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標準ツェナー電圧 = 12V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。最大パワー消費 = 500 mW。パッケージタイプ = MiniMELF。ツェナータイプ = 電圧レギュレータ。ツェナー電圧許容性 = 2%。ピン数 = 2。テスト電流 = 5mA。最大ツェナーインピーダンス = 90Ω。最大逆漏れ電流 = 2μA。寸法 = 1.6 (Dia.) x 3.7mm。標準電圧温度係数 = 0.03 %/℃, 0.11%/℃。ツェナーダイオード500 mW、TZMシリーズ、Vishay Semiconductor. Vishay製の定格500 mWの表面実装(SMT)ツェナーダイオードは、3.3 → 75 Vの範囲の破壊電圧に対応します。
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(100個)
899 税込989
7日以内出荷

方向性タイプ = 単方向。最大クランピング電圧 = 12V。最小ブレークダウン電圧 = 6.9V。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = LLP1713-7L。ピン数 = 7。ピークパルスパワー消費 = 63W。1チップ当たりのエレメント数 = 3
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(20個)
1,498 税込1,648
7日以内出荷

方向性タイプ = 単方向。最大クランピング電圧 = 12V。最小ブレークダウン電圧 = 6.5V。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = LLP75-7L。ピン数 = 7。ピークパルスパワー消費 = 36W。1チップ当たりのエレメント数 = 3
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(20個)
1,198 税込1,318
7日以内出荷

標準ツェナー電圧 = 12V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。最大パワー消費 = 1.3 W。パッケージタイプ = DO-41。ツェナータイプ = 電圧レギュレータ。ツェナー電圧許容性 = 5%。ピン数 = 2。テスト電流 = 20mA。最大ツェナーインピーダンス = 9Ω。最大逆漏れ電流 = 500nA。寸法 = 2.5 (Dia.) x 4.1mm。動作温度 Max = +175 ℃%/℃。ツェナーダイオード1.3 W、BZX85シリーズ、Vishay Semiconductor. シリコン平面パワーツェナーダイオード 定格電力の高い安定回路及びクリッピング回路で使用
RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(5000個)
39,980 税込43,978
7日以内出荷

仕様ダイオード構成 = シングル1チップ当たりのエレメント数 = 1最大パワー消費 = 500 mWパッケージタイプ = DO-35ツェナータイプ = 電圧レギュレータツェナー電圧許容性 = 2%ピン数 = 2テスト電流 = 5mA最大ツェナーインピーダンス = 35Ω最大逆漏れ電流 = 1μA長さ = 3.9mm直径 = 1.7mm寸法 = 1.7 (Dia.) x 3.9mm動作温度 Max = +175 ℃ツェナーダイオード500 mW、TZXシリーズ、Vishay Semiconductor. 小信号ツェナーダイオード 非常に優れた逆特性 低い逆電流レベル 非常に高い安定性 低ノイズ AEC-Q101認定 RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(200個)
1,498 税込1,648
7日以内出荷








仕様ダイオード構成 = スタッドアノード1チップ当たりのエレメント数 = 1ピーク逆繰返し電圧 = 200V実装タイプ = ねじ取り付けパッケージタイプ = DO-4ダイオードタイプ = シリコンジャンクションピン数 = 2最大順方向降下電圧 = 1.26V長さ = 12.69mm幅 = 11mm高さ = 31.8mmピーク逆電流 = 12mA標準回復整流器、11 → 40 A. 業界標準スタイルのパッケージに収納された、汎用で高効率の標準回復ダイオードです。 RoHS指令(10物質対応)対応
1個
729 税込802
7日以内出荷


仕様ダイオード構成 = コモンカソード1チップ当たりのエレメント数 = 2ピーク逆繰返し電圧 = 100V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = DPAK (TO-252)ダイオードテクノロジー = ショットキーピン数 = 3最大順方向降下電圧 = 650mV長さ = 6.73mm幅 = 6.22mm高さ = 2.39mm動作温度 Min = -55 ℃高性能ショットキーダイオード、Vishay Semiconductor. ショットキー整流器は、順方向の電圧降下が低く、スイッチング動作が非常に速い半導体ダイオードです。 ショットキーダイオードの逆回復時間は、非常に速いです。 ショットキーダイオードは、高速スイッチングと低電力損失を必要とする用途に適しています。 Vishay製の高性能なショットキーダイオードは、1 A~175 Aの順方向の定格電流と15 V~150 Vの定格電圧を備えています。 RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(5個)
949 税込1,044
翌々日出荷

