「sot23」の検索結果

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オンセミ，ツェナーダイオード， 5.6V， 300 mW， 3-Pin SOT-23ON SEMICONDUCTOR

￥17税込￥19

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仕様ダイオード構成 = シングル1チップ当たりのエレメント数 = 1最大パワー消費 = 300 mWパッケージタイプ = SOT-23ツェナータイプ = 電圧レギュレータツェナー電圧許容性 = 7%ピン数 = 3テスト電流 = 5mA最大ツェナーインピーダンス = 40Ω最大逆漏れ電流 = 1μA長さ = 2.9mm寸法 = 2.9 x 1.3 x 0.94mm動作温度 Min = -65 ℃ツェナーダイオード225 mW、BZX84BxxxLT、BZX84CxxxLTシリーズ、ON Semiconductor. ツェナー電圧公差: 2 % (BZX84B)、約5 % (BZX84C) 表面実装ケース: SOT-23

ON Semiconductor PNP トランジスタ， 40 V， 600 mA， 3-Pin SOT-23ON SEMICONDUCTOR

￥499税込￥549

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仕様トランジスタタイプ = PNP最大DCコレクタ電流 = 600 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 40 Vパッケージタイプ = SOT-23実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 300 mW最小DC電流ゲイン = 20トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 40 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V最大動作周波数 = 200 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 = 0.75 V先頭にS又はNSVの付いたメーカー品番はAEC-Q101規格に適合する車載製品です。. 汎用PNPトランジスタ、最大1 A、ON SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応

Diode 200V 0.2A 3-Pin SOT-23ON SEMICONDUCTOR

￥26,980税込￥29,678

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仕様小信号スイッチングダイオード、Fairchild SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応

ON Semiconductor Pチャンネル JFETトランジスタ， 15 V， 3-Pin SOT-23ON SEMICONDUCTOR

￥3,500税込￥3,850

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仕様チャンネルタイプ = PIDSSドレイン-ソースカットオフ電流 = -2 → -25mA最大ドレイン-ソース間電圧 = 15 V最大ゲート-ソース間電圧 = +30 V最大ドレイン-ゲート間電圧 = -30Vトランジスタ構成 = シングル最大ドレイン-ソース間抵抗 = 250 Ω実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOT-23ピン数 = 3寸法 = 2.92 x 1.3 x 0.93mm幅 = 1.3mmPチャンネルJFET、Fairchild SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応

ON Semiconductor PNP トランジスタ， 65 V， 100mA， 3-Pin SOT-23ON SEMICONDUCTOR

￥229税込￥252

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仕様トランジスタタイプ = PNP最大DCコレクタ電流 = 100 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 65 Vパッケージタイプ = SOT-23実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 300 mW最小DC電流ゲイン = 220トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 80 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V最大動作周波数 = 100 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1最大ベース-エミッタ間飽和電圧 = 0.9 V先頭にS又はNSVの付いたメーカー品番はAEC-Q101規格に適合する車載製品です。. 小信号PNPトランジスタ、ON Semiconductor

ON Semiconductor Nチャンネル JFETトランジスタ， 3-Pin SOT-23ON SEMICONDUCTOR

￥919税込￥1,011

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仕様チャンネルタイプ = NIDSSドレイン-ソースカットオフ電流 = min. 5mA最大ゲート-ソース間電圧 = -35 V最大ドレイン-ゲート間電圧 = 35Vトランジスタ構成 = シングル最大ドレイン-ソース間抵抗 = 50 Ω実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOT-23ピン数 = 3ドレイン-ゲート間オンキャパシタンス = 28pFソースゲートオンキャパシタンス = 28pF寸法 = 2.92 x 1.3 x 0.93mm高さ = 0.93mmNチャンネルJFET、Fairchild SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応

ON Semiconductor NチャンネルパワーMOSFET， 60 V， 500 mA， 3 ピンパッケージSOT-23ON SEMICONDUCTOR

￥229税込￥252

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仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 500 mA最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 5Ω最低ゲートしきい値電圧 = 0.8V最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 Vパッケージタイプ = SOT-23実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 300 mW1チップ当たりのエレメント数 = 1強化モードNチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. 強化モードの電界効果トランジスタ(FET)は、Fairchild独自規格の高セル密度、DMOS技術を使用して製造されています。この高密度プロセスは、オン状態抵抗を最小化するように設計されているので、堅牢かつ信頼できる性能と高速スイッチングを発揮します。RoHS指令(10物質対応)対応

