「電子回路」の検索結果

静電容量 = 470pF。電圧 = 1kV dc。実装タイプ = スルーホール。シリーズ = F。許容差 = ±10%。温度特性 = Y5R。直径 = 7.5mm。長さ = 7.5mm。奥行き = 4.5mm。温度係数 = ±15%。抑制クラス = Class II。末端仕様 = ラジアル℃。電源回路のサプレッションには不適、X及びYサプレッションコンデンサのセクションを参照. クラス2 Y5Rコンデンサ. SMPS、高周波数バラスト、及びスナバー回路用のセラミッククラス2コンデンサY5R誘導体です。. 特長. 高い信頼性 低損失 小型で高容量 キンクリード. 用途. 低損失で体積あたりの静電容量が大きくなければならない、SMPS回路、HFバラスト回路、スナバー回路、高電圧回路などの電子回路で使用されるコンデンサです。

静電容量 = 4.7nF。電圧 = 1kV dc。実装タイプ = スルーホール。シリーズ = F。許容差 = ±10%。温度特性 = Y5R。直径 = 19mm。長さ = 19mm。奥行き = 4.5mm。温度係数 = ±15%。抑制クラス = Class II。末端仕様 = ラジアル℃。電源回路のサプレッションには不適、X及びYサプレッションコンデンサのセクションを参照. クラス2 Y5Rコンデンサ. SMPS、高周波数バラスト、及びスナバー回路用のセラミッククラス2コンデンサY5R誘導体です。. 特長. 高い信頼性 低損失 小型で高容量 キンクリード. 用途. 低損失で体積あたりの静電容量が大きくなければならない、SMPS回路、HFバラスト回路、スナバー回路、高電圧回路などの電子回路で使用されるコンデンサです。

静電容量 = 220pF。電圧 = 1kV dc。実装タイプ = スルーホール。シリーズ = F。許容差 = ±10%。温度特性 = Y5R。直径 = 6.5mm。長さ = 6.5mm。奥行き = 4.5mm。温度係数 = ±15%。抑制クラス = Class II。末端仕様 = ラジアル℃。電源回路のサプレッションには不適、X及びYサプレッションコンデンサのセクションを参照. クラス2 Y5Rコンデンサ. SMPS、高周波数バラスト、及びスナバー回路用のセラミッククラス2コンデンサY5R誘導体です。. 特長. 高い信頼性 低損失 小型で高容量 キンクリード. 用途. 低損失で体積あたりの静電容量が大きくなければならない、SMPS回路、HFバラスト回路、スナバー回路、高電圧回路などの電子回路で使用されるコンデンサです。

静電容量 = 470pF。電圧 = 2kV dc。実装タイプ = スルーホール。シリーズ = F。許容差 = ±10%。温度特性 = Y5R。直径 = 8.5mm。長さ = 8.5mm。奥行き = 5mm。温度係数 = ±15%。抑制クラス = Class II。コンデンサファミリ = 単層℃。電源回路のサプレッションには不適、X及びYサプレッションコンデンサのセクションを参照. クラス2 Y5Rコンデンサ. SMPS、高周波数バラスト、及びスナバー回路用のセラミッククラス2コンデンサY5R誘導体です。. 特長. 高い信頼性 低損失 小型で高容量 キンクリード. 用途. 低損失で体積あたりの静電容量が大きくなければならない、SMPS回路、HFバラスト回路、スナバー回路、高電圧回路などの電子回路で使用されるコンデンサです。

静電容量 = 330pF。電圧 = 1kV dc。実装タイプ = スルーホール。シリーズ = F。許容差 = ±10%。温度特性 = Y5R。直径 = 7.5mm。長さ = 7.5mm。奥行き = 4.5mm。温度係数 = ±15%。抑制クラス = Class II。末端仕様 = ラジアル℃。電源回路のサプレッションには不適、X及びYサプレッションコンデンサのセクションを参照. クラス2 Y5Rコンデンサ. SMPS、高周波数バラスト、及びスナバー回路用のセラミッククラス2コンデンサY5R誘導体です。. 特長. 高い信頼性 低損失 小型で高容量 キンクリード. 用途. 低損失で体積あたりの静電容量が大きくなければならない、SMPS回路、HFバラスト回路、スナバー回路、高電圧回路などの電子回路で使用されるコンデンサです。

