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実装タイプ = パネルマウント。パッケージタイプ = Tモジュール。最大連続 順方向電流 = 70A。ピーク逆繰返し電圧 = 400V。ダイオード構成 = シングル。整流タイプ = 回復整流器。ダイオードタイプ = 整流器。ピン数 = 2。最大順方向降下電圧 = 1.35V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 1.3kA。Vishay シリコンジャンクションダイオード VS-T40HF .. 、 VS-T70HF .. 、 VS-T85HF .. 、 VS-T110HF .. このシリーズの T モジュールでは、標準の回復用パワー整流ダイオードが使用されています。半導体は金属ベースから電気的に絶縁されているため、共通のヒートシンクとコンパクトなアセンブリを作成できます。主な用途には、電源、バッテリ充電、溶接機、モータ制御、一般的な産業用電流整流などがあります。 特長 電気的に絶縁されたベースプレート 最大 1200 個の VRRM を入力します 絶縁電圧： 3500 Vrms 機械設計の簡素化、 Rapid Assembly 高サージ機能 大きな沿面距離 UL E78996 認定 RoHS 指令 2002/95/EC に準拠 工業レベルの設計と認定を受けている

実装タイプ = ねじ取り付け。パッケージタイプ = DO-5。最大連続 順方向電流 = 40A。ピーク逆繰返し電圧 = 1000V。ダイオード構成 = スタッドカソード。整流タイプ = 回復整流器。ダイオードタイプ = 整流器。ピン数 = 2。最大順方向降下電圧 = 1.3V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 595A。標準リカバリ整流器 11 → 40 A. 業界標準のパッケージを採用した、汎用性の高い高効率の標準リカバリーパワーダイオードです。

実装タイプ = パネルマウント。パッケージタイプ = D-55。最大連続 順方向電流 = 40A。ピーク逆繰返し電圧 = 100V。ダイオード構成 = シングル。整流タイプ = 回復整流器。ダイオードタイプ = 整流器。ピン数 = 2。最大順方向降下電圧 = 1.3V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 600A。Vishay シリコンジャンクションダイオード VS-T40HF .. 、 VS-T70HF .. 、 VS-T85HF .. 、 VS-T110HF .. このシリーズの T モジュールでは、標準の回復用パワー整流ダイオードが使用されています。半導体は金属ベースから電気的に絶縁されているため、共通のヒートシンクとコンパクトなアセンブリを作成できます。主な用途には、電源、バッテリ充電、溶接機、モータ制御、一般的な産業用電流整流などがあります。 特長 電気的に絶縁されたベースプレート 最大 1200 個の VRRM を入力します 絶縁電圧： 3500 Vrms 機械設計の簡素化、 Rapid Assembly 高サージ機能 大きな沿面距離 UL E78996 認定 RoHS 指令 2002/95/EC に準拠 工業レベルの設計と認定を受けている

実装タイプ = ねじ取り付け。パッケージタイプ = DO-5。最大連続 順方向電流 = 40A。ピーク逆繰返し電圧 = 800V。ダイオード構成 = スタッドカソード。整流タイプ = 回復整流器。ダイオードタイプ = 整流器。ピン数 = 2。最大順方向降下電圧 = 1.3V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 595A。標準リカバリ整流器 11 → 40 A. 業界標準のパッケージを採用した、汎用性の高い高効率の標準リカバリーパワーダイオードです。

実装タイプ = ねじ取り付け。パッケージタイプ = DO-5。最大連続 順方向電流 = 70A。ピーク逆繰返し電圧 = 100V。ダイオード構成 = スタッドアノード。整流タイプ = 回復整流器。ダイオードタイプ = 整流器。ピン数 = 2。最大順方向降下電圧 = 1.35V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 1.3kA。標準リカバリー整流器 40 A 超. 業界標準のパッケージスタイルに適合する多用途・高効率の標準リカバリーパワーダイオードです。

実装タイプ = ねじ取り付け。パッケージタイプ = DO-4。最大連続 順方向電流 = 25A。ピーク逆繰返し電圧 = 1200V。ダイオード構成 = スタッドカソード。整流タイプ = 回復整流器。ダイオードタイプ = 整流器。ピン数 = 2。最大順方向降下電圧 = 1.3V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 373A。標準リカバリ整流器 11 → 40 A. 業界標準のパッケージを採用した、汎用性の高い高効率の標準リカバリーパワーダイオードです。

