「ホール」の検索結果

ダイオード構成 = シングル。1チップ当たりのエレメント数 = 1。パッケージタイプ = SOD-64。ツェナータイプ = アバランシェ。ピン数 = 2。最大逆漏れ電流 = 50μA。寸法 = 4.3 (Dia.). x 4mm。動作温度 Min = -55 ℃A

長さ = 22mm。スロットル位置センサ. Vishay 981 HEシリーズスロットル位置センサのホール効果技術により、最大20 Gの高周波振動や最大50 Gの衝撃が発生する-45～+125 ℃の環境でこのセンサを作動させることができます。この技術は、他の技術よりも非常に優れています。このセンサは、船舶、航空電子、フォークリフト、農機具、クレーン、自動車などの用途でのフットペダル位置センサ、スロットル位置センサ、ステアリング位置センサ、ドライブバイワイヤ、リフト / シャトル位置センサ、チルト制御 / チルト位置決めフィードバック、サスペンションシステム位置センサなどに向けて最適化されています。. 高精度の直線性: 最小±0.5 % 簡単な取り付け方式 非接触テクノロジー: ホール効果 供給電圧: 5 V dc (10 mA標準) あらゆる過酷な環境での使用向け専用モデル 出力ワイヤ

標準ツェナー電圧 = 200V。実装タイプ = スルーホール。パッケージタイプ = SOD-64。ツェナータイプ = アバランシェ。ツェナー電圧許容性 = ± 2 %，± 5%。ピン数 = 3

標準ツェナー電圧 = 5.1V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。最大パワー消費 = 500 mW。パッケージタイプ = DO-35。ツェナータイプ = 電圧レギュレータ。ツェナー電圧許容性 = 6%。ピン数 = 2。テスト電流 = 5mA。最大ツェナーインピーダンス = 550Ω。最大逆漏れ電流 = 2μA。寸法 = 1.7 (Dia.) x 3.9mm。標準電圧温度係数 = -0.02 %/℃， 0.02%/℃。ツェナーダイオード500 mW、BZX55Cシリーズ、Vishay Semiconductor. 小信号ツェナーダイオード 非常に優れた逆特性 低い逆電流レベル 非常に高い安定性 低ノイズ AEC-Q101認定

標準ツェナー電圧 = 16V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。最大パワー消費 = 1.3 W。パッケージタイプ = DO-41。ツェナータイプ = 電圧レギュレータ。ツェナー電圧許容性 = 6%。ピン数 = 2。テスト電流 = 15mA。最大ツェナーインピーダンス = 15Ω。最大逆漏れ電流 = 500nA。寸法 = 2.5 (Dia.) x 4.1mm。標準電圧温度係数 = 0.055 %/℃， 0.09%/℃。ツェナーダイオード1.3 W、BZX85シリーズ、Vishay Semiconductor. シリコン平面パワーツェナーダイオード 定格電力の高い安定回路及びクリッピング回路で使用

標準ツェナー電圧 = 15V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。最大パワー消費 = 500 mW。パッケージタイプ = DO-35。ツェナータイプ = 電圧レギュレータ。ツェナー電圧許容性 = 6%。ピン数 = 2。テスト電流 = 5mA。最大ツェナーインピーダンス = 110Ω。最大逆漏れ電流 = 2μA。寸法 = 1.7 (Dia.) x 3.9mm。標準電圧温度係数 = 0.03 %/℃， 0.11%/℃。ツェナーダイオード500 mW、BZX55Cシリーズ、Vishay Semiconductor. 小信号ツェナーダイオード 非常に優れた逆特性 低い逆電流レベル 非常に高い安定性 低ノイズ AEC-Q101認定

標準ツェナー電圧 = 30V。実装タイプ = スルーホール。最大パワー消費 = 1.3 W。パッケージタイプ = DO-41 ( DO-204AL )。ツェナータイプ = シリコン平面。ツェナー電圧許容性 = ± 5%。ピン数 = 2

