「ファイル スタンド」の検索結果

最大抵抗 = 10kΩ。実装タイプ = スルーホール。回転数 = 19 (電気的)、22 (機械的)。方位 = 上面調整。定格電力 = 0.5W。シリーズ = 64W。終端スタイル = ピン。許容差 = ±10%。温度係数 = ±100ppm/℃。軸径 = 2.2 mmmm。動作温度 Min = -55℃。動作温度 Max = +155℃。上面調整64 Wシリーズ. スリムボディプロファイル - 高パッキング密度 密閉による液浸基板洗浄への耐性 難燃性プラスチックハウジング ダブルシェブロンシャフトシール 成形ボディ、スタンドオフ内蔵 基板アセンブリ用ICスタイルピン 貴金属ワイパーにより、セットポイントの安定性を確保

最大抵抗 = 50kΩ。実装タイプ = スルーホール。回転数 = 21 (電気的)、23 (機械的)。方位 = 上面調整。定格電力 = 0.5W。シリーズ = 64Y。終端スタイル = ピン。許容差 = ±10%。温度係数 = ±100ppm/℃。軸径 = 2.2 mmmm。動作温度 Min = -55℃。動作温度 Max = +155℃。上面調整64Yシリーズ. スリムボディプロファイル - 高パッキング密度 密閉による液浸基板洗浄への耐性 難燃性プラスチックハウジング ダブルシェブロンシャフトシール 成形ボディ、スタンドオフ内蔵 基板アセンブリ用ICスタイルピン 貴金属ワイパーにより、セットポイントの安定性を確保

ダイオード構成 = シングル。最大クランピング電圧 = 48.4V。最小ブレークダウン電圧 = 33.3V。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = DO-214AA (SMB)。最大逆スタンドオフ電圧 = 30V。ピン数 = 2。ピークパルスパワー消費 = 600W。最大ピークパルス電流 = 12.4A。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Min = -55 ℃。寸法 = 4.57 x 3.94 x 2.24mm。幅 = 3.94mm。TRANSZORBR過渡電圧サプレッサSMT双方向600 W、Vishay Semiconductor. 低プロファイルのDO-214AA (SMBJ)パッケージ 優れたクランプ機能 超高速応答時間 低インクリメンタルサージを備えた低抵抗

方向性タイプ = 双方向。最大クランピング電圧 = 38.9V。最小ブレークダウン電圧 = 26.7V。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = DO-214AA (SMB)。最大逆スタンドオフ電圧 = 24V。ピン数 = 2。ピークパルスパワー消費 = 600W。最大ピークパルス電流 = 15.4A。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Min = -55 ℃。動作温度 Max = +150 ℃mm。高さ = 2.24mm。TRANSZORBR過渡電圧サプレッサSMT双方向600 W、Vishay Semiconductor. 低プロファイルのDO-214AA (SMBJ)パッケージ 優れたクランプ機能 超高速応答時間 低インクリメンタルサージを備えた低抵抗

最大抵抗 = 200kΩ。回転数 = 19 (電気的)、22 (機械的)。取り付けタイプ = スルーホール。定格電力 = 1/2W。シリーズ = 64W。方位 = 上面調整。終端スタイル = ピン。長さ = 9.7mm。奥行き = 5mm。高さ = 11.1mm。寸法 = 9.7 x 5 x 11.1mm。軸径 = 2.2 mm。許容差 = ±10%。最小動作温度 = -55℃。上面調整64 Wシリーズ. スリムボディプロファイル - 高パッキング密度 密閉による液浸基板洗浄への耐性 難燃性プラスチックハウジング ダブルシェブロンシャフトシール 成形ボディ、スタンドオフ内蔵 基板アセンブリ用ICスタイルピン 貴金属ワイパーにより、セットポイントの安定性を確保

方向性タイプ = 双方向。最大クランピング電圧 = 77.4V。最小ブレークダウン電圧 = 53.3V。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = DO-214AA (SMB)。最大逆スタンドオフ電圧 = 48V。ピン数 = 2。ピークパルスパワー消費 = 600W。最大ピークパルス電流 = 7.8A。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Min = -55 ℃。動作温度 Max = +150 ℃mm。高さ = 2.24mm。TRANSZORBR過渡電圧サプレッサSMT双方向600 W、Vishay Semiconductor. 低プロファイルのDO-214AA (SMBJ)パッケージ 優れたクランプ機能 超高速応答時間 低インクリメンタルサージを備えた低抵抗

