「表面実装 抵抗」の検索結果

IHLP6767GZ-11シリーズ磁気シールド付き巻線型チョーク。Vishay IHLP-6767GZ-11シリーズ高電流低プロファイルシールドインダクタ。 IHLP-6767GZ-11シリーズは、飽和なしで高いトランジェント電流スパイクを処理しており、コンポジット構造により極めて低い電磁騒音を実現します。周波数範囲: 750 kHzまで 最低のDC抵抗 / μH(このパッケージサイズにて)

IHLP5050FD-01シリーズ磁気シールド付き巻線型チョーク。Vishay IHLP-5050FD-01シリーズ高電流低プロファイルシールドインダクタ。 IHLP-5050FD-01シリーズは、飽和なしで高いトランジェント電流スパイクを処理しており、コンポジット構造により極めて低い電磁騒音を実現します。周波数範囲は5.0 MHzまで 最低のDC抵抗 / μH(このパッケージサイズにて)

最大抵抗 = 200kΩ。実装タイプ = 表面実装。回転数 = 1。方位 = 上面調整。定格電力 = 0.2W。シリーズ = TS53。終端スタイル = ガルウィング。許容差 = ±20%。温度係数 = ±100ppm/℃。軸径 = 2.5 mmmm。動作温度 Min = -55℃。動作温度 Max = +125℃。250 mW 5 mm密閉型TS53YLシリーズ . TS53トリミングポテンショメータは、表面実装用途向けに設計された製品です。体積効率(5 mm x 5 mm x 2.7 mm)に優れ、高い性能と安定性を発揮します。 TS53は、手動操作と自動操作のどちらにも適した設計になっています。また、ウェーブ / リフローはんだ付け技術への耐性を備えています。. 小型省スペース設計 低い温度係数及び少ない接触抵抗変動 手動 / 自動操作 完全に防水

最大抵抗 = 2kΩ。実装タイプ = 表面実装。回転数 = 1。方位 = 上面調整。定格電力 = 0.25W。シリーズ = TS53。終端スタイル = J-フック。許容差 = ±20%。温度係数 = ±100ppm/℃。長さ = 5mm。動作温度 Min = -55℃。動作温度 Max = +125℃。250 mW 5 mm密閉型TS53YLシリーズ . TS53トリミングポテンショメータは、表面実装用途向けに設計された製品です。体積効率(5 mm x 5 mm x 2.7 mm)に優れ、高い性能と安定性を発揮します。 TS53は、手動操作と自動操作のどちらにも適した設計になっています。また、ウェーブ / リフローはんだ付け技術への耐性を備えています。. 小型省スペース設計 低い温度係数及び少ない接触抵抗変動 手動 / 自動操作 完全に防水

最大抵抗 = 5kΩ。実装タイプ = 表面実装。回転数 = 1。方位 = 上面調整。定格電力 = 0.25W。シリーズ = TS53。終端スタイル = J-フック。許容差 = ±20%。温度係数 = ±100ppm/℃。長さ = 5mm。動作温度 Min = -55℃。動作温度 Max = +125℃。250 mW 5 mm密閉型TS53YLシリーズ . TS53トリミングポテンショメータは、表面実装用途向けに設計された製品です。体積効率(5 mm x 5 mm x 2.7 mm)に優れ、高い性能と安定性を発揮します。 TS53は、手動操作と自動操作のどちらにも適した設計になっています。また、ウェーブ / リフローはんだ付け技術への耐性を備えています。. 小型省スペース設計 低い温度係数及び少ない接触抵抗変動 手動 / 自動操作 完全に防水

最大抵抗 = 2kΩ。実装タイプ = 表面実装。回転数 = 1。方位 = 上面調整。定格電力 = 0.25W。シリーズ = TS53。終端スタイル = J-フック。許容差 = ±20%。温度係数 = ±100ppm/℃。軸径 = 2.5 mmmm。動作温度 Min = -55℃。動作温度 Max = +125℃。250 mW 5 mm密閉型TS53YJシリーズ. TS53トリミングポテンショメータは、表面実装用途向けに設計された製品です。体積効率(5 mm x 5 mm x 2.7 mm)に優れ、高い性能と安定性を発揮します。 TS53は、手動操作と自動操作のどちらにも適した設計になっています。また、ウェーブ / リフローはんだ付け技術への耐性を備えています。. 最適なパッキング密度が得られるコンパクトなサイズ 低い温度係数及び少ない接触抵抗変動 手動 / 自動操作 完全密閉構造