実装タイプ = ねじ取り付け。パッケージタイプ = DO-5。最大連続 順方向電流 = 40A。ピーク逆繰返し電圧 = 1000V。ダイオード構成 = スタッドアノード。整流タイプ = 回復整流器。ダイオードタイプ = 整流器。ピン数 = 2。最大順方向降下電圧 = 1.3V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 595A。標準リカバリ整流器 11 → 40 A. 業界標準のパッケージを採用した、汎用性の高い高効率の標準リカバリーパワーダイオードです。

バリスタ電圧 = 430V。最大AC定格電圧 = 275V。最大直流定格電圧 = 350V。制限電圧 = 710V。クランプ電流 = 10A。材料 = ZnOセラミックJ。シリーズ = VDRS。直径 = 9mm。最大サージ電流 = 1200A。静電容量 = 140pF。長さ = 35mm。厚さ = 4.9mm。寸法 = 9 Dia. x 4.9mm。リード間隔 = 5mm。VDR金属酸化物バリスタ(標準)特長 低β高純度酸化亜鉛ディスク ハロゲンフリー絶縁エポキシコーティング 酸化亜鉛ディスク、HFエポキシコーティング

最大順方向電流 = 200mA。1チップ当たりのエレメント数 = 1。最大逆電圧 = 50V。パッケージタイプ = MicroMELF。ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション。ピン数 = 2V。最大ダイオードキャパシタンス = 2pF。動作温度 Max = +175 ℃。長さ = 2mm。寸法 = 1.2 (Dia.) x 2mm。直径 = 1.2mm。ガラス不動態化ジャンクション高速スイッチングプラスチック整流器. 特長 信頼性の高い状態を実現する Superectifier 構造 キャビティフリーのガラス不動態化ジャンクション 高速スイッチングにより高効率を実現 低漏洩電流、標準 IR は 0.2 μ A 未満 高順方向サージ機能 はんだ耐熱性: 275 ℃で最大10秒間、JESD22-B106準拠 代表的用途 G2 グリッド CRT 、 TV 、スナバーの高電圧整流 カメラフラッシュサーキット 機械データ ケース： DO-204AL 、成形エポキシ(ガラスボディ) 成形化合物は UL94 V-0 難燃性等級に適合しています ベース品番 -E3 - RoHS 適合(商用グレード 端子： つや消しスズめっきリード、はんだ付け可能 J-STD-002 及び JESD 22-B102 を搭載 E3 サフィックスは JESD 201 クラス 1A ウィスカテストに適合 極性： カラーバンドでカソード端を表示

実装タイプ = スルーホール実装。出力デバイス = トランジスタ。最大順方向電圧 = 1.5V。チャンネル数 = 1。ピン数 = 6。パッケージタイプ = DIP。入力電流タイプ = AC。最大入力電流 = 60 mA。絶縁電圧 = 5.3 kVrms。シリーズ = H11A。オプトカプラ、AC入力、トランジスタ出力、Vishay Semiconductor

最大抵抗 = 100kΩ。実装タイプ = スルーホール。回転数 = 20。方位 = 側面調整。定格電力 = 0.5W。シリーズ = 43P。終端スタイル = ピン。許容差 = ±10%。温度係数 = ±100ppm/℃。軸径 = 2.54 mmmm。動作温度 Min = -55℃。動作温度 Max = +125℃。19 mm (3/4インチ) 500 mW長方形端面調整型43Pシリーズ、標準. 独自のスライダブロックによる優れた設定能力 マルチフィンガーワイパーによるCRVの最小化 密閉による液浸基板洗浄への耐性 成形ボディ、スタンドオフ内蔵 行程末端でワイパー停止 パネル取り付けアダプタを用意、品番 ； 855-305 855-305

