16ページ目: VISHAYのすべての商品

最大抵抗 = 100kΩ。実装タイプ = スルーホール。回転数 = 20。方位 = 側面調整。定格電力 = 0.5W。シリーズ = 43P。終端スタイル = ピン。許容差 = ±10%。温度係数 = ±100ppm/℃。軸径 = 2.54 mmmm。動作温度 Min = -55℃。動作温度 Max = +125℃。19 mm (3/4インチ) 500 mW長方形端面調整型43Pシリーズ、標準. 独自のスライダブロックによる優れた設定能力 マルチフィンガーワイパーによるCRVの最小化 密閉による液浸基板洗浄への耐性 成形ボディ、スタンドオフ内蔵 行程末端でワイパー停止 パネル取り付けアダプタを用意、品番 ； 855-305 855-305

最大抵抗 = 20kΩ。実装タイプ = パネル取り付け、 スルーホール。回転数 = 20。方位 = 側面調整。定格電力 = 0.5W。シリーズ = 43P。終端スタイル = ピン。許容差 = ±10%。温度係数 = ±100ppm/℃。長さ = 27.81mm。動作温度 Min = -55℃。動作温度 Max = +125℃。ボディーカラーは青です。. 19 mm ( インチ) 500 mW 長方形端面調整型 43P シリーズ パネル取り付け. 独自のスライダブロックによる優れた設定性 CRVを最小限に抑えるマルチフィンガーワイパー 浸漬型基板洗浄に耐える密封構造 スタンドオフを内蔵した成型ボディ 行程末端ではワイパーは空転

最大抵抗 = 200kΩ。実装タイプ = スルーホール。回転数 = 21。方位 = 上面調整。定格電力 = 0.5W。シリーズ = T93。終端スタイル = ピン。許容差 = ±10%。軸径 = 2.2 mmmm。動作温度 Min = -55℃。動作温度 Max = +155℃。多回転IP67シール構造のサーメットトリマー - T93シリーズ. Vishay Sfernice T93シリーズ 19回転サーメットトリマ 接触抵抗の変動が低い IP67等級のシール構造

抵抗 = 15MΩ。定格電力 = 0.5W。許容差 = ±5%。テクノロジー = メタルグレース。シリーズ = VR37。温度係数 = ±200ppm/℃。動作温度 Min = -55℃。VR37シリーズ、アキシャル. Vishay VR37シリーズの金属皮膜抵抗器です。 定格0.5 Wで高い信頼性と品質を保証します。 この抵抗器は、ライトブルーのラッカーコーティングにより、電気、機械、気候に対する保護を実現しています。. 各種抵抗値のものを用意 高パルス負荷機能(10 kV) 技術: メタルグレーズ

最大抵抗 = 10kΩ。実装タイプ = スルーホール。回転数 = 21回転(電気的)、23回転(機械的)。方位 = 上面調整。定格電力 = 0.5W。シリーズ = T93。終端スタイル = ピン。許容差 = ±10%。温度係数 = ±100ppm/℃。軸径 = 2.2 mmmm。動作温度 Min = -55℃。動作温度 Max = +155℃。多回転IP67シール構造のサーメットトリマー - T93シリーズ. Vishay Sfernice T93シリーズ 19回転サーメットトリマ 接触抵抗の変動が低い IP67等級のシール構造

抵抗 = 50mΩ。定格電力 = 30W。許容差 = ±5%。テクノロジー = 厚膜。シリーズ = LTO30。パッケージ/ケース = TO-220。温度係数 = ±700ppm/℃。リード間隔 = 5.08mm。LTO30シリーズ30 W厚膜型の電力抵抗器. LTO30シリーズ30 W厚膜型の電力抵抗器はコンパクトなTO-220パッケージを備え、ヒートシンクを装着したケースの温度は30 Wで25 ℃です。 これらのLTO30シリーズ30 W電力抵抗器は直接ヒートシンク上にセラミックを装着し、550 KΩまでの幅広いR010の抵抗範囲を備え、誘導性がありません。. 厚膜セラミック抵抗器 装着されたヒートシンクのケース温度: 30 W @ 25 ℃ 直接ヒートシンク上にセラミックを装着 TO-220パッケージ 絶縁されたケース ホットスポットを低減するためにサンドトリミングで調整

