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実装タイプ 表面実装パッケージタイプ DO-214AC (SMA)最大連続 順方向電流 1Aピーク逆繰返し電圧 60Vダイオード構成 シングル整流タイプ ショットキー整流器ダイオードタイプ ショットキーピン数 2最大順方向降下電圧 750mV1チップ当たりのエレメント数 1ダイオードテクノロジー ショットキーバリアピーク非繰返し順方向サージ電流 40AVishay SS12-SS16 SMDショットキーバリア整流器. Vishay SS12-SS16 シリーズのショットキーバリア整流器は、SMA (DO-214AC)パッケージの低プロファイルデバイスです。 特長: 過電圧保護ガードリング 低順方向電圧降下 電力損失が低い 高効率 何に使用しますか? SS12-SS16ショットキーバリア整流器は、低電圧、高周波インバータ、還流、DC DCコンバータ、極性保護用途で使用するように設計されています。 動作温度範囲 -65 +150 種類: SS12 20 SS13 30 SS14 40 SS15 50 SS16 60 V

実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = DO-214AC (SMA)最大連続 順方向電流 = 1Aピーク逆繰返し電圧 = 200Vダイオード構成 = シングル整流タイプ = 汎用ダイオードタイプ = 整流器ピン数 = 2最大順方向降下電圧 = 1.1V1チップ当たりのエレメント数 = 1ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクションピーク逆回復時間 = 1.8μsピーク非繰返し順方向サージ電流 = 40A標準回復整流器、1 A → 450 V. 業界標準スタイルのパッケージに収納された、汎用で高効率の標準回復ダイオードです。

実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = DO-214AC (SMA)最大連続 順方向電流 = 1Aピーク逆繰返し電圧 = 600Vダイオード構成 = シングル整流タイプ = 汎用ダイオードタイプ = 超高速整流器ピン数 = 2最大順方向降下電圧 = 1.7V1チップ当たりのエレメント数 = 1ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクションピーク逆回復時間 = 75nsピーク非繰返し順方向サージ電流 = 30AVishay US1A-US1M SMD超高速高効率整流器. VishayのUS1A及びUS1Mシリーズは、超高速表面実装整流ダイオードです。小型の低プロファイルパッケージを特長とするこれらの整流器は、自動ピックアンドプレース装置で使用できます。. 特長と利点. US1A及びUS1M整流器は、つや消しスズめっきリードが特長(モデルに応じてJ-STD-002及びJESD 22 B-102準拠のはんだ付けに対応) カラーバンドでカソード端を表示 これらの整流器は、逆耐圧を強化して漏電リスクを低減できるガラス不動態化パレットチップジャンクションで構成 これらの整流ダイオードは、超高速の逆回復時間と低スイッチング損失により高効率 US1A及びUS1M整流器はMSL1 (耐湿性レベル1)に適合し、パッケージは堅牢で、リフロー中に高い耐湿性を発揮 高順方向サージの管理が可能. 用途. これらの整流器は、還流及び高周波の用途に適しています。また、コンピュータ、通信機器、家電製品のスイッチングモードインバータ及びコンバータに使用できます。 これらの整流器はAEC-Q101認定済みで、車載用途にも適しています。

方向性タイプ = 単方向最大クランピング電圧 = 19.9V最小ブレークダウン電圧 = 13.3V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SMC最大逆スタンドオフ電圧 = 12Vピン数 = 2ピークパルスパワー消費 = 1500W最大ピークパルス電流 = 75.4A1チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Min = -55 ℃動作温度 Max = +150 ℃mm高さ = 2.42mmTRANSZORBR過渡電圧サプレッサ、SMT単方向1500 W、SMCJシリーズ、Vishay Semiconductor

