「SMP」の検索結果

実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = SMP。最大連続 順方向電流 = 3A。ピーク逆繰返し電圧 = 40V。ダイオード構成 = シングル。整流タイプ = ショットキー整流器。ダイオードタイプ = ショットキー。ピン数 = 2。1チップ当たりのエレメント数 = 1。ダイオードテクノロジー = ショットキー。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 50A。高性能ショットキー整流器、2 → 3 A、Vishay Semiconductor. Vishay Semiconductoのショットキー整流器製品です。 これらのダイオードは、順方向の電圧降下が非常に低く、スイッチング動作が非常に高速です。 ショットキーダイオードの逆回復時間は非常に短く、高速スイッチングと低電力損失を必要とする用途に適しています。

実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = SMP。最大連続 順方向電流 = 3A。ピーク逆繰返し電圧 = 50V。ダイオード構成 = シングル。整流タイプ = ショットキー整流器。ダイオードタイプ = ショットキー。ピン数 = 2。1チップ当たりのエレメント数 = 1。ダイオードテクノロジー = ショットキー。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 45A。高性能ショットキー整流器、2 → 3 A、Vishay Semiconductor. Vishay Semiconductoのショットキー整流器製品です。 これらのダイオードは、順方向の電圧降下が非常に低く、スイッチング動作が非常に高速です。 ショットキーダイオードの逆回復時間は非常に短く、高速スイッチングと低電力損失を必要とする用途に適しています。

ダイオード構成 = シングル。1チップ当たりのエレメント数 = 1。パッケージタイプ = μSMP。ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション。ピン数 = 2V。動作温度 Min = -55 ℃。動作温度 Max = +175 ℃。長さ = 2.3mm。幅 = 1.4mm。高さ = 0.73mm。寸法 = 2.3 x 1.4 x 0.73mm。標準回復整流器、1 A、450 V超. 業界標準スタイルのパッケージに収納された、汎用で高効率の標準回復ダイオードです。

実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = μSMP。最大連続 順方向電流 = 1A。ピーク逆繰返し電圧 = 50V。ダイオード構成 = シングル。整流タイプ = ショットキー整流器。ダイオードタイプ = ショットキー。ピン数 = 2。1チップ当たりのエレメント数 = 1。ダイオードテクノロジー = ショットキーバリア。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 25A。高性能ショットキー整流器、1 → 1.5 A、Vishay Semiconductor. Vishay Semiconductorのショットキー整流器製品です。 これらのダイオードは、順方向の電圧降下が非常に低く、スイッチング動作が非常に高速です。 ショットキーダイオードの逆回復時間は非常に短く、高速スイッチングと低電力損失を必要とする用途に適しています。

実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = μSMP。最大連続 順方向電流 = 2A。ピーク逆繰返し電圧 = 30V。ダイオード構成 = シングル。整流タイプ = ショットキー整流器。ダイオードタイプ = ショットキー。ピン数 = 2。1チップ当たりのエレメント数 = 1。ダイオードテクノロジー = ショットキーバリア。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 30A。高性能ショットキー整流器、2 → 3 A、Vishay Semiconductor. Vishay Semiconductoのショットキー整流器製品です。 これらのダイオードは、順方向の電圧降下が非常に低く、スイッチング動作が非常に高速です。 ショットキーダイオードの逆回復時間は非常に短く、高速スイッチングと低電力損失を必要とする用途に適しています。

実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = μSMP。最大連続 順方向電流 = 1A。ピーク逆繰返し電圧 = 40V。ダイオード構成 = シングル。整流タイプ = ショットキー整流器。ダイオードタイプ = ショットキー。ピン数 = 2。1チップ当たりのエレメント数 = 1。ダイオードテクノロジー = ショットキーバリア。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 25A。高性能ショットキー整流器、1 → 1.5 A、Vishay Semiconductor. Vishay Semiconductorのショットキー整流器製品です。 これらのダイオードは、順方向の電圧降下が非常に低く、スイッチング動作が非常に高速です。 ショットキーダイオードの逆回復時間は非常に短く、高速スイッチングと低電力損失を必要とする用途に適しています。

