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仕様●実装タイプ : スルーホール●パッケージタイプ : DO-247●最大連続 順方向電流 : 60A●ピーク逆繰返し電圧 : 1200V●ダイオード構成 : シングル●整流タイプ : スイッチング●ダイオードタイプ : 整流器●ピン数 : 2●最大順方向降下電圧 : 2.25V●1チップ当たりのエレメント数 : 1●ダイオードテクノロジー : シリコンジャンクション●ピーク逆回復時間 : 125ns●ピーク非繰返し順方向サージ電流 : 400A●整流ダイオード、10 A → 240 A、STMicroelectronics RoHS指令(10物質対応)対応
1個
1,098 税込1,208
7日以内出荷

仕様●実装タイプ : スルーホール●パッケージタイプ : DO-247●最大連続 順方向電流 : 60A●ピーク逆繰返し電圧 : 600V●ダイオード構成 : シングル●整流タイプ : スイッチング●ダイオードタイプ : 整流器●ピン数 : 2●最大順方向降下電圧 : 1.55V●1チップ当たりのエレメント数 : 1●ダイオードテクノロジー : シリコンジャンクション●ピーク逆回復時間 : 105ns●ピーク非繰返し順方向サージ電流 : 400A●整流ダイオード、10 A → 240 A、STMicroelectronics RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(30個)
17,980 税込19,778
7日以内出荷

仕様●実装タイプ : 表面実装●パッケージタイプ : MELF●最大連続 順方向電流 : 1A●ピーク逆繰返し電圧 : 60V●ダイオード構成 : シングル●整流タイプ : ショットキー整流器●ダイオードタイプ : ショットキー●ピン数 : 2●1チップ当たりのエレメント数 : 1●ダイオードテクノロジー : ショットキー●ピーク非繰返し順方向サージ電流 : 40A●ショットキーバリアダイオード、最大1 A、STMicroelectronics. 高出力、高効率、高密度 RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(25個)
1,398 税込1,538
7日以内出荷

仕様●実装タイプ : 表面実装●パッケージタイプ : SOD-123●最大連続 順方向電流 : 500mA●ピーク逆繰返し電圧 : 60V●ダイオード構成 : シングル●整流タイプ : ショットキー整流器●ダイオードタイプ : ショットキー●ピン数 : 2●1チップ当たりのエレメント数 : 1●ダイオードテクノロジー : ショットキー●ピーク非繰返し順方向サージ電流 : 5.5A●ショットキーバリアダイオード、最大1 A、STMicroelectronics. 高出力、高効率、高密度 RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(3000個)
25,980 税込28,578
7日以内出荷

仕様●実装タイプ : スルーホール●パッケージタイプ : DO-15●最大連続 順方向電流 : 3A●ピーク逆繰返し電圧 : 60V●ダイオード構成 : シングル●整流タイプ : ショットキー整流器●ダイオードタイプ : ショットキー●ピン数 : 2●1チップ当たりのエレメント数 : 1●ダイオードテクノロジー : ショットキー●直径 : 3.53mm●ピーク非繰返し順方向サージ電流 : 100A●ショットキーバリアダイオード、2 A → 9 A、STMicroelectronics RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(1000個)
24,980 税込27,478
欠品中

仕様●実装タイプ : 表面実装●パッケージタイプ : PowerFLAT●最大連続 順方向電流 : 30A●ピーク逆繰返し電圧 : 60V●ダイオード構成 : シングル●整流タイプ : ショットキー整流器●ダイオードタイプ : ショットキー●ピン数 : 8●最大順方向降下電圧 : 720mV●1チップ当たりのエレメント数 : 1●ダイオードテクノロジー : ショットキー●ピーク非繰返し順方向サージ電流 : 250A●ショットキーバリアダイオード、30 A、STMicroelectronics RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(10個)
1,898 税込2,088
7日以内出荷

