「br100」の検索結果

静電容量 = 100μF。電圧 = 100V dc。テクノロジー = アルミ電解。寸法 = 12.5 x 30mm

抵抗 = 100mΩ。定格電力 = 100W。シリーズ = RPH100。パッケージ/ケース = 平面。許容差 = ±5%。テクノロジー = 厚膜。終端スタイル = ネジ。動作温度 Min = -55℃。動作温度 Max = +125℃。最小温度係数 = -300ppm/℃。最大温度係数 = +300ppm/℃。100 W厚膜型の電力抵抗器. Vishay Sfernice RPH100シリーズ100 W厚膜型の電力抵抗器 この新しいエンクロージャは、RCH製品の拡張版として開発されました。 無誘導性 過負荷及びエンクロージャからの低熱放射に対応

抵抗 = 100Ω。定格電力 = 100W。シリーズ = RTOP100V。パッケージ/ケース = 平面。許容差 = ±5%。テクノロジー = 厚膜。終端スタイル = ネジ。動作温度 Min = -55℃。動作温度 Max = +125℃。最小温度係数 = -150ppm/℃。最大温度係数 = +150ppm/℃。100 W / 200 W厚膜型の電力抵抗器 - RTOPシリーズ. Vishay Sfernice RTOPシリーズの厚膜型、無誘導抵抗器はSOT-227Bパッケージに収納 ヒートシンクに抵抗器を取り付けた場合、25 ℃で100 W (RTOP 100)又は200 W (RTOP 200)の放熱が可能

静電容量 = 100μF。電圧 = 100V dc。実装タイプ = スルーホール。テクノロジー = アルミ電解。寸法 = 12.5 x 30mm

静電容量 = 100nF。電圧 = 100V dc。パッケージ/ケース = 1206 (3216M)。実装タイプ = 表面実装。温度特性 = X7R。許容差 = ±10%

抵抗 = 10Ω。定格電力 = 100W。シリーズ = RTOP100V。パッケージ/ケース = 平面。許容差 = ±5%。テクノロジー = 厚膜。終端スタイル = ネジ。動作温度 Min = -55℃。動作温度 Max = +125℃。最小温度係数 = -150ppm/℃。最大温度係数 = +150ppm/℃。100 W / 200 W厚膜型の電力抵抗器 - RTOPシリーズ. Vishay Sfernice RTOPシリーズの厚膜型、無誘導抵抗器はSOT-227Bパッケージに収納 ヒートシンクに抵抗器を取り付けた場合、25 ℃で100 W (RTOP 100)又は200 W (RTOP 200)の放熱が可能

抵抗 = 1Ω。定格電力 = 100W。シリーズ = RTOP100V。パッケージ/ケース = 平面。許容差 = ±5%。テクノロジー = 厚膜。終端スタイル = ネジ。動作温度 Min = -55℃。動作温度 Max = +125℃。最小温度係数 = -150ppm/℃。最大温度係数 = +150ppm/℃。100 W / 200 W厚膜型の電力抵抗器 - RTOPシリーズ. Vishay Sfernice RTOPシリーズの厚膜型、無誘導抵抗器はSOT-227Bパッケージに収納 ヒートシンクに抵抗器を取り付けた場合、25 ℃で100 W (RTOP 100)又は200 W (RTOP 200)の放熱が可能