標準ツェナー電圧 = 200V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。最大パワー消費 = 1.5 W。パッケージタイプ = DO-204AL。ツェナータイプ = 電圧レギュレータ。ツェナー電圧許容性 = 5%。ピン数 = 2。テスト電流 = 5mA。最大ツェナーインピーダンス = 1500Ω。最大逆漏れ電流 = 500nA。寸法 = 2.7 (Dia.) x 5.2mm。動作温度 Max = +150 ℃。ツェナーダイオード1.5 W、Z4KE100A - Z4KE200Aシリーズ、Vishay Semiconductor. ガラス不動態化電力電圧調整式ダイオード プラスチックMELFパッケージ 自動位置決めに最適 低ツェナーインピーダンス 低調整定数 AEC-Q101認定

標準ツェナー電圧 = 6.8V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。最大パワー消費 = 500 mW。パッケージタイプ = DO-35。ツェナータイプ = 電圧レギュレータ。ツェナー電圧許容性 = 6%。ピン数 = 2。テスト電流 = 5mA。最大ツェナーインピーダンス = 8Ω。最大逆漏れ電流 = 100nA。寸法 = 3.9 x 1.7 x 1.7mm。動作温度 Max = +175 ℃%/℃。ツェナーダイオード500 mW、BZX55Cシリーズ、Vishay Semiconductor. 小信号ツェナーダイオード 非常に優れた逆特性 低い逆電流レベル 非常に高い安定性 低ノイズ AEC-Q101認定

標準ツェナー電圧 = 9.1V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。最大パワー消費 = 500 mW。パッケージタイプ = DO-35。ツェナータイプ = 電圧レギュレータ。ツェナー電圧許容性 = 6%。ピン数 = 2。テスト電流 = 5mA。最大ツェナーインピーダンス = 10Ω。最大逆漏れ電流 = 100nA。寸法 = 3.9 x 1.7 x 1.7mm。標準電圧温度係数 = 0.06%/℃。ツェナーダイオード500 mW、BZX55Cシリーズ、Vishay Semiconductor. 小信号ツェナーダイオード 非常に優れた逆特性 低い逆電流レベル 非常に高い安定性 低ノイズ AEC-Q101認定

ダイオード構成 = シングルV。実装タイプ = スルーホール。最大パワー消費 = 500 mW。パッケージタイプ = DO-35。ツェナータイプ = 電圧レギュレータ。ツェナー電圧許容性 = 6%。ピン数 = 2。テスト電流 = 5mA。最大ツェナーインピーダンス = 80Ω。最大逆漏れ電流 = 2μA。寸法 = 1.7 (Dia.) x 3.9mm。標準電圧温度係数 = 0.12%/K。ツェナーダイオード500 mW、BZX55Cシリーズ、Vishay Semiconductor. 小信号ツェナーダイオード 非常に優れた逆特性 低い逆電流レベル 非常に高い安定性 低ノイズ AEC-Q101認定

標準ツェナー電圧 = 36V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。最大パワー消費 = 1.3 W。パッケージタイプ = DO-41。ツェナータイプ = 電圧レギュレータ。ツェナー電圧許容性 = 5%。ピン数 = 2。テスト電流 = 7mA。最大ツェナーインピーダンス = 50Ω。最大逆漏れ電流 = 5μA。寸法 = 2.6 (Dia.) x 4.1mm。動作温度 Min = -65 ℃。ツェナーダイオード1.3 W、1N47xxAシリーズ、Vishay Semiconductor

標準ツェナー電圧 = 3.3V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。最大パワー消費 = 1300 mW。パッケージタイプ = DO-41。ツェナータイプ = 電圧レギュレータ。ツェナー電圧許容性 = 6%。ピン数 = 2。テスト電流 = 80mA。最大ツェナーインピーダンス = 20Ω。最大逆漏れ電流 = 40μA。寸法 = 4.1 x 2.6 x 2.6mm。標準電圧温度係数 = -0.065%/℃。ツェナーダイオード1.3 W、BZX85シリーズ、Vishay Semiconductor. シリコン平面パワーツェナーダイオード 定格電力の高い安定回路及びクリッピング回路で使用