仕様●実装タイプ : スルーホール●パッケージタイプ : TO-247●最大連続 順方向電流 : 60A●ピーク逆繰返し電圧 : 300V●ダイオード構成 : コモンカソード●整流タイプ : スイッチング●ダイオードタイプ : 整流器●ピン数 : 3●最大順方向降下電圧 : 1.25V●1チップ当たりのエレメント数 : 2●ダイオードテクノロジー : シリコンジャンクション●ピーク逆回復時間 : 55ns●ピーク非繰返し順方向サージ電流 : 300A●整流ダイオード、10 A → 240 A、STMicroelectronics RoHS指令(10物質対応)対応
1個
639 税込703
5日以内出荷

仕様●実装タイプ : 表面実装●パッケージタイプ : DO-214AA (SMB)●最大連続 順方向電流 : 3A●ピーク逆繰返し電圧 : 60V●ダイオード構成 : シングル●整流タイプ : ショットキー整流器●ダイオードタイプ : ショットキー●ピン数 : 2●1チップ当たりのエレメント数 : 1●ダイオードテクノロジー : ショットキー●ピーク非繰返し順方向サージ電流 : 100A●ショットキーバリアダイオード、2 A → 9 A、STMicroelectronics RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(2500個)
55,980 税込61,578
7日以内出荷

仕様●ダイオード構成 : シングルA●1チップ当たりのエレメント数 : 1●最大逆電圧 : 400V●パッケージタイプ : TO-247●ダイオードテクノロジー : シリコンジャンクション●最大順方向降下電圧 : 1.35V●動作温度 Max : +175 ℃●長さ : 15.75mm●幅 : 5.15mm●高さ : 20.15mm●寸法 : 15.75×5.15×20.15mm●整流ダイオード、10 A → 240 A、STMicroelectronics RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(30個)
10,980 税込12,078
7日以内出荷

仕様最大連続 順方向電流 = 3A1チップ当たりのエレメント数 = 1ピーク逆繰返し電圧 = 60V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = DO-214AB (SMC)ダイオードタイプ = ショットキーピン数 = 2長さ = 7.15mm幅 = 6.25mm高さ = 2.45mmピーク非繰返し順方向サージ電流 = 75Aショットキーバリアダイオード、2 A → 9 A、STMicroelectronics RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(10個)
499 税込549
5日以内出荷

仕様ダイオード構成 = 絶縁型整流タイプ = スイッチングピーク逆繰返し電圧 = 600V実装タイプ = パネルマウントパッケージタイプ = ISOTOPダイオードタイプ = シリコンジャンクションピン数 = 4最大順方向降下電圧 = 1.55V長さ = 38.2mm幅 = 25.5mm高さ = 9.1mmピーク逆回復時間 = 105ns動作温度 Min = -55 ℃整流ダイオード、10 A → 240 A、STMicroelectronics RoHS指令(10物質対応)対応
1個
3,798 税込4,178
欠品中

仕様最大連続 順方向電流 = 60A整流タイプ = スイッチングピーク逆繰返し電圧 = 1000V実装タイプ = パネルマウントパッケージタイプ = ISOTOPダイオードテクノロジー = シリコンジャンクションピン数 = 4最大順方向降下電圧 = 2V長さ = 38.2mm幅 = 25.5mm高さ = 9.1mmピーク逆回復時間 = 115nsピーク逆電流 = 20μA整流ダイオード、10 A → 240 A、STMicroelectronics RoHS指令(10物質対応)対応
1個
3,998 税込4,398
欠品中

仕様●実装タイプ : スルーホール●パッケージタイプ : TO-220ABFP●最大連続 順方向電流 : 10A●ピーク逆繰返し電圧 : 60V●ダイオード構成 : コモンカソード●整流タイプ : ショットキー整流器●ダイオードタイプ : ショットキー●ピン数 : 3●1チップ当たりのエレメント数 : 2●ダイオードテクノロジー : ショットキー●ピーク非繰返し順方向サージ電流 : 180A●ショットキーバリアダイオード、10 A → 16 A、STMicroelectronics RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(50個)
5,498 税込6,048
7日以内出荷