ダイオード構成 = シングル1チップ当たりのエレメント数 = 1パッケージタイプ = DO-214AB (SMC)ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション最大順方向降下電圧 = 890mV動作温度 Min = -65 ℃動作温度 Max = +175 ℃長さ = 7.11mm幅 = 6.22mm高さ = 2.42mm寸法 = 7.11 x 6.22 x 2.42mm超高速回復整流器(2 → 5 A)、Vishay Semiconductor. 特長 ガラス不動態化チップジャンクション、 超高速の逆回復時間、 低順方向電圧降下、 低スイッチング損失、高効率 高順方向サージ機能、 はんだ耐熱性：最大 275 ° C 10 秒( JESD 22-B106 準拠) 代表的用途 家電製品、コンピュータ、通信機器向けのスイッチングモードコンバータ及びインバータで、高周波整流及び転流用途に使用されます。 機械データ ケース ： DO-201AD 成形化合物は UL94V-0 難燃性等級、ベース品番 -E3 - RoHS 適合(商用グレード) 端子 ：つや消しスズめっきリード、 J-STD-002 及び JESD 22-B102 準拠のはんだ付けに対応、末尾が E3 の製品は JESD 201 クラス 1A ウィスカ試験に合格 極性： カラーバンドでカソード端を表示

実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = DO-214AB (SMC)最大連続 順方向電流 = 8Aピーク逆繰返し電圧 = 30Vダイオード構成 = シングル整流タイプ = ショットキー整流器ダイオードタイプ = ショットキーピン数 = 21チップ当たりのエレメント数 = 1ダイオードテクノロジー = ショットキーバリアピーク非繰返し順方向サージ電流 = 150AVishay Semiconductor 高性能ショットキー整流器 4A-9A. ショットキー整流器は、順方向の電圧降下が低く、スイッチング動作が非常に速い半導体ダイオードです。ショットキーダイオードの逆回復時間は非常に高速です。ショットキーダイオードは、高速スイッチングと低電力損失を必要とする用途に適しています。

実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = DO-214AC (SMA)最大連続 順方向電流 = 1Aピーク逆繰返し電圧 = 200Vダイオード構成 = シングル整流タイプ = 汎用ダイオードタイプ = 超高速整流器ピン数 = 2最大順方向降下電圧 = 920mV1チップ当たりのエレメント数 = 1ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクションピーク逆回復時間 = 35nsピーク非繰返し順方向サージ電流 = 30AVishay シリコンジャンクションダイオード： ES1A 、 ES1B 、 ES1C 、 ES1D. 特長 低プロファイルパッケージ 自動配置に最適 ガラス不動態化ペレットチップジャンクション 高効率の超高速リカバリ時間 低順方向電圧、低電力損失 高順方向サージ機能 MSL レベル 1 ( J-STD-020 、 LF 最大 Peak )に対応 ( 260 ° C ) AEC-Q101 認定済み - 自動車注文コード： P/NHE3 または P/NHM3 代表的な用途 高周波整流及びフリーホイーリングで使用します 用途には、のスイッチングモードコンバータ及びインバータがあります 民生機器、コンピュータ、自動車、通信 機械データ ケース： SMA ( DO-214AC ) 成形化合物は UL94 V-0 難燃性等級に適合しています ベース品番 -E3 - RoHS 適合(商用グレード ベース P/N-M3-ハロゲン フリー、 RoHS 準拠、商用 グレード ベース P/NHE3_X - RoHS 準拠、 AEC-Q101 認定 ベース P/NHM3_X - ハロゲンフリー、 RoHS 準拠、および AEC-Q101認定 (「 _X 」はリビジョンコード(例： A 、 B 、 ... ) 端子： つや消しスズめっきリード、はんだ付け可能 J-STD-002 及び JESD 22-B102 を搭載 末尾が E3 、 M3 、 HE3 、 HM3 は、 JESD 201 クラス 2 に適合します ウィスカ試験 極性： カラーバンドでカソード端を表示