ダイオード構成 = シングル。最大クランピング電圧 = 19.9V。最小ブレークダウン電圧 = 13.3V。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = DO-214AA (SMB)。最大逆スタンドオフ電圧 = 12V。ピン数 = 2。ピークパルスパワー消費 = 600W。最大ピークパルス電流 = 30.2A。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Min = -55 ℃。寸法 = 4.57 x 3.94 x 2.24mm。高さ = 2.24mm。TRANSZORBR過渡電圧サプレッサ、SMT単方向600 W、SMBJシリーズ、Vishay Semiconductor. 特長:. 低プロファイルパッケージ 自動配置に最適 ガラス不動態化チップジャンクション 単方向および双方向で使用可能 10/1000 μ s 波形で 600 W の Peak パルス電力性能、反復率(デューティサイクル): 0.01 % 優れたクランプ能力 応答時間が非常に短い 低インクリメンタルサージ耐性 MSL レベル 1 ( J-STD-020 準拠)、 LF 最大 Peak 260 ° C に対応. 用途:. 繊細な電子機器を電圧から保護するために使用します 誘導負荷スイッチング及び照明によって発生する過渡現象 民生用センサユニットの IC 、 MOSFET 、信号ライン コンピュータ、産業、通信
RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(750個)
18,980 税込20,878
7日以内出荷

ダイオード構成 = シングル。最大クランピング電圧 = 19.9V。最小ブレークダウン電圧 = 13.3V。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = DO-214AC (SMA)。最大逆スタンドオフ電圧 = 12V。ピン数 = 2。ピークパルスパワー消費 = 400W。最大ピークパルス電流 = 20.1A。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Min = -55 ℃。動作温度 Max = +150 ℃mm。幅 = 2.79mm。TRANSZORBR過渡電圧サプレッサ、SMT単方向400 W、SMAJシリーズ、Vishay Semiconductor
RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(1800個)
29,980 税込32,978
7日以内出荷

方向性タイプ = 単方向。最大クランピング電圧 = 19.9V。最小ブレークダウン電圧 = 13.3V。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = DO-214AC (SMA)。最大逆スタンドオフ電圧 = 12V。ピン数 = 2。ピークパルスパワー消費 = 400W。最大ピークパルス電流 = 20.1A。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Min = -55 ℃。動作温度 Max = +150 ℃mm。幅 = 2.79mm。TRANSZORBR過渡電圧サプレッサ、SMT単方向400 W、SMAJシリーズ、Vishay Semiconductor
RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(1800個)
26,980 税込29,678
7日以内出荷

方向性タイプ = 単方向。最大クランピング電圧 = 19.9V。最小ブレークダウン電圧 = 13.3V。実装タイプ = スルーホール。パッケージタイプ = P600。最大逆スタンドオフ電圧 = 12V。ピン数 = 2。ピークパルスパワー消費 = 5000W。最大ピークパルス電流 = 251A。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Min = -55 ℃。動作温度 Max = +175 ℃mm。幅 = 9.1mm。Vishay Semiconductor TRANSZORBR 過渡電圧サプレッサ アキシャル 単方向 5,000W. ガラス不動態化ジャンクションを備えた P600 パッケージ 優れたクランプ機能 高速な応答時間 低インクリメンタルサージ抵抗 車載規格 AEC-Q101 認定
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(5個)
1,998 税込2,198
翌々日出荷

