「タイプa」の検索結果

定格平均オン電流 = 32A。サイリスタタイプ = SCR。パッケージタイプ = TOP3。繰返しピーク逆方向電圧 = 800V。サージ電流レーティング = 610A。実装タイプ = スルーホール。最大ゲートトリガー電流 = 80mA。最大ゲートトリガー電圧 = 1.3V。最大保持電流 = 150mA。ピン数 = 3。寸法 = 15.5 x 4.6 x 12.85mm。動作温度 Max = +125 ℃V。サイリスタ、STMicroelectronics. STMicroelectronics製の幅広い汎用サイリスタは、定格400 → 1200 Vの遮断電圧と最高定格50 Aのオン状態の電流を備えています。

定格平均オン電流 = 4A。実装タイプ = スルーホール。パッケージタイプ = TO-220AB。最大ゲートトリガー電流 = 25mA。繰返しピーク逆方向電圧 = 600V。サージ電流レーティング = 38A。ピン数 = 3。最大ゲートトリガー電圧 = 1.3V。繰返しピーク順方向抑止電圧 = 600V。最大保持電流 = 15mA。寸法 = 10.4 x 4.6 x 9.15mm。長さ = 10.4mm。幅 = 4.6mm。高さ = 9.15mm。動作温度 Max = +125 ℃V。トライアック、最大6 A、STMicroelectronics

分類 開発キット。テクノロジー MCU。プロセッサ品番 STM32F103ZET6。STM32 接続ライン MCU 用評価ボード. STM3210C-EVAL. STM3210C-EVAL 評価ボードは、 ARM Cortex-M3 コアベースの STM32F107VCT マイクロコントローラ用の開発プラットフォーム一式です。このボードは、あらゆる周辺機器( USB-OTG FS 、イーサネット、モータ制御、 CAN microSD CardTM スマートカード、 USART 、オーディオ DAC MEMS EEPROM など)を搭載し、独自のアプリケーションを開発することができます。. 電源ジャック、 USB コネクタ、ドーターボードの 種類の V 電源オプション フラッシュ、システムメモリ、又はSRAMから起動 2 オーディオ DAC 、ステレオオーディオジャック G バイト microSD カード以上 AタイプとBタイプの両スマートカードをサポート 2 互換シリアルインターフェイス 64 Kbit EEPROM MEMS I/O エキスパンダです RS-232 チャンネル IrDAトランシーバ USB OTG フルスピード、 USB microAB 接続 IEEE-802.3-2002 準拠のイーサネットコネクタ CAN 2.0A B 準拠接続の チャンネル インダクタモータ制御コネクタ JTAG及びトレースデバッグサポート 3.2インチ240 320ピクセルTFTカラーLCD、タッチスクリーン付き 4方向制御のジョイスティック及びセレクタ. STM3210E-EVAL. STM3210E-EVAL 評価ボードは、 ARM Cortex-M3 コアベースの STM32F103ZGT6 マイクロコントローラ用の完全な開発プラットフォームです。あらゆる周辺機器( LCD SPI フラッシュ、 USART IrDA USB オーディオ、 CAN バス、スマートカード、 MicroSD カード、 NOR フラッシュ、 NAND フラッシュ、 SRAM 、温度センサ、オーディオ DAC 、モータ制御)を搭載し、独自のアプリケーションを開発することができます。. V 電源オプション：電源ジャック、 USB コネクタ、ドーターボード フラッシュ、システムメモリ、又はSRAMから起動 2 オーディオ DAC 、ステレオオーディオジャック 128 MB MicroSD Card 以上 AタイプとBタイプの両スマートカードをサポート 64 又は 128 Mbit シリアルフラッシュ、 512 Kx16 SRAM 512 Mbit 又は Gbit NAND フラッシュ、及び 128 Mbit NOR フラッシュ 2 C/SMBus 互換シリアルインターフェイス温度センサ RS-232 チャンネルが つあり、 つのチャンネルで RTS/CTS ハンドシェイクをサポートします IrDAトランシーバ USB 2.0 フルスピード接続 CAN 2.0A B 準拠接続 インダクタモータ制御コネクタ JTAG及びトレースデバッグサポート 3.2 インチ 240 320 TFT カラー LCD 4方向制御のジョイスティック及びセレクタ