実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = DO-214AB (SMC)最大連続 順方向電流 = 3Aピーク逆繰返し電圧 = 800Vダイオード構成 = シングル整流タイプ = 汎用ダイオードタイプ = 整流器ピン数 = 2最大順方向降下電圧 = 1.15V1チップ当たりのエレメント数 = 1ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクションピーク逆回復時間 = 2.5μsピーク非繰返し順方向サージ電流 = 100A標準回復整流器、2 → 10 A. 業界標準スタイルのパッケージに収納された、汎用で高効率の標準回復ダイオードです。

ダイオード構成 = シングル1チップ当たりのエレメント数 = 1パッケージタイプ = DO-214AB (SMC)ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクションピン数 = 2V動作温度 Min = -55 ℃動作温度 Max = +150 ℃長さ = 7.11mm幅 = 6.22mm高さ = 2.42mm寸法 = 7.11 x 6.22 x 2.42mm標準回復整流器、2 → 10 A. 業界標準スタイルのパッケージに収納された、汎用で高効率の標準回復ダイオードです。

ダイオード構成 = シングル最大クランピング電圧 = 38.9V最小ブレークダウン電圧 = 26.7V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = DO-214AB (SMC)最大逆スタンドオフ電圧 = 24Vピン数 = 2ピークパルスパワー消費 = 1500W最大ピークパルス電流 = 38.6AESD保護 = あり1チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Min = -55 ℃寸法 = 7.11 x 6.22 x 2.42mm幅 = 6.22mmTRANSZORBR過渡電圧サプレッサ、SMT単方向1500 W、SMCJシリーズ、Vishay Semiconductor

実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = DO-214AA (SMB)最大連続 順方向電流 = 1.5Aピーク逆繰返し電圧 = 50Vダイオード構成 = シングル整流タイプ = 汎用ダイオードタイプ = 整流器ピン数 = 2最大順方向降下電圧 = 1.15V1チップ当たりのエレメント数 = 1ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクションピーク逆回復時間 = 2μsピーク非繰返し順方向サージ電流 = 50A標準回復整流器、1.5 A. 業界標準スタイルのパッケージに収納された、汎用で高効率の標準回復ダイオードです。. 高さ1 mmの低プロファイル アバランシェ整流

チャンネルタイプ = N， P最大連続ドレイン電流 = 5.3 A 、 3.9 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 Vシリーズ = TrenchFET実装タイプ = 表面実装ピン数 = 8最大ドレイン-ソース間抵抗 = 0.072 O 、 0.15 Oチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 3V1チップ当たりのエレメント数 = 2

方向性タイプ = 単方向最大クランピング電圧 = 24.4V最小ブレークダウン電圧 = 16.7V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SMC最大逆スタンドオフ電圧 = 15Vピン数 = 2ピークパルスパワー消費 = 1500W最大ピークパルス電流 = 61.5A1チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Min = -55 ℃動作温度 Max = +150 ℃mm幅 = 6.22mmTRANSZORBR過渡電圧サプレッサ、SMT単方向1500 W、SMCJシリーズ、Vishay Semiconductor

実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = DO-214AA (SMB)最大連続 順方向電流 = 2Aピーク逆繰返し電圧 = 60Vダイオード構成 = シングル整流タイプ = ショットキー整流器ダイオードタイプ = ショットキーピン数 = 21チップ当たりのエレメント数 = 1ダイオードテクノロジー = ショットキーバリアピーク非繰返し順方向サージ電流 = 75A高性能ショットキー整流器、2 → 3 A、Vishay Semiconductor. Vishay Semiconductoのショットキー整流器製品です。 これらのダイオードは、順方向の電圧降下が非常に低く、スイッチング動作が非常に高速です。 ショットキーダイオードの逆回復時間は非常に短く、高速スイッチングと低電力損失を必要とする用途に適しています。