方向性タイプ = 単方向。最大クランピング電圧 = 19.9V。最小ブレークダウン電圧 = 13.3V。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = SMC。最大逆スタンドオフ電圧 = 12V。ピン数 = 2。ピークパルスパワー消費 = 1500W。最大ピークパルス電流 = 75.4A。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Min = -55 ℃。動作温度 Max = +150 ℃mm。高さ = 2.42mm。TRANSZORBR過渡電圧サプレッサ、SMT単方向1500 W、SMCJシリーズ、Vishay Semiconductor
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(20個)
1,498 税込1,648
7日以内出荷

ピーク平均順方向電流 = 12A。ピーク逆繰返し電圧 = 50V。実装タイプ = スクリュー マウント。パッケージタイプ = GBPC。ピン数 = 4。回路構成 = シングル。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 200A。動作温度 Max = +150 ℃。動作温度 Min = -55 ℃。ピーク順方向電圧 = 1.1V。ピーク逆電流 = 500μA。長さ = 28.8mm。高さ = 7.87mm。UL、E54214. プッシュオン端子付きブリッジ整流器、GBPCシリーズ、Vishay Semiconductor. ガラス不動態化単相ブリッジ整流器 0.5 μA未満の標準赤外線 耐高サージ電流 1500 Vrmsの高いケース絶縁性 ファストン端子
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(2個)
1,598 税込1,758
7日以内出荷

ピーク平均順方向電流 = 12A。ピーク逆繰返し電圧 = 200V。実装タイプ = スクリュー マウント。パッケージタイプ = GBPC。ピン数 = 4。回路構成 = シングル。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 200A。動作温度 Max = +150 ℃。動作温度 Min = -55 ℃。ピーク順方向電圧 = 1.1V。ピーク逆電流 = 500μA。長さ = 28.8mm。高さ = 7.87mm。UL、E54214. プッシュオン端子付きブリッジ整流器、GBPCシリーズ、Vishay Semiconductor. ガラス不動態化単相ブリッジ整流器 0.5 μA未満の標準赤外線 耐高サージ電流 1500 Vrmsの高いケース絶縁性 ファストン端子
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(2個)
1,698 税込1,868
7日以内出荷

実装タイプ = ねじ取り付け。パッケージタイプ = DO-4。最大連続 順方向電流 = 12A。ピーク逆繰返し電圧 = 600V。ダイオード構成 = スタッドカソード。整流タイプ = 回復整流器。ダイオードタイプ = 整流器。ピン数 = 2。最大順方向降下電圧 = 1.26V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 280A。標準リカバリ整流器 11 → 40 A. 業界標準のパッケージを採用した、汎用性の高い高効率の標準リカバリーパワーダイオードです。
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(100個)
46,980 税込51,678
7日以内出荷

仕様ダイオード構成 = シングル1チップ当たりのエレメント数 = 1最大逆電圧 = 400Vパッケージタイプ = DO-204ALピン数 = 2最大ダイオードキャパシタンス = 12pF動作温度 Min = -65 ℃動作温度 Max = +125 ℃長さ = 5.2mm寸法 = 2.7 (Dia.) x 5.2mm直径 = 2.7mm高速回復整流器、1 A、Vishay Semiconductor. 業界標準スタイルのパッケージに収納された、汎用で高効率の高速回復ダイオードです。. 高さ1 mmの低プロファイル アバランシェ整流 RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(100個)
1,198 税込1,318
翌々日出荷

実装タイプ = ねじ取り付け。パッケージタイプ = DO-4。最大連続 順方向電流 = 12A。ピーク逆繰返し電圧 = 200V。ダイオード構成 = スタッドカソード。整流タイプ = 回復整流器。ダイオードタイプ = 整流器。ピン数 = 2。最大順方向降下電圧 = 1.26V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 280A。標準リカバリ整流器 11 → 40 A. 業界標準のパッケージを採用した、汎用性の高い高効率の標準リカバリーパワーダイオードです。
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(100個)
38,980 税込42,878
7日以内出荷