レギュレータタイプ = リニア電圧A。出力数 = 1。ラインレギュレーション = 100 mV。ロードレギュレーション = 100 mV。極性 = 負。パッケージタイプ = TO-220FPmA。ピン数 = 3。出力タイプ = 固定。寸法 = 10.4 x 4.6 x 9.3mm。動作温度 Min = 0 ℃mm。長さ = 10.4mm。負電圧リニアレギュレータ、STMicroelectronics. 標準の負電圧レギュレータは、非常に安定した信頼性の高い動作を実現し、短絡と熱的過負荷から保護する機能を備えています。 多様な電圧調整の用途に適しています。

レギュレータタイプ = 低ドロップアウト電圧A。出力電圧 = 3.3 V。ラインレギュレーション = 6 mV。ロードレギュレーション = 10 mV%。極性 = 正。静止電流 = 5mA。ピン数 = 3。出力タイプ = 固定。寸法 = 6.6 x 6.2 x 2.4mm。動作温度 Min = 0 ℃mm。幅 = 6.2mm。リニア電圧レギュレータ、800 mA、STMicroelectronics

定格平均オン電流 = 8A。実装タイプ = スルーホール。パッケージタイプ = TO-220AB。最大ゲートトリガー電流 = 10mA。繰返しピーク逆方向電圧 = 800V。サージ電流レーティング = 84A。ピン数 = 3。最大ゲートトリガー電圧 = 1.3V。繰返しピーク順方向抑止電圧 = 600V。最大保持電流 = 15mA。寸法 = 10.4 x 4.6 x 15.9mm。長さ = 10.4mm。幅 = 4.6mm。高さ = 15.9mm。動作温度 Max = +150 ℃V。TRIAC、8 → 12 A、STMicroelectronics

定格平均オン電流 = 16A。実装タイプ = スルーホール。パッケージタイプ = TO-220AB。最大ゲートトリガー電流 = 10mA。繰返しピーク逆方向電圧 = 800V。サージ電流レーティング = 168A。ピン数 = 3。最大ゲートトリガー電圧 = 1.3V。繰返しピーク順方向抑止電圧 = 600V。最大保持電流 = 15mA。寸法 = 10.4 x 4.6 x 15.9mm。長さ = 10.4mm。幅 = 4.6mm。高さ = 15.9mm。動作温度 Max = +125 ℃V。TRIAC、16 → 20 A、STMicroelectronics

定格平均オン電流 = 16A。実装タイプ = スルーホール。パッケージタイプ = TO-220AB。最大ゲートトリガー電流 = 35mA。繰返しピーク逆方向電圧 = 600V。サージ電流レーティング = 168A。ピン数 = 3。最大ゲートトリガー電圧 = 1.3V。繰返しピーク順方向抑止電圧 = 600V。最大保持電流 = 35mA。寸法 = 10.4 x 4.6 x 9.3mm。長さ = 10.4mm。幅 = 4.6mm。高さ = 9.3mm。動作温度 Max = +125 ℃V。TRIAC、16 → 20 A、STMicroelectronics

定格平均オン電流 = 4A。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = DPAK (TO-252)。最大ゲートトリガー電流 = 5mA。繰返しピーク逆方向電圧 = 600V。サージ電流レーティング = 31A。ピン数 = 3。最大ゲートトリガー電圧 = 1.3V。繰返しピーク順方向抑止電圧 = 600V。最大保持電流 = 10mA。寸法 = 6.6 x 6.2 x 2.4mm。長さ = 6.6mm。幅 = 6.2mm。高さ = 2.4mm。繰返しピークオフステート電流 = 0.005mA。トライアック、最大6 A、STMicroelectronics

定格平均オン電流 = 25A。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = D2PAK (TO-263)。最大ゲートトリガー電流 = 50mA。繰返しピーク逆方向電圧 = 1200V。サージ電流レーティング = 252A。ピン数 = 3。最大ゲートトリガー電圧 = 1.3V。繰返しピーク順方向抑止電圧 = 1200V。最大保持電流 = 60mA。寸法 = 10.28 x 9.35 x 4.6mm。長さ = 10.28mm。幅 = 9.35mm。高さ = 4.6mm。ピークオンステージ電圧 = 1.55V。STMicroelectronics 25 → 40 A トライアック

定格平均オン電流 = 12A。実装タイプ = スルーホール。パッケージタイプ = TO-220AB。最大ゲートトリガー電流 = 50mA。繰返しピーク逆方向電圧 = 800V。サージ電流レーティング = 126A。ピン数 = 3。最大ゲートトリガー電圧 = 1.3V。繰返しピーク順方向抑止電圧 = 600V。最大保持電流 = 50mA。寸法 = 10.4 x 4.6 x 15.9mm。長さ = 10.4mm。幅 = 4.6mm。高さ = 15.9mm。繰返しピークオフステート電流 = 1mA。TRIAC、8 → 12 A、STMicroelectronics