実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = DO-214AB (SMC)最大連続 順方向電流 = 3Aピーク逆繰返し電圧 = 400Vダイオード構成 = シングル整流タイプ = 汎用ダイオードタイプ = 超高速整流器ピン数 = 2最大順方向降下電圧 = 1.1V1チップ当たりのエレメント数 = 1ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクションピーク逆回復時間 = 50nsピーク非繰返し順方向サージ電流 = 100A超高速回復整流器(2 → 5 A)、Vishay Semiconductor. 特長 ガラス不動態化チップジャンクション、 超高速の逆回復時間、 低順方向電圧降下、 低スイッチング損失、高効率 高順方向サージ機能、 はんだ耐熱性：最大 275 ° C 10 秒( JESD 22-B106 準拠) 代表的用途 家電製品、コンピュータ、通信機器向けのスイッチングモードコンバータ及びインバータで、高周波整流及び転流用途に使用されます。 機械データ ケース ： DO-201AD 成形化合物は UL94V-0 難燃性等級、ベース品番 -E3 - RoHS 適合(商用グレード) 端子 ：つや消しスズめっきリード、 J-STD-002 及び JESD 22-B102 準拠のはんだ付けに対応、末尾が E3 の製品は JESD 201 クラス 1A ウィスカ試験に合格 極性： カラーバンドでカソード端を表示

ダイオード構成 = シングル最大クランピング電圧 = 48.4V最小ブレークダウン電圧 = 33.3V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SMC最大逆スタンドオフ電圧 = 30Vピン数 = 2ピークパルスパワー消費 = 1500W最大ピークパルス電流 = 31A1チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Min = -55 ℃寸法 = 7.11 x 6.22 x 2.42mm幅 = 6.22mmTRANSZORBR過渡電圧サプレッサ、SMT単方向1500 W、SMCJシリーズ、Vishay Semiconductor

実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = DO-214AC (SMA)最大連続 順方向電流 = 1Aピーク逆繰返し電圧 = 100Vダイオード構成 = シングル整流タイプ = 汎用ダイオードタイプ = 整流器ピン数 = 2最大順方向降下電圧 = 1.1V1チップ当たりのエレメント数 = 1ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクションピーク逆回復時間 = 1.8μsピーク非繰返し順方向サージ電流 = 40A標準回復整流器、1 A → 450 V. 業界標準スタイルのパッケージに収納された、汎用で高効率の標準回復ダイオードです。

方向性タイプ = 単方向最大クランピング電圧 = 29.2V最小ブレークダウン電圧 = 20V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = DO-214AB (SMC)最大逆スタンドオフ電圧 = 18Vピン数 = 2ピークパルスパワー消費 = 1500W最大ピークパルス電流 = 51.4AESD保護 = あり1チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Min = -55 ℃動作温度 Max = +150 ℃mm幅 = 6.22mmTRANSZORBR過渡電圧サプレッサ、SMT単方向1500 W、SMCJシリーズ、Vishay Semiconductor

実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = DO-214AA (SMB)最大連続 順方向電流 = 1.5Aピーク逆繰返し電圧 = 400Vダイオード構成 = シングル整流タイプ = 汎用ダイオードタイプ = 高速スイッチング整流器ピン数 = 2最大順方向降下電圧 = 1.3V1チップ当たりのエレメント数 = 1ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクションピーク逆回復時間 = 150nsピーク非繰返し順方向サージ電流 = 50AVishay Semiconductor 高速リカバリ整流器 1.4 A → 20 A. 業界標準のパッケージスタイルの多用途で高効率の高速リカバリパワーダイオードです。

方向性タイプ = 単方向最大クランピング電圧 = 9.2V最小ブレークダウン電圧 = 6.4V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SMC最大逆スタンドオフ電圧 = 5Vピン数 = 2ピークパルスパワー消費 = 1500W最大ピークパルス電流 = 163A1チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Min = -55 ℃動作温度 Max = +150 ℃mm幅 = 6.22mmTRANSZORBR過渡電圧サプレッサ、SMT単方向1500 W、SMCJシリーズ、Vishay Semiconductor

ダイオード構成 = シングル最大クランピング電圧 = 243V最小ブレークダウン電圧 = 167V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SMC最大逆スタンドオフ電圧 = 150Vピン数 = 2ピークパルスパワー消費 = 1500W最大ピークパルス電流 = 6.2A1チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Min = -55 ℃寸法 = 7.11 x 6.22 x 2.42mm幅 = 6.22mmTRANSZORBR過渡電圧サプレッサ、SMT単方向1500 W、SMCJシリーズ、Vishay Semiconductor