静電容量 = 330μF。電圧 = 100V dc。テクノロジー = アルミ電解。寸法 = 18 x 30mm

静電容量 = 47μF。電圧 = 100V dc。テクノロジー = アルミ電解。寸法 = 10 x 30mm

静電容量 = 47μF。電圧 = 100V dc。テクノロジー = アルミ電解。寸法 = 8 x 18mm

静電容量 = 220μF。電圧 = 100V dc。テクノロジー = アルミ電解。寸法 = 16 x 25mm

静電容量 = 47μF。電圧 = 100V dc。テクノロジー = アルミ電解。寸法 = 10 x 16mm

静電容量 = 22000μF。電圧 = 100V dc。テクノロジー = アルミ電解。寸法 = 76 x 105mm

静電容量 = 10μF。電圧 = 100V dc。テクノロジー = アルミ電解。寸法 = 6 x 10mm

静電容量 = 470μF。電圧 = 100V dc。テクノロジー = アルミ電解。寸法 = 18 x 38mm

静電容量 = 470μF。電圧 = 100V dc。テクノロジー = アルミ電解。寸法 = 18 x 30mm

静電容量 = 10μF。電圧 = 100V dc。テクノロジー = アルミ電解。寸法 = 6.5 x 18mm

静電容量 = 1000μF。電圧 = 100V dc。実装タイプ = スルーホール。テクノロジー = アルミ電解。寸法 = 21 x 38mm

静電容量 = 33μF。電圧 = 100V dc。テクノロジー = アルミ電解。寸法 = 10 x 10 x 14mm

テクノロジー = タンタル。静電容量 = 100μF。電圧 = 16V dc。実装タイプ = 表面実装。パッケージ/ケース = 2812

静電容量 = 470μF。電圧 = 100V dc。実装タイプ = スルーホール。テクノロジー = アルミ電解。寸法 = 12.5 x 30mm

静電容量 = 22000μF。電圧 = 100V dc。実装タイプ = スクリューターミナル。テクノロジー = アルミ電解。寸法 = 65 x 105mm

静電容量 = 6800μF。電圧 = 100V dc。実装タイプ = スクリューターミナル。テクノロジー = アルミ電解。寸法 = 35 x 105mm

静電容量 = 47μF。電圧 = 100V dc。実装タイプ = スルーホール。テクノロジー = アルミ電解。寸法 = 21 x 38mm

シリーズ = NTCLG100E2。温度係数のタイプ = NTC。熱係数 = -4.38%/K。熱時定数 = 6s。抵抗@ 25℃ = 100kΩ。許容差 = ±5%。最大定格電力 = 100mW。奥行き = 1.8mm。高さ = 3.75mm。寸法 = 1.8 x 3.75mm。NTCサーミスタ、ガラス封止高温センサ特長 小径: 最小1.8 mm 短い応答時間: 最短0.9秒 広い使用温度範囲: -40 → +200 ℃ 用途 家庭用機器 産業用プロセス制御 未定義

テクノロジー = タンタル。静電容量 = 100μF。電圧 = 20V dc。実装タイプ = 表面実装。パッケージ/ケース = 2824 (7260M)

静電容量 = 220μF。電圧 = 100V dc。実装タイプ = スルーホール。テクノロジー = アルミ電解。寸法 = 18 x 38mm

静電容量 = 220μF。電圧 = 100V dc。実装タイプ = スルーホール。テクノロジー = アルミ電解。寸法 = 18 x 30mm

最大抵抗 = 100kΩ。実装タイプ = スルーホール。回転数 = 1。方位 = 上面調整。定格電力 = 0.5W。シリーズ = 63P。終端スタイル = ピン。許容差 = ±10%。温度係数 = ±100ppm/℃。長さ = 9.52mm。動作温度 Min = -55℃。動作温度 Max = +125℃。63P上面調整

抵抗 = 15Ω。定格電力 = 100W。許容差 = ±5%。テクノロジー = 厚膜。シリーズ = LTO100。パッケージ/ケース = TO-247。動作温度 Max = +175℃。リード間隔 = 10.16mm。LTO100シリーズ100 W厚膜型の電力抵抗器. LTO100シリーズ1000 W厚膜型の電力抵抗器はコンパクトなTO-247パッケージを備え、ヒートシンクを装着したケースの温度は100 Wで25 ℃です。 これらのLTO100シリーズ100 W電力抵抗器は直接ヒートシンク上にセラミックを装着し、0.015 Ω～1 MΩの幅広い抵抗範囲を備え、誘導性がなく、AEC-Q200認定を受けています。. 厚膜セラミック抵抗器 装着されたヒートシンクのケース温度: 100 W @ 25 ℃ 直接ヒートシンク上にセラミックを装着 TO-247パッケージ 絶縁されたケース ホットスポットを低減するためにサンドトリミングで調整

抵抗 = 10Ω。定格電力 = 100W。許容差 = ±5%。テクノロジー = 厚膜。シリーズ = LTO100。パッケージ/ケース = TO-247。温度係数 = ±150ppm/℃。リード間隔 = 10.16mm。LTO100シリーズ100 W厚膜型の電力抵抗器. LTO100シリーズ1000 W厚膜型の電力抵抗器はコンパクトなTO-247パッケージを備え、ヒートシンクを装着したケースの温度は100 Wで25 ℃です。 これらのLTO100シリーズ100 W電力抵抗器は直接ヒートシンク上にセラミックを装着し、0.015 Ω～1 MΩの幅広い抵抗範囲を備え、誘導性がなく、AEC-Q200認定を受けています。. 厚膜セラミック抵抗器 装着されたヒートシンクのケース温度: 100 W @ 25 ℃ 直接ヒートシンク上にセラミックを装着 TO-247パッケージ 絶縁されたケース ホットスポットを低減するためにサンドトリミングで調整