レギュレータタイプ = 低ドロップアウト電圧A。出力電圧 = 5 V。ラインレギュレーション = 20 mV。ロードレギュレーション = 20 mV%。極性 = 正。静止電流 = 4mA。ピン数 = 3。出力タイプ = 固定。寸法 = 6.6 x 6.2 x 2.4mm。動作温度 Min = -40 ℃mm。幅 = 6.2mm。LDO(低ドロップアウト)リニア電圧レギュレータ、STMicroelectronics、800 mA → 1 A

定格平均オン電流 = 8A。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = D2PAK (TO-263)。最大ゲートトリガー電流 = 35mA。繰返しピーク逆方向電圧 = 600V。サージ電流レーティング = 84A。ピン数 = 3。最大ゲートトリガー電圧 = 1.3V。繰返しピーク順方向抑止電圧 = 600V。最大保持電流 = 35mA。寸法 = 10.28 x 9.35 x 4.6mm。長さ = 10.28mm。幅 = 9.35mm。高さ = 4.6mm。動作温度 Max = +125 ℃V。TRIAC、8 → 12 A、STMicroelectronics

電源スイッチの種類 = ソリッドステートリレー。オン抵抗 = 0.4Ω。動作供給電圧 Max = 45 V。最大動作電流 = 0.7A。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = PowerSO。ピン数 = 10。動作温度 Max = +150 ℃。寸法 = 9.5 x 7.6 x 3.65mm。インテリジェントハイサイド電源スイッチ、STMicroelectronics. インテリジェント電源スイッチ(IPS)には、ロジックインターフェイス、ドライバ、制御セクションの診断 / 保護機能、ハイサイド構成用のパワーステージが集積されています。

ロジックタイプ = CMOS， TTL。出力電流 = 0.65 A。供給電圧 = 17V。ピン数 = 14。パッケージタイプ = SOIC。出力数 = 2。トポロジー = ハーフブリッジ。高/低サイド依存性 = 独立。ドライバ数 = 2。ブリッジタイプ = ハーフブリッジ。極性 = 非反転。実装タイプ = 表面実装。MOSFET / IGBTドライバ、STMicroelectronics

電源スイッチの種類 = OMNIFET: 完全自動保護パワーMOSFET。動作供給電圧 Max = 70 V。最大動作電流 = 35A。実装タイプ = スルーホール。パッケージタイプ = TO-220。ピン数 = 3。寸法 = 10.4 x 4.6 x 15.75mm。STMicroelectronics OMNIFETシリーズ 完全自動保護パワーMOSFET. OMNIFETシリーズの完全自動保護ローサイドドライバは、その堅牢さと向上した信頼性で評価されています。このソリッドステートパワースイッチは、特に車載環境における誘導負荷及び抵抗負荷用に設計されています。. リニア電流制限 過熱保護 短絡保護 ESD 保護 クランプ内蔵

モータタイプ = ステッパ。トポロジー = バイポーラ。最大IGBTコレクタ電流 = 2.8A。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 52 V。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = PowerSO。ピン数 = 38。動作供給電圧 Min = 8 V。標準スイッチング周波数 = 100kHz。寸法 = 16 x 11.1 x 3.3mm。ステッパモータドライバ、 STMicroelectronics

モータタイプ = ステッパ。トポロジー = バイポーラ。最大IGBTコレクタ電流 = 1.5A。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 50 V。実装タイプ = スルーホール。パッケージタイプ = PDIP。動作供給電圧 Max = 50 V。動作供給電圧 Min = 10 V。標準スイッチング周波数 = 30kHz。幅 = 7.1mm。ステッパモータドライバ、 STMicroelectronics

チャンネルタイプ N。最大連続ドレイン電流 9 A。最大ドレイン-ソース間電圧 200 V。パッケージタイプ TO-220。実装タイプ スルーホール。ピン数 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 400 mΩ。チャンネルモード エンハンスメント型。最大ゲートしきい値電圧 4V。最低ゲートしきい値電圧 2V。最大パワー消費 75 W。トランジスタ構成 シングル。最大ゲート-ソース間電圧 -20 V， +20 V。長さ 10.4mm。動作温度 Min -65 ℃mm。NチャンネルSTripFET、STMicroelectronics

モータタイプ = ブラシ付きDC。トポロジー = デュアルフルブリッジ。最大IGBTコレクタ電流 = 2.8A。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 52 V。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = PowerSO。ピン数 = 36。動作供給電圧 Min = 8 V。幅 = 11.1mm。ブラシDCモータドライバ、STMicroelectronics