標準ツェナー電圧 = 39V。実装タイプ = スルーホール。最大パワー消費 = 1.3 W。パッケージタイプ = DO-41 ( DO-204AL )。ツェナータイプ = シリコン平面。ツェナー電圧許容性 = ± 2%。ピン数 = 2

標準ツェナー電圧 = 68V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。最大パワー消費 = 1.3 W。パッケージタイプ = DO-41。ツェナータイプ = 汎用。ツェナー電圧許容性 = 5%。ピン数 = 2。テスト電流 = 3.7A。最大ツェナーインピーダンス = 150Ω。最大逆漏れ電流 = 5μA。寸法 = 2.6 (Dia.) x 4.1mm。動作温度 Max = +175 ℃。ツェナーダイオード1.3 W、1N47xxAシリーズ、Vishay Semiconductor

標準ツェナー電圧 = 6.2V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。最大パワー消費 = 500 mW。パッケージタイプ = DO-35。ツェナータイプ = 汎用。ツェナー電圧許容性 = 5%。ピン数 = 2。テスト電流 = 20mA。最大ツェナーインピーダンス = 7Ω。最大逆漏れ電流 = 5μA。寸法 = 1.7 (Dia.) x 3.9mm。標準電圧温度係数 = 0.045%/K。ツェナーダイオード500 mW、1N52xxシリーズ、Vishay Semiconductor

標準ツェナー電圧 = 5.1V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。最大パワー消費 = 1300 mW。パッケージタイプ = DO-41。ツェナータイプ = 電圧レギュレータ。ツェナー電圧許容性 = 6%。ピン数 = 2。テスト電流 = 45mA。最大ツェナーインピーダンス = 10Ω。最大逆漏れ電流 = 1μA。寸法 = 4.1 x 2.6 x 2.6mm。標準電圧温度係数 = 0.015%/℃。ツェナーダイオード1.3 W、BZX85シリーズ、Vishay Semiconductor. シリコン平面パワーツェナーダイオード 定格電力の高い安定回路及びクリッピング回路で使用

標準ツェナー電圧 = 6.2V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。最大パワー消費 = 1300 mW。パッケージタイプ = DO-41。ツェナータイプ = 電圧レギュレータ。ツェナー電圧許容性 = 6%。ピン数 = 2。テスト電流 = 35mA。最大ツェナーインピーダンス = 4Ω。最大逆漏れ電流 = 1μA。寸法 = 4.1 x 2.6 x 2.6mm。標準電圧温度係数 = 0.033%/℃。ツェナーダイオード1.3 W、BZX85シリーズ、Vishay Semiconductor. シリコン平面パワーツェナーダイオード 定格電力の高い安定回路及びクリッピング回路で使用

標準ツェナー電圧 = 15V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。最大パワー消費 = 1.3 W。パッケージタイプ = DO-41。ツェナータイプ = 電圧レギュレータ。ツェナー電圧許容性 = 6%。ピン数 = 2。テスト電流 = 15mA。最大ツェナーインピーダンス = 15Ω。最大逆漏れ電流 = 500nA。寸法 = 2.5 (Dia.) x 4.1mm。標準電圧温度係数 = 0.055 %/℃， 0.09%/℃。ツェナーダイオード1.3 W、BZX85シリーズ、Vishay Semiconductor. シリコン平面パワーツェナーダイオード 定格電力の高い安定回路及びクリッピング回路で使用

ダイオード構成 = シングルV。実装タイプ = スルーホール。最大パワー消費 = 1.3 W。パッケージタイプ = SOD-57。ツェナータイプ = 電圧レギュレータ。ピン数 = 2