最大抵抗 = 20kΩ。実装タイプ = パネル取り付け、 スルーホール。回転数 = 20。方位 = 側面調整。定格電力 = 0.5W。シリーズ = 43P。終端スタイル = ピン。許容差 = ±10%。温度係数 = ±100ppm/℃。長さ = 27.81mm。動作温度 Min = -55℃。動作温度 Max = +125℃。ボディーカラーは青です。. 19 mm ( インチ) 500 mW 長方形端面調整型 43P シリーズ パネル取り付け. 独自のスライダブロックによる優れた設定性 CRVを最小限に抑えるマルチフィンガーワイパー 浸漬型基板洗浄に耐える密封構造 スタンドオフを内蔵した成型ボディ 行程末端ではワイパーは空転

最大抵抗 = 200kΩ。実装タイプ = スルーホール。回転数 = 21。方位 = 上面調整。定格電力 = 0.5W。シリーズ = T93。終端スタイル = ピン。許容差 = ±10%。軸径 = 2.2 mmmm。動作温度 Min = -55℃。動作温度 Max = +155℃。多回転IP67シール構造のサーメットトリマー - T93シリーズ. Vishay Sfernice T93シリーズ 19回転サーメットトリマ 接触抵抗の変動が低い IP67等級のシール構造

最大抵抗 = 1kΩ。実装タイプ = スルーホール。回転数 = 20。方位 = 側面調整。定格電力 = 1W。シリーズ = 70Y。終端スタイル = ピン。許容差 = ±10%。温度係数 = ±100ppm/℃。長さ = 33.53mm。動作温度 Min = -55℃。動作温度 Max = +150℃。32 mm (1 1/4インチ) 0.5 W長方形端面調整型70Yシリーズ. 高い定格電力(0.5 W @ 70 ℃) 独自のスライダブロックによる優れた設定能力 マルチフィンガーワイパーによるCRVの最小化 密閉による液浸基板洗浄への耐性 成形ボディ、スタンドオフ内蔵 行程末端でワイパー停止 パネル取り付けアダプタを用意、品番 ； 855-311 855-311

抵抗 = 15MΩ。定格電力 = 0.5W。許容差 = ±5%。テクノロジー = メタルグレース。シリーズ = VR37。温度係数 = ±200ppm/℃。動作温度 Min = -55℃。VR37シリーズ、アキシャル. Vishay VR37シリーズの金属皮膜抵抗器です。 定格0.5 Wで高い信頼性と品質を保証します。 この抵抗器は、ライトブルーのラッカーコーティングにより、電気、機械、気候に対する保護を実現しています。. 各種抵抗値のものを用意 高パルス負荷機能(10 kV) 技術: メタルグレーズ

最大抵抗 = 10kΩ。実装タイプ = スルーホール。回転数 = 21回転(電気的)、23回転(機械的)。方位 = 上面調整。定格電力 = 0.5W。シリーズ = T93。終端スタイル = ピン。許容差 = ±10%。温度係数 = ±100ppm/℃。軸径 = 2.2 mmmm。動作温度 Min = -55℃。動作温度 Max = +155℃。多回転IP67シール構造のサーメットトリマー - T93シリーズ. Vishay Sfernice T93シリーズ 19回転サーメットトリマ 接触抵抗の変動が低い IP67等級のシール構造

抵抗 = 50mΩ。定格電力 = 30W。許容差 = ±5%。テクノロジー = 厚膜。シリーズ = LTO30。パッケージ/ケース = TO-220。温度係数 = ±700ppm/℃。リード間隔 = 5.08mm。LTO30シリーズ30 W厚膜型の電力抵抗器. LTO30シリーズ30 W厚膜型の電力抵抗器はコンパクトなTO-220パッケージを備え、ヒートシンクを装着したケースの温度は30 Wで25 ℃です。 これらのLTO30シリーズ30 W電力抵抗器は直接ヒートシンク上にセラミックを装着し、550 KΩまでの幅広いR010の抵抗範囲を備え、誘導性がありません。. 厚膜セラミック抵抗器 装着されたヒートシンクのケース温度: 30 W @ 25 ℃ 直接ヒートシンク上にセラミックを装着 TO-220パッケージ 絶縁されたケース ホットスポットを低減するためにサンドトリミングで調整