ダイオード構成 = シングル。最大クランピング電圧 = 12.9V。最小ブレークダウン電圧 = 8.33V。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = DO-214AA (SMB)。最大逆スタンドオフ電圧 = 7.5V。ピン数 = 2。ピークパルスパワー消費 = 600W。最大ピークパルス電流 = 46.5A。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Min = -55 ℃。寸法 = 4.57 x 3.94 x 2.24mm。幅 = 3.94mm。TRANSZORBR過渡電圧サプレッサSMT双方向600 W、Vishay Semiconductor. 低プロファイルのDO-214AA (SMBJ)パッケージ 優れたクランプ機能 超高速応答時間 低インクリメンタルサージを備えた低抵抗

方向性タイプ = 双方向。最大クランピング電圧 = 58.1V。最小ブレークダウン電圧 = 40V。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = DO-214AA (SMB)。最大逆スタンドオフ電圧 = 36V。ピン数 = 2。ピークパルスパワー消費 = 600W。最大ピークパルス電流 = 10.3A。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Min = -55 ℃。動作温度 Max = +150 ℃mm。幅 = 3.94mm。TRANSZORBR過渡電圧サプレッサSMT双方向600 W、Vishay Semiconductor. 低プロファイルのDO-214AA (SMBJ)パッケージ 優れたクランプ機能 超高速応答時間 低インクリメンタルサージを備えた低抵抗

ダイオード構成 = シングル。最大クランピング電圧 = 9.2V。最小ブレークダウン電圧 = 6.4V。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = DO-215AA。最大逆スタンドオフ電圧 = 5V。ピン数 = 2。ピークパルスパワー消費 = 600W。最大ピークパルス電流 = 65.2A。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Min = -55 ℃。寸法 = 4.57 x 3.94 x 2.21mm。テスト電流 = 10mA。TRANSZORBR過渡電圧サプレッサ、SMT単方向600 W、SMBGシリーズ、Vishay Semiconductor. 低プロファイルのDO-215AA (SMBG)パッケージ 優れたクランプ機能 超高速応答時間 低インクリメンタルサージを備えた低抵抗

最大抵抗 = 500Ω。回転数 = 19 (電気的)、22 (機械的)。取り付けタイプ = スルーホール。定格電力 = 1/2W。シリーズ = 64Y。方位 = 上面調整。終端スタイル = ピン。長さ = 9.7mm。奥行き = 5mm。高さ = 11.1mm。寸法 = 9.7 x 5 x 11.1mm。軸径 = 2.2 mm。許容差 = ±10%。最大動作温度 = +155℃。上面調整64Yシリーズ. スリムボディプロファイル - 高パッキング密度 密閉による液浸基板洗浄への耐性 難燃性プラスチックハウジング ダブルシェブロンシャフトシール 成形ボディ、スタンドオフ内蔵 基板アセンブリ用ICスタイルピン 貴金属ワイパーにより、セットポイントの安定性を確保

最大抵抗 = 100Ω。回転数 = 19 (電気的)、22 (機械的)。取り付けタイプ = スルーホール。定格電力 = 1/2W。シリーズ = 64Y。方位 = 上面調整。終端スタイル = ピン。長さ = 9.7mm。奥行き = 5mm。高さ = 11.1mm。寸法 = 9.7 x 5 x 11.1mm。軸径 = 2.2 mm。許容差 = ±10%。温度係数 = ±100ppm/℃。上面調整64Yシリーズ. スリムボディプロファイル - 高パッキング密度 密閉による液浸基板洗浄への耐性 難燃性プラスチックハウジング ダブルシェブロンシャフトシール 成形ボディ、スタンドオフ内蔵 基板アセンブリ用ICスタイルピン 貴金属ワイパーにより、セットポイントの安定性を確保