抵抗 = 3.9Ω。定格電力 = 20W。許容差 = ±5%。テクノロジー = 厚膜。シリーズ = RTO 20。パッケージ/ケース = TO-220。温度係数 = ±150ppm/℃。リード間隔 = 5.08mm。厚膜型の電力抵抗器 - 20 W - 金属ベース. 無誘導厚膜抵抗器 TO-220ハウジングに収められ、ヒートシンクに取り付けられたこれらの抵抗器は、コンパクトで定格電力が高く、小型パッケージに容易に実装できます。

最大抵抗 = 100Ω。実装タイプ = スルーホール。回転数 = 21。方位 = 上面調整。定格電力 = 0.5W。シリーズ = T93。終端スタイル = ピン。許容差 = ±10%。温度係数 = ±100ppm/℃。軸径 = 2.2 mmmm。動作温度 Min = -55℃。動作温度 Max = +155℃。多回転IP67シール構造のサーメットトリマー - T93シリーズ. Vishay Sfernice T93シリーズ 19回転サーメットトリマ 接触抵抗の変動が低い IP67等級のシール構造

抵抗 = 1Ω。定格電力 = 50W。許容差 = ±1%。テクノロジー = 厚膜。シリーズ = LTO50。パッケージ/ケース = TO-220。動作温度 Max = +155℃。リード間隔 = 5.08mm。LTO50シリーズ50 W厚膜型の電力抵抗器. LTO50シリーズ50 W厚膜型の電力抵抗器はコンパクトなTO-220パッケージを備え、ヒートシンクを装着したケースの温度は50 Wで25 ℃です。 これらのLTO50シリーズ50 W電力抵抗器は直接ヒートシンク上にセラミックを装着し、550 KΩまでの幅広いR010の抵抗範囲と絶縁されたケースを備え、誘導性がありません。. 厚膜セラミック抵抗器 装着されたヒートシンクのケース温度: 50 W @ 25 ℃ 直接ヒートシンク上にセラミックを装着 TO-220パッケージ 絶縁されたケース ホットスポットを低減するためにサンドトリミングで調整

抵抗 = 22Ω。定格電力 = 50W。許容差 = ±1%。テクノロジー = 厚膜。シリーズ = LTO50。パッケージ/ケース = TO-220。動作温度 Max = +155℃。動作温度 Min = -55℃。LTO50シリーズ50 W厚膜型の電力抵抗器. LTO50シリーズ50 W厚膜型の電力抵抗器はコンパクトなTO-220パッケージを備え、ヒートシンクを装着したケースの温度は50 Wで25 ℃です。 これらのLTO50シリーズ50 W電力抵抗器は直接ヒートシンク上にセラミックを装着し、550 KΩまでの幅広いR010の抵抗範囲と絶縁されたケースを備え、誘導性がありません。. 厚膜セラミック抵抗器 装着されたヒートシンクのケース温度: 50 W @ 25 ℃ 直接ヒートシンク上にセラミックを装着 TO-220パッケージ 絶縁されたケース ホットスポットを低減するためにサンドトリミングで調整

抵抗 = 1Ω。定格電力 = 50W。許容差 = ±5%。テクノロジー = 厚膜。シリーズ = LTO50。パッケージ/ケース = TO-220。温度係数 = ±150ppm/℃。動作温度 Min = -55℃。LTO50シリーズ50 W厚膜型の電力抵抗器. LTO50シリーズ50 W厚膜型の電力抵抗器はコンパクトなTO-220パッケージを備え、ヒートシンクを装着したケースの温度は50 Wで25 ℃です。 これらのLTO50シリーズ50 W電力抵抗器は直接ヒートシンク上にセラミックを装着し、550 KΩまでの幅広いR010の抵抗範囲と絶縁されたケースを備え、誘導性がありません。. 厚膜セラミック抵抗器 装着されたヒートシンクのケース温度: 50 W @ 25 ℃ 直接ヒートシンク上にセラミックを装着 TO-220パッケージ 絶縁されたケース ホットスポットを低減するためにサンドトリミングで調整

