns●SST39SF010A/020A/040パラレルSuperFlashRメモリ. Microchip製のSST39SF010A/020A/040ファミリのデバイスは●パラレルの多目的SuperFlashRメモリICです。. 特長. 4.5-5.5 V読み取り及び書き込み操作 耐久性 100000回(標準) 低消費電力 アクティブ電流10 mA●スタンバイ電流30 μA (14 MHzでの標準値) セクタ消去機能: 均一な4 KBセクタ 読み取りアクセス時間: 55 70 ns セクタ消去時間: 18 ms チップ消去時間: 70 ms(標準) バイトプログラム時間 14 μs(標準) チップ書換え時間 SST39SF010A 2秒●SST39SF020A 4秒●SST39SF040 8秒(標準値) ラッチ付きアドレス及びデータ 自動書き込み時間 内部VPP生成 End-of-Write検出 トグルビット データ#ポーリング TTL I/O互換品 JEDEC規格 フラッシュEEPROMピン配列及びコマンドセット RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(11個)
5,998 税込6,598
5日以内出荷

仕様●メモリサイズ 4Mbit●インターフェースタイプ パラレル●パッケージタイプ PLCC●ピン数 32●構成 512 x 8ビット●実装タイプ 表面実装●セルタイプ スプリットゲート●動作供給電圧 Min 4.5 V●動作供給電圧 Max 5.5 V●ブロック構成 対称●長さ 14.05mm●高さ 2.84mm●幅 11.51mm●寸法 11.51 14.05 2.84mm●最大ランダムアクセス時間 70ns●SST39SF010A/020A/040パラレルSuperFlashRメモリ. Microchip製のSST39SF010A/020A/040ファミリのデバイスは●パラレルの多目的SuperFlashRメモリICです。. 特長. 4.5-5.5 V読み取り及び書き込み操作 耐久性 100000回(標準) 低消費電力 アクティブ電流10 mA●スタンバイ電流30 μA (14 MHzでの標準値) セクタ消去機能: 均一な4 KBセクタ 読み取りアクセス時間: 55 70 ns セクタ消去時間: 18 ms チップ消去時間: 70 ms(標準) バイトプログラム時間 14 μs(標準) チップ書換え時間 SST39SF010A 2秒●SST39SF020A 4秒●SST39SF040 8秒(標準値) ラッチ付きアドレス及びデータ 自動書き込み時間 内部VPP生成 End-of-Write検出 トグルビット データ#ポーリング TTL I/O互換品 JEDEC規格 フラッシュEEPROMピン配列及びコマンドセット RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(2個)
889 税込978
5日以内出荷

仕様メモリサイズ:256kbit 、 構成:32 K x 8ビット 、 ワード数:32K 、 1ワード当たりのビット数:8bit 、 最大ランダムアクセス時間:25ns 、 アドレスバス幅:16bit 、 クロック周波数:20MHz 、 ローパワー:あり 、 タイミングタイプ:シンクロナス 、 実装タイプ:表面実装 、 パッケージタイプ:TSSOP 、 ピン数:8 、 寸法:3 x 4.4 x 1mm 、 高さ:1mm 、 動作温度 Min:-40 ℃ RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(100個)
22,980 税込25,278
5日以内出荷

SRAM、Microchip
仕様メモリサイズ = 512kbit構成 = 64 k x 8ビットワード数 = 64k1ワード当たりのビット数 = 8bit最大ランダムアクセス時間 = 5nsアドレスバス幅 = 16bitクロック周波数 = 20MHzローパワー = ありタイミングタイプ = シンクロナス実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOICピン数 = 8寸法 = 4.9 x 3.9 x 1.25mm動作供給電圧 Max = 5.5 Vmm幅 = 3.9mm RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(100個)
32,980 税込36,278
5日以内出荷

仕様メモリサイズ:512kbit 、 構成:64 K x 8ビット 、 ワード数:64K 、 1ワード当たりのビット数:8bit 、 最大ランダムアクセス時間:5ns 、 アドレスバス幅:8bit 、 クロック周波数:20MHz 、 ローパワー:あり 、 タイミングタイプ:シンクロナス 、 実装タイプ:表面実装 、 パッケージタイプ:SOIC 、 ピン数:8 、 寸法:4.9 x 3.9 x 1.5mm 、 高さ:1.5mm 、 動作温度 Min:-40 ℃ RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(100個)
29,980 税込32,978
5日以内出荷