最大抵抗 = 2kΩ。回転数 = 21 (電気的)、23 (機械的)。取り付けタイプ = スルーホール。定格電力 = 1/2W。シリーズ = 64Y。方位 = 上面調整。終端スタイル = ピン。長さ = 9.7mm。奥行き = 5mm。高さ = 11.1mm。寸法 = 9.7 x 5 x 11.1mm。軸径 = 2.2 mm。許容差 = ±10%。温度係数 = ±100ppm/℃。上面調整64Yシリーズ. スリムボディプロファイル - 高パッキング密度 密閉による液浸基板洗浄への耐性 難燃性プラスチックハウジング ダブルシェブロンシャフトシール 成形ボディ、スタンドオフ内蔵 基板アセンブリ用ICスタイルピン 貴金属ワイパーにより、セットポイントの安定性を確保

最大抵抗 = 1kΩ。回転数 = 19 (電気的)、22 (機械的)。取り付けタイプ = スルーホール。定格電力 = 1/2W。シリーズ = 64X。方位 = 側面調整。終端スタイル = ピン。長さ = 11mm。奥行き = 5mm。高さ = 9.8mm。寸法 = 11 x 5 x 9.8mm。軸径 = 2.2 mm。許容差 = ±10%。温度係数 = ±100ppm/℃。側面調整64Xシリーズ. スリムボディプロファイル - 高パッキング密度 密閉による液浸基板洗浄への耐性 難燃性プラスチックハウジング ダブルシェブロンシャフトシール 成形ボディ、スタンドオフ内蔵 基板アセンブリ用ICスタイルピン 貴金属ワイパーにより、セットポイントの安定性を確保

最大抵抗 = 50kΩ。回転数 = 19 (電気的)、22 (機械的)。取り付けタイプ = スルーホール。定格電力 = 1/2W。シリーズ = 64W。方位 = 上面調整。終端スタイル = ピン。長さ = 9.7mm。奥行き = 5mm。高さ = 11.1mm。寸法 = 9.7 x 5 x 11.1mm。軸径 = 2.2 mm。許容差 = ±10%。最小動作温度 = -55℃。上面調整64 Wシリーズ. スリムボディプロファイル - 高パッキング密度 密閉による液浸基板洗浄への耐性 難燃性プラスチックハウジング ダブルシェブロンシャフトシール 成形ボディ、スタンドオフ内蔵 基板アセンブリ用ICスタイルピン 貴金属ワイパーにより、セットポイントの安定性を確保

最大抵抗 = 1kΩ。回転数 = 19 (電気的)、22 (機械的)。取り付けタイプ = スルーホール。定格電力 = 1/2W。シリーズ = 64W。方位 = 上面調整。終端スタイル = ピン。長さ = 9.7mm。奥行き = 5mm。高さ = 11.1mm。寸法 = 9.7 x 5 x 11.1mm。軸径 = 2.2 mm。許容差 = ±10%。最大動作温度 = +155℃。上面調整64 Wシリーズ. スリムボディプロファイル - 高パッキング密度 密閉による液浸基板洗浄への耐性 難燃性プラスチックハウジング ダブルシェブロンシャフトシール 成形ボディ、スタンドオフ内蔵 基板アセンブリ用ICスタイルピン 貴金属ワイパーにより、セットポイントの安定性を確保

最大抵抗 = 100kΩ。回転数 = 19 (電気的)、22 (機械的)。取り付けタイプ = スルーホール。定格電力 = 1/2W。シリーズ = 64Y。方位 = 上面調整。終端スタイル = ピン。長さ = 9.7mm。奥行き = 5mm。高さ = 11.1mm。寸法 = 9.7 x 5 x 11.1mm。軸径 = 2.2 mm。許容差 = ±10%。温度係数 = ±100ppm/℃。上面調整64Yシリーズ. スリムボディプロファイル - 高パッキング密度 密閉による液浸基板洗浄への耐性 難燃性プラスチックハウジング ダブルシェブロンシャフトシール 成形ボディ、スタンドオフ内蔵 基板アセンブリ用ICスタイルピン 貴金属ワイパーにより、セットポイントの安定性を確保

最大抵抗 = 100kΩ。回転数 = 19 (電気的)、22 (機械的)。取り付けタイプ = スルーホール。定格電力 = 1/2W。シリーズ = 64W。方位 = 上面調整。終端スタイル = ピン。長さ = 9.7mm。奥行き = 5mm。高さ = 11.1mm。寸法 = 9.7 x 5 x 11.1mm。軸径 = 2.2 mm。許容差 = ±10%。温度係数 = ±100ppm/℃。上面調整64 Wシリーズ. スリムボディプロファイル - 高パッキング密度 密閉による液浸基板洗浄への耐性 難燃性プラスチックハウジング ダブルシェブロンシャフトシール 成形ボディ、スタンドオフ内蔵 基板アセンブリ用ICスタイルピン 貴金属ワイパーにより、セットポイントの安定性を確保