抵抗 = 10mΩ。定格電力 = 30W。許容差 = ±5%。テクノロジー = 厚膜。シリーズ = LTO30。パッケージ/ケース = TO-220。動作温度 Max = +150℃。動作温度 Min = -55℃。LTO30シリーズ30 W厚膜型の電力抵抗器. LTO30シリーズ30 W厚膜型の電力抵抗器はコンパクトなTO-220パッケージを備え、ヒートシンクを装着したケースの温度は30 Wで25 ℃です。 これらのLTO30シリーズ30 W電力抵抗器は直接ヒートシンク上にセラミックを装着し、550 KΩまでの幅広いR010の抵抗範囲を備え、誘導性がありません。. 厚膜セラミック抵抗器 装着されたヒートシンクのケース温度: 30 W @ 25 ℃ 直接ヒートシンク上にセラミックを装着 TO-220パッケージ 絶縁されたケース ホットスポットを低減するためにサンドトリミングで調整

抵抗 = 1kΩ。定格電力 = 50W。許容差 = ±5%。テクノロジー = 厚膜。シリーズ = LTO50。パッケージ/ケース = TO-220。動作温度 Max = +150℃。リード間隔 = 5.08mm。LTO50シリーズ50 W厚膜型の電力抵抗器. LTO50シリーズ50 W厚膜型の電力抵抗器はコンパクトなTO-220パッケージを備え、ヒートシンクを装着したケースの温度は50 Wで25 ℃です。 これらのLTO50シリーズ50 W電力抵抗器は直接ヒートシンク上にセラミックを装着し、550 KΩまでの幅広いR010の抵抗範囲と絶縁されたケースを備え、誘導性がありません。. 厚膜セラミック抵抗器 装着されたヒートシンクのケース温度: 50 W @ 25 ℃ 直接ヒートシンク上にセラミックを装着 TO-220パッケージ 絶縁されたケース ホットスポットを低減するためにサンドトリミングで調整

最大抵抗 = 2kΩ。実装タイプ = スルーホール。回転数 = 15。方位 = 側面調整。定格電力 = 0.75W。シリーズ = T18。終端スタイル = ピン。許容差 = ±10%。長さ = 19mm。動作温度 Min = -55℃。動作温度 Max = +125℃。0.5 W多回転サーメットトリマ - T18シリーズ. Vishay Sfernice T18シリーズ 15回転サーメットトリマ より線式スライダで接触抵抗が低い シーリング: IP 67

最大抵抗 = 1kΩ。実装タイプ = スルーホール。回転数 = 21。方位 = 上面調整。定格電力 = 0.5W。シリーズ = T93。終端スタイル = ピン。許容差 = ±10%。温度係数 = ±100ppm/℃。長さ = 9.7mm。動作温度 Min = -55℃。動作温度 Max = +155℃。多回転IP67シール構造のサーメットトリマー - T93シリーズ. Vishay Sfernice T93シリーズ 19回転サーメットトリマ 接触抵抗の変動が低い IP67等級のシール構造

抵抗 = 12Ω。定格電力 = 20W。許容差 = ±5%。テクノロジー = 厚膜。シリーズ = RTO 20。パッケージ/ケース = TO-220。動作温度 Max = +155℃。動作温度 Min = -55℃。厚膜型の電力抵抗器 - 20 W - 金属ベース. 無誘導厚膜抵抗器 TO-220ハウジングに収められ、ヒートシンクに取り付けられたこれらの抵抗器は、コンパクトで定格電力が高く、小型パッケージに容易に実装できます。

抵抗 = 22Ω。定格電力 = 50W。許容差 = ±5%。テクノロジー = 厚膜。シリーズ = LTO50。パッケージ/ケース = TO-220。温度係数 = ±150ppm/℃。動作温度 Min = -55℃。LTO50シリーズ50 W厚膜型の電力抵抗器. LTO50シリーズ50 W厚膜型の電力抵抗器はコンパクトなTO-220パッケージを備え、ヒートシンクを装着したケースの温度は50 Wで25 ℃です。 これらのLTO50シリーズ50 W電力抵抗器は直接ヒートシンク上にセラミックを装着し、550 KΩまでの幅広いR010の抵抗範囲と絶縁されたケースを備え、誘導性がありません。. 厚膜セラミック抵抗器 装着されたヒートシンクのケース温度: 50 W @ 25 ℃ 直接ヒートシンク上にセラミックを装着 TO-220パッケージ 絶縁されたケース ホットスポットを低減するためにサンドトリミングで調整