最大抵抗 = 10kΩ。実装タイプ = スルーホール。回転数 = 19 (電気的)、22 (機械的)。方位 = 上面調整。定格電力 = 0.5W。シリーズ = 64W。終端スタイル = ピン。許容差 = ±10%。温度係数 = ±100ppm/℃。軸径 = 2.2 mmmm。動作温度 Min = -55℃。動作温度 Max = +155℃。上面調整64 Wシリーズ. スリムボディプロファイル - 高パッキング密度 密閉による液浸基板洗浄への耐性 難燃性プラスチックハウジング ダブルシェブロンシャフトシール 成形ボディ、スタンドオフ内蔵 基板アセンブリ用ICスタイルピン 貴金属ワイパーにより、セットポイントの安定性を確保

抵抗 = 3.9Ω。定格電力 = 20W。許容差 = ±5%。テクノロジー = 厚膜。シリーズ = RTO 20。パッケージ/ケース = TO-220。温度係数 = ±150ppm/℃。リード間隔 = 5.08mm。厚膜型の電力抵抗器 - 20 W - 金属ベース. 無誘導厚膜抵抗器 TO-220ハウジングに収められ、ヒートシンクに取り付けられたこれらの抵抗器は、コンパクトで定格電力が高く、小型パッケージに容易に実装できます。

最大抵抗 = 100Ω。実装タイプ = スルーホール。回転数 = 21。方位 = 上面調整。定格電力 = 0.5W。シリーズ = T93。終端スタイル = ピン。許容差 = ±10%。温度係数 = ±100ppm/℃。軸径 = 2.2 mmmm。動作温度 Min = -55℃。動作温度 Max = +155℃。多回転IP67シール構造のサーメットトリマー - T93シリーズ. Vishay Sfernice T93シリーズ 19回転サーメットトリマ 接触抵抗の変動が低い IP67等級のシール構造

抵抗 = 1Ω。定格電力 = 50W。許容差 = ±1%。テクノロジー = 厚膜。シリーズ = LTO50。パッケージ/ケース = TO-220。動作温度 Max = +155℃。リード間隔 = 5.08mm。LTO50シリーズ50 W厚膜型の電力抵抗器. LTO50シリーズ50 W厚膜型の電力抵抗器はコンパクトなTO-220パッケージを備え、ヒートシンクを装着したケースの温度は50 Wで25 ℃です。 これらのLTO50シリーズ50 W電力抵抗器は直接ヒートシンク上にセラミックを装着し、550 KΩまでの幅広いR010の抵抗範囲と絶縁されたケースを備え、誘導性がありません。. 厚膜セラミック抵抗器 装着されたヒートシンクのケース温度: 50 W @ 25 ℃ 直接ヒートシンク上にセラミックを装着 TO-220パッケージ 絶縁されたケース ホットスポットを低減するためにサンドトリミングで調整

抵抗 = 22Ω。定格電力 = 50W。許容差 = ±1%。テクノロジー = 厚膜。シリーズ = LTO50。パッケージ/ケース = TO-220。動作温度 Max = +155℃。動作温度 Min = -55℃。LTO50シリーズ50 W厚膜型の電力抵抗器. LTO50シリーズ50 W厚膜型の電力抵抗器はコンパクトなTO-220パッケージを備え、ヒートシンクを装着したケースの温度は50 Wで25 ℃です。 これらのLTO50シリーズ50 W電力抵抗器は直接ヒートシンク上にセラミックを装着し、550 KΩまでの幅広いR010の抵抗範囲と絶縁されたケースを備え、誘導性がありません。. 厚膜セラミック抵抗器 装着されたヒートシンクのケース温度: 50 W @ 25 ℃ 直接ヒートシンク上にセラミックを装着 TO-220パッケージ 絶縁されたケース ホットスポットを低減するためにサンドトリミングで調整

抵抗 = 1Ω。定格電力 = 50W。許容差 = ±5%。テクノロジー = 厚膜。シリーズ = LTO50。パッケージ/ケース = TO-220。温度係数 = ±150ppm/℃。動作温度 Min = -55℃。LTO50シリーズ50 W厚膜型の電力抵抗器. LTO50シリーズ50 W厚膜型の電力抵抗器はコンパクトなTO-220パッケージを備え、ヒートシンクを装着したケースの温度は50 Wで25 ℃です。 これらのLTO50シリーズ50 W電力抵抗器は直接ヒートシンク上にセラミックを装着し、550 KΩまでの幅広いR010の抵抗範囲と絶縁されたケースを備え、誘導性がありません。. 厚膜セラミック抵抗器 装着されたヒートシンクのケース温度: 50 W @ 25 ℃ 直接ヒートシンク上にセラミックを装着 TO-220パッケージ 絶縁されたケース ホットスポットを低減するためにサンドトリミングで調整