標準ツェナー電圧 = 47V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。最大パワー消費 = 3.25 W。パッケージタイプ = SOD-57。ツェナータイプ = 電圧レギュレータ。ピン数 = 2。テスト電流 = 10mA。最大ツェナーインピーダンス = 45Ω。最大逆漏れ電流 = 1μA。寸法 = 4 (Dia.) x 3.6mm。標準電圧温度係数 = 0.12%/K。ガラス不動態化ジャンクション ハーメチックシールドパッケージ ピコ秒単位のクランプ時間 中電力電圧レギュレータ及び中電力過渡抑制回路

標準ツェナー電圧 = 33V。実装タイプ = スルーホール。最大パワー消費 = 1.3 W。パッケージタイプ = DO-41 ( DO-204AL )。ツェナータイプ = シリコン平面。ツェナー電圧許容性 = ± 5%。ピン数 = 2

実装タイプ = スルーホール実装。最大順方向電圧 = 1.45V。ピン数 = 6。パッケージタイプ = DIP。シリーズ = LH

ピーク感度波長 = 950nm。パッケージタイプ = リード線付き。実装タイプ = スルーホール実装。ピン数 = 2

ピーク感度波長 = 900nm。パッケージタイプ = リード線付き。実装タイプ = スルーホール実装。ピン数 = 2

ピーク感度波長 = 940nm。パッケージタイプ = リード線付き。実装タイプ = スルーホール実装。ピン数 = 2

検出スペクトル = 赤外線。ピーク感度波長 = 950nm。実装タイプ = スルーホール実装。ピン数 = 2。ダイオード材質 = Si。最小検出波長 = 870nm。最大検出波長 = 1050nm。標準降下時間 = 100ns。長さ = 5.4mm。幅 = 4.3mm。高さ = 3.2mm。絶縁破壊電圧 = 60V。BP104シリーズPINフォトダイオード. Vishay Semiconductor製のBP104シリーズはPINフォトダイオードのグループです。昼光フィルタ付きフラットトップのプラスチック製小型パッケージに収納されています。BP104シリーズに適した用途には、高速の赤外線検出器、赤外線リモコン、空間データ伝送システムなどがあります。BP104は、TSALシリーズの赤外線エミッタと併用できます。. BP104 PINフォトダイオードの特長: トップビューパッケージ 寸法: 5.4 x 4.3 x 3.2 mm 放射検出面積: 7.5 mm2 高速な応答時間

検出スペクトル = 赤外線， 可視光。ピーク感度波長 = 950nm。実装タイプ = スルーホール実装。ピン数 = 2。ダイオード材質 = Si。最小検出波長 = 790nm。最大検出波長 = 1050nm。標準降下時間 = 100ns。長さ = 5mm。幅 = 3mm。高さ = 6.4mm。標準上昇時間 = 100ns。BPW83シリーズPINフォトダイオード. Vishay Semiconductor製のBPW83シリーズはPINフォトダイオードのファミリです。 これらの製品は、昼光フィルタの付いた側方監視の黒色プラスチック製パッケージに収納されているので、周囲の可視光を遮断します。 BPW83フォトダイオードに最適な用途: 高速な赤外線検出器、空間データ伝送システム及び赤外線リモコン. BPW83 PINフォトダイオードの特長: スルーホール取り付け サイドビュー 放射検出面積: 7.5 mm2 高い放射感度 昼光ブロックフィルタ 高速な応答時間 半輝度角度: 65°

実装タイプ = スルーホール実装。出力デバイス = フォトトライアック。最大順方向電圧 = 1.35V。ピン数 = 6。パッケージタイプ = DIP。シリーズ = IL4208

LED色 = 赤。パッケージタイプ = 1.8 mm。実装タイプ = スルーホール実装。LED数 = 1

実装タイプ = スルーホール実装。出力デバイス = フォトトライアック。最大順方向電圧 = 1.5V。ピン数 = 6。パッケージタイプ = DIP。シリーズ = IL4118