静電容量 = 1nF。電圧 = 2kV dc。実装タイプ = スルーホール。シリーズ = F。許容差 = ±10%。温度特性 = Y5R。直径 = 11mm。長さ = 11mm。奥行き = 5mm。温度係数 = ±15%。抑制クラス = Class II。コンデンサファミリ = 単層℃。電源回路のサプレッションには不適、X及びYサプレッションコンデンサのセクションを参照. クラス2 Y5Rコンデンサ. SMPS、高周波数バラスト、及びスナバー回路用のセラミッククラス2コンデンサY5R誘導体です。. 特長. 高い信頼性 低損失 小型で高容量 キンクリード. 用途. 低損失で体積あたりの静電容量が大きくなければならない、SMPS回路、HFバラスト回路、スナバー回路、高電圧回路などの電子回路で使用されるコンデンサです。

静電容量 = 1nF。電圧 = 1kV dc。実装タイプ = スルーホール。シリーズ = F。許容差 = ±10%。温度特性 = Y5R。直径 = 10mm。長さ = 10mm。奥行き = 4.5mm。温度係数 = ±15%。抑制クラス = Class II。末端仕様 = ラジアル℃。電源回路のサプレッションには不適、X及びYサプレッションコンデンサのセクションを参照. クラス2 Y5Rコンデンサ. SMPS、高周波数バラスト、及びスナバー回路用のセラミッククラス2コンデンサY5R誘導体です。. 特長. 高い信頼性 低損失 小型で高容量 キンクリード. 用途. 低損失で体積あたりの静電容量が大きくなければならない、SMPS回路、HFバラスト回路、スナバー回路、高電圧回路などの電子回路で使用されるコンデンサです。

検出スペクトル = 赤外線。標準降下時間 = 5μs。標準上昇時間 = 6μs。チャンネル数 = 1。最大光電流 = 9000μA。最大暗電流 = 50nA。半値幅感度角度 = 30 °。極性 = NPN。ピン数 = 2。実装タイプ = スルーホール実装。パッケージタイプ = 5 mm (T-1 3/4)。寸法 = 5.75 x 5.75 x 8.6mm。コレクター電流 = 50mA。感度スペクトルレンジ = 900 → 980 nmnm。幅 = 5.75mm。BPV11シリーズフォトトランジスタ. Vishay Semiconductor BPV11シリーズのシリコンNPNフォトトランジスタファミリです。この製品は、透明又は黒色のプラスチック製5 mm (T-1 3/4)標準パッケージに収納されています。黒色パッケージには、周囲の可視光向けの昼光遮断フィルタが付いています。BPV11シリーズは、産業用の電子回路、測定、制御用の検出器として使用するのに適しています。. BPV11フォトトランジスタの特長: 5 mm (T-1 3/4)パッケージ スルーホール取り付け 3ピン 高い放射感度 高速な応答時間 半輝度角度: 30° 動作温度範囲: -40 → +100 ℃

検出スペクトル = 赤外線。標準降下時間 = 5μs。標準上昇時間 = 6μs。チャンネル数 = 1。最大光電流 = 4000μA。最大暗電流 = 100nA。半値幅感度角度 = 74 °。極性 = NPN。ピン数 = 2。実装タイプ = スルーホール実装。パッケージタイプ = 側方監視。寸法 = 5 x 2.65 x 5mm。コレクター電流 = 100mA。感度スペクトルレンジ = 850 → 980 nmnm。高さ = 5mm。TEKT5400シリーズPINフォトダイオード. Vishay Semiconductor製のTEKT5400シリーズは、シリコンNPNフォトトランジスタです。 これらの製品は側方監視のスルーホールパッケージに収納されています。 これらの製品は、昼光フィルタを備え、周囲の可視光を遮断する黒色のプラスチック製パッケージに収納されています。 TEKT5400フォトトランジスタは、電子制御や駆動回路における検出器としての使用に最適です。. 特長と利点:. パッケージタイプ：リード付き パッケージ形態：サイドビューレンズ 寸法( L ；font face="symbol">´ ；/font> W ；font face="symbol">´ ；/font> H ；font face="symbol">´ ；/font> mm )： 5 ；font face="symbol">´ ；/font> 2.65 ；font face="symbol">´ ；/font> 5 高い放射感度 940 nm に適合する昼光遮断フィルタ エミッタ 高速な応答時間 半感度の角度：冷間距離 = ± 37 ° 赤外線エミッタシリーズ TSKS5400S と組み合わせたパッケージ. 用途:. 電子制御および駆動回路の検出器