ON Semiconductor NチャンネルパワーMOSFET， 100 V， 170 mA， 3 ピンパッケージSOT-23ON SEMICONDUCTOR

￥339税込￥373

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翌々日出荷

仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 170 mA最大ドレイン-ソース間電圧 = 100 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 6Ω最低ゲートしきい値電圧 = 0.8V最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 Vパッケージタイプ = SOT-23実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 360 mW長さ = 2.92mmPowerTrench(R) NチャンネルMOSFET、最大9.9 A、Fairchild SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応

ON Semiconductor NチャンネルパワーMOSFET， 25 V， 680 mA， 3 ピンパッケージSOT-23ON SEMICONDUCTOR

￥1,998税込￥2,198

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仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 680 mA最大ドレイン-ソース間電圧 = 25 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 450 mΩ最低ゲートしきい値電圧 = 0.65V最大ゲート-ソース間電圧 = +8 Vパッケージタイプ = SOT-23実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 350 mW動作温度 Min = -55 ℃強化モードNチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. 強化モードの電界効果トランジスタ(FET)は、Fairchild独自規格の高セル密度、DMOS技術を使用して製造されています。この高密度プロセスは、オン状態抵抗を最小化するように設計されているので、堅牢かつ信頼できる性能と高速スイッチングを発揮します。RoHS指令(10物質対応)対応

ON Semiconductor Nチャンネル小信号 MOSFET， 60 V， 380 mA， 3 ピンパッケージSOT-23ON SEMICONDUCTOR

￥1,098税込￥1,208

1袋(100個)

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仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 380 mA最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 2.5 Ω最大ゲートしきい値電圧 = 2.3V最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 Vパッケージタイプ = SOT-23実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = 小信号最大パワー消費 = 420 mW1チップ当たりのエレメント数 = 1NチャンネルパワーMOSFET、60 V、ON SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応

ON Semiconductor PNP トランジスタ， 80 V， 500mA， 3-Pin SOT-23ON SEMICONDUCTOR

￥779税込￥857

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7日以内出荷

仕様トランジスタタイプ = PNP最大DCコレクタ電流 = 500 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 80 Vパッケージタイプ = SOT-23実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 300 mW最小DC電流ゲイン = 100トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 80 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 4 V最大動作周波数 = 50 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Min = -55 ℃先頭にS又はNSVの付いたメーカー品番はAEC-Q101規格に適合する車載製品です。. 小信号PNPトランジスタ、ON SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応

ON Semiconductor Nチャンネル小信号 MOSFET， 60 V， 280 mA， 3 ピンパッケージSOT-23ON SEMICONDUCTOR

￥219税込￥241

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仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 280 mA最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 2Ω最低ゲートしきい値電圧 = 1V最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 Vパッケージタイプ = SOT-23実装タイプ = 表面実装トランジスタ構成 = シングルチャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = 小信号最大パワー消費 = 300 mW寸法 = 2.92 x 1.3 x 0.93mm強化モードNチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. 強化モードの電界効果トランジスタ(FET)は、Fairchild独自規格の高セル密度、DMOS技術を使用して製造されています。この高密度プロセスは、オン状態抵抗を最小化するように設計されているので、堅牢かつ信頼できる性能と高速スイッチングを発揮します。RoHS指令(10物質対応)対応

ON Semiconductor PNP トランジスタ， 150 V， 500mA， 3-Pin SOT-23ON SEMICONDUCTOR

￥169税込￥186

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7日以内出荷

仕様トランジスタタイプ = PNP最大DCコレクタ電流 = 500 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 150 Vパッケージタイプ = SOT-23実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 300 mW最小DC電流ゲイン = 50トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 160 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V最大動作周波数 = 300 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1最大ベース-エミッタ間飽和電圧 = 1 V先頭にS又はNSVの付いたメーカー品番はAEC-Q101規格に適合する車載製品です。. 小信号PNPトランジスタ、ON Semiconductor

ON Semiconductor PNP トランジスタ， 40 V， 200 mA， 3-Pin SOT-23ON SEMICONDUCTOR

￥539税込￥593

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7日以内出荷

仕様トランジスタタイプ = PNP最大DCコレクタ電流 = 200 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 40 Vパッケージタイプ = SOT-23実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 300 mW最小DC電流ゲイン = 30トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 40 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V最大動作周波数 = 250 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1寸法 = 0.94 x 2.9 x 1.3mm先頭にS又はNSVの付いたメーカー品番はAEC-Q101規格に適合する車載製品です。. 汎用PNPトランジスタ、最大1 A、ON SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応