仕様●メモリサイズ : 1Mbit●構成 : 128 k x 8ビット●ワード数 : 128k●1ワード当たりのビット数 : 8bit●最大ランダムアクセス時間 : 5ns●アドレスバス幅 : 24bit●クロック周波数 : 20MHz●ローパワー : あり●タイミングタイプ : シンクロナス●実装タイプ : 表面実装●パッケージタイプ : SOIC●ピン数 : 8●寸法 : 4.9 x 3.9 x 1.5mm●動作供給電圧 Max : 5.5 Vmm●動作温度 Min : -40 ℃mm●SRAM●Microchip RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(2個)
799 税込879
翌々日出荷

MIC4126、MIC4127、及びMIC4128ファミリは、BiCMOS / DMOSプロセスで製造された、信頼性の高いデュアル1.5 AローサイドMOSFETドライバです。低消費電力と高効率が特長です。MIC4126/27/28は、TTL又はCMOS入力ロジックレベルを、正の電源又は接地から25 mV以内でスイングする出力電圧レベルに変換します。同等のバイポーラデバイスのスイングは、電源の1 V以内にしかなりません。露出した裏面パッドパッケージにより熱を低減 バイポーラ / CMOS / DMOS構造 電源又は接地からの最大出力オフセット: 25 mV ラッチアップ保護: >500 mAの逆電流 25 nsで1000 pFを切り替え 供給電圧に依存しないロジック入力しきい値 ロジック入力保護: -5 V 等価入力容量: 6 pF (標準) デュアル反転、デュアル非反転、及びコンプリメンタリ構成 ジャンクション動作温度範囲: -40 → +125 ℃
仕様ロジックタイプ = CMOS, TTL出力電流 = 1.5 A供給電圧 = 20Vピン数 = 8パッケージタイプ = MSOPns出力数 = 2上昇時間 = 40nsトポロジー = ローサイド高/低サイド依存性 = 独立ドライバ数 = 2ns実装タイプ = 表面実装 RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(10個)
1,998 税込2,198
5日以内出荷


仕様●メモリサイズ 1MB●インターフェースタイプ パラレル●パッケージタイプ PLCC●ピン数 32●構成 128 x 8ビット●実装タイプ 表面実装●セルタイプ スプリットゲート●動作供給電圧 Min 4.5 V●動作供給電圧 Max 5.5 V●ブロック構成 対称●長さ 14.05mm●高さ 2.84mm●幅 11.51mm●寸法 14.05 11.51 2.84mm●シリーズ SST39bit●SST39SF010A/020A/040パラレルSuperFlashRメモリ. Microchip製のSST39SF010A/020A/040ファミリのデバイスは●パラレルの多目的SuperFlashRメモリICです。. 特長. 4.5-5.5 V読み取り及び書き込み操作 耐久性 100000回(標準) 低消費電力 アクティブ電流10 mA●スタンバイ電流30 μA (14 MHzでの標準値) セクタ消去機能: 均一な4 KBセクタ 読み取りアクセス時間: 55 70 ns セクタ消去時間: 18 ms チップ消去時間: 70 ms(標準) バイトプログラム時間 14 μs(標準) チップ書換え時間 SST39SF010A 2秒●SST39SF020A 4秒●SST39SF040 8秒(標準値) ラッチ付きアドレス及びデータ 自動書き込み時間 内部VPP生成 End-of-Write検出 トグルビット データ#ポーリング TTL I/O互換品 JEDEC規格 フラッシュEEPROMピン配列及びコマンドセット RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(30個)
9,898 税込10,888
5日以内出荷