仕様●実装タイプ: スルーホール●パッケージタイプ: DO-35●最大連続 順方向電流: 15mA●ピーク逆繰返し電圧: 60V●ダイオード構成: シングル●整流タイプ: 小信号●ダイオードタイプ: ショットキー●ピン数: 2●1チップ当たりのエレメント数: 1●ダイオードテクノロジー: ショットキーダイオード●直径: 2mm●ピーク非繰返し順方向サージ電流: 50mA●ショットキーバリアダイオード、最大1 A、STMicroelectronics. 高出力、高効率、高密度 RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(25個)
409 税込450
翌々日出荷

実装タイプ = スルーホール。パッケージタイプ = TO-247。最大連続 順方向電流 = 30A。ピーク逆繰返し電圧 = 60V。ダイオード構成 = コモンカソードペア2組。整流タイプ = ショットキー整流器。ダイオードタイプ = ショットキー。ピン数 = 3。最大順方向降下電圧 = 1.05V。1チップ当たりのエレメント数 = 2。ダイオードテクノロジー = ショットキー。スイッチモード電源及びその他の電力コンバータに適した高電圧デュアルショットキー整流器です。TO-247 にパッケージされたこのデバイスは、中電圧動作、特に低スイッチング損失と低ノイズが求められる高周波数回路での使用を想定しています。無視できるスイッチングロス 低静電容量 低順方向電圧降下 高逆アバランシェサージ機能
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(5個)
2,298 税込2,528
7日以内出荷



仕様●最大連続コレクタ電流 : 80 A●最大コレクタ- エミッタ間電圧 : 600 V●最大ゲート-エミッタ間電圧 : ±20V●最大パワー消費 : 250 W●パッケージタイプ : TO-247●実装タイプ : スルーホール●チャンネルタイプ : N●ピン数 : 3●スイッチングスピード : 1MHz●トランジスタ構成 : シングル●寸法 : 15.75×5.15×20.15mm●動作温度 Min : -55 ℃●IGBTディスクリート、STMicroelectronics RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(2個)
2,198 税込2,418
7日以内出荷

仕様●最大連続コレクタ電流 : 20 A●最大コレクタ- エミッタ間電圧 : 600 V●最大ゲート-エミッタ間電圧 : ±20V●パッケージタイプ : TO-220●実装タイプ : スルーホール●チャンネルタイプ : N●ピン数 : 3●トランジスタ構成 : シングル●寸法 : 10.4×4.6×9.15mm●動作温度 Min : -55 ℃●IGBTディスクリート、STMicroelectronics RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(5個)
1,598 税込1,758
7日以内出荷

仕様●最大連続コレクタ電流 : 6 A●最大コレクタ- エミッタ間電圧 : 600 V●最大ゲート-エミッタ間電圧 : ±20V●最大パワー消費 : 20 W●パッケージタイプ : TO-220FP●実装タイプ : スルーホール●チャンネルタイプ : N●ピン数 : 3●スイッチングスピード : 1MHz●トランジスタ構成 : シングル●寸法 : 10.4×4.6×16.4mm●動作温度 Min : -55 ℃●IGBTディスクリート、STMicroelectronics RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(5個)
1,498 税込1,648
7日以内出荷

仕様●最大連続コレクタ電流 : 15 A●最大コレクタ- エミッタ間電圧 : 600 V●最大ゲート-エミッタ間電圧 : ±20V●パッケージタイプ : TO-220●実装タイプ : スルーホール●チャンネルタイプ : N●ピン数 : 3●トランジスタ構成 : シングル●寸法 : 10.4×4.6×9.15mm●動作温度 Min : -55 ℃●IGBTディスクリート、STMicroelectronics RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(5個)
569 税込626
7日以内出荷