ON Semiconductor NPN トランジスタ， 65 V， 100mA， 3-Pin SOT-23ON SEMICONDUCTOR

￥1,398税込￥1,538

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7日以内出荷

仕様トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 100 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 65 Vパッケージタイプ = SOT-23実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 300 mW最小DC電流ゲイン = 110トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 80 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 6 V最大動作周波数 = 100 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 = 0.6 V先頭にS又はNSVの付いたメーカー品番はAEC-Q101規格に適合する車載製品です。. 汎用NPNトランジスタ、最大1 A、ON SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応

ON Semiconductor NPN トランジスタ， 40 V， 800 mA， 3-Pin SOT-23ON SEMICONDUCTOR

￥849税込￥934

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7日以内出荷

仕様トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 800 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 40 Vパッケージタイプ = SOT-23実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 350 mW最小DC電流ゲイン = 35トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 75 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 6 V最大動作周波数 = 300 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1寸法 = 0.93 x 2.92 x 1.3mm小信号NPNトランジスタ、40 → 50 V、Fairchild SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応

ON Semiconductor Nチャンネル JFETトランジスタ， 30 V， 3-Pin SOT-23ON SEMICONDUCTOR

￥369税込￥406

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仕様チャンネルタイプ = NIDSSドレイン-ソースカットオフ電流 = 50 → 150mA最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 V最大ゲート-ソース間電圧 = +30 V最大ドレイン-ゲート間電圧 = 30Vトランジスタ構成 = シングル最大ドレイン-ソース間抵抗 = 30 Ω実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOT-23ピン数 = 3寸法 = 2.9 x 1.3 x 0.94mm長さ = 2.9mmNチャンネルJFET、ON SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応

ON Semiconductor NPN トランジスタ， 40 V， 600 mA， 3-Pin SOT-23ON SEMICONDUCTOR

￥679税込￥747

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7日以内出荷

仕様トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 600 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 40 Vパッケージタイプ = SOT-23実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 300 mW最小DC電流ゲイン = 20トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 60 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 6 V最大動作周波数 = 250 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 = 0.75 V先頭にS又はNSVの付いたメーカー品番はAEC-Q101規格に適合する車載製品です。. 小信号NPNトランジスタ、ON SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応

オンセミ，スイッチングダイオード，シリーズ， 715mA， 70V， 3-Pin SOT-23ON SEMICONDUCTOR

￥329税込￥362

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7日以内出荷

仕様ダイオード構成 = シリーズ1チップ当たりのエレメント数 = 2ピーク逆繰返し電圧 = 70V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOT-23ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクションピン数 = 3最大順方向降下電圧 = 1.25V長さ = 3.04mm幅 = 1.4mm高さ = 1.01mmピーク逆回復時間 = 6ns寸法 = 3.04 x 1.4 x 1.01mmメーカー品番がS-から始まる製品は、AEC-Q101車載認定済みです。. 小信号スイッチングダイオード、ON SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応

ON Semiconductor PチャンネルパワーMOSFET， 30 V， 2 A， 3 ピンパッケージSOT-23 PowerTrench シリーズON SEMICONDUCTOR

￥429税込￥472

1袋(5個)

翌々日出荷

仕様チャンネルタイプ = P最大連続ドレイン電流 = 2 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 80 mΩ最低ゲートしきい値電圧 = 1V最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 Vパッケージタイプ = SOT-23実装タイプ = 表面実装トランジスタ構成 = シングルチャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 500 mW長さ = 2.92mmPowerTrench(R) PチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. PowerTrench(R) MOSFETは、システム効率と電力密度を向上するように最適化された電源スイッチです。これらの製品は、小さいゲート電荷量(Qg)、小さい逆回復電荷量(Qrr)、ソフト逆回復ボディダイオードを組み合わせているので、AC/DC電源における同期整流の高速スイッチングに貢献します。最新のPowerTrench(R) MOSFETは、シールド付きゲート構造を採用しているので、電荷量のバランスが保たれます。この高度なテクノロジーを利用しているので、これらのデバイスのFOM (性能指数)は、前世代のデバイスよりもはるかに低くなります。 PowerTrench(R) MOSFETのソフトボディダイオードは、スナバー回路を必要とせず、電圧定格の高いMOSFETの代替品として使用することも可能な性能を誇ります。RoHS指令(10物質対応)対応