実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = DO-214AB (SMC)最大連続 順方向電流 = 3Aピーク逆繰返し電圧 = 100Vダイオード構成 = シングル整流タイプ = 汎用ダイオードタイプ = 高速スイッチング整流器ピン数 = 2最大順方向降下電圧 = 1.3V1チップ当たりのエレメント数 = 1ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクションピーク逆回復時間 = 150nsピーク非繰返し順方向サージ電流 = 100AVishay Semiconductor 高速リカバリ整流器 1.4 A → 20 A. 業界標準のパッケージスタイルの多用途で高効率の高速リカバリパワーダイオードです。

方向性タイプ = 単方向最大クランピング電圧 = 53.3V最小ブレークダウン電圧 = 36.7V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SMC最大逆スタンドオフ電圧 = 33Vピン数 = 2ピークパルスパワー消費 = 1500W最大ピークパルス電流 = 28.1A1チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Min = -55 ℃動作温度 Max = +150 ℃mm幅 = 6.22mmTRANSZORBR過渡電圧サプレッサ、SMT単方向1500 W、SMCJシリーズ、Vishay Semiconductor

実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = DO-214AA (SMB)最大連続 順方向電流 = 1.5Aピーク逆繰返し電圧 = 1000Vダイオード構成 = シングル整流タイプ = 汎用ダイオードタイプ = 整流器ピン数 = 2最大順方向降下電圧 = 1.15V1チップ当たりのエレメント数 = 1ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクションピーク逆回復時間 = 2μsピーク非繰返し順方向サージ電流 = 50A標準回復整流器、1.5 A. 業界標準スタイルのパッケージに収納された、汎用で高効率の標準回復ダイオードです。. 高さ1 mmの低プロファイル アバランシェ整流

方向性タイプ = 双方向最大クランピング電圧 = 77.4V最小ブレークダウン電圧 = 53.3V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SMC最大逆スタンドオフ電圧 = 48Vピン数 = 2ピークパルスパワー消費 = 1500W最大ピークパルス電流 = 19.4A1チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Min = -55 ℃動作温度 Max = +150 ℃mm幅 = 6.22mmTRANSZORBR過渡電圧サプレッサSMT双方向1500 W、Vishay Semiconductor

実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = DO-214AA (SMB)最大連続 順方向電流 = 2Aピーク逆繰返し電圧 = 600Vダイオード構成 = シングル整流タイプ = 汎用ダイオードタイプ = 超高速整流器ピン数 = 2最大順方向降下電圧 = 1.25V1チップ当たりのエレメント数 = 1ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクションピーク逆回復時間 = 75nsピーク非繰返し順方向サージ電流 = 35A超高速回復整流器、1 A、Vishay Semiconductor. Vishay社の超高速整流器では、逆回復時間が15 nsと非常に短く、電圧レベルも1500 Vになります。 主な用途: 低周波のスイッチモード電源(SMPS)、インバータ、還流ダイオードなどがあります。

実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = DO-214AB (SMC)最大連続 順方向電流 = 3Aピーク逆繰返し電圧 = 90Vダイオード構成 = シングル整流タイプ = ショットキー整流器ダイオードタイプ = ショットキーピン数 = 21チップ当たりのエレメント数 = 1ダイオードテクノロジー = ショットキーバリアピーク非繰返し順方向サージ電流 = 100A高性能ショットキー整流器、2 → 3 A、Vishay Semiconductor. Vishay Semiconductoのショットキー整流器製品です。 これらのダイオードは、順方向の電圧降下が非常に低く、スイッチング動作が非常に高速です。 ショットキーダイオードの逆回復時間は非常に短く、高速スイッチングと低電力損失を必要とする用途に適しています。

MOSFET・モスフェット