最大抵抗 = 1kΩ。実装タイプ = スルーホール。回転数 = 1。方位 = 上面調整。定格電力 = 0.5W。シリーズ = 63M。終端スタイル = ピン。許容差 = ±10%。温度係数 = ±100ppm/℃。長さ = 9.52mm。動作温度 Min = -55℃。動作温度 Max = +125℃。63M-T607ツマミ調整. 高さ10.41 mm

最大抵抗 = 2kΩ。実装タイプ = スルーホール。回転数 = 14。方位 = 側面調整。定格電力 = 0.25W。シリーズ = T63。終端スタイル = ピン。許容差 = ±10%。温度係数 = ±100ppm/℃。軸径 = 1.8 mmmm。動作温度 Min = -55℃。動作温度 Max = +155℃。6 mm 1 / 4インチ250 mW側面調整74Xシリーズ. スリムボディプロファイル - 高パッキング密度 密閉による液浸基板洗浄への耐性 難燃性プラスチックハウジング 成形ボディ 高さ6.35 mm、ピン径0.4 mm

抵抗 = 47Ω。定格電力 = 50W。許容差 = ±5%。テクノロジー = 厚膜。シリーズ = LTO50。パッケージ/ケース = TO-220。温度係数 = ±150ppm/℃。リード間隔 = 5.08mm。LTO50シリーズ50 W厚膜型の電力抵抗器. LTO50シリーズ50 W厚膜型の電力抵抗器はコンパクトなTO-220パッケージを備え、ヒートシンクを装着したケースの温度は50 Wで25 ℃です。 これらのLTO50シリーズ50 W電力抵抗器は直接ヒートシンク上にセラミックを装着し、550 KΩまでの幅広いR010の抵抗範囲と絶縁されたケースを備え、誘導性がありません。. 厚膜セラミック抵抗器 装着されたヒートシンクのケース温度: 50 W @ 25 ℃ 直接ヒートシンク上にセラミックを装着 TO-220パッケージ 絶縁されたケース ホットスポットを低減するためにサンドトリミングで調整

最大抵抗 = 500Ω。実装タイプ = スルーホール。回転数 = 21。方位 = 上面調整。定格電力 = 0.5W。シリーズ = T93。終端スタイル = ピン。許容差 = ±10%。長さ = 9.7mm。動作温度 Min = -55℃。動作温度 Max = +155℃。多回転IP67シール構造のサーメットトリマー - T93シリーズ. Vishay Sfernice T93シリーズ 19回転サーメットトリマ 接触抵抗の変動が低い IP67等級のシール構造

最大抵抗 = 100kΩ。実装タイプ = スルーホール。回転数 = 21。方位 = 上面調整。定格電力 = 0.5W。シリーズ = T93。終端スタイル = ピン。許容差 = ±10%。温度係数 = ±100ppm/℃。長さ = 9.7mm。動作温度 Min = -55℃。動作温度 Max = +155℃。多回転IP67シール構造のサーメットトリマー - T93シリーズ. Vishay Sfernice T93シリーズ 19回転サーメットトリマ 接触抵抗の変動が低い IP67等級のシール構造

最大抵抗 = 20kΩ。実装タイプ = スルーホール。回転数 = 21。方位 = 上面調整。定格電力 = 0.5W。シリーズ = T93。終端スタイル = ピン。許容差 = ±10%。軸径 = 2.2 mmmm。動作温度 Min = -55℃。動作温度 Max = +155℃。多回転IP67シール構造のサーメットトリマー - T93シリーズ. Vishay Sfernice T93シリーズ 19回転サーメットトリマ 接触抵抗の変動が低い IP67等級のシール構造