最大抵抗 = 20kΩ。実装タイプ = 表面実装。回転数 = 1。方位 = 上面調整。定格電力 = 0.25W。シリーズ = TS53。終端スタイル = J-フック。許容差 = ±20%。温度係数 = ±100ppm/℃。長さ = 5mm。動作温度 Min = -55℃。動作温度 Max = +125℃。250 mW 5 mm密閉型TS53YJシリーズ. TS53トリミングポテンショメータは、表面実装用途向けに設計された製品です。体積効率(5 mm x 5 mm x 2.7 mm)に優れ、高い性能と安定性を発揮します。 TS53は、手動操作と自動操作のどちらにも適した設計になっています。また、ウェーブ / リフローはんだ付け技術への耐性を備えています。. 最適なパッキング密度が得られるコンパクトなサイズ 低い温度係数及び少ない接触抵抗変動 手動 / 自動操作 完全密閉構造

IHLP2525CZ-01シリーズ磁気シールド付き巻線型チョーク。Vishay IHLP-2525CZ-01シリーズ高電流低プロファイルシールドインダクタ。 IHLP-2525CZ-01シリーズは、飽和なしで高いトランジェント電流スパイクを処理しており、コンポジット構造により極めて低い電磁騒音を実現します。周波数範囲は5.0 MHzまで 最低のDC抵抗 / μH(このパッケージサイズにて)

IHLP2525CZ-01シリーズ磁気シールド付き巻線型チョーク。Vishay IHLP-2525CZ-01シリーズ高電流低プロファイルシールドインダクタ。 IHLP-2525CZ-01シリーズは、飽和なしで高いトランジェント電流スパイクを処理しており、コンポジット構造により極めて低い電磁騒音を実現します。周波数範囲は5.0 MHzまで 最低のDC抵抗 / μH(このパッケージサイズにて)

最大抵抗 = 5kΩ。実装タイプ = 表面実装。回転数 = 11。方位 = 上面調整。定格電力 = 0.25W。シリーズ = TSM4。終端スタイル = ガルウィング。許容差 = ±10%。温度係数 = ±100ppm/℃。長さ = 4.8mm。動作温度 Min = -55℃。動作温度 Max = +125℃。4mm 11 Turn Sealed 250mW TSM 4YL Series. 最適なパッキング密度が得られるコンパクトなサイズ 業務用グレード 低い接触抵抗の変動と優れた安定性 手動及び自動動作に最適 IP67準拠の完全密閉型 ベイパーフェーズ及びリフローによるはんだ付け フットプリントプロファイルで選択可能

最大抵抗 = 20kΩ。実装タイプ = 表面実装。回転数 = 1。方位 = 上面調整。定格電力 = 0.25W。シリーズ = TS53。終端スタイル = ガルウィング。許容差 = ±20%。温度係数 = ±100ppm/℃。軸径 = 2.5 mmmm。動作温度 Min = -55℃。動作温度 Max = +125℃。250 mW 5 mm密閉型TS53YLシリーズ . TS53トリミングポテンショメータは、表面実装用途向けに設計された製品です。体積効率(5 mm x 5 mm x 2.7 mm)に優れ、高い性能と安定性を発揮します。 TS53は、手動操作と自動操作のどちらにも適した設計になっています。また、ウェーブ / リフローはんだ付け技術への耐性を備えています。. 小型省スペース設計 低い温度係数及び少ない接触抵抗変動 手動 / 自動操作 完全に防水

最大抵抗 = 1kΩ。実装タイプ = 表面実装。回転数 = 1。方位 = 上面調整。定格電力 = 0.25W。シリーズ = TS53。終端スタイル = J-フック。許容差 = ±20%。温度係数 = ±100ppm/℃。軸径 = 2.5 mmmm。動作温度 Min = -55℃。動作温度 Max = +125℃。250 mW 5 mm密閉型TS53YJシリーズ. TS53トリミングポテンショメータは、表面実装用途向けに設計された製品です。体積効率(5 mm x 5 mm x 2.7 mm)に優れ、高い性能と安定性を発揮します。 TS53は、手動操作と自動操作のどちらにも適した設計になっています。また、ウェーブ / リフローはんだ付け技術への耐性を備えています。. 最適なパッキング密度が得られるコンパクトなサイズ 低い温度係数及び少ない接触抵抗変動 手動 / 自動操作 完全密閉構造