検出スペクトル = 赤外線， 可視光。標準降下時間 = 2.3μs。標準上昇時間 = 2μs。チャンネル数 = 1。最大暗電流 = 200nA。半値幅感度角度 = 50 °。極性 = NPN。ピン数 = 2。実装タイプ = スルーホール実装。パッケージタイプ = 3 mm (T-1)。寸法 = 3.4 x 3.4 x 4.5mm。コレクター電流 = 50mA。感度スペクトルレンジ = 450 → 1080 nmnm。幅 = 3.4mm。BPW85シリーズフォトトランジスタ. Vishay Semiconductor BPW85シリーズのシリコンNPNフォトトランジスタファミリです。 これらはクリアレンズ付きの標準3 mm (T-1)プラスチックパッケージで提供されます。 BPW85及びIR フォトトランジスタは、可視光及び赤外線の放射を感知します。 BPW85シリーズには、BPW85、BPW85A、BPW85B、及びBPW85Cが含まれ、電子制御及び駆動回路用途の検出器に最適です。. BPW85フォトトランジスタの特長: 3 mm (T-1)パッケージ スルーホール取り付け 高感光性 高い放射感度 高速な応答時間 半輝度角度: 25 ° 動作温度範囲: -40 → +100 ℃

検出スペクトル = 赤外線， 可視光。標準降下時間 = 2.3μs。標準上昇時間 = 2μs。チャンネル数 = 1。最大光電流 = 8000μA。最大暗電流 = 200nA。半値幅感度角度 = ±25 °。極性 = NPN。ピン数 = 2。実装タイプ = スルーホール実装。パッケージタイプ = 3 mm (T-1)。寸法 = 3 x 4.5mm。コレクター電流 = 50mA。感度スペクトルレンジ = 450 → 1080 nmnm。高さ = 4.5mm。BPW85シリーズフォトトランジスタ. Vishay Semiconductor BPW85シリーズのシリコンNPNフォトトランジスタファミリです。 これらはクリアレンズ付きの標準3 mm (T-1)プラスチックパッケージで提供されます。 BPW85及びIR フォトトランジスタは、可視光及び赤外線の放射を感知します。 BPW85シリーズには、BPW85、BPW85A、BPW85B、及びBPW85Cが含まれ、電子制御及び駆動回路用途の検出器に最適です。. BPW85フォトトランジスタの特長: 3 mm (T-1)パッケージ スルーホール取り付け 高感光性 高い放射感度 高速な応答時間 半輝度角度: 25 ° 動作温度範囲: -40 → +100 ℃

検出スペクトル = 赤外線， 可視光。標準降下時間 = 5μs。標準上昇時間 = 6μs。チャンネル数 = 1。最大光電流 = 20000μA。最大暗電流 = 100nA。半値幅感度角度 = 20 °。極性 = NPN。ピン数 = 3。実装タイプ = スルーホール実装。パッケージタイプ = TO-18。寸法 = 5.5 x 5.5 x 6.15mm。コレクター電流 = 50mA。感度スペクトルレンジ = 450 → 1080 nmnm。幅 = 5.5mm。BPW77NA及びBPW77NBシリーズフォトトランジスタ. Vishay SemiconductorのBPW77NA及びBPW77NBシリーズは、シリコンNPNフォトトランジスタのファミリです。 これらの製品は、ガラスレンズ付きのハーメチックシールドTO-18パッケージです。 BPW77NA及びBPW77NB フォトトランジスタは、可視光及び赤外線両方の放射を感知します。 これらの製品は、電子機器の制御及び駆動回路の検出器として理想的な製品です。. BPW77NA / BPW77NBフォトトランジスタの特長: TO-18パッケージ 4.7 mm径 スルーホール取り付け 高感光性 高い放射感度 高速な応答時間 動作温度範囲: -40 → +125 ℃

検出スペクトル = 赤外線， 可視光。標準降下時間 = 5μs。標準上昇時間 = 6μs。チャンネル数 = 1。最大光電流 = 800μA。最大暗電流 = 100nA。半値幅感度角度 = ±40 °。極性 = NPN。ピン数 = 3。実装タイプ = スルーホール実装。パッケージタイプ = TO-18。寸法 = 4.7 x 5.2mm。コレクター電流 = 50mA。直径 = 4.7mm。高さ = 5.2mm。BPW76A及びBPW76Bシリーズフォトトランジスタ. Vishay SemiconductorのBPW76A及びBPW76Bシリーズは、シリコンNPNフォトトランジスタのファミリです。 これらの製品は、ガラスウィンドウ付きのハーメチックシールドTO-18パッケージです。 可視光線及び赤外線両方の放射を感知します。 BPW76A及びBPW76Bフォトトランジスタは、電子機器の制御及び駆動回路の検出器として理想的な製品です。. BPW76A / BPW76Bフォトトランジスタの特長: TO-18パッケージ スルーホール取り付け 4.7 mm径 高感光性 高い放射感度 半輝度角度: 40 ° 動作温度範囲: -40 → +125 ℃