抵抗 = 50Ω。定格電力 = 30W。許容差 = ±1%。テクノロジー = 厚膜。シリーズ = LTO30。パッケージ/ケース = TO-220。温度係数 = ±150ppm/℃。動作温度 Min = -55℃。LTO30シリーズ30 W厚膜型の電力抵抗器. LTO30シリーズ30 W厚膜型の電力抵抗器はコンパクトなTO-220パッケージを備え、ヒートシンクを装着したケースの温度は30 Wで25 ℃です。 これらのLTO30シリーズ30 W電力抵抗器は直接ヒートシンク上にセラミックを装着し、550 KΩまでの幅広いR010の抵抗範囲を備え、誘導性がありません。. 厚膜セラミック抵抗器 装着されたヒートシンクのケース温度: 30 W @ 25 ℃ 直接ヒートシンク上にセラミックを装着 TO-220パッケージ 絶縁されたケース ホットスポットを低減するためにサンドトリミングで調整

最大抵抗 = 5kΩ。実装タイプ = パネル取り付け、 スルーホール。回転数 = 20。方位 = 側面調整。定格電力 = 0.5W。シリーズ = 43P。終端スタイル = ピン。許容差 = ±10%。温度係数 = ±100ppm/℃。長さ = 27.81mm。動作温度 Min = -55℃。動作温度 Max = +125℃。ボディーカラーは青です。. 19 mm ( インチ) 500 mW 長方形端面調整型 43P シリーズ パネル取り付け. 独自のスライダブロックによる優れた設定性 CRVを最小限に抑えるマルチフィンガーワイパー 浸漬型基板洗浄に耐える密封構造 スタンドオフを内蔵した成型ボディ 行程末端ではワイパーは空転

抵抗 = 5Ω。定格電力 = 30W。許容差 = ±5%。テクノロジー = 厚膜。シリーズ = LTO30。パッケージ/ケース = TO-220。温度係数 = ±150ppm/℃。動作温度 Min = -55℃。LTO30シリーズ30 W厚膜型の電力抵抗器. LTO30シリーズ30 W厚膜型の電力抵抗器はコンパクトなTO-220パッケージを備え、ヒートシンクを装着したケースの温度は30 Wで25 ℃です。 これらのLTO30シリーズ30 W電力抵抗器は直接ヒートシンク上にセラミックを装着し、550 KΩまでの幅広いR010の抵抗範囲を備え、誘導性がありません。. 厚膜セラミック抵抗器 装着されたヒートシンクのケース温度: 30 W @ 25 ℃ 直接ヒートシンク上にセラミックを装着 TO-220パッケージ 絶縁されたケース ホットスポットを低減するためにサンドトリミングで調整

抵抗 = 10Ω。定格電力 = 50W。許容差 = ±5%。テクノロジー = 厚膜。シリーズ = RTO 50。パッケージ/ケース = TO-220。温度係数 = ±150ppm/℃。動作温度 Min = -55℃。50 W厚膜型TO-220電力抵抗器 - RTO 50シリーズ. Vishay Sfernice RTO50シリーズの厚膜型、無誘導抵抗器はTO-220エンクロージャに収納 ヒートシンクに抵抗器を取り付けた場合、50 Wの放熱が可能 (ヒートシンクに取り付けた場合、公称電力は50 W @ 25 ℃)

最大抵抗 = 5kΩ。実装タイプ = スルーホール。回転数 = 14。方位 = 上面調整。定格電力 = 0.25W。シリーズ = T63。終端スタイル = ピン。許容差 = ±10%。温度係数 = ±100ppm/℃。軸径 = 1.8 mmmm。動作温度 Min = -55℃。動作温度 Max = +155℃。MIL-R-22097、CECC 41 100. 6 mm 1/4インチ250 mW上面調整T63YB. T63シリーズ多回転トリマーは、そのスクエア形状と小さいサイズにより基板での使用に最適で、高密度基板実装と狭い基板間隔を実現できます。. 多回転動作 低い接触抵抗の変動