方向性タイプ = 双方向。最大クランピング電圧 = 28.8V。最小ブレークダウン電圧 = 17.8V。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = DO-214AA (SMB)。最大逆スタンドオフ電圧 = 16V。ピン数 = 2。ピークパルスパワー消費 = 600W。最大ピークパルス電流 = 20.8A。ESD保護 = あり。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Min = -55 ℃。動作温度 Max = +150 ℃mm。幅 = 3.94mm。TRANSZORBR過渡電圧サプレッサSMT双方向600 W、Vishay Semiconductor. 低プロファイルのDO-214AA (SMBJ)パッケージ 優れたクランプ機能 超高速応答時間 低インクリメンタルサージを備えた低抵抗

最大抵抗 = 100kΩ。回転数 = 19 (電気的)、22 (機械的)。取り付けタイプ = スルーホール。定格電力 = 1/2W。シリーズ = 64X。方位 = 側面調整。終端スタイル = ピン。長さ = 11mm。奥行き = 5mm。高さ = 9.8mm。寸法 = 11 x 5 x 9.8mm。軸径 = 2.2 mm。許容差 = ±10%。温度係数 = ±100ppm/℃。側面調整64Xシリーズ. スリムボディプロファイル - 高パッキング密度 密閉による液浸基板洗浄への耐性 難燃性プラスチックハウジング ダブルシェブロンシャフトシール 成形ボディ、スタンドオフ内蔵 基板アセンブリ用ICスタイルピン 貴金属ワイパーにより、セットポイントの安定性を確保

最大抵抗 = 1kΩ。回転数 = 19 (電気的)、22 (機械的)。取り付けタイプ = スルーホール。定格電力 = 1/2W。シリーズ = 64Y。方位 = 上面調整。終端スタイル = ピン。長さ = 9.7mm。奥行き = 5mm。高さ = 11.1mm。寸法 = 9.7 x 5 x 11.1mm。軸径 = 2.2 mm。許容差 = ±10%。温度係数 = ±100ppm/℃。上面調整64Yシリーズ. スリムボディプロファイル - 高パッキング密度 密閉による液浸基板洗浄への耐性 難燃性プラスチックハウジング ダブルシェブロンシャフトシール 成形ボディ、スタンドオフ内蔵 基板アセンブリ用ICスタイルピン 貴金属ワイパーにより、セットポイントの安定性を確保

最大抵抗 = 500Ω。回転数 = 19 (電気的)、22 (機械的)。取り付けタイプ = スルーホール。定格電力 = 1/2W。シリーズ = 64X。方位 = 側面調整。終端スタイル = ピン。長さ = 11mm。奥行き = 5mm。高さ = 9.8mm。寸法 = 11 x 5 x 9.8mm。軸径 = 2.2 mm。許容差 = ±10%。最小動作温度 = -55℃。側面調整64Xシリーズ. スリムボディプロファイル - 高パッキング密度 密閉による液浸基板洗浄への耐性 難燃性プラスチックハウジング ダブルシェブロンシャフトシール 成形ボディ、スタンドオフ内蔵 基板アセンブリ用ICスタイルピン 貴金属ワイパーにより、セットポイントの安定性を確保

最大抵抗 = 1MΩ。回転数 = 19 (電気的)、22 (機械的)。取り付けタイプ = スルーホール。定格電力 = 3/50W。シリーズ = 64W。方位 = 上面調整。終端スタイル = ピン。長さ = 9.7mm。奥行き = 5mm。高さ = 11.1mm。寸法 = 9.7 x 5 x 11.1mm。軸径 = 2.2 mm。許容差 = ±10%。温度係数 = ±100ppm/℃。上面調整64 Wシリーズ. スリムボディプロファイル - 高パッキング密度 密閉による液浸基板洗浄への耐性 難燃性プラスチックハウジング ダブルシェブロンシャフトシール 成形ボディ、スタンドオフ内蔵 基板アセンブリ用ICスタイルピン 貴金属ワイパーにより、セットポイントの安定性を確保