検出スペクトル = 赤外線。標準降下時間 = 2.3μs。標準上昇時間 = 2μs。最大光電流 = 7500μA。最大暗電流 = 200nA。半値幅感度角度 = ±20 °。極性 = NPN。ピン数 = 2。実装タイプ = スルーホール実装。パッケージタイプ = 5 mm (T-1 3/4)。寸法 = 5 (Dia.) x 8.6mm。コレクター電流 = 50mA。感度スペクトルレンジ = 450 → 1080 nmmm。コレクタエミッタ電圧 = 70 (Min) VV。BPW96B / BPW96Cシリーズフォトトランジスタ. Vishay SemiconductorsのBPW96B / BPW96Cシリーズは、シリコンNPNフォトトランジスタファミリです。 このファミリは、透明プラスチックレンズ付きの5 mm (T-1 3/4)スルーホールパッケージに収容されています。 これにより、BPW96B / BPW96Cフォトトランジスタで可視光線と近赤外線の放射を感知することができます。 これらのトランジスタに適した用途には、電子制御の検出器、駆動回路などがあります。. BPW96B / BPW96Cフォトトランジスタの特長: 5 mm (T-1 3/4)パッケージ スルーホール取り付け 透明のプラスチックパッケージ 高感光性 高い放射感度 高速な応答時間

VishayIHLE5050シリーズ高電流インダクタにはEフィールドシールドが付いています。インダクタンスは0.68uHで、パッケージタイプは2525です。Eフィールドシールド付き高電流インダクタは受動回路部品なので、外部電源が必要です。高温：最大155℃電子シールドを内蔵してEMIを最大化(1)SRFを対象とした、最大1MHz～2MHzのフィルタインダクタアプリケーションに対応する優れたDC/DCエネルギーストレージ

VishayIHLE5050シリーズ高電流インダクタにはEフィールドシールドが付いています。インダクタンスは5.6uHで、パッケージタイプは2525です。Eフィールドシールド付き高電流インダクタは受動回路部品なので、外部電源が必要です。高温：最大155℃電子シールドを内蔵してEMIを最大化(1)SRFを対象とした、最大1MHz～2MHzのフィルタインダクタアプリケーションに対応する優れたDC/DCエネルギーストレージ

VishayIHLE5050シリーズ高電流インダクタにはEフィールドシールドが付いています。インダクタンスが1.0uHで、パッケージタイプが2525です。Eフィールドシールド付き高電流インダクタは受動回路部品なので、外部電源が必要です。高温：最大155℃電子シールドを内蔵してEMIを最大化(1)SRFを対象とした、最大1MHz～2MHzのフィルタインダクタアプリケーションに対応する優れたDC/DCエネルギーストレージ

検出スペクトル = 赤外線， 可視光。標準降下時間 = 2.3μs。標準上昇時間 = 2μs。チャンネル数 = 1。最大光電流 = 15000μA。最大暗電流 = 200nA。半値幅感度角度 = 40 °。極性 = NPN。ピン数 = 2。実装タイプ = スルーホール実装。パッケージタイプ = 5 mm (T-1 3/4)。寸法 = 5.75 x 5.75 x 8.6mm。コレクター電流 = 50mA。感度スペクトルレンジ = 450 → 1080 nmnm。高さ = 8.6mm。BPW96B / BPW96Cシリーズフォトトランジスタ. Vishay SemiconductorsのBPW96B / BPW96Cシリーズは、シリコンNPNフォトトランジスタファミリです。 このファミリは、透明プラスチックレンズ付きの5 mm (T-1 3/4)スルーホールパッケージに収容されています。 これにより、BPW96B / BPW96Cフォトトランジスタで可視光線と近赤外線の放射を感知することができます。 これらのトランジスタに適した用途には、電子制御の検出器、駆動回路などがあります。. BPW96B / BPW96Cフォトトランジスタの特長: 5 mm (T-1 3/4)パッケージ スルーホール取り付け 透明のプラスチックパッケージ 高感光性 高い放射感度 高速な応答時間