チャンネルタイプ N。最大連続ドレイン電流 80 A。最大ドレイン-ソース間電圧 120 V。シリーズ STripFET。実装タイプ スルーホール。ピン数 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 18 mΩ。チャンネルモード エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 2V。最大パワー消費 300 W。トランジスタ構成 シングル。最大ゲート-ソース間電圧 -20 V， +20 V。幅 4.6mm。動作温度 Min -55 ℃mm。NチャンネルSTripFET、STMicroelectronics

トランジスタタイプ = NPN。最大DCコレクタ電流 = 3 A。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 100 V。パッケージタイプ = DPAK (TO-252)。実装タイプ = 表面実装。最大パワー消費 = 15 W。トランジスタ構成 = シングル。最大コレクタ-ベース間電圧 = 100 V。最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V。ピン数 = 3。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Max = +150 ℃mm。STMicroelectronics NPNパワートランジスタ

トランジスタタイプ = NPN。最大DCコレクタ電流 = 1.5 A。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 400 V。パッケージタイプ = SOT-223 (SC-73)。実装タイプ = 表面実装。最大パワー消費 = 1.6 W。最小DC電流ゲイン = 16。トランジスタ構成 = シングル。最大エミッタ-ベース間電圧 = 12 V。ピン数 = 3 + Tab。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Max = +150 ℃mm。高電圧トランジスタ、STMicroelectronics

実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = D2PAK。最大連続 順方向電流 = 30A。ピーク逆繰返し電圧 = 400V。ダイオード構成 = シングル。整流タイプ = ファストリカバリー。ダイオードタイプ = 整流器。ピン数 = 3。最大順方向降下電圧 = 1.45V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。ピーク逆回復時間 = 100ns

チャンネルタイプ N。最大連続ドレイン電流 18 A。最大ドレイン-ソース間電圧 200 V。シリーズ STripFET。実装タイプ 表面実装。ピン数 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 125 mΩ。チャンネルモード エンハンスメント型。最大ゲートしきい値電圧 2.5V。最低ゲートしきい値電圧 1V。最大パワー消費 110 W。トランジスタ構成 シングル。最大ゲート-ソース間電圧 -20 V， +20 V。幅 6.2mm。動作温度 Min -55 ℃mm。NチャンネルSTripFET、STMicroelectronics

チャンネルタイプ N。最大連続ドレイン電流 18 A。最大ドレイン-ソース間電圧 200 V。シリーズ STripFET。実装タイプ スルーホール。ピン数 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 125 mΩ。チャンネルモード エンハンスメント型。最大ゲートしきい値電圧 4V。最低ゲートしきい値電圧 2V。最大パワー消費 110 W。トランジスタ構成 シングル。最大ゲート-ソース間電圧 -20 V， +20 V。幅 4.6mm。動作温度 Min -55 ℃mm。NチャンネルSTripFET、STMicroelectronics

実装タイプ = スルーホール。パッケージタイプ = TO-220AC。最大連続 順方向電流 = 8A。ピーク逆繰返し電圧 = 600V。ダイオード構成 = シングル。整流タイプ = スイッチング。ダイオードタイプ = 整流器。ピン数 = 2。最大順方向降下電圧 = 2.9V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション。ピーク逆回復時間 = 45ns。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 80A。整流ダイオード、4 A → 9 A、STMicroelectronics

トランジスタタイプ = NPN。最大DCコレクタ電流 = 3 A。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 60 V。パッケージタイプ = TO-220。実装タイプ = スルーホール。最大パワー消費 = 2 W。最小DC電流ゲイン = 10。トランジスタ構成 = シングル。最大コレクタ-ベース間電圧 = 60 V。最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V。ピン数 = 3。1チップ当たりのエレメント数 = 1。寸法 = 9.15 x 10.4 x 4.6mm。STMicroelectronics NPNパワートランジスタ

トランジスタタイプ = NPN。最大DCコレクタ電流 = 3 A。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 100 V。パッケージタイプ = TO-220。実装タイプ = スルーホール。最大パワー消費 = 2 W。最小DC電流ゲイン = 10。トランジスタ構成 = シングル。最大コレクタ-ベース間電圧 = 100 V。最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V。ピン数 = 3。1チップ当たりのエレメント数 = 1。寸法 = 9.15 x 10.4 x 4.6mm。STMicroelectronics NPNパワートランジスタ