仕様●最大連続コレクタ電流 : 9 A●最大コレクタ- エミッタ間電圧 : 600 V●最大ゲート-エミッタ間電圧 : ±20V●最大パワー消費 : 25 W●パッケージタイプ : TO-220FP●実装タイプ : スルーホール●チャンネルタイプ : N●ピン数 : 3●スイッチングスピード : 1MHz●トランジスタ構成 : シングル●寸法 : 10.4×4.6×16.4mm●動作温度 Min : -55 ℃●IGBTディスクリート、STMicroelectronics RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(10個)
1,798 税込1,978
7日以内出荷

最大連続コレクタ電流 = 23 A。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 600 V。最大ゲート-エミッタ間電圧 = ±20V。最大パワー消費 = 25 W。パッケージタイプ = TO-220FP。実装タイプ = スルーホール。チャンネルタイプ = N。ピン数 = 3。トランジスタ構成 = シングル。寸法 = 10.4 x 4.6 x 20mm。動作温度 Min = -55 ℃pF。IGBTディスクリート、STMicroelectronics
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(10個)
2,198 税込2,418
7日以内出荷

最大連続コレクタ電流 = 15 A。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 600 V。最大ゲート-エミッタ間電圧 = ±20V。パッケージタイプ = TO-220FP。実装タイプ = スルーホール。チャンネルタイプ = N。ピン数 = 3。トランジスタ構成 = シングル。寸法 = 10.4 x 4.6 x 9.3mm。動作温度 Min = -55 ℃。IGBTディスクリート、STMicroelectronics
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(2個)
689 税込758
7日以内出荷

仕様●最大連続コレクタ電流 : 20 A●最大コレクタ- エミッタ間電圧 : 600 V●最大ゲート-エミッタ間電圧 : ±20V●最大パワー消費 : 65 W●パッケージタイプ : D2PAK (TO-263)●実装タイプ : 表面実装●チャンネルタイプ : N●ピン数 : 3●スイッチングスピード : 1MHz●トランジスタ構成 : シングル●寸法 : 10.4×9.35×4.6mm●動作温度 Max : +150 ℃●IGBTディスクリート、STMicroelectronics RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(5個)
1,498 税込1,648
7日以内出荷

仕様●チャンネルタイプ : N●最大連続ドレイン電流 : 4 A●最大ドレイン-ソース間電圧 : 60 V●シリーズ : STripFET(TM)実装タイプ : 表面実装●ピン数 : 8●最大ドレイン-ソース間抵抗 : 55 mΩ●チャンネルモード : エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧 : 2.5V●最低ゲートしきい値電圧 : 1V●最大パワー消費 : 2 W●トランジスタ構成 : 絶縁型●最大ゲート-ソース間電圧 : -15 V, +15 V●幅 : 4mm●動作温度 Min : -55 ℃●NチャンネルSTripFET(TM)デュアルMOSFET、STMicroelectronics. 広い絶縁破壊電圧範囲のSTripFET(TM) MOSFETは、超低ゲート電荷量及び低オン抵抗を提供します。 RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(2500個)
339,800 税込373,780
7日以内出荷

仕様●チャンネルタイプ : N●最大連続ドレイン電流 : 7 A●最大ドレイン-ソース間電圧 : 600 V●シリーズ : MDmesh, SuperMESH●実装タイプ : スルーホール●ピン数 : 3●最大ドレイン-ソース間抵抗 : 950 mΩ●チャンネルモード : エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧 : 4.5V●最低ゲートしきい値電圧 : 3V●最大パワー消費 : 125 W●トランジスタ構成 : シングル●最大ゲート-ソース間電圧 : -30 V, +30 V●幅 : 4.6mm●高さ : 9.15mm●NチャンネルMDmesh(TM) SuperMESH(TM)、250 V → 650 V、STMicroelectronics RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(50個)
11,980 税込13,178
7日以内出荷