方向性タイプ = 双方向。最大クランピング電圧 = 53.5V。最小ブレークダウン電圧 = 33.3V。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = DO-214AA (SMB)。最大逆スタンドオフ電圧 = 30V。ピン数 = 2。ピークパルスパワー消費 = 600W。最大ピークパルス電流 = 11.2A。ESD保護 = あり。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Min = -55 ℃。動作温度 Max = +150 ℃mm。幅 = 3.94mm。TRANSZORBR過渡電圧サプレッサSMT双方向600 W、Vishay Semiconductor. 低プロファイルのDO-214AA (SMBJ)パッケージ 優れたクランプ機能 超高速応答時間 低インクリメンタルサージを備えた低抵抗

最大抵抗 = 200kΩ。回転数 = 19 (電気的)、22 (機械的)。取り付けタイプ = スルーホール。定格電力 = 1/2W。シリーズ = 64Y。方位 = 上面調整。終端スタイル = ピン。長さ = 9.7mm。奥行き = 5mm。高さ = 11.1mm。寸法 = 9.7 x 5 x 11.1mm。軸径 = 2.2 mm。許容差 = ±10%。最小動作温度 = -55℃。上面調整64Yシリーズ. スリムボディプロファイル - 高パッキング密度 密閉による液浸基板洗浄への耐性 難燃性プラスチックハウジング ダブルシェブロンシャフトシール 成形ボディ、スタンドオフ内蔵 基板アセンブリ用ICスタイルピン 貴金属ワイパーにより、セットポイントの安定性を確保

最大抵抗 = 100Ω。回転数 = 19 (電気的)、22 (機械的)。取り付けタイプ = スルーホール。定格電力 = 1/2W。シリーズ = 64W。方位 = 上面調整。終端スタイル = ピン。長さ = 9.7mm。奥行き = 5mm。高さ = 11.1mm。寸法 = 9.7 x 5 x 11.1mm。軸径 = 2.2 mm。許容差 = ±10%。最大動作温度 = +155℃。上面調整64 Wシリーズ. スリムボディプロファイル - 高パッキング密度 密閉による液浸基板洗浄への耐性 難燃性プラスチックハウジング ダブルシェブロンシャフトシール 成形ボディ、スタンドオフ内蔵 基板アセンブリ用ICスタイルピン 貴金属ワイパーにより、セットポイントの安定性を確保

最大抵抗 = 50kΩ。回転数 = 19 (電気的)、22 (機械的)。取り付けタイプ = スルーホール。定格電力 = 1/2W。シリーズ = 64P。方位 = 側面調整。終端スタイル = ピン。長さ = 9.7mm。奥行き = 11mm。高さ = 5.2mm。寸法 = 9.7 x 11 x 5.2mm。軸径 = 2.2 mm。許容差 = ±10%。最大動作温度 = +155℃。側面調整64Pシリーズ. スリムボディプロファイル - 高パッキング密度 密閉による液浸基板洗浄への耐性 難燃性プラスチックハウジング ダブルシェブロンシャフトシール 成形ボディ、スタンドオフ内蔵 基板アセンブリ用ICスタイルピン 貴金属ワイパーにより、セットポイントの安定性を確保

最大抵抗 = 200Ω。回転数 = 19 (電気的)、22 (機械的)。取り付けタイプ = スルーホール。定格電力 = 1/2W。シリーズ = 64X。方位 = 側面調整。終端スタイル = ピン。長さ = 11mm。奥行き = 5mm。高さ = 9.8mm。寸法 = 11 x 5 x 9.8mm。軸径 = 2.2 mm。許容差 = ±10%。最大動作温度 = +155℃。側面調整64Xシリーズ. スリムボディプロファイル - 高パッキング密度 密閉による液浸基板洗浄への耐性 難燃性プラスチックハウジング ダブルシェブロンシャフトシール 成形ボディ、スタンドオフ内蔵 基板アセンブリ用ICスタイルピン 貴金属ワイパーにより、セットポイントの安定性を確保