抵抗 = 10mΩ。定格電力 = 30W。許容差 = ±5%。テクノロジー = 厚膜。シリーズ = LTO30。パッケージ/ケース = TO-220。動作温度 Max = +150℃。動作温度 Min = -55℃。LTO30シリーズ30 W厚膜型の電力抵抗器. LTO30シリーズ30 W厚膜型の電力抵抗器はコンパクトなTO-220パッケージを備え、ヒートシンクを装着したケースの温度は30 Wで25 ℃です。 これらのLTO30シリーズ30 W電力抵抗器は直接ヒートシンク上にセラミックを装着し、550 KΩまでの幅広いR010の抵抗範囲を備え、誘導性がありません。. 厚膜セラミック抵抗器 装着されたヒートシンクのケース温度: 30 W @ 25 ℃ 直接ヒートシンク上にセラミックを装着 TO-220パッケージ 絶縁されたケース ホットスポットを低減するためにサンドトリミングで調整

抵抗 = 1kΩ。定格電力 = 50W。許容差 = ±5%。テクノロジー = 厚膜。シリーズ = LTO50。パッケージ/ケース = TO-220。動作温度 Max = +150℃。リード間隔 = 5.08mm。LTO50シリーズ50 W厚膜型の電力抵抗器. LTO50シリーズ50 W厚膜型の電力抵抗器はコンパクトなTO-220パッケージを備え、ヒートシンクを装着したケースの温度は50 Wで25 ℃です。 これらのLTO50シリーズ50 W電力抵抗器は直接ヒートシンク上にセラミックを装着し、550 KΩまでの幅広いR010の抵抗範囲と絶縁されたケースを備え、誘導性がありません。. 厚膜セラミック抵抗器 装着されたヒートシンクのケース温度: 50 W @ 25 ℃ 直接ヒートシンク上にセラミックを装着 TO-220パッケージ 絶縁されたケース ホットスポットを低減するためにサンドトリミングで調整

最大抵抗 = 2kΩ。実装タイプ = スルーホール。回転数 = 15。方位 = 側面調整。定格電力 = 0.75W。シリーズ = T18。終端スタイル = ピン。許容差 = ±10%。長さ = 19mm。動作温度 Min = -55℃。動作温度 Max = +125℃。0.5 W多回転サーメットトリマ - T18シリーズ. Vishay Sfernice T18シリーズ 15回転サーメットトリマ より線式スライダで接触抵抗が低い シーリング: IP 67

最大抵抗 = 1kΩ。実装タイプ = スルーホール。回転数 = 21。方位 = 上面調整。定格電力 = 0.5W。シリーズ = T93。終端スタイル = ピン。許容差 = ±10%。温度係数 = ±100ppm/℃。長さ = 9.7mm。動作温度 Min = -55℃。動作温度 Max = +155℃。多回転IP67シール構造のサーメットトリマー - T93シリーズ. Vishay Sfernice T93シリーズ 19回転サーメットトリマ 接触抵抗の変動が低い IP67等級のシール構造

抵抗 = 12Ω。定格電力 = 20W。許容差 = ±5%。テクノロジー = 厚膜。シリーズ = RTO 20。パッケージ/ケース = TO-220。動作温度 Max = +155℃。動作温度 Min = -55℃。厚膜型の電力抵抗器 - 20 W - 金属ベース. 無誘導厚膜抵抗器 TO-220ハウジングに収められ、ヒートシンクに取り付けられたこれらの抵抗器は、コンパクトで定格電力が高く、小型パッケージに容易に実装できます。