仕様●チャンネルタイプ : N●最大連続ドレイン電流 : 30 A●最大ドレイン-ソース間電圧 : 60 V●パッケージタイプ : TO-220●実装タイプ : スルーホール●ピン数 : 3●最大ドレイン-ソース間抵抗 : 40 mΩ●チャンネルモード : エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧 : 2.5V●最低ゲートしきい値電圧 : 1V●最大パワー消費 : 70 W●トランジスタ構成 : シングル●最大ゲート-ソース間電圧 : -18 V, +18 V●動作温度 Max : +175 ℃mm●動作温度 Min : -55 ℃●NチャンネルSTripFET(TM)、STMicroelectronics RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(50個)
7,498 税込8,248
7日以内出荷

仕様●チャンネルタイプ : N●最大連続ドレイン電流 : 50 A●最大ドレイン-ソース間電圧 : 60 V●シリーズ : STripFET(TM)II●実装タイプ : スルーホール●ピン数 : 3●最大ドレイン-ソース間抵抗 : 18 mΩ●チャンネルモード : エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧 : 4V●最低ゲートしきい値電圧 : 2V●最大パワー消費 : 110 W●トランジスタ構成 : シングル●最大ゲート-ソース間電圧 : -20 V, +20 V●1チップ当たりのエレメント数 : 1mm●動作温度 Min : -55 ℃●NチャンネルSTripFET(TM) II、STMicroelectronics. 広い絶縁破壊電圧範囲のSTripFET(TM) MOSFETは、超低ゲート電荷量及び低オン抵抗を提供します。 RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(50個)
7,198 税込7,918
7日以内出荷

チャンネルタイプ N。最大連続ドレイン電流 4 A。最大ドレイン-ソース間電圧 600 V。シリーズ MDmesh, SuperMESH。実装タイプ スルーホール。ピン数 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 2 Ω。チャンネルモード エンハンスメント型。最大ゲートしきい値電圧 4.5V。最低ゲートしきい値電圧 3V。最大パワー消費 70 W。トランジスタ構成 シングル。最大ゲート-ソース間電圧 -30 V, +30 V。幅 4.6mm。高さ 9.15mm。NチャンネルMDmesh SuperMESH、250 → 650 V、STMicroelectronics
RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(50個)
7,298 税込8,028
7日以内出荷



仕様●チャンネルタイプ : N●最大連続ドレイン電流 : 6.5 A●最大ドレイン-ソース間電圧 : 600 V●シリーズ : MDmesh●実装タイプ : スルーホール●ピン数 : 3●最大ドレイン-ソース間抵抗 : 745 mΩ●チャンネルモード : エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧 : 4V●最低ゲートしきい値電圧 : 2V●最大パワー消費 : 25 W●トランジスタ構成 : シングル●最大ゲート-ソース間電圧 : -25 V, +25 V●標準ゲートチャージ @ Vgs : 17.4 nC @ 10 Vmm●高さ : 16.4mm●NチャンネルMDmesh(TM)、600 V / 650 V、STMicroelectronics RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(5個)
2,398 税込2,638
7日以内出荷


仕様●チャンネルタイプ : N●最大連続ドレイン電流 : 39 A●最大ドレイン-ソース間電圧 : 600 V●シリーズ : MDmesh●実装タイプ : スルーホール●ピン数 : 3●最大ドレイン-ソース間抵抗 : 70 mΩ●チャンネルモード : エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧 : 4V●最低ゲートしきい値電圧 : 2V●最大パワー消費 : 255 W●トランジスタ構成 : シングル●最大ゲート-ソース間電圧 : -25 V, +25 V●標準ゲートチャージ @ Vgs : 124 nC @ 10 Vmm●高さ : 20.15mm●NチャンネルMDmesh(TM)、600 V / 650 V、STMicroelectronics RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(30個)
22,980 税込25,278
7日以内出荷