最大抵抗 = 2kΩ。回転数 = 19 (電気的)、22 (機械的)。取り付けタイプ = スルーホール。定格電力 = 1/2W。シリーズ = 64W。方位 = 上面調整。終端スタイル = ピン。長さ = 9.7mm。奥行き = 5mm。高さ = 11.1mm。寸法 = 9.7 x 5 x 11.1mm。軸径 = 2.2 mm。許容差 = ±10%。最大動作温度 = +155℃。上面調整64 Wシリーズ. スリムボディプロファイル - 高パッキング密度 密閉による液浸基板洗浄への耐性 難燃性プラスチックハウジング ダブルシェブロンシャフトシール 成形ボディ、スタンドオフ内蔵 基板アセンブリ用ICスタイルピン 貴金属ワイパーにより、セットポイントの安定性を確保

最大抵抗 = 20kΩ。回転数 = 19 (電気的)、22 (機械的)。取り付けタイプ = スルーホール。定格電力 = 1/2W。シリーズ = 64W。方位 = 上面調整。終端スタイル = ピン。長さ = 9.7mm。奥行き = 5mm。高さ = 11.1mm。寸法 = 9.7 x 5 x 11.1mm。軸径 = 2.2 mm。許容差 = ±10%。最大動作温度 = +155℃。上面調整64 Wシリーズ. スリムボディプロファイル - 高パッキング密度 密閉による液浸基板洗浄への耐性 難燃性プラスチックハウジング ダブルシェブロンシャフトシール 成形ボディ、スタンドオフ内蔵 基板アセンブリ用ICスタイルピン 貴金属ワイパーにより、セットポイントの安定性を確保

最大抵抗 = 1MΩ。回転数 = 19 (電気的)、22 (機械的)。取り付けタイプ = スルーホール。定格電力 = 3/50W。シリーズ = 64Y。方位 = 上面調整。終端スタイル = ピン。長さ = 9.7mm。奥行き = 5mm。高さ = 11.1mm。寸法 = 9.7 x 5 x 11.1mm。軸径 = 2.2 mm。許容差 = ±10%。温度係数 = ±100ppm/℃。上面調整64Yシリーズ. スリムボディプロファイル - 高パッキング密度 密閉による液浸基板洗浄への耐性 難燃性プラスチックハウジング ダブルシェブロンシャフトシール 成形ボディ、スタンドオフ内蔵 基板アセンブリ用ICスタイルピン 貴金属ワイパーにより、セットポイントの安定性を確保

最大抵抗 = 10kΩ。回転数 = 19 (電気的)、22 (機械的)。取り付けタイプ = スルーホール。定格電力 = 1/2W。シリーズ = 64X。方位 = 側面調整。終端スタイル = ピン。長さ = 11mm。奥行き = 5mm。高さ = 9.8mm。寸法 = 11 x 5 x 9.8mm。軸径 = 2.2 mm。許容差 = ±10%。温度係数 = ±100ppm/℃。側面調整64Xシリーズ. スリムボディプロファイル - 高パッキング密度 密閉による液浸基板洗浄への耐性 難燃性プラスチックハウジング ダブルシェブロンシャフトシール 成形ボディ、スタンドオフ内蔵 基板アセンブリ用ICスタイルピン 貴金属ワイパーにより、セットポイントの安定性を確保

最大抵抗 = 20kΩ。回転数 = 19 (電気的)、22 (機械的)。取り付けタイプ = スルーホール。定格電力 = 1/2W。シリーズ = 64Y。方位 = 上面調整。終端スタイル = ピン。長さ = 9.7mm。奥行き = 5mm。高さ = 11.1mm。寸法 = 9.7 x 5 x 11.1mm。軸径 = 2.2 mm。許容差 = ±10%。最小動作温度 = -55℃。上面調整64Yシリーズ. スリムボディプロファイル - 高パッキング密度 密閉による液浸基板洗浄への耐性 難燃性プラスチックハウジング ダブルシェブロンシャフトシール 成形ボディ、スタンドオフ内蔵 基板アセンブリ用ICスタイルピン 貴金属ワイパーにより、セットポイントの安定性を確保

最大抵抗 = 5kΩ。回転数 = 19 (電気的)、22 (機械的)。取り付けタイプ = スルーホール。定格電力 = 1/2W。シリーズ = 64W。方位 = 上面調整。終端スタイル = ピン。長さ = 9.7mm。奥行き = 5mm。高さ = 11.1mm。寸法 = 9.7 x 5 x 11.1mm。軸径 = 2.2 mm。許容差 = ±10%。最小動作温度 = -55℃。上面調整64 Wシリーズ. スリムボディプロファイル - 高パッキング密度 密閉による液浸基板洗浄への耐性 難燃性プラスチックハウジング ダブルシェブロンシャフトシール 成形ボディ、スタンドオフ内蔵 基板アセンブリ用ICスタイルピン 貴金属ワイパーにより、セットポイントの安定性を確保