VishayIHLE5050シリーズ高電流インダクタにはEフィールドシールドが付いています。インダクタンスは0.82uHで、パッケージタイプは2525です。E-fieldシールド付き高電流インダクタは受動回路部品なので、外部電源が必要です。高温：最大155℃電子シールドを内蔵してEMIを最大化(1)SRFを対象とした、最大1MHz～2MHzのフィルタインダクタアプリケーションに対応する優れたDC/DCエネルギーストレージ

VishayIHLE5050シリーズ高電流インダクタにはEフィールドシールドが付いています。インダクタンスは15μH、パッケージタイプは2525です。Eフィールドシールド付き高電流インダクタは受動回路部品なので、外部電源が必要です。高温：最大155℃電子シールドを内蔵してEMIを最大化(1)SRFを対象とした、最大1MHz～2MHzのフィルタインダクタアプリケーションに対応する優れたDC/DCエネルギーストレージ

Vishay IHLE5050 シリーズ高電流インダクタには E フィールドシールドが付いています。インダクタンスは 0.47 uH で、パッケージタイプは 3232 です。 E フィールドシールド付き高電流インダクタは受動回路コンポーネントであるため、外部電源が必要です。高温：最大 155 ℃ 電子シールドを内蔵して EMI を最大化( 1 ) SRF を対象とした、最大 1 MHz ～

VishayIHLE5050シリーズ高電流インダクタにはEフィールドシールドが付いています。インダクタンスは22uH、パッケージタイプは2525です。Eフィールドシールド付き高電流インダクタは受動回路部品なので、外部電源が必要です。高温：最大155℃電子シールドを内蔵してEMIを最大化(1)SRFを対象とした、最大1MHz～2MHzのフィルタインダクタアプリケーションに対応する優れたDC/DCエネルギーストレージ

VishayIHLE5050シリーズ高電流インダクタにはEフィールドシールドが付いています。インダクタンスは1.5uH、パッケージタイプは2525です。Eフィールドシールド付き高電流インダクタは受動回路部品なので、外部電源が必要です。高温：最大155℃電子シールドを内蔵してEMIを最大化(1)SRFを対象とした、最大1MHz～2MHzのフィルタインダクタアプリケーションに対応する優れたDC/DCエネルギーストレージ

VishayIHLE5050シリーズ高電流インダクタにはEフィールドシールドが付いています。インダクタンスは5.6uHで、パッケージタイプは3232です。E-fieldシールド付き高電流インダクタは受動回路コンポーネントです。つまり、外部電源が必要です。高温：最大155℃電子シールドを内蔵してEMIを最大化(1)SRFを対象とした、最大1MHz～2MHzのフィルタインダクタアプリケーションに対応する優れたDC/DCエネルギーストレージ

Vishay IHLE5050 シリーズ高電流インダクタには E フィールドシールドが付いています。インダクタンスは 4.7 uH で、パッケージタイプは 3232 です。 E フィールドシールド付き高電流インダクタは受動回路コンポーネントです。つまり、外部電源が必要です。高温：最大 155 ℃ 電子シールドを内蔵して EMI を最大化( 1 ) SRF を対象とした、最大 1 MHz ～

Vishay IHLE5050 シリーズ高電流インダクタには E フィールドシールドが付いています。インダクタンスは 0.22 uH、パッケージタイプは 3232 です。 E フィールドシールド付き高電流インダクタは受動回路コンポーネントであるため、外部電源が必要です。高温：最大 155 ℃ 電子シールドを内蔵して EMI を最大化( 1 ) SRF を対象とした、最大 1 MHz ～ 2

Vishay IHLE5050 シリーズ高電流インダクタには E フィールドシールドが付いています。インダクタンスは 10 uH、パッケージタイプは 3232 です。 E-field シールド付き高電流インダクタは受動回路コンポーネントです。つまり、外部電源が必要です。高温：最大 155 ℃ 電子シールドを内蔵して EMI を最大化( 1 ) SRF を対象とした、最大 1 MHz ～ 2 MHz

Vishay IHLE5050 シリーズ高電流インダクタには E フィールドシールドが付いています。インダクタンスは 10 uH、パッケージタイプは 2525 です。 E フィールドシールド付き高電流インダクタは受動回路部品なので、外部電源が必要です。高温：最大 155 ℃ 電子シールドを内蔵して EMI を最大化( 1 ) SRF を対象とした、最大 1 MHz ～ 2 MHz のフィルタイ