ON Semiconductor Nチャンネル MOSFET， 30 V， 560 mA， 3 ピンパッケージSOT-23ON SEMICONDUCTOR

￥849税込￥934

1袋(100個)

7日以内出荷

仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 560 mA最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 2 Ω最大ゲートしきい値電圧 = 1.4V最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 Vパッケージタイプ = SOT-23実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型最大パワー消費 = 690 mW幅 = 1.4mmNチャンネルパワーMOSFET、30 V、ON SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応

ON Semiconductor NPN ダーリントンペア， 30 V， 1.2 A， 3-Pin SOT-23ON SEMICONDUCTOR

￥589税込￥648

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7日以内出荷

仕様トランジスタタイプ = NPN最大連続コレクタ電流 = 1.2 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 30 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 10 Vパッケージタイプ = SOT-23実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3トランジスタ構成 = シングル1チップ当たりのエレメント数 = 1最小DC電流ゲイン = 4000最大ベース-エミッタ間飽和電圧 = 1.5 V最大コレクタ-ベース間電圧 = 40 V最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 = 1 V最大コレクタカットオフ電流 = 0.0001mA動作温度 Min = -55 ℃ダーリントンNPNトランジスタ、Fairchild SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応

ON Semiconductor PチャンネルパワーMOSFET， 50 V， 130 mA， 3 ピンパッケージSOT-23ON SEMICONDUCTOR

￥289税込￥318

1袋(10個)

7日以内出荷

仕様チャンネルタイプ = P最大連続ドレイン電流 = 130 mA最大ドレイン-ソース間電圧 = 50 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 10 Ω最低ゲートしきい値電圧 = 0.8V最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 Vパッケージタイプ = SOT-23実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 360 mW長さ = 2.92mm強化モードPチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. 強化モードの電界効果トランジスタは、Fairchild独自規格の高セル密度、DMOS技術を使用して製造されています。この超高密度プロセスは、オン状態抵抗を最小化するように設計されているので、堅牢かつ信頼できる性能と高速スイッチングを発揮します。RoHS指令(10物質対応)対応

ON Semiconductor NチャンネルパワーMOSFET， 20 V， 1.3 A， 3 ピンパッケージSOT-23ON SEMICONDUCTOR

￥489税込￥538

1袋(5個)

7日以内出荷

仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 1.3 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 20 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 160 mΩ最低ゲートしきい値電圧 = 0.5V最大ゲート-ソース間電圧 = +8 Vパッケージタイプ = SOT-23実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 500 mW動作温度 Max = +150 ℃強化モードNチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. 強化モードの電界効果トランジスタ(FET)は、Fairchild独自規格の高セル密度、DMOS技術を使用して製造されています。この高密度プロセスは、オン状態抵抗を最小化するように設計されているので、堅牢かつ信頼できる性能と高速スイッチングを発揮します。RoHS指令(10物質対応)対応

ON Semiconductor PチャンネルパワーMOSFET， 60 V， 120 mA， 3 ピンパッケージSOT-23ON SEMICONDUCTOR

￥949税込￥1,044

1袋(20個)

7日以内出荷

仕様チャンネルタイプ = P最大連続ドレイン電流 = 120 mA最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 10 Ω最低ゲートしきい値電圧 = 1V最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 Vパッケージタイプ = SOT-23実装タイプ = 表面実装トランジスタ構成 = シングルチャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 360 mW高さ = 0.93mm強化モードPチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. 強化モードの電界効果トランジスタは、Fairchild独自規格の高セル密度、DMOS技術を使用して製造されています。この超高密度プロセスは、オン状態抵抗を最小化するように設計されているので、堅牢かつ信頼できる性能と高速スイッチングを発揮します。RoHS指令(10物質対応)対応

ON Semiconductor NチャンネルパワーMOSFET， 20 V， 900 mA， 3 ピンパッケージSOT-23ON SEMICONDUCTOR

￥359税込￥395

1袋(10個)

7日以内出荷

仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 900 mA最大ドレイン-ソース間電圧 = 20 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 220 mΩ最低ゲートしきい値電圧 = 0.6V最大ゲート-ソース間電圧 = -12 V， +12 Vパッケージタイプ = SOT-23実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 350 mWトランジスタ素材 = SiPowerTrench(R) NチャンネルMOSFET、最大9.9 A、Fairchild SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応