最大抵抗 = 20kΩ。回転数 = 19 (電気的)、22 (機械的)。取り付けタイプ = スルーホール。定格電力 = 1/2W。シリーズ = 64X。方位 = 側面調整。終端スタイル = ピン。長さ = 11mm。奥行き = 5mm。高さ = 9.8mm。寸法 = 11 x 5 x 9.8mm。軸径 = 2.2 mm。許容差 = ±10%。最小動作温度 = -55℃。側面調整64Xシリーズ. スリムボディプロファイル - 高パッキング密度 密閉による液浸基板洗浄への耐性 難燃性プラスチックハウジング ダブルシェブロンシャフトシール 成形ボディ、スタンドオフ内蔵 基板アセンブリ用ICスタイルピン 貴金属ワイパーにより、セットポイントの安定性を確保

方向性タイプ = 単方向。最大クランピング電圧 = 17V。最小ブレークダウン電圧 = 11.1V。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = DO-214AA (SMB)。最大逆スタンドオフ電圧 = 10V。ピン数 = 2。ピークパルスパワー消費 = 600W。最大ピークパルス電流 = 35.3A。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Min = -55 ℃。寸法 = 4.57 x 3.94 x 2.24mm。高さ = 2.24mm。TRANSZORBR過渡電圧サプレッサ、SMT単方向600 W、SMBJシリーズ、Vishay Semiconductor. 特長:. 低プロファイルパッケージ 自動配置に最適 ガラス不動態化チップジャンクション 単方向および双方向で使用可能 10/1000 μ s 波形で 600 W の Peak パルス電力性能、反復率(デューティサイクル)： 0.01 % 優れたクランプ能力 応答時間が非常に短い 低インクリメンタルサージ耐性 MSL レベル 1 ( J-STD-020 準拠)、 LF 最大 Peak 260 ° C に対応. 用途:. 繊細な電子機器を電圧から保護するために使用します 誘導負荷スイッチング及び照明によって発生する過渡現象 民生用センサユニットの IC 、 MOSFET 、信号ライン コンピュータ、産業、通信

ダイオード構成 = シングル。最大クランピング電圧 = 24.4V。最小ブレークダウン電圧 = 16.7V。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = DO-214AA (SMB)。最大逆スタンドオフ電圧 = 15V。ピン数 = 2。ピークパルスパワー消費 = 600W。最大ピークパルス電流 = 24.6A。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Min = -55 ℃。寸法 = 4.57 x 3.94 x 2.24mm。幅 = 3.94mm。TRANSZORBR過渡電圧サプレッサ、SMT単方向600 W、SMBJシリーズ、Vishay Semiconductor. 特長:. 低プロファイルパッケージ 自動配置に最適 ガラス不動態化チップジャンクション 単方向および双方向で使用可能 10/1000 μ s 波形で 600 W の Peak パルス電力性能、反復率(デューティサイクル)： 0.01 % 優れたクランプ能力 応答時間が非常に短い 低インクリメンタルサージ耐性 MSL レベル 1 ( J-STD-020 準拠)、 LF 最大 Peak 260 ° C に対応. 用途:. 繊細な電子機器を電圧から保護するために使用します 誘導負荷スイッチング及び照明によって発生する過渡現象 民生用センサユニットの IC 、 MOSFET 、信号ライン コンピュータ、産業、通信

ダイオード構成 = シングル。最大クランピング電圧 = 53.3V。最小ブレークダウン電圧 = 36.7V。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = DO-214AA (SMB)。最大逆スタンドオフ電圧 = 33V。ピン数 = 2。ピークパルスパワー消費 = 600W。最大ピークパルス電流 = 11.3A。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Min = -55 ℃。寸法 = 4.57 x 3.94 x 2.24mm。幅 = 3.94mm。TRANSZORBR過渡電圧サプレッサ、SMT単方向600 W、SMBJシリーズ、Vishay Semiconductor. 特長:. 低プロファイルパッケージ 自動配置に最適 ガラス不動態化チップジャンクション 単方向および双方向で使用可能 10/1000 μ s 波形で 600 W の Peak パルス電力性能、反復率(デューティサイクル)： 0.01 % 優れたクランプ能力 応答時間が非常に短い 低インクリメンタルサージ耐性 MSL レベル 1 ( J-STD-020 準拠)、 LF 最大 Peak 260 ° C に対応. 用途:. 繊細な電子機器を電圧から保護するために使用します 誘導負荷スイッチング及び照明によって発生する過渡現象 民生用センサユニットの IC 、 MOSFET 、信号ライン コンピュータ、産業、通信