実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = μSMP。最大連続 順方向電流 = 1A。ピーク逆繰返し電圧 = 30V。ダイオード構成 = シングル。整流タイプ = ショットキー整流器。ダイオードタイプ = ショットキー。ピン数 = 2。最大順方向降下電圧 = 500mV。1チップ当たりのエレメント数 = 1。ダイオードテクノロジー = ショットキーバリア。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 25A。高性能ショットキー整流器、1 → 1.5 A、Vishay Semiconductor. Vishay Semiconductorのショットキー整流器製品です。 これらのダイオードは、順方向の電圧降下が非常に低く、スイッチング動作が非常に高速です。 ショットキーダイオードの逆回復時間は非常に短く、高速スイッチングと低電力損失を必要とする用途に適しています。

実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = μSMP。最大連続 順方向電流 = 1A。ピーク逆繰返し電圧 = 100V。ダイオード構成 = シングル。整流タイプ = 汎用。ダイオードタイプ = 整流器。ピン数 = 2。最大順方向降下電圧 = 1.1V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション。ピーク逆回復時間 = 780ns。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 20A。標準回復整流器、1 A → 450 V. 業界標準スタイルのパッケージに収納された、汎用で高効率の標準回復ダイオードです。

実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = μSMP。最大連続 順方向電流 = 1A。ピーク逆繰返し電圧 = 60V。ダイオード構成 = シングル。整流タイプ = ショットキー整流器。ダイオードタイプ = ショットキー。ピン数 = 2。最大順方向降下電圧 = 680mV。1チップ当たりのエレメント数 = 1。ダイオードテクノロジー = ショットキーバリア。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 25A。高性能ショットキー整流器、1 → 1.5 A、Vishay Semiconductor. Vishay Semiconductorのショットキー整流器製品です。 これらのダイオードは、順方向の電圧降下が非常に低く、スイッチング動作が非常に高速です。 ショットキーダイオードの逆回復時間は非常に短く、高速スイッチングと低電力損失を必要とする用途に適しています。

キャリアー周波数 = 40kHz。最大伝送距離 = 30m。半値トランスミッション距離角度 = ±55 °。昼光フィルタータイプ = エポキシパッケージ。出力電流 = 5mA。コンポーネント = フォトディテクター，プリアンプ。ピン数 = 3。実装タイプ = スルーホール実装。寸法 = 10 x 4 x 12.5mm。高さ = 12.5mm。長さ = 10mm。最大供給電圧 = 5.5V。最小供給電圧 = 2.5V。幅 = 4mm。IRリモコンレシーバ、スルーホールパッケージ、Vishay Semiconductor. Vishay製のIRレシーバは、リモコン及び赤外線通信用途、赤外線コード学習機能 / リピータ、赤外線ライトバリア、赤外線近接センサに使用されます。 赤外線レシーバは、840 → 960 nmの波長範囲で動作します。. 高感度で長い伝送範囲 30 → 56 KHz(最大)キャリア周波数

キャリアー周波数 = 38kHz。最大伝送距離 = 20m。半値トランスミッション距離角度 = ±45

ダイオード構成 = シングル。最大クランピング電圧 = 11V。最小ブレークダウン電圧 = 4.1V。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = μSMP。最大逆スタンドオフ電圧 = 3.3V。ピン数 = 2。ピークパルスパワー消費 = 100W。最大ピークパルス電流 = 75A。ESD保護 = あり。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Min = -55 ℃。動作温度 Max = +150 ℃mm。幅 = 1.4mm。TRANSZORBR過渡電圧サプレッサ、SMT単方向100 W、MSPシリーズ、Vishay Semiconductor

静電容量 = 1nF。電圧 = 6kV dc。実装タイプ = スルーホール。シリーズ = 564R。許容差 = ±20%。温度特性 = Z5U。直径 = 10.2mm。奥行き = 6.9mm。寸法 = 10.2 (Dia.) x 42.2mm。末端仕様 = ラジアル℃。564Rシリーズセラミックコンデンサ. Vishay 564R シリーズの単層 DC セラミックディスクコンデンサは、高い安定性が求められる照明バラスト、SMPS、その他の DC 用途向けに設計されています。このコンデンサはセラミックディスクで構成されており、両側に銀めっきが施され、難燃性エポキシ樹脂でコーティングされています。. 小型で大きな静電容量 低損失 高信頼性 スズメッキされた銅製のラジアルリード

実装タイプ = スルーホール。パッケージタイプ = DO-204AL。最大連続 順方向電流 = 1A。ピーク逆繰返し電圧 = 400V。ダイオード構成 = シングル。整流タイプ = 汎用。ダイオードタイプ = 超高速整流器。ピン数 = 2。最大順方向降下電圧 = 1V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション。ピーク逆回復時間 = 50ns。直径 = 2.7mm。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 30A。超高速回復整流器、1 A、Vishay Semiconductor. Vishay社の超高速整流器では、逆回復時間が15 nsと非常に短く、電圧レベルも1500 Vになります。 主な用途: 低周波のスイッチモード電源(SMPS)、インバータ、還流ダイオードなどがあります。