実装タイプ = スルーホール実装。出力デバイス = フォトトランジスタ。最大順方向電圧 = 1.6V。ピン数 = 4。パッケージタイプ = DIP。シリーズ = TCET

LED色 = 赤。パッケージタイプ = 5 mm。実装タイプ = スルーホール実装。LED数 = 1

出力デバイス = フォトトランジスタ。チャンネル数 = 1。標準上昇時間 = 10μs。標準降下時間 = 8μs。実装タイプ = スルーホール実装。パッケージタイプ = リード線付き。ピン数 = 4。寸法 = 24.5 x 6.3 x 10.8mm。高さ = 10.8mm。長さ = 24.5mm。動作温度 Max = +85℃。動作温度 Min = -55℃。幅 = 6.3mm。動作温度レンジ = -55 → +85℃。ミニチュアスロット型光学スイッチ、Vishay. TCST2103 、 TCST2202 、 TCST2300 は、赤外線エミッタとフォトトランジスタを備えた透過型センサで、可視光を遮断するリード付きパッケージに光軸の上に対面して配置されています。これらの部品番号には、開口幅のオプションが含まれています。. 特長:. パッケージタイプ：リード付き 検出器タイプ：フォトトランジスタ 寸法( L ；font face="symbol">´ ；/font> W ；font face="symbol">´ ；/font> H ；font face="symbol">´ ；/font> mm )： 24.5 ；font face="symbol">´ ；/font> 6.3 ；font face="symbol">´ ；/font> 10.8 ギャップ( mm 単位)： 3.1 テスト時の標準出力電流： IC = 4 mA ( TCST2103 ) テスト時の標準出力電流： IC = 2 mA (TCST2202) テスト時の標準出力電流： IC = 0.5 mA (TCST2300) 昼光遮断フィルタ エミッタ波長： 950 nm 鉛( Pb )フリーはんだ付け対応. 用途:. 光スイッチ フォトインタラプタ カウンター エンコーダ

実装タイプ = スルーホール実装。出力デバイス = フォトトランジスタ。最大順方向電圧 = 1.5V。ピン数 = 6。パッケージタイプ = DIP。シリーズ = IL250

実装タイプ = スルーホール実装。出力デバイス = フォトトランジスタ。最大順方向電圧 = 1.6V。ピン数 = 6。パッケージタイプ = DIP。シリーズ = TCDT

実装タイプ = スルーホール実装。出力デバイス = フォトトライアック。最大順方向電圧 = 1.5V。ピン数 = 6。パッケージタイプ = DIP。シリーズ = IL4218

検出スペクトル = 可視光。ピーク感度波長 = 565nm。パッケージタイプ = TO-5。実装タイプ = スルーホール実装。ピン数 = 2。ダイオード材質 = Si。最小検出波長 = 420nm。最大検出波長 = 675nm。長さ = 9.1mm。幅 = 9.1mm。高さ = 3.1mm。極性 = 順方向。BPW20 / BPW21シリーズフォトダイオード. Vishay Semiconductor製BPW20 / BPW21シリーズのシリコンフォトダイオードは、標準のTO-5パッケージに収納されています。ハーメチックシール構造のパッケージのBPW20 / BPW21は高精度のリニア用途に最適です。BPW20 / BPW21フォトダイオードに適した用途には、カメラ、光度計、カラーアナライザ、露出計の光測定用センサ、その他の一般的な医療 / 産業向けの測定 / 制御などがあります。. BPW20 / BPW21フォトダイオードの特長: フラットガラスレンズの付いたTO-5パッケージ 直径: 8.13 mm 放射検出面積: 7.5 mm2 高感光性 半輝度角度: 50 ° 低暗電流 高直線性

実装タイプ = スルーホール実装。出力デバイス = フォトトランジスタ。最大順方向電圧 = 1.6V。ピン数 = 4。パッケージタイプ = DIP。シリーズ = TCET