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仕様ダイオード構成 = コモンカソード1チップ当たりのエレメント数 = 2ピーク逆繰返し電圧 = 200V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SC-63, TO-252ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクションピン数 = 2+Tab長さ = 6.6mm幅 = 6.1mm高さ = 2.2mmピーク逆回復時間 = 25nsピーク逆電流 = 10μA RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(25個)
4,298 税込4,728
翌々日出荷

仕様●チャンネルタイプ: N●最大連続ドレイン電流: 200 mA●最大ドレイン-ソース間電圧: 20 V●シリーズ: RE1C002UN●実装タイプ: 表面実装●ピン数: 3●最大ドレイン-ソース間抵抗: 4.8 Ω●チャンネルモード: エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧: 1V●最低ゲートしきい値電圧: 0.3V●最大パワー消費: 150 mW●最大ゲート-ソース間電圧: -8 V, +8 V●幅: 0.96mm●動作温度 Min: -55 ℃mm●ローム Nチャンネル MOSFET トランジスタ RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(150個)
1,998 税込2,198
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仕様●チャンネルタイプ: N●最大連続ドレイン電流: 100 mA●最大ドレイン-ソース間電圧: 20 V●シリーズ: RE1C001UN●実装タイプ: 表面実装●ピン数: 3●最大ドレイン-ソース間抵抗: 18 Ω●チャンネルモード: エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧: 1V●最低ゲートしきい値電圧: 0.3V●最大パワー消費: 150 mW●最大ゲート-ソース間電圧: -8 V, +8 V●幅: 0.96mm●高さ: 0.8mm●ローム Nチャンネル MOSFET トランジスタ RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(150個)
2,798 税込3,078
7日以内出荷

仕様●チャンネルタイプ: P●最大連続ドレイン電流: 100 mA●最大ドレイン-ソース間電圧: 20 V●シリーズ: RE1C001ZP●実装タイプ: 表面実装●ピン数: 3●最大ドレイン-ソース間抵抗: 40 Ω●チャンネルモード: エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧: 1V●最低ゲートしきい値電圧: 0.3V●最大パワー消費: 150 mW●最大ゲート-ソース間電圧: -10 V, +10 V●幅: 0.9mm●高さ: 0.7mm●ローム Pチャンネル MOSFET トランジスタ RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(125個)
1,898 税込2,088
7日以内出荷

仕様トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 50 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 120 Vパッケージタイプ = SOT-346 (SC-59)実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 200 mW最小DC電流ゲイン = 180トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 120 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V最大動作周波数 = 140 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1幅 = 1.6mmNPN小信号トランジスタ、ローム RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(25個)
659 税込725
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仕様トランジスタタイプ = PNP最大DCコレクタ電流 = 800 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 32 Vパッケージタイプ = SOT-346 (SC-59)実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 200 mW最小DC電流ゲイン = 120トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = -40 V最大エミッタ-ベース間電圧 = -5 V最大動作周波数 = 200 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1幅 = 1.6mmPNP パワートランジスタ、ローム RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(25個)
639 税込703
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仕様トランジスタタイプ = PNP最大DCコレクタ電流 = 150 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 50 Vパッケージタイプ = SOT-346 (SC-59)実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 200 mW最小DC電流ゲイン = 120トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = -60 V最大エミッタ-ベース間電圧 = -6 V最大動作周波数 = 140 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1高さ = 1.1mmPNP小信号トランジスタ、ローム RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(10個)
150 税込165
欠品中

仕様トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 50 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 20 Vパッケージタイプ = SOT-346 (SC-59)実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 200 mW最小DC電流ゲイン = 82トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 30 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 3 V最大動作周波数 = 1500 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1高さ = 1.1mmRFバイポーラトランジスタ、ローム. RFアンプやHF発振器などの用途に適した、ROHMワイドバンド高周波数バイポーラ接合トランジスタです。 RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(25個)
639 税込703
翌々日出荷

仕様トランジスタタイプ = PNP最大DCコレクタ電流 = 500 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 32 Vパッケージタイプ = SOT-323 (SC-70)実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 200 mW最小DC電流ゲイン = 120トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = -40 V最大エミッタ-ベース間電圧 = -5 V最大動作周波数 = 200 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1幅 = 1.25mmPNP小信号トランジスタ、ローム RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(10個)
169 税込186
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仕様トランジスタタイプ = PNP最大DCコレクタ電流 = 500 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 80 Vパッケージタイプ = SOT-346 (SC-59)実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 200 mW最小DC電流ゲイン = 120トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = -80 V最大エミッタ-ベース間電圧 = -5 V最大動作周波数 = 180 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 = -0.5 VPNP小信号トランジスタ、ローム RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(25個)
849 税込934
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仕様●トランジスタタイプ: NPN●最大DCコレクタ電流: 500 mA●最大コレクタ- エミッタ間電圧: 50 V●パッケージタイプ: SOT-346 (SC-59)●実装タイプ: 表面実装●最大パワー消費: 200 mW●最小DC電流ゲイン: 56●トランジスタ構成: シングル●ピン数: 3●1チップ当たりのエレメント数: 1●ベースエミッタ抵抗器: 10kΩ●ローム デュアル抵抗器デジタルNPNトランジスタ RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(5個)
459 税込505
翌々日出荷

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