ON Semiconductor NPN デジタルトランジスタ， 50 V， 100 mA， 10 kΩ， 3-Pin SOT-23ON SEMICONDUCTOR

￥299税込￥329

1袋(25個)

7日以内出荷

仕様トランジスタタイプ = NPN1チップ当たりのエレメント数 = 1最大連続コレクタ電流 = 100 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 50 V標準入力抵抗 = 10 kΩ実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOT-23ピン数 = 3最小DC電流ゲイン = 35トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 = 0.25 V標準抵抗比 = 1幅 = 1.3mm先頭にS又はNSVの付いたメーカー品番はAEC-Q101規格に適合する車載製品です。. デュアル抵抗デジタルNPNトランジスタ、ON SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応

ON Semiconductor 2チャンネル単方向 TVSダイオード， 40W， 40V， 3-Pin SOT-23ON SEMICONDUCTOR

￥659税込￥725

1袋(100個)

7日以内出荷

仕様ダイオード構成 = コモンアノード最大クランピング電圧 = 40V最小ブレークダウン電圧 = 25.65V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOT-23最大逆スタンドオフ電圧 = 22Vピン数 = 3ピークパルスパワー消費 = 40W最大ピークパルス電流 = 1AESD保護 = あり1チップ当たりのエレメント数 = 2動作温度 Min = -55 ℃動作温度 Max = +150 ℃最大逆漏れ電流 = 50nA40 Wデュアルツェナートランジェント電圧サプレッサ、ON Semiconductor. ESD保護のためのSOT-23デュアルコモンアノードツェナー。コンピュータ、プリンタ、ビジネスマシン、通信システム、医療機器など、電圧や静電気放電に敏感な機器で使用。RoHS指令(10物質対応)対応

ON Semiconductor 2チャンネル双方向 TVSダイオード， 350W， 44V， 3-Pin SOT-23ON SEMICONDUCTOR

￥419税込￥461

1袋(20個)

7日以内出荷

仕様ダイオード構成 = シリーズ最大クランピング電圧 = 44V最小ブレークダウン電圧 = 26.2V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOT-23最大逆スタンドオフ電圧 = 24Vピン数 = 3ピークパルスパワー消費 = 350W最大ピークパルス電流 = 8AESD保護 = あり1チップ当たりのエレメント数 = 2動作温度 Min = -55 ℃動作温度 Max = +150 ℃最大逆漏れ電流 = 100nANUP2105L、NUP3105LデュアルラインCAN保護機能. NUP2105L / NUP3105Lは、高速のフォルトトレランスネットワークにおいてCANトランシーバを、ESD及びその他の危険な過渡電圧事故から保護する目的で設計されています。. ライン当たりのピーク電力消失: 350 W 逆漏洩電流が低い(< 100 nA) 低静電容量高速CANデータ転送速度 IEC対応: IEC61000-4-2 (ESD): レベル4 IEC61000-4-4 (EFT): 40 A - 5/50 ns (NUP3105Lは50 A - 5/50 ns) IEC61000-4-5 (照明) 8 A (8/20 μs)RoHS指令(10物質対応)対応

オンセミ，スイッチングダイオード， 200mA， 200V， 3-Pin SOT-23，エレメント数 1，シングルON SEMICONDUCTOR

￥469税込￥516

1袋(50個)

7日以内出荷

仕様最大順方向電流 = 200mA1チップ当たりのエレメント数 = 1最大逆電圧 = 200Vパッケージタイプ = SOT-23ピン数 = 3最大ダイオードキャパシタンス = 5pF動作温度 Min = -55 ℃動作温度 Max = +150 ℃長さ = 3.04mm幅 = 1.4mm高さ = 1.01mm寸法 = 3.04 x 1.4 x 1.01mmメーカー品番がS-から始まる製品は、AEC-Q101車載認定済みです。. 小信号スイッチングダイオード、ON SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応

ON Semiconductor 2チャンネル単方向 TVSダイオード， 24W， 8.7V， 3-Pin SOT-23ON SEMICONDUCTOR

￥209税込￥230

1袋(25個)