実装タイプ = スルーホール。パッケージタイプ = TO-220AC。最大連続 順方向電流 = 8A。ピーク逆繰返し電圧 = 600V。ダイオード構成 = シングル。整流タイプ = 汎用。ダイオードタイプ = 超高速整流器。ピン数 = 2。最大順方向降下電圧 = 1.5V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション。ピーク逆回復時間 = 50ns。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 125A。超高速回復整流器(6 → 12 A)、Vishay Semiconductor. Vishay社の超高速整流器では、逆回復時間が15 nsと非常に短く、電圧レベルも1500 Vになります。 主な用途: 低周波のスイッチモード電源(SMPS)、インバータ、還流ダイオードなどがあります。
RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(50個)
5,798 税込6,378
7日以内出荷

実装タイプ 表面実装。パッケージタイプ DO-214AC (SMA)。最大連続 順方向電流 1A。ピーク逆繰返し電圧 40V。ダイオード構成 シングル。整流タイプ ショットキー整流器。ダイオードタイプ ショットキー。ピン数 2。1チップ当たりのエレメント数 1。ダイオードテクノロジー ショットキーバリア。ピーク非繰返し順方向サージ電流 40A。Vishay SS12-SS16 SMDショットキーバリア整流器. Vishay SS12-SS16 シリーズのショットキーバリア整流器は、SMA (DO-214AC)パッケージの低プロファイルデバイスです。 特長: 過電圧保護ガードリング 低順方向電圧降下 電力損失が低い 高効率 何に使用しますか? SS12-SS16ショットキーバリア整流器は、低電圧、高周波インバータ、還流、DC DCコンバータ、極性保護用途で使用するように設計されています。 動作温度範囲 -65 +150 種類: SS12 20 SS13 30 SS14 40 SS15 50 SS16 60 V
RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(7500個)
149,800 税込164,780
7日以内出荷

実装タイプ 表面実装。パッケージタイプ DO-214AC (SMA)。最大連続 順方向電流 1A。ピーク逆繰返し電圧 60V。ダイオード構成 シングル。整流タイプ ショットキー整流器。ダイオードタイプ ショットキー。ピン数 2。最大順方向降下電圧 750mV。1チップ当たりのエレメント数 1。ダイオードテクノロジー ショットキーバリア。ピーク非繰返し順方向サージ電流 40A。Vishay SS12-SS16 SMDショットキーバリア整流器. Vishay SS12-SS16 シリーズのショットキーバリア整流器は、SMA (DO-214AC)パッケージの低プロファイルデバイスです。 特長: 過電圧保護ガードリング 低順方向電圧降下 電力損失が低い 高効率 何に使用しますか? SS12-SS16ショットキーバリア整流器は、低電圧、高周波インバータ、還流、DC DCコンバータ、極性保護用途で使用するように設計されています。 動作温度範囲 -65 +150 種類: SS12 20 SS13 30 SS14 40 SS15 50 SS16 60 V
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(5個)
239 税込263
7日以内出荷


タイプ(サイリスタ)SCR 電圧(V)(最大ゲートトリガー)4、(ピークオンステージ)1.55、(繰返しピーク順方向抑止)1200 保持電流(A)最大0.2 電流(A)(定格平均オン)140、(最大ゲートトリガー)0.27、(繰返しピークオフステート)0.05 ピーク逆繰返し電圧(V)1200 サージ電流レーティング(A)4712 実装タイプパネルマウント パッケージIPAK (TO-251) ピン数(ピン)5 寸法(mm)94×35×30 動作温度(℃)(Min)-40 仕様UL認定ファイルE78996. サイリスタ / ダイオードVS-VSKHシリーズ、INT-A-PAKモジュール、Vishay Semiconductor. サイリスタ / ダイオード構成 3500 V RMS 、金属ベースからの電圧を絶縁 産業標準パッケージINT-A-PAK 高サージ電流耐量 RoHS指令(10物質対応)対応
1個ほか
16,980 税込18,678
5日以内出荷
バリエーション一覧へ (2種類の商品があります)


仕様ESDプロテクタ、Vishay Semiconductor. IEC61000規格に準拠した静電気放電(ESD)保護 実装タイプ表面実装 1チップ当たりのエレメント数2 ESD保護あり
1セット(100個)ほか
1,398 税込1,538
7日以内出荷
バリエーション一覧へ (6種類の商品があります)