静電容量 = 10pF。電圧 = 6kV dc。実装タイプ = スルーホール。シリーズ = 564R。許容差 = ±20%。温度特性 = C0G、NP0。直径 = 10.2mm。奥行き = 5.6mm。寸法 = 10.2 (Dia.) x 42.2mm。末端仕様 = ラジアル℃。564Rシリーズセラミックコンデンサ. Vishay 564R シリーズの単層 DC セラミックディスクコンデンサは、高い安定性が求められる照明バラスト、SMPS、その他の DC 用途向けに設計されています。このコンデンサはセラミックディスクで構成されており、両側に銀めっきが施され、難燃性エポキシ樹脂でコーティングされています。. 小型で大きな静電容量 低損失 高信頼性 スズメッキされた銅製のラジアルリード

実装タイプ = スルーホール。パッケージタイプ = DO-204AL。最大連続 順方向電流 = 1A。ピーク逆繰返し電圧 = 200V。ダイオード構成 = シングル。整流タイプ = 汎用。ダイオードタイプ = 超高速整流器。ピン数 = 2。最大順方向降下電圧 = 1V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション。ピーク逆回復時間 = 50ns。直径 = 2.7mm。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 30A。超高速回復整流器、1 A、Vishay Semiconductor. Vishay社の超高速整流器では、逆回復時間が15 nsと非常に短く、電圧レベルも1500 Vになります。 主な用途: 低周波のスイッチモード電源(SMPS)、インバータ、還流ダイオードなどがあります。

静電容量 = 1nF。電圧 = 1kV dc。実装タイプ = スルーホール。シリーズ = F。許容差 = ±10%。温度特性 = Y5R。直径 = 10mm。長さ = 10mm。奥行き = 4.5mm。温度係数 = ±15%。抑制クラス = Class II。末端仕様 = ラジアル℃。電源回路のサプレッションには不適、X及びYサプレッションコンデンサのセクションを参照. クラス2 Y5Rコンデンサ. SMPS、高周波数バラスト、及びスナバー回路用のセラミッククラス2コンデンサY5R誘導体です。. 特長. 高い信頼性 低損失 小型で高容量 キンクリード. 用途. 低損失で体積あたりの静電容量が大きくなければならない、SMPS回路、HFバラスト回路、スナバー回路、高電圧回路などの電子回路で使用されるコンデンサです。

静電容量 = 1nF。電圧 = 2kV dc。実装タイプ = スルーホール。シリーズ = F。許容差 = ±10%。温度特性 = Y5R。直径 = 11mm。長さ = 11mm。奥行き = 5mm。温度係数 = ±15%。抑制クラス = Class II。コンデンサファミリ = 単層℃。電源回路のサプレッションには不適、X及びYサプレッションコンデンサのセクションを参照. クラス2 Y5Rコンデンサ. SMPS、高周波数バラスト、及びスナバー回路用のセラミッククラス2コンデンサY5R誘導体です。. 特長. 高い信頼性 低損失 小型で高容量 キンクリード. 用途. 低損失で体積あたりの静電容量が大きくなければならない、SMPS回路、HFバラスト回路、スナバー回路、高電圧回路などの電子回路で使用されるコンデンサです。

静電容量 = 470pF。電圧 = 2kV dc。実装タイプ = スルーホール。シリーズ = F。許容差 = ±10%。温度特性 = Y5R。直径 = 8.5mm。長さ = 8.5mm。奥行き = 5mm。温度係数 = ±15%。抑制クラス = Class II。コンデンサファミリ = 単層℃。電源回路のサプレッションには不適、X及びYサプレッションコンデンサのセクションを参照. クラス2 Y5Rコンデンサ. SMPS、高周波数バラスト、及びスナバー回路用のセラミッククラス2コンデンサY5R誘導体です。. 特長. 高い信頼性 低損失 小型で高容量 キンクリード. 用途. 低損失で体積あたりの静電容量が大きくなければならない、SMPS回路、HFバラスト回路、スナバー回路、高電圧回路などの電子回路で使用されるコンデンサです。