仕様●チャンネルタイプ : N●最大連続ドレイン電流 : 4 A●最大ドレイン-ソース間電圧 : 60 V●シリーズ : STripFET●実装タイプ : 表面実装●ピン数 : 3●最大ドレイン-ソース間抵抗 : 100 mΩ●チャンネルモード : エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧 : 2.8V●最低ゲートしきい値電圧 : 1V●最大パワー消費 : 3.3 W●トランジスタ構成 : シングル●最大ゲート-ソース間電圧 : -16 V, +16 V●1チップ当たりのエレメント数 : 1mm●動作温度 Min : -55 ℃mm●NチャンネルSTripFET(TM)、STMicroelectronics RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(4000個)
279,800 税込307,780
7日以内出荷

仕様●チャンネルタイプ : N●最大連続ドレイン電流 : 7 A●最大ドレイン-ソース間電圧 : 600 V●パッケージタイプ : TO-220FP●実装タイプ : スルーホール●ピン数 : 3●最大ドレイン-ソース間抵抗 : 950 mΩ●チャンネルモード : エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧 : 4.5V●最低ゲートしきい値電圧 : 3V●最大パワー消費 : 30 W●トランジスタ構成 : シングル●最大ゲート-ソース間電圧 : -30 V, +30 V●幅 : 4.6mm●高さ : 16.4mm●NチャンネルMDmesh(TM) SuperMESH(TM)、250 V → 650 V、STMicroelectronics RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(50個)
14,980 税込16,478
7日以内出荷

仕様●チャンネルタイプ : N●最大連続ドレイン電流 : 50 A●最大ドレイン-ソース間電圧 : 60 V●シリーズ : STripFET(TM)II●実装タイプ : スルーホール●ピン数 : 3●最大ドレイン-ソース間抵抗 : 18 mΩ●チャンネルモード : エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧 : 4V●最低ゲートしきい値電圧 : 2V●最大パワー消費 : 30 W●トランジスタ構成 : シングル●最大ゲート-ソース間電圧 : -20 V, +20 V●1チップ当たりのエレメント数 : 1mm●動作温度 Min : -55 ℃●NチャンネルSTripFET(TM) II、STMicroelectronics. 広い絶縁破壊電圧範囲のSTripFET(TM) MOSFETは、超低ゲート電荷量及び低オン抵抗を提供します。
1セット(50個)
8,998 税込9,898
7日以内出荷

チャンネルタイプ N。最大連続ドレイン電流 10 A。最大ドレイン-ソース間電圧 600 V。シリーズ MDmesh, SuperMESH。実装タイプ スルーホール。ピン数 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 750 mΩ。チャンネルモード エンハンスメント型。最大ゲートしきい値電圧 4.5V。最低ゲートしきい値電圧 3V。最大パワー消費 35 W。トランジスタ構成 シングル。最大ゲート-ソース間電圧 -30 V, +30 V。幅 4.6mm。動作温度 Min -55 ℃mm。NチャンネルMDmesh SuperMESH、250 → 650 V、STMicroelectronics
RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(50個)
16,980 税込18,678
7日以内出荷

仕様●チャンネルタイプ : N●最大連続ドレイン電流 : 10 A●最大ドレイン-ソース間電圧 : 600 V●シリーズ : MDmesh●実装タイプ : スルーホール●ピン数 : 3●最大ドレイン-ソース間抵抗 : 550 mΩ●チャンネルモード : エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧 : 4V●最低ゲートしきい値電圧 : 2V●最大パワー消費 : 70 W●トランジスタ構成 : シングル●最大ゲート-ソース間電圧 : -25 V, +25 V●1チップ当たりのエレメント数 : 1mm●高さ : 15.75mm●NチャンネルMDmesh(TM)、600 V / 650 V、STMicroelectronics RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(5個)
2,298 税込2,528
7日以内出荷

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