抵抗 = 100mΩ。定格電力 = 30W。許容差 = ±5%。テクノロジー = 厚膜。シリーズ = LTO30。パッケージ/ケース = TO-220。動作温度 Max = +150℃。動作温度 Min = -55℃。LTO30シリーズ30 W厚膜型の電力抵抗器. LTO30シリーズ30 W厚膜型の電力抵抗器はコンパクトなTO-220パッケージを備え、ヒートシンクを装着したケースの温度は30 Wで25 ℃です。 これらのLTO30シリーズ30 W電力抵抗器は直接ヒートシンク上にセラミックを装着し、550 KΩまでの幅広いR010の抵抗範囲を備え、誘導性がありません。. 厚膜セラミック抵抗器 装着されたヒートシンクのケース温度: 30 W @ 25 ℃ 直接ヒートシンク上にセラミックを装着 TO-220パッケージ 絶縁されたケース ホットスポットを低減するためにサンドトリミングで調整

抵抗 = 2Ω。定格電力 = 30W。許容差 = ±1%。テクノロジー = 厚膜。シリーズ = LTO30。パッケージ/ケース = TO-220。温度係数 = ±150ppm/℃。動作温度 Min = -55℃。LTO30シリーズ30 W厚膜型の電力抵抗器. LTO30シリーズ30 W厚膜型の電力抵抗器はコンパクトなTO-220パッケージを備え、ヒートシンクを装着したケースの温度は30 Wで25 ℃です。 これらのLTO30シリーズ30 W電力抵抗器は直接ヒートシンク上にセラミックを装着し、550 KΩまでの幅広いR010の抵抗範囲を備え、誘導性がありません。. 厚膜セラミック抵抗器 装着されたヒートシンクのケース温度: 30 W @ 25 ℃ 直接ヒートシンク上にセラミックを装着 TO-220パッケージ 絶縁されたケース ホットスポットを低減するためにサンドトリミングで調整

最大抵抗 = 500kΩ。実装タイプ = スルーホール。回転数 = 14。方位 = 上面調整。定格電力 = 0.13W。シリーズ = T63。終端スタイル = ピン。許容差 = ±10%。温度係数 = ±100ppm/℃。軸径 = 1.8 mmmm。動作温度 Min = -55℃。動作温度 Max = +155℃。MIL-R-22097、CECC 41 100. 6 mm 1/4インチ250 mW上面調整T63YB. T63シリーズ多回転トリマーは、そのスクエア形状と小さいサイズにより基板での使用に最適で、高密度基板実装と狭い基板間隔を実現できます。. 多回転動作 低い接触抵抗の変動

抵抗 = 1Ω。定格電力 = 20W。許容差 = ±5%。テクノロジー = 厚膜。シリーズ = RTO 20。パッケージ/ケース = TO-220。動作温度 Max = +155℃。リード間隔 = 5.08mm。20 W RTO20シリーズ. 無誘導厚膜抵抗器 TO-220ハウジングに収められ、ヒートシンクに取り付けられたこれらの抵抗器は、コンパクトで定格電力が高く、小型パッケージに容易に実装可能

最大抵抗 = 100kΩ。実装タイプ = スルーホール。回転数 = 1。方位 = 上面調整。定格電力 = 0.5W。シリーズ = 63P。終端スタイル = ピン。許容差 = ±10%。温度係数 = ±100ppm/℃。長さ = 9.52mm。動作温度 Min = -55℃。動作温度 Max = +125℃。63P上面調整

最大抵抗 = 100kΩ。実装タイプ = 表面実装。回転数 = 1。方位 = 上面調整。定格電力 = 0.25W。シリーズ = TS53。終端スタイル = J-フック。許容差 = ±20%。温度係数 = ±100ppm/℃。長さ = 5mm。動作温度 Min = -55℃。動作温度 Max = +125℃。250 mW 5 mm密閉型TS53YJシリーズ. TS53トリミングポテンショメータは、表面実装用途向けに設計された製品です。体積効率(5 mm x 5 mm x 2.7 mm)に優れ、高い性能と安定性を発揮します。 TS53は、手動操作と自動操作のどちらにも適した設計になっています。また、ウェーブ / リフローはんだ付け技術への耐性を備えています。. 最適なパッキング密度が得られるコンパクトなサイズ 低い温度係数及び少ない接触抵抗変動 手動 / 自動操作 完全密閉構造