静電容量 = 10nF。電圧 = 6kV dc。実装タイプ = スルーホール。シリーズ = 564R。許容差 = ±20%。温度特性 = Z5U。直径 = 24.1mm。奥行き = 6.4mm。寸法 = 24.1 (Dia.) x 56.1mm。コンデンサファミリ = 単層℃。564Rシリーズセラミックコンデンサ. Vishay 564R シリーズの単層 DC セラミックディスクコンデンサは、高い安定性が求められる照明バラスト、SMPS、その他の DC 用途向けに設計されています。このコンデンサはセラミックディスクで構成されており、両側に銀めっきが施され、難燃性エポキシ樹脂でコーティングされています。. 小型で大きな静電容量 低損失 高信頼性 スズメッキされた銅製のラジアルリード

静電容量 = 10nF。電圧 = 3kV dc。実装タイプ = スルーホール。シリーズ = 564R。許容差 = ±20%。温度特性 = Y5V。直径 = 18.3mm。奥行き = 4.7mm。寸法 = 18.3 (Dia.) x 50.3mm。コンデンサファミリ = 単層℃。564Rシリーズセラミックコンデンサ. Vishay 564R シリーズの単層 DC セラミックディスクコンデンサは、高い安定性が求められる照明バラスト、SMPS、その他の DC 用途向けに設計されています。このコンデンサはセラミックディスクで構成されており、両側に銀めっきが施され、難燃性エポキシ樹脂でコーティングされています。. 小型で大きな静電容量 低損失 高信頼性 スズメッキされた銅製のラジアルリード

静電容量 = 10nF。電圧 = 3kV dc。実装タイプ = スルーホール。シリーズ = 564R。許容差 = ±20%。温度特性 = Z5U。直径 = 18.3mm。奥行き = 4.7mm。寸法 = 18.3 (Dia.) x 50.3mm。末端仕様 = ラジアル℃。564Rシリーズセラミックコンデンサ. Vishay 564R シリーズの単層 DC セラミックディスクコンデンサは、高い安定性が求められる照明バラスト、SMPS、その他の DC 用途向けに設計されています。このコンデンサはセラミックディスクで構成されており、両側に銀めっきが施され、難燃性エポキシ樹脂でコーティングされています。. 小型で大きな静電容量 低損失 高信頼性 スズメッキされた銅製のラジアルリード

実装タイプ = スルーホール。パッケージタイプ = DO-204AL。最大連続 順方向電流 = 1A。ピーク逆繰返し電圧 = 100V。ダイオード構成 = シングル。整流タイプ = 汎用。ダイオードタイプ = 超高速整流器。ピン数 = 2。最大順方向降下電圧 = 1V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション。ピーク逆回復時間 = 50ns。直径 = 2.7mm。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 30A。超高速回復整流器、1 A、Vishay Semiconductor. Vishay社の超高速整流器では、逆回復時間が15 nsと非常に短く、電圧レベルも1500 Vになります。 主な用途: 低周波のスイッチモード電源(SMPS)、インバータ、還流ダイオードなどがあります。

静電容量 = 47μF。電圧 = 63V dc。実装タイプ = ラジアル、 スルーホール。テクノロジー = アルミ電解。寸法 = 10 (Dia.) x 12mm。高さ = 12mm。動作温度 Min = -55℃。直径 = 10mm。動作温度 Max = +105℃。リード間隔 = 5mm。許容差 = ±20%。CEI384-4 / CECC30300. 136シリーズ. 極性付きアルミ電解コンデンサ、非固体電解質. 非常に低いインピーダンスと低ESR 非常に長い有効寿命: 4000 → 10 000 時間 @ 105 ℃ 非常に高い信頼性 優れたリプル電流性能 ラジアルリード、円筒型アルミケース、圧力逃し弁付き、ブルースリーブで絶縁 充電及び放電防止 用途: 一般産業用の電源(SMPS、DC/DCコンバータ)、EDP、オーディオ / ビデオ、通信、平滑化、フィルタリング及びバッファリング

静電容量 = 4700μF。電圧 = 25V dc。実装タイプ = ラジアル、 スルーホール。テクノロジー = アルミ電解。寸法 = 16 (Dia.) x 35mm。高さ = 35mm。動作温度 Min = -55℃。直径 = 16mm。動作温度 Max = +125℃。リード間隔 = 7.5mm。許容差 = ±20%。146 RTIシリーズラジアル. ラジアルリード円筒型アルミケース、圧力リリーフとブルーPETスリーブによる絶縁 非常に低いESRと優れたリプル電流性能 産業、自動車、通信用の電源(SMPS、dc / dcコンバータ)に最適