仕様メモリサイズ:4Mbit、インターフェースタイプ:パラレル、パッケージタイプ:PLCC、ピン数:32、構成:512 K x 8ビット、実装タイプ:表面実装、セルタイプ:スプリットゲート、動作供給電圧 Min:4.5 V、動作供給電圧 Max:5.5 V、長さ:11.43mm、高さ:2.79mm、幅:13.97mm、寸法:11.43 x 13.97 x 2.79mm、ワード数:512K、SST39SF010A/020A/040パラレルSuperFlashRメモリ. Microchip製のSST39SF010A/020A/040ファミリのデバイスは、パラレルの多目的SuperFlashRメモリICです。特長. 4.5-5.5 V読み取り及び書き込み操作 耐久性ー100,000回(標準) 低消費電力 - アクティブ電流10 mA、スタンバイ電流30 μA (14 MHzでの標準値) セクタ消去機能: 均一な4 KBセクタ 読み取りアクセス時間: 55 → 70 ns セクタ消去時間: 18 ms チップ消去時間: 70 ms(標準) バイトプログラム時間ー14 μs(標準) チップ書換え時間ーSST39SF010A 2秒、SST39SF020A 4秒、SST39SF040 8秒(標準値) ラッチ付きアドレス及びデータ 自動書き込みー内部VPP生成 End-of-Write検出ートグルビットーデータ#ポーリング TTL I/O互換品 JEDEC規格ーフラッシュEEPROMピン配列及びコマンドセット RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(5個)
2,398 税込2,638
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仕様●メモリサイズ 4MB●インターフェースタイプ パラレル●パッケージタイプ PLCC●ピン数 32●構成 512 x 8ビット●実装タイプ 表面実装●セルタイプ スプリットゲート●動作供給電圧 Min 4.5 V●動作供給電圧 Max 5.5 V●ブロック構成 対称●長さ 14.05mm●高さ 2.84mm●幅 11.51mm●寸法 14.05 11.51 2.84mm●1ワード当たりのビット数 8bit●SST39SF010A/020A/040パラレルSuperFlashRメモリ. Microchip製のSST39SF010A/020A/040ファミリのデバイスは●パラレルの多目的SuperFlashRメモリICです。. 特長. 4.5-5.5 V読み取り及び書き込み操作 耐久性 100000回(標準) 低消費電力 アクティブ電流10 mA●スタンバイ電流30 μA (14 MHzでの標準値) セクタ消去機能: 均一な4 KBセクタ 読み取りアクセス時間: 55 70 ns セクタ消去時間: 18 ms チップ消去時間: 70 ms(標準) バイトプログラム時間 14 μs(標準) チップ書換え時間 SST39SF010A 2秒●SST39SF020A 4秒●SST39SF040 8秒(標準値) ラッチ付きアドレス及びデータ 自動書き込み時間 内部VPP生成 End-of-Write検出 トグルビット データ#ポーリング TTL I/O互換品 JEDEC規格 フラッシュEEPROMピン配列及びコマンドセット RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(5個)
2,298 税込2,528
5日以内出荷


仕様●メモリサイズ 1MB●インターフェースタイプ パラレル●パッケージタイプ PLCC●ピン数 32●構成 128 x 8ビット●実装タイプ 表面実装●セルタイプ スプリットゲート●動作供給電圧 Min 4.5 V●動作供給電圧 Max 5.5 V●ブロック構成 対称●長さ 14.05mm●高さ 2.84mm●幅 11.51mm●寸法 14.05 11.51 2.84mm●ワード数 128Kbit●SST39SF010A/020A/040パラレルSuperFlashRメモリ. Microchip製のSST39SF010A/020A/040ファミリのデバイスは●パラレルの多目的SuperFlashRメモリICです。. 特長. 4.5-5.5 V読み取り及び書き込み操作 耐久性 100000回(標準) 低消費電力 アクティブ電流10 mA●スタンバイ電流30 μA (14 MHzでの標準値) セクタ消去機能: 均一な4 KBセクタ 読み取りアクセス時間: 55 70 ns セクタ消去時間: 18 ms チップ消去時間: 70 ms(標準) バイトプログラム時間 14 μs(標準) チップ書換え時間 SST39SF010A 2秒●SST39SF020A 4秒●SST39SF040 8秒(標準値) ラッチ付きアドレス及びデータ 自動書き込み時間 内部VPP生成 End-of-Write検出 トグルビット データ#ポーリング TTL I/O互換品 JEDEC規格 フラッシュEEPROMピン配列及びコマンドセット RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(10個)
2,998 税込3,298
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