トランジスタタイプ = NPN。最大DCコレクタ電流 = 8 A。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 80 V。パッケージタイプ = DPAK (TO-252)。実装タイプ = 表面実装。最大パワー消費 = 20 W。最小DC電流ゲイン = 40。トランジスタ構成 = シングル。最大コレクタ-ベース間電圧 = 80 V。最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V。ピン数 = 3。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Max = +150 ℃mm。STMicroelectronics NPNパワートランジスタ

トランジスタタイプ = NPN。最大DCコレクタ電流 = 20 A。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 80 V。パッケージタイプ = TO-220。実装タイプ = スルーホール。最大パワー消費 = 50 W。最小DC電流ゲイン = 40。トランジスタ構成 = シングル。最大コレクタ-ベース間電圧 = 80 V。最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V。ピン数 = 3。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Max = +150 ℃mm。STMicroelectronics NPNパワートランジスタ

トランジスタタイプ = NPN。最大DCコレクタ電流 = 1 A。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 100 V。パッケージタイプ = TO-220。実装タイプ = スルーホール。最大パワー消費 = 2 W。最小DC電流ゲイン = 15。トランジスタ構成 = シングル。最大コレクタ-ベース間電圧 = 100 V。最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V。ピン数 = 3。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Max = +150 ℃mm。STMicroelectronics NPNパワートランジスタ

トランジスタタイプ = NPN。最大連続コレクタ電流 = 10 A。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 100 V。パッケージタイプ = TO-220。実装タイプ = スルーホール。ピン数 = 3。トランジスタ構成 = シングル。1チップ当たりのエレメント数 = 1。最小DC電流ゲイン = 750。最大コレクタ-ベース間電圧 = 100 V。最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 = 2.5 V。最大コレクタカットオフ電流 = 0.2mA。幅 = 4.6mm。NPNダーリントントランジスタ、STMicroelectronics

チャンネルタイプ N。最大連続ドレイン電流 17 A。最大ドレイン-ソース間電圧 650 V。シリーズ MDmesh。実装タイプ スルーホール。ピン数 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 190 mΩ。チャンネルモード エンハンスメント型。最大ゲートしきい値電圧 4V。最低ゲートしきい値電圧 2V。最大パワー消費 30 W。トランジスタ構成 シングル。最大ゲート-ソース間電圧 -30 V， +30 V。幅 4.6mm。動作温度 Min -55 ℃mm。NチャンネルMDmesh、600 / 650 V、STMicroelectronics

チャンネルタイプ N。最大連続ドレイン電流 21 A。最大ドレイン-ソース間電圧 500 V。シリーズ MDmesh。実装タイプ スルーホール。ピン数 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 158 mΩ。チャンネルモード エンハンスメント型。最大ゲートしきい値電圧 4V。最低ゲートしきい値電圧 2V。最大パワー消費 35 W。トランジスタ構成 シングル。最大ゲート-ソース間電圧 -25 V， +25 V。幅 4.6mm。高さ 16.4mm。NチャンネルMDmesh、500 V、STMicroelectronics

チャンネルタイプ N。最大連続ドレイン電流 13 A。最大ドレイン-ソース間電圧 600 V。シリーズ MDmesh。実装タイプ スルーホール。ピン数 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 285 mΩ。チャンネルモード エンハンスメント型。最大ゲートしきい値電圧 4V。最低ゲートしきい値電圧 2V。最大パワー消費 110 W。トランジスタ構成 シングル。最大ゲート-ソース間電圧 -25 V， +25 V。幅 4.6mm。高さ 15.75mm。NチャンネルMDmesh、600 / 650 V、STMicroelectronics

トランジスタタイプ = NPN。最大DCコレクタ電流 = 1 A。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 60 V。パッケージタイプ = TO-220。実装タイプ = スルーホール。最大パワー消費 = 30 W。最小DC電流ゲイン = 15。トランジスタ構成 = シングル。最大コレクタ-ベース間電圧 = 60 V。最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V。ピン数 = 3。1チップ当たりのエレメント数 = 1。寸法 = 10.4 x 4.6 x 15.75mm。STMicroelectronics NPNパワートランジスタ

トランジスタタイプ = NPN。最大DCコレクタ電流 = 6 A。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 100 V。パッケージタイプ = TO-220。実装タイプ = スルーホール。最大パワー消費 = 65 W。最小DC電流ゲイン = 15。トランジスタ構成 = シングル。最大コレクタ-ベース間電圧 = 100 V。最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V。ピン数 = 3。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Max = +150 ℃mm。STMicroelectronics NPNパワートランジスタ