静電容量 = 100μF。電圧 = 63V dc。実装タイプ = ラジアル、 スルーホール。テクノロジー = アルミ電解。寸法 = 10 (Dia.) x 16mm。高さ = 16mm。動作温度 Min = -55℃。直径 = 10mm。動作温度 Max = +125℃。リード間隔 = 5mm。許容差 = ±20%。146 RTIシリーズラジアル. ラジアルリード円筒型アルミケース、圧力リリーフとブルーPETスリーブによる絶縁 非常に低いESRと優れたリプル電流性能 産業、自動車、通信用の電源(SMPS、dc / dcコンバータ)に最適

静電容量 = 470μF。電圧 = 16V dc。実装タイプ = ラジアル、 スルーホール。テクノロジー = アルミ電解。寸法 = 10 (Dia.) x 12mm。高さ = 12mm。動作温度 Min = -55℃。直径 = 10mm。動作温度 Max = +125℃。リード間隔 = 5mm。許容差 = ±20%。146 RTIシリーズラジアル. ラジアルリード円筒型アルミケース、圧力リリーフとブルーPETスリーブによる絶縁 非常に低いESRと優れたリプル電流性能 産業、自動車、通信用の電源(SMPS、dc / dcコンバータ)に最適

静電容量 = 1500μF。電圧 = 16V dc。実装タイプ = ラジアル、 スルーホール。テクノロジー = アルミ電解。寸法 = 12.5 (Dia.) x 20mm。高さ = 20mm。動作温度 Min = -55℃。直径 = 12.5mm。動作温度 Max = +125℃。寿命 = 3000h。許容差 = ±20%。146 RTIシリーズラジアル. ラジアルリード円筒型アルミケース、圧力リリーフとブルーPETスリーブによる絶縁 非常に低いESRと優れたリプル電流性能 産業、自動車、通信用の電源(SMPS、dc / dcコンバータ)に最適

静電容量 = 1000μF。電圧 = 16V dc。実装タイプ = ラジアル、 スルーホール。テクノロジー = アルミ電解。寸法 = 10 (Dia.) x 20mm。高さ = 20mm。動作温度 Min = -55℃。直径 = 10mm。動作温度 Max = +125℃。リード間隔 = 5mm。自動車規格 = AEC-Q200A。146 RTIシリーズラジアル. ラジアルリード円筒型アルミケース、圧力リリーフとブルーPETスリーブによる絶縁 非常に低いESRと優れたリプル電流性能 産業、自動車、通信用の電源(SMPS、dc / dcコンバータ)に最適

静電容量 = 220μF。電圧 = 35V dc。実装タイプ = ラジアル、 スルーホール。テクノロジー = アルミ電解。寸法 = 10 (Dia.) x 12mm。高さ = 12mm。動作温度 Min = -55℃。直径 = 10mm。動作温度 Max = +125℃。リード間隔 = 5mm。許容差 = ±20%。146 RTIシリーズラジアル. ラジアルリード円筒型アルミケース、圧力リリーフとブルーPETスリーブによる絶縁 非常に低いESRと優れたリプル電流性能 産業、自動車、通信用の電源(SMPS、dc / dcコンバータ)に最適

静電容量 = 100μF。電圧 = 50V dc。実装タイプ = ラジアル、 スルーホール。テクノロジー = アルミ電解。寸法 = 10 (Dia.) x 12mm。高さ = 12mm。動作温度 Min = -55℃。直径 = 10mm。動作温度 Max = +125℃。リード間隔 = 5mm。自動車規格 = AEC-Q200mA。146 RTIシリーズラジアル. ラジアルリード円筒型アルミケース、圧力リリーフとブルーPETスリーブによる絶縁 非常に低いESRと優れたリプル電流性能 産業、自動車、通信用の電源(SMPS、dc / dcコンバータ)に最適

静電容量 = 6800μF。電圧 = 16V dc。実装タイプ = ラジアル、 スルーホール。テクノロジー = アルミ電解。寸法 = 18 (Dia.) x 31mm。高さ = 31mm。動作温度 Min = -55℃。直径 = 18mm。動作温度 Max = +125℃。リード間隔 = 7.5mm。許容差 = ±20%。146 RTIシリーズラジアル. ラジアルリード円筒型アルミケース、圧力リリーフとブルーPETスリーブによる絶縁 非常に低いESRと優れたリプル電流性能 産業、自動車、通信用の電源(SMPS、dc / dcコンバータ)に最適