抵抗 = 22Ω。定格電力 = 50W。許容差 = ±5%。テクノロジー = 厚膜。シリーズ = LTO50。パッケージ/ケース = TO-220。温度係数 = ±150ppm/℃。動作温度 Min = -55℃。LTO50シリーズ50 W厚膜型の電力抵抗器. LTO50シリーズ50 W厚膜型の電力抵抗器はコンパクトなTO-220パッケージを備え、ヒートシンクを装着したケースの温度は50 Wで25 ℃です。 これらのLTO50シリーズ50 W電力抵抗器は直接ヒートシンク上にセラミックを装着し、550 KΩまでの幅広いR010の抵抗範囲と絶縁されたケースを備え、誘導性がありません。. 厚膜セラミック抵抗器 装着されたヒートシンクのケース温度: 50 W @ 25 ℃ 直接ヒートシンク上にセラミックを装着 TO-220パッケージ 絶縁されたケース ホットスポットを低減するためにサンドトリミングで調整

最大抵抗 = 1kΩ。実装タイプ = スルーホール。回転数 = 1。方位 = 上面調整。定格電力 = 0.5W。シリーズ = 63M。終端スタイル = ピン。許容差 = ±10%。温度係数 = ±100ppm/℃。長さ = 9.52mm。動作温度 Min = -55℃。動作温度 Max = +125℃。63M-T607ツマミ調整. 高さ10.41 mm

最大抵抗 = 2kΩ。実装タイプ = スルーホール。回転数 = 14。方位 = 側面調整。定格電力 = 0.25W。シリーズ = T63。終端スタイル = ピン。許容差 = ±10%。温度係数 = ±100ppm/℃。軸径 = 1.8 mmmm。動作温度 Min = -55℃。動作温度 Max = +155℃。6 mm 1 / 4インチ250 mW側面調整74Xシリーズ. スリムボディプロファイル - 高パッキング密度 密閉による液浸基板洗浄への耐性 難燃性プラスチックハウジング 成形ボディ 高さ6.35 mm、ピン径0.4 mm

抵抗 = 47Ω。定格電力 = 50W。許容差 = ±5%。テクノロジー = 厚膜。シリーズ = LTO50。パッケージ/ケース = TO-220。温度係数 = ±150ppm/℃。リード間隔 = 5.08mm。LTO50シリーズ50 W厚膜型の電力抵抗器. LTO50シリーズ50 W厚膜型の電力抵抗器はコンパクトなTO-220パッケージを備え、ヒートシンクを装着したケースの温度は50 Wで25 ℃です。 これらのLTO50シリーズ50 W電力抵抗器は直接ヒートシンク上にセラミックを装着し、550 KΩまでの幅広いR010の抵抗範囲と絶縁されたケースを備え、誘導性がありません。. 厚膜セラミック抵抗器 装着されたヒートシンクのケース温度: 50 W @ 25 ℃ 直接ヒートシンク上にセラミックを装着 TO-220パッケージ 絶縁されたケース ホットスポットを低減するためにサンドトリミングで調整

最大抵抗 = 500Ω。実装タイプ = スルーホール。回転数 = 21。方位 = 上面調整。定格電力 = 0.5W。シリーズ = T93。終端スタイル = ピン。許容差 = ±10%。長さ = 9.7mm。動作温度 Min = -55℃。動作温度 Max = +155℃。多回転IP67シール構造のサーメットトリマー - T93シリーズ. Vishay Sfernice T93シリーズ 19回転サーメットトリマ 接触抵抗の変動が低い IP67等級のシール構造

最大抵抗 = 100kΩ。実装タイプ = スルーホール。回転数 = 21。方位 = 上面調整。定格電力 = 0.5W。シリーズ = T93。終端スタイル = ピン。許容差 = ±10%。温度係数 = ±100ppm/℃。長さ = 9.7mm。動作温度 Min = -55℃。動作温度 Max = +155℃。多回転IP67シール構造のサーメットトリマー - T93シリーズ. Vishay Sfernice T93シリーズ 19回転サーメットトリマ 接触抵抗の変動が低い IP67等級のシール構造

最大抵抗 = 20kΩ。実装タイプ = スルーホール。回転数 = 21。方位 = 上面調整。定格電力 = 0.5W。シリーズ = T93。終端スタイル = ピン。許容差 = ±10%。軸径 = 2.2 mmmm。動作温度 Min = -55℃。動作温度 Max = +155℃。多回転IP67シール構造のサーメットトリマー - T93シリーズ. Vishay Sfernice T93シリーズ 19回転サーメットトリマ 接触抵抗の変動が低い IP67等級のシール構造