最大抵抗 = 100kΩ。実装タイプ = 表面実装。回転数 = 1。方位 = 上面調整。定格電力 = 0.25W。シリーズ = TS53。終端スタイル = J-フック。許容差 = ±20%。温度係数 = ±100ppm/℃。長さ = 5mm。動作温度 Min = -55℃。動作温度 Max = +125℃。250 mW 5 mm密閉型TS53YJシリーズ. TS53トリミングポテンショメータは、表面実装用途向けに設計された製品です。体積効率(5 mm x 5 mm x 2.7 mm)に優れ、高い性能と安定性を発揮します。 TS53は、手動操作と自動操作のどちらにも適した設計になっています。また、ウェーブ / リフローはんだ付け技術への耐性を備えています。. 最適なパッキング密度が得られるコンパクトなサイズ 低い温度係数及び少ない接触抵抗変動 手動 / 自動操作 完全密閉構造

最大抵抗 = 100kΩ。実装タイプ = 表面実装。回転数 = 11。方位 = 側面調整。定格電力 = 0.25W。シリーズ = TSM4。終端スタイル = J-フック。許容差 = ±10%。温度係数 = ±100ppm/℃。軸径 = 1.5 mmmm。動作温度 Min = -55℃。動作温度 Max = +125℃。4 mm 11巻きシールド250 mW TSM 4YJシリーズ. 最適なパッキング密度が得られるコンパクトなサイズ 業務用グレード 低い接触抵抗の変動と優れた安定性 マニュアル及びオートマチック作業に最適 IP67準拠の密閉構造 ベイパーフェーズ及びリフローによるはんだ付け フットプリントプロファイルで選択可能

IHLP5050FD-01シリーズ磁気シールド付き巻線型チョーク。Vishay IHLP-5050FD-01シリーズ高電流低プロファイルシールドインダクタ。 IHLP-5050FD-01シリーズは、飽和なしで高いトランジェント電流スパイクを処理しており、コンポジット構造により極めて低い電磁騒音を実現します。周波数範囲は5.0 MHzまで 最低のDC抵抗 / μH(このパッケージサイズにて)

静電容量 = 4F。電圧 = 2.8V dc。実装タイプ = 表面実装。動作温度 Min = -20℃。動作温度 Max = +70℃。直径 = 7.5mm。高さ = 2.5mm。寸法 = 7 x 14 x 2.5mm。漏れ電流 = 0.03 mA。等価直列抵抗 = 15 (dc) Ω， 5 (ac) Ω。寿命 = 1000h。シリーズ = 196 HVC。許容差 = -20 → +80%。コンデンサファミリ = 電気2層mm。196 HVCシリーズ. 低プロファイル: 2.5 mm 13 Ws/gの高電力密度 最高6つのセルを使用可能 90 Fまでの静電容量 スタック式スルーホール、フラット表面実装、及びレイフラット構成を備えたピン、タブ、コネクタを用意 幅広い電圧範囲: 1.4 → 8.4 V 有効寿命: 1000時間 @ +85 ℃. 組み込みコンピュータ、サーバー、データストレージシステム、業務用リモコン、リアルタイムクロック、緊急照明、ゲーム、自動販売機、ネットワーク機器における環境発電と電源ラインのバックアップ用途

チャンネルタイプ = P。最大連続ドレイン電流 = 3.8 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 V。パッケージタイプ = SOIC。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 8。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 150 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 1V。最大パワー消費 = 5 W。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。幅 = 4mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。PチャンネルMOSFET、30 → 80 V、Vishay Semiconductor

チャンネルタイプ N。最大連続ドレイン電流 2.7 A。最大ドレイン-ソース間電圧 150 V。パッケージタイプ SOIC。実装タイプ 表面実装。ピン数 8。最大ドレイン-ソース間抵抗 95 m。チャンネルモード エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 2V。最大パワー消費 3 W。トランジスタ構成 シングル。最大ゲート-ソース間電圧 ±20 V。幅 4mm。動作温度 Min -55 ℃mm。ハロゲンフリー TrenchFETRパワーMOSFET

チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 9.9 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 V。パッケージタイプ = SOIC。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 8。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 14 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 1.2V。最大パワー消費 = 2.5 W。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。長さ = 5mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。NチャンネルMOSFET、30 → 50 V、Vishay Semiconductor

チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 18 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 100 V。パッケージタイプ = SOIC。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 8。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 2.2 Ω。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 1.5V。最大パワー消費 = 6 W。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。幅 = 4mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。NチャンネルMOSFET、100 → 150 V、Vishay Semiconductor

IHLP2020BZ-11シリーズ磁気シールド付き巻線型チョーク。Vishay IHLP-2020BZ-11シリーズ高電流低プロファイルシールドインダクタ。 IHLP-2020BZ-11シリーズは、飽和なしで高いトランジェント電流スパイクを処理しており、コンポジット構造により極めて低い電磁騒音を実現します。周波数範囲は1.0 MHzまで 最低のDC抵抗 / μH(このパッケージサイズにて)

IHLP2020CZ-01シリーズ磁気シールド付き巻線型チョーク。Vishay IHLP-2020CZ-01シリーズ高電流低プロファイルシールドインダクタ。 IHLP-2020CZ-01シリーズは、飽和なしで高いトランジェント電流スパイクを処理しており、コンポジット構造により極めて低い電磁騒音を実現します。周波数範囲は5.0 MHzまで 最低のDC抵抗 / μH(このパッケージサイズにて)

IHLP2525EZ-01シリーズ磁気シールド付き巻線型チョーク。Vishay IHLP-2525EZ-01シリーズ高電流低プロファイルシールドインダクタ。 IHLP-2525EZ-01シリーズは、飽和なしで高いトランジェント電流スパイクを処理しており、コンポジット構造により極めて低い電磁騒音を実現します。周波数範囲は1.0 MHzまで 最低のDC抵抗 / μH(このパッケージサイズにて)

IHLP2020CZ-01シリーズ磁気シールド付き巻線型チョーク。VishayIHLP-2020CZ-01シリーズ高電流低プロファイルシールドインダクタ。IHLP-2020CZ-01シリーズは、飽和なしで高いトランジェント電流スパイクを処理しており、コンポジット構造により極めて低い電磁騒音を実現します。周波数範囲は5.0MHzまで最低のDC抵抗/μH(このパッケージサイズにて)。用途:PDA/ノートPC/デスクトップ/サーバデバイス、高電流POLコンバータ、低プロファイル、高電流電源、バッテリ駆動デバイス、分散したパワーシステムにおけるDC/DCコンバータ、フィールドプログラマブルゲートアレイ(FPGA)用のDC/DCコンバータなど

チャンネルタイプ = P。最大連続ドレイン電流 = 19.7 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 V。パッケージタイプ = SO-8。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 8。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 0.0165 O。チャンネルモード = エンハンスメント型。最大ゲートしきい値電圧 = 2.5V。1チップ当たりのエレメント数 = 1

チャンネルタイプ = P。最大連続ドレイン電流 = 6 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 12 V。パッケージタイプ = SOT-23。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 19 Ω。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 0.4V。最大パワー消費 = 1.7 W。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -8 V， +8 V。長さ = 3.04mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。PチャンネルMOSFET、8 → 20 V、Vishay Semiconductor

チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 1.3 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 20 V。パッケージタイプ = SOT-363。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 6。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 263 m Ω。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 0.4V。最大パワー消費 = 1.25 W。トランジスタ構成 = 絶縁型。最大ゲート-ソース間電圧 = -8 V， +8 V。幅 = 1.35mm。高さ = 1mm。デュアルNチャンネルMOSFET、Vishay Semiconductor

チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 5.6 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 40 V。パッケージタイプ = SOT-23。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 51 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 1.2V。最大パワー消費 = 2.1 W。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。幅 = 1.4mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。NチャンネルMOSFET、30 → 50 V、Vishay Semiconductor

チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 200 mA。最大ドレイン-ソース間電圧 = 20 V。パッケージタイプ = SC-75。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 9 Ω。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 0.4V。最大パワー消費 = 280 mW。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -6 V， +6 V。幅 = 0.86mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。NチャンネルMOSFET、8 → 25 V、Vishay Semiconductor

チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 1.5 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 100 V。パッケージタイプ = SOT-223。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 760 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 1V。最大パワー消費 = 3.1 W。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -10 V， +10 V。幅 = 3.7mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。NチャンネルMOSFET、100 → 150 V、Vishay Semiconductor

チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 1.5 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 100 V。パッケージタイプ = SOT-223。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 540 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 2V。最大パワー消費 = 3.1 W。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。長さ = 6.7mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。NチャンネルMOSFET、100 → 150 V、Vishay Semiconductor

実装タイプ = 表面実装。出力デバイス = フォトトライアック。最大順方向電圧 = 1.5V。チャンネル数 = 1。ピン数 = 4。パッケージタイプ = SOP。入力電流タイプ = DC。最大入力電流 = 60 mA。絶縁電圧 = 3750 Vrms。シリーズ = VOM。オプトカプラ、フォトトライアック出力、Vishay Semiconductor. フォトトライアック出力のVishayオプトカプラVOM160、VOM3052、VOM3053及びBRT21シリーズは120 V ac、240 V ac、及び380 V acラインから定電圧ロジックを遮断し、モータ、高電流サイリスタ又はトライアック、ソレノイド及びリレーなど、抵抗負荷、誘導負荷、又は容量性負荷を制御します。. VOM160、VOM3052及びVOM3053フォトトライアック出力オプトカプラは最大3750 Vrmsの電圧を絶縁します。 VOM160、VOM3052、VOM3053、及びK3010P - 非ゼロクロス オプトカプラVOM160、VOM3052、VOM3053、及びK3010Pの用途には、トライアックドライブ、産業用制御、ソリッドステートリレー、照明制御、家庭用電化製品、オフィス機器などがあります。. BRT11、BRT12及びBRT13 - 非ゼロクロス BRT21- ゼロクロス オプトカプラBRT11、BRT12、BRT13及びBRT21の用途には、産業用制御、家庭用電化製品やオフィス機器があります。

方向性タイプ = 双方向。最大クランピング電圧 = 38.9V。最小ブレークダウン電圧 = 26.7V。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = DO-214AA (SMB)。最大逆スタンドオフ電圧 = 24V。ピン数 = 2。ピークパルスパワー消費 = 600W。最大ピークパルス電流 = 15.4A。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Min = -55 ℃。動作温度 Max = +150 ℃mm。高さ = 2.24mm。TRANSZORBR過渡電圧サプレッサSMT双方向600 W、Vishay Semiconductor. 低プロファイルのDO-214AA (SMBJ)パッケージ 優れたクランプ機能 超高速応答時間 低インクリメンタルサージを備えた低抵抗

方向性タイプ = 双方向。最大クランピング電圧 = 53.5V。最小ブレークダウン電圧 = 33.3V。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = DO-214AA (SMB)。最大逆スタンドオフ電圧 = 30V。ピン数 = 2。ピークパルスパワー消費 = 600W。最大ピークパルス電流 = 11.2A。ESD保護 = あり。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Min = -55 ℃。動作温度 Max = +150 ℃mm。幅 = 3.94mm。TRANSZORBR過渡電圧サプレッサSMT双方向600 W、Vishay Semiconductor. 低プロファイルのDO-214AA (SMBJ)パッケージ 優れたクランプ機能 超高速応答時間 低インクリメンタルサージを備えた低抵抗

チャンネルタイプ = P。最大連続ドレイン電流 = 8 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 V。パッケージタイプ = SOIC。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 8。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 41 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 1V。最大パワー消費 = 5 W。トランジスタ構成 = 絶縁型。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。幅 = 4mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。デュアルPチャンネルMOSFET、Vishay Semiconductor

チャンネルタイプ = P。最大連続ドレイン電流 = 3.1 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 V。パッケージタイプ = SOIC。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 8。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 150 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 1V。最大パワー消費 = 2.4 W。トランジスタ構成 = 絶縁型。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。長さ = 5mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。デュアルPチャンネルMOSFET、Vishay Semiconductor

チャンネルタイプ = P。最大連続ドレイン電流 = 6.5 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 40 V。パッケージタイプ = SOIC。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 8。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 34 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 1.2V。最大パワー消費 = 3.2 W。トランジスタ構成 = 絶縁型。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。長さ = 5mm。高さ = 1.55mm。デュアルPチャンネルMOSFET、Vishay Semiconductor