抵抗 = 1Ω。定格電力 = 100W。許容差 = ±5%。テクノロジー = 厚膜。シリーズ = LTO100。パッケージ/ケース = TO-247。温度係数 = ±150ppm/℃。動作温度 Min = -55℃。LTO100シリーズ100 W厚膜型の電力抵抗器. LTO100シリーズ1000 W厚膜型の電力抵抗器はコンパクトなTO-247パッケージを備え、ヒートシンクを装着したケースの温度は100 Wで25 ℃です。 これらのLTO100シリーズ100 W電力抵抗器は直接ヒートシンク上にセラミックを装着し、0.015 Ω～1 MΩの幅広い抵抗範囲を備え、誘導性がなく、AEC-Q200認定を受けています。. 厚膜セラミック抵抗器 装着されたヒートシンクのケース温度: 100 W @ 25 ℃ 直接ヒートシンク上にセラミックを装着 TO-247パッケージ 絶縁されたケース ホットスポットを低減するためにサンドトリミングで調整

静電容量 = 1μF。電圧 = 63 V ac， 100 V dc。実装タイプ = スルーホール。許容差 = ±5%。シリーズ = MKT 1813。リード間隔 = 26.5mm。長さ = 19mm。寸法 = 8.5 (Dia.) x 19mm。温度特性 = メタライズドポリエステル。末端仕様 = スルーホール実装。動作温度 Max = +100℃。MKT 1813シリーズ. 用途は、低電圧回路におけるブロッキング、バイパス、フィルタリング、タイミング、カップリング/デカップリング、干渉抑制など

静電容量 = 1μF。電圧 = 100V dc。実装タイプ = スルーホール。許容差 = ±10%。シリーズ = MKT1820。温度特性 = メタライズドポリエステルフィルム

検出スペクトル = 赤外線。ピーク感度波長 = 940nm。パッケージタイプ = QFN。増幅機能 = なし。ピン数 = 4。ダイオード材質 = Si。最小検出波長 = 430nm。標準降下時間 = 100ns。長さ = 5mm。幅 = 4mm。高さ = 0.9mm。標準上昇時間 = 100ns

抵抗 = 4.7Ω。定格電力 = 100W。許容差 = ±5%。テクノロジー = 厚膜。シリーズ = LTO100。パッケージ/ケース = TO-247。温度係数 = ±150ppm/℃。動作温度 Min = -55℃。LTO100シリーズ100 W厚膜型の電力抵抗器. LTO100シリーズ1000 W厚膜型の電力抵抗器はコンパクトなTO-247パッケージを備え、ヒートシンクを装着したケースの温度は100 Wで25 ℃です。 これらのLTO100シリーズ100 W電力抵抗器は直接ヒートシンク上にセラミックを装着し、0.015 Ω～1 MΩの幅広い抵抗範囲を備え、誘導性がなく、AEC-Q200認定を受けています。. 厚膜セラミック抵抗器 装着されたヒートシンクのケース温度: 100 W @ 25 ℃ 直接ヒートシンク上にセラミックを装着 TO-247パッケージ 絶縁されたケース ホットスポットを低減するためにサンドトリミングで調整

静電容量 = 220nF。電圧 = 63 V ac， 100 V dc。実装タイプ = スルーホール。許容差 = ±10%。シリーズ = MKT 1813。リード間隔 = 26.5mm。長さ = 14mm。寸法 = 6 (Dia.) x 14mm。温度特性 = メタライズドポリエステル。末端仕様 = スルーホール実装。動作温度 Max = +100℃。MKT 1813シリーズ. 用途は、低電圧回路におけるブロッキング、バイパス、フィルタリング、タイミング、カップリング/デカップリング、干渉抑制など

抵抗 = 100Ω。定格電力 = 2W。許容差 = ±1%。テクノロジー = 金属皮膜。シリーズ = CPF。温度係数 = ±100ppm/℃。動作温度 Min = -65℃。CPFシリーズ(1 W → 3 W). 金属皮膜抵抗器、アキシャル、産業用電源、精密、耐炎性. 特長. - 高い定格電力、小型 -耐炎性、耐熱性シリコーンコーティング ・特殊な撮影・塗装工程 - 優れた高周波特性 - 低ノイズ - 低電圧係数

抵抗 = 100Ω。定格電力 = 3W。許容差 = ±1%。テクノロジー = 金属皮膜。シリーズ = CPF。温度係数 = ±100ppm/℃。動作温度 Min = -65℃。CPFシリーズ(1 W → 3 W). 金属皮膜抵抗器、アキシャル、産業用電源、精密、耐炎性. 特長. - 高い定格電力、小型 -耐炎性、耐熱性シリコーンコーティング ・特殊な撮影・塗装工程 - 優れた高周波特性 - 低ノイズ - 低電圧係数