ダイオード構成 = シングル。最大クランピング電圧 = 9.2V。最小ブレークダウン電圧 = 6.4V。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = DO-214AA (SMB)。最大逆スタンドオフ電圧 = 5V。ピン数 = 2。ピークパルスパワー消費 = 600W。最大ピークパルス電流 = 65.2A。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Min = -55 ℃。動作温度 Max = +150 ℃mm。幅 = 3.94mm。TRANSZORBR過渡電圧サプレッサ、SMT単方向600 W、SMBJシリーズ、Vishay Semiconductor. 特長:. 低プロファイルパッケージ 自動配置に最適 ガラス不動態化チップジャンクション 単方向および双方向で使用可能 10/1000 μ s 波形で 600 W の Peak パルス電力性能、反復率(デューティサイクル)： 0.01 % 優れたクランプ能力 応答時間が非常に短い 低インクリメンタルサージ耐性 MSL レベル 1 ( J-STD-020 準拠)、 LF 最大 Peak 260 ° C に対応. 用途:. 繊細な電子機器を電圧から保護するために使用します 誘導負荷スイッチング及び照明によって発生する過渡現象 民生用センサユニットの IC 、 MOSFET 、信号ライン コンピュータ、産業、通信

方向性タイプ = 単方向。最大クランピング電圧 = 29.2V。最小ブレークダウン電圧 = 20V。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = DO-214AA (SMB)。最大逆スタンドオフ電圧 = 18V。ピン数 = 2。ピークパルスパワー消費 = 600W。最大ピークパルス電流 = 20.5A。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Min = -55 ℃。動作温度 Max = +150 ℃。長さ = 4.7mm。TRANSZORBR過渡電圧サプレッサ、SMT単方向600 W、SMBJシリーズ、Vishay Semiconductor. 特長:. 低プロファイルパッケージ 自動配置に最適 ガラス不動態化チップジャンクション 単方向および双方向で使用可能 10/1000 μ s 波形で 600 W の Peak パルス電力性能、反復率(デューティサイクル)： 0.01 % 優れたクランプ能力 応答時間が非常に短い 低インクリメンタルサージ耐性 MSL レベル 1 ( J-STD-020 準拠)、 LF 最大 Peak 260 ° C に対応. 用途:. 繊細な電子機器を電圧から保護するために使用します 誘導負荷スイッチング及び照明によって発生する過渡現象 民生用センサユニットの IC 、 MOSFET 、信号ライン コンピュータ、産業、通信

ダイオード構成 = シングル。最大クランピング電圧 = 38.9V。最小ブレークダウン電圧 = 26.7V。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = DO-214AA (SMB)。最大逆スタンドオフ電圧 = 24V。ピン数 = 2。ピークパルスパワー消費 = 600W。最大ピークパルス電流 = 15.4A。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Min = -55 ℃。動作温度 Max = +150 ℃mm。幅 = 3.94mm。TRANSZORBR過渡電圧サプレッサ、SMT単方向600 W、SMBJシリーズ、Vishay Semiconductor. 特長:. 低プロファイルパッケージ 自動配置に最適 ガラス不動態化チップジャンクション 単方向および双方向で使用可能 10/1000 μ s 波形で 600 W の Peak パルス電力性能、反復率(デューティサイクル)： 0.01 % 優れたクランプ能力 応答時間が非常に短い 低インクリメンタルサージ耐性 MSL レベル 1 ( J-STD-020 準拠)、 LF 最大 Peak 260 ° C に対応. 用途:. 繊細な電子機器を電圧から保護するために使用します 誘導負荷スイッチング及び照明によって発生する過渡現象 民生用センサユニットの IC 、 MOSFET 、信号ライン コンピュータ、産業、通信