Vishay IHLE5050 シリーズ高電流インダクタには E フィールドシールドが付いています。インダクタンスは 4.7 uH で、パッケージタイプは 2525 です。 E フィールドシールド付き高電流インダクタは受動回路コンポーネントです。つまり、外部電源が必要です。高温：最大 155 ℃ 電子シールドを内蔵して EMI を最大化( 1 ) SRF を対象とした、最大 1 MHz ～

Vishay IHLE5050 シリーズ高電流インダクタには E フィールドシールドが付いています。インダクタンスは 0.68 uH で、パッケージタイプは 3232 です。 E-field シールド付き高電流インダクタは受動回路部品なので、外部電源が必要です。高温：最大 155 ℃ 電子シールドを内蔵して EMI を最大化( 1 ) SRF を対象とした、最大 1 MHz ～ 2 MHz のフィルタイ

Vishay IHLE5050 シリーズ高電流インダクタには E フィールドシールドが付いています。インダクタンスは 0.47 uH で、パッケージタイプは 2525 です。 E フィールドシールド付き高電流インダクタは受動回路部品であるため、外部電源が必要です。高温：最大 155 ℃ 電子シールドを内蔵して EMI を最大化( 1 ) SRF を対象とした、最大 1 MHz ～ 2 MHz のフ

Vishay IHLE5050 シリーズ高電流インダクタには E フィールドシールドが付いています。この製品は 68 uH インダクタンスで、パッケージタイプは 4040 です。 E フィールドシールド付き高電流インダクタは、受動回路部品であるため、外部電源が必要になります。高温：最大 155 ℃ 電子シールドを内蔵して EMI を最大化( 1 ) SRF を対象とした、最大 1 MH

VishayIHLE5050シリーズ高電流インダクタにはEフィールドシールドが付いています。2.2uHのインダクタンスとパッケージタイプが4040です。Eフィールドシールド付き高電流インダクタは、受動回路部品であるため、外部電源が必要になります。高温：最大155℃電子シールドを内蔵してEMIを最大化(1)SRFを対象とした、最大1MHz～2MHzのフィルタインダクタアプリケーションに対応する優れたDC/DCエネルギーストレージ

VishayIHLE5050シリーズ高電流インダクタにはEフィールドシールドが付いています。この製品は、15uHインダクタンスとパッケージタイプが4040です。Eフィールドシールド付き高電流インダクタは、受動回路部品であるため、外部電源が必要になります。高温：最大155℃電子シールドを内蔵してEMIを最大化(1)SRFを対象とした、最大1MHz～2MHzのフィルタインダクタアプリケーションに対応する優れたDC/DCエネルギーストレージ

Vishay IHLE5050 シリーズ高電流インダクタには E フィールドシールドが付いています。この製品は、47 uH のインダクタンスとパッケージタイプが 4040 です。 E フィールドシールド付き高電流インダクタは、受動回路部品であるため、外部電源が必要になります。高温：最大 155 ℃ 電子シールドを内蔵して EMI を最大化( 1 ) SRF を対象とした、最大 1 M

Vishay IHLE5050 シリーズ高電流インダクタには E フィールドシールドが付いています。1.0 uH のインダクタンスとパッケージタイプは 4040 です。 E フィールドシールド付き高電流インダクタは、受動回路部品であるため、外部電源が必要になります。高温：最大 155 ℃ 電子シールドを内蔵して EMI を最大化( 1 ) SRF を対象とした、最大 1 MHz ～ 2 MHz

VishayIHLE5050シリーズ高電流インダクタにはEフィールドシールドが付いています。この製品は3.3uHインダクタンスとパッケージタイプが4040です。Eフィールドシールド付き高電流インダクタは、受動回路部品であるため、外部電源が必要になります。高温：最大155℃電子シールドを内蔵してEMIを最大化(1)SRFを対象とした、最大1MHz～2MHzのフィルタインダクタアプリケーションに対応する優れたDC/DCエネルギーストレージ

VishayIHLE5050シリーズ高電流インダクタにはEフィールドシールドが付いています。22uHのインダクタンスとパッケージタイプが4040です。Eフィールドシールド付き高電流インダクタは、受動回路部品であるため、外部電源が必要になります。高温：最大155℃電子シールドを内蔵してEMIを最大化(1)SRFを対象とした、最大1MHz～2MHzのフィルタインダクタアプリケーションに対応する優れたDC/DCエネルギーストレージ