7日以内出荷

仕様ダイオード構成 = コモンアノード最大クランピング電圧 = 8.7V最小ブレークダウン電圧 = 5.89V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOT-23最大逆スタンドオフ電圧 = 3Vピン数 = 3ピークパルスパワー消費 = 24W最大ピークパルス電流 = 2.7AESD保護 = あり1チップ当たりのエレメント数 = 2動作温度 Min = -55 ℃動作温度 Max = +150 ℃自動車規格 = AEC-Q101TVSデュアルコモンアノードツェナー、ON Semiconductor. コモンアノード構成のデュアル表面実装TVS 自動挿入に最適低漏洩RoHS指令(10物質対応)対応

ON Semiconductor PチャンネルパワーMOSFET， 20 V， 1.6 A， 3 ピンパッケージSOT-23 PowerTrench シリーズON SEMICONDUCTOR

￥659税込￥725

1袋(10個)

7日以内出荷

仕様チャンネルタイプ = P最大連続ドレイン電流 = 1.6 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 20 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 115 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 1.5V最低ゲートしきい値電圧 = 0.4V最大ゲート-ソース間電圧 = -8 V， +8 Vパッケージタイプ = SOT-23実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 500 mW標準ターンオン遅延時間 = 10 nsPowerTrench(R) PチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. PowerTrench(R) MOSFETは、システム効率と電力密度を向上するように最適化された電源スイッチです。これらの製品は、小さいゲート電荷量(Qg)、小さい逆回復電荷量(Qrr)、ソフト逆回復ボディダイオードを組み合わせているので、AC/DC電源における同期整流の高速スイッチングに貢献します。最新のPowerTrench(R) MOSFETは、シールド付きゲート構造を採用しているので、電荷量のバランスが保たれます。この高度なテクノロジーを利用しているので、これらのデバイスのFOM (性能指数)は、前世代のデバイスよりもはるかに低くなります。 PowerTrench(R) MOSFETのソフトボディダイオードは、スナバー回路を必要とせず、電圧定格の高いMOSFETの代替品として使用することも可能な性能を誇ります。RoHS指令(10物質対応)対応

ON Semiconductor NチャンネルパワーMOSFET， 20 V， 1.7 A， 3 ピンパッケージSOT-23 PowerTrench シリーズON SEMICONDUCTOR

￥619税込￥681

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仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 1.7 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 20 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 70 mΩ最低ゲートしきい値電圧 = 0.4V最大ゲート-ソース間電圧 = -8 V， +8 Vパッケージタイプ = SOT-23実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 500 mW標準ターンオン遅延時間 = 5 nsPowerTrench(R) NチャンネルMOSFET、最大9.9 A、Fairchild SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応

ON Semiconductor PチャンネルパワーMOSFET， 30 V， 1.3 A， 3 ピンパッケージSOT-23 PowerTrench シリーズON SEMICONDUCTOR

￥599税込￥659

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7日以内出荷

仕様チャンネルタイプ = P最大連続ドレイン電流 = 1.3 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 180 mΩ最低ゲートしきい値電圧 = 0.8V最大ゲート-ソース間電圧 = -25 V， +25 Vパッケージタイプ = SOT-23実装タイプ = 表面実装トランジスタ構成 = シングルチャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 500 mW標準ターンオフ遅延時間 = 10 nsPowerTrench(R) PチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. PowerTrench(R) MOSFETは、システム効率と電力密度を向上するように最適化された電源スイッチです。これらの製品は、小さいゲート電荷量(Qg)、小さい逆回復電荷量(Qrr)、ソフト逆回復ボディダイオードを組み合わせているので、AC/DC電源における同期整流の高速スイッチングに貢献します。最新のPowerTrench(R) MOSFETは、シールド付きゲート構造を採用しているので、電荷量のバランスが保たれます。この高度なテクノロジーを利用しているので、これらのデバイスのFOM (性能指数)は、前世代のデバイスよりもはるかに低くなります。 PowerTrench(R) MOSFETのソフトボディダイオードは、スナバー回路を必要とせず、電圧定格の高いMOSFETの代替品として使用することも可能な性能を誇ります。RoHS指令(10物質対応)対応

ON Semiconductor NチャンネルパワーMOSFET， 30 V， 8 A， 3 ピンパッケージSOT-23 PowerTrench シリーズON SEMICONDUCTOR

￥1,998税込￥2,198

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仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 8 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 30 mΩ最低ゲートしきい値電圧 = 1.2V最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 Vパッケージタイプ = SOT-23実装タイプ = 表面実装トランジスタ構成 = シングルチャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 1.5 W高さ = 0.94mmPowerTrench(R) NチャンネルMOSFET、最大9.9 A、Fairchild SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応