抵抗 = 10kΩ。定格電力 = 20W。許容差 = ±5%。テクノロジー = 厚膜。シリーズ = RTO 20。パッケージ/ケース = TO-220。動作温度 Max = +155℃。リード間隔 = 5.08mm。20 W RTO20シリーズ. 無誘導厚膜抵抗器 TO-220ハウジングに収められ、ヒートシンクに取り付けられたこれらの抵抗器は、コンパクトで定格電力が高く、小型パッケージに容易に実装可能

最大抵抗 = 500kΩ。実装タイプ = スルーホール。回転数 = 1。方位 = 上面調整。定格電力 = 0.5W。シリーズ = 63M。終端スタイル = ピン。許容差 = ±10%。温度係数 = ±100ppm/℃。軸径 = 8.38 mmmm。動作温度 Min = -55℃。動作温度 Max = +125℃。63M-T607ツマミ調整. 高さ10.41 mm

最大抵抗 = 500Ω。実装タイプ = スルーホール。回転数 = 15。方位 = 側面調整。定格電力 = 0.75W。シリーズ = T18。終端スタイル = ピン。許容差 = ±10%。長さ = 19mm。動作温度 Min = -55℃。動作温度 Max = +125℃。0.5 W多回転サーメットトリマ - T18シリーズ. Vishay Sfernice T18シリーズ 15回転サーメットトリマ より線式スライダで接触抵抗が低い シーリング: IP 67

抵抗 = 22MΩ。定格電力 = 1W。許容差 = ±5%。テクノロジー = メタルグレース。シリーズ = VR68。温度係数 = ±200ppm/℃。動作温度 Min = -55℃。VR68シリーズ、アキシャル. VR68シリーズは高抵抗 / 高電圧のメタルグレーズリード付き抵抗器です. 高グレードのセラミックにメタルグレーズ皮膜を被着 高パルス負荷機能(10 kV) 小型サイズ(0718) 純スズめっきにより、無鉛及び鉛含有はんだプロセスに対応 用途: 高電圧において高い耐性、安定性、信頼性が要求される環境、高電圧を安全に扱うコンポーネント、受像管、高電圧ブリーダー、カスケードスイッチ

最大抵抗 = 20kΩ。実装タイプ = 表面実装。回転数 = 1。方位 = 上面調整。定格電力 = 0.25W。シリーズ = TS53。終端スタイル = ガルウィング。許容差 = ±20%。温度係数 = ±100ppm/℃。軸径 = 2.5 mmmm。動作温度 Min = -55℃。動作温度 Max = +125℃。250 mW 5 mm密閉型TS53YLシリーズ . TS53トリミングポテンショメータは、表面実装用途向けに設計された製品です。体積効率(5 mm x 5 mm x 2.7 mm)に優れ、高い性能と安定性を発揮します。 TS53は、手動操作と自動操作のどちらにも適した設計になっています。また、ウェーブ / リフローはんだ付け技術への耐性を備えています。. 小型省スペース設計 低い温度係数及び少ない接触抵抗変動 手動 / 自動操作 完全に防水

最大抵抗 = 1kΩ。実装タイプ = 表面実装。回転数 = 1。方位 = 上面調整。定格電力 = 0.25W。シリーズ = TS53。終端スタイル = J-フック。許容差 = ±20%。温度係数 = ±100ppm/℃。軸径 = 2.5 mmmm。動作温度 Min = -55℃。動作温度 Max = +125℃。250 mW 5 mm密閉型TS53YJシリーズ. TS53トリミングポテンショメータは、表面実装用途向けに設計された製品です。体積効率(5 mm x 5 mm x 2.7 mm)に優れ、高い性能と安定性を発揮します。 TS53は、手動操作と自動操作のどちらにも適した設計になっています。また、ウェーブ / リフローはんだ付け技術への耐性を備えています。. 最適なパッキング密度が得られるコンパクトなサイズ 低い温度係数及び少ない接触抵抗変動 手動 / 自動操作 完全密閉構造