静電容量 = 1000μF。電圧 = 63V dc。実装タイプ = ラジアル、 スルーホール。テクノロジー = アルミ電解。寸法 = 18 (Dia.) x 31mm。高さ = 31mm。動作温度 Min = -55℃。直径 = 18mm。動作温度 Max = +125℃。リード間隔 = 7.5mm。許容差 = ±20%。146 RTIシリーズラジアル. ラジアルリード円筒型アルミケース、圧力リリーフとブルーPETスリーブによる絶縁 非常に低いESRと優れたリプル電流性能 産業、自動車、通信用の電源(SMPS、dc / dcコンバータ)に最適

静電容量 = 100μF。電圧 = 100V dc。実装タイプ = ラジアル、 スルーホール。テクノロジー = アルミ電解。寸法 = 12.5 (Dia.) x 20mm。高さ = 20mm。動作温度 Min = -55℃。直径 = 12.5mm。動作温度 Max = +105℃。リード間隔 = 5mm。許容差 = ±20%。CEI384-4 / CECC30300. 136シリーズ. 極性付きアルミ電解コンデンサ、非固体電解質. 非常に低いインピーダンスと低ESR 非常に長い有効寿命: 4000 → 10 000 時間 @ 105 ℃ 非常に高い信頼性 優れたリプル電流性能 ラジアルリード、円筒型アルミケース、圧力逃し弁付き、ブルースリーブで絶縁 充電及び放電防止 用途: 一般産業用の電源(SMPS、DC/DCコンバータ)、EDP、オーディオ / ビデオ、通信、平滑化、フィルタリング及びバッファリング

実装タイプ = スルーホール。パッケージタイプ = DO-204AL。最大連続 順方向電流 = 1A。ピーク逆繰返し電圧 = 800V。ダイオード構成 = シングル。整流タイプ = 汎用。ダイオードタイプ = 超高速整流器。ピン数 = 2。最大順方向降下電圧 = 1.7V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション。ピーク逆回復時間 = 75ns。直径 = 2.7mm。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 30A。超高速回復整流器、1 A、Vishay Semiconductor. Vishay社の超高速整流器では、逆回復時間が15 nsと非常に短く、電圧レベルも1500 Vになります。 主な用途: 低周波のスイッチモード電源(SMPS)、インバータ、還流ダイオードなどがあります。

静電容量 = 470μF。電圧 = 100V dc。実装タイプ = ラジアル、 スルーホール。テクノロジー = アルミ電解。寸法 = 16 (Dia.) x 35mm。高さ = 35mm。動作温度 Min = -55℃。直径 = 16mm。動作温度 Max = +105℃。リード間隔 = 7.5mm。漏れ電流 = 470 μAA。CEI384-4 / CECC30300. 136シリーズ. 極性付きアルミ電解コンデンサ、非固体電解質. 非常に低いインピーダンスと低ESR 非常に長い有効寿命: 4000 → 10 000 時間 @ 105 ℃ 非常に高い信頼性 優れたリプル電流性能 ラジアルリード、円筒型アルミケース、圧力逃し弁付き、ブルースリーブで絶縁 充電及び放電防止 用途: 一般産業用の電源(SMPS、DC/DCコンバータ)、EDP、オーディオ / ビデオ、通信、平滑化、フィルタリング及びバッファリング

チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 47 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 600 V。シリーズ = E Series。実装タイプ = スルーホール。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 64 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 2V。最大パワー消費 = 357 W。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。幅 = 5.31mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。NチャンネルMOSFET、Eシリーズ、低性能指数、Vishay Semiconductor. VishayのEシリーズパワーMOSFETは、最大オン抵抗が極めて低く、低性能指数と高速スイッチングが特長の高電圧トランジスタです。 幅広い定格電流の製品が用意されています。 主な用途には、サーバー及び通信電源、LED照明、フライバックコンバータ、力率補正(PFC)、スイッチモード電源(SMPS)などがあります。. 特長. 低性能指数(FOM): RDS(on) x Qg 低入力静電容量(Ciss) 低オン抵抗(RDS(on)) 超低ゲート電荷(Qg) 高速スイッチング スイッチング損失及び導電損失を低減

564Rシリーズセラミックコンデンサ。Vishay 564R シリーズの単層 DC セラミックディスクコンデンサは、高い安定性が求められる照明バラスト、SMPS、その他の DC 用途向けに設計されています。このコンデンサはセラミックディスクで構成されており、両側に銀めっきが施され、難燃性エポキシ樹脂でコーティングされています。小型で大きな静電容量 低損失