抵抗 = 50Ω。定格電力 = 30W。許容差 = ±1%。テクノロジー = 厚膜。シリーズ = LTO30。パッケージ/ケース = TO-220。温度係数 = ±150ppm/℃。動作温度 Min = -55℃。LTO30シリーズ30 W厚膜型の電力抵抗器. LTO30シリーズ30 W厚膜型の電力抵抗器はコンパクトなTO-220パッケージを備え、ヒートシンクを装着したケースの温度は30 Wで25 ℃です。 これらのLTO30シリーズ30 W電力抵抗器は直接ヒートシンク上にセラミックを装着し、550 KΩまでの幅広いR010の抵抗範囲を備え、誘導性がありません。. 厚膜セラミック抵抗器 装着されたヒートシンクのケース温度: 30 W @ 25 ℃ 直接ヒートシンク上にセラミックを装着 TO-220パッケージ 絶縁されたケース ホットスポットを低減するためにサンドトリミングで調整

最大抵抗 = 5kΩ。実装タイプ = パネル取り付け、 スルーホール。回転数 = 20。方位 = 側面調整。定格電力 = 0.5W。シリーズ = 43P。終端スタイル = ピン。許容差 = ±10%。温度係数 = ±100ppm/℃。長さ = 27.81mm。動作温度 Min = -55℃。動作温度 Max = +125℃。ボディーカラーは青です。. 19 mm ( インチ) 500 mW 長方形端面調整型 43P シリーズ パネル取り付け. 独自のスライダブロックによる優れた設定性 CRVを最小限に抑えるマルチフィンガーワイパー 浸漬型基板洗浄に耐える密封構造 スタンドオフを内蔵した成型ボディ 行程末端ではワイパーは空転

抵抗 = 5Ω。定格電力 = 30W。許容差 = ±5%。テクノロジー = 厚膜。シリーズ = LTO30。パッケージ/ケース = TO-220。温度係数 = ±150ppm/℃。動作温度 Min = -55℃。LTO30シリーズ30 W厚膜型の電力抵抗器. LTO30シリーズ30 W厚膜型の電力抵抗器はコンパクトなTO-220パッケージを備え、ヒートシンクを装着したケースの温度は30 Wで25 ℃です。 これらのLTO30シリーズ30 W電力抵抗器は直接ヒートシンク上にセラミックを装着し、550 KΩまでの幅広いR010の抵抗範囲を備え、誘導性がありません。. 厚膜セラミック抵抗器 装着されたヒートシンクのケース温度: 30 W @ 25 ℃ 直接ヒートシンク上にセラミックを装着 TO-220パッケージ 絶縁されたケース ホットスポットを低減するためにサンドトリミングで調整

抵抗 = 10Ω。定格電力 = 50W。許容差 = ±5%。テクノロジー = 厚膜。シリーズ = RTO 50。パッケージ/ケース = TO-220。温度係数 = ±150ppm/℃。動作温度 Min = -55℃。50 W厚膜型TO-220電力抵抗器 - RTO 50シリーズ. Vishay Sfernice RTO50シリーズの厚膜型、無誘導抵抗器はTO-220エンクロージャに収納 ヒートシンクに抵抗器を取り付けた場合、50 Wの放熱が可能 (ヒートシンクに取り付けた場合、公称電力は50 W @ 25 ℃)

最大抵抗 = 5kΩ。実装タイプ = スルーホール。回転数 = 14。方位 = 上面調整。定格電力 = 0.25W。シリーズ = T63。終端スタイル = ピン。許容差 = ±10%。温度係数 = ±100ppm/℃。軸径 = 1.8 mmmm。動作温度 Min = -55℃。動作温度 Max = +155℃。MIL-R-22097、CECC 41 100. 6 mm 1/4インチ250 mW上面調整T63YB. T63シリーズ多回転トリマーは、そのスクエア形状と小さいサイズにより基板での使用に最適で、高密度基板実装と狭い基板間隔を実現できます。. 多回転動